DE10312526B4

DE10312526B4 - Erzeugung von selbst justierten und selbst belichteten Photolackmustern auf Licht emittierenden Anordnungen

Info

Publication number: DE10312526B4
Application number: DE10312526A
Authority: DE
Inventors: William David Collins III; Wayne L. Snyder; Daniel A. Steigerwald
Original assignee: Lumileds LLC
Current assignee: Lumileds Holding BV
Priority date: 2002-03-22
Filing date: 2003-03-20
Publication date: 2013-06-06
Anticipated expiration: 2023-03-21
Also published as: DE10312526A1; TWI284424B; US20030181122A1; JP4589604B2; JP2003298106A; US6756186B2; TW200419823A

Abstract

Verfahren mit: Beschichten zumindest eines Abschnitts einer Licht emittierenden Anordnung mit Photolack, Belichten eines Abschnitts des Photolacks, wobei der Abschnitt des Photolacks mit Licht belichtet wird, das vom Inneren der Licht emittierenden Anordnung aus auf die Grenzfläche zwischen der Licht emittierenden Anordnung und dem Photolack trifft, und Entwickeln des Photolacks, wobei das Entwickeln den belichteten Abschnitt des Photolacks entfernt.

Description

Diese Erfindung bezieht sich allgemein auf Licht emittierende Anordnungen und mehr im Einzelnen auf das Erzeugen eines selbst justierten, selbst belichteten Photolackmusters auf einer Leuchtdiode (LED).
Licht emittierende Halbleiteranordnungen wie z. B. Leuchtdioden gehören zu den wirksamsten derzeit verfügbaren Lichtquellen. Materialsysteme, die derzeit bei der Herstellung von LEDs mit großer Helligkeit, welche im sichtbaren Spektrum betrieben werden können, von Interesse sind, enthalten Halbleiter der Gruppe III–V, die binäre, ternäre und quaternäre Legierungen aus Gallium, Aluminium, Indium und Stickstoff, auch als III-Nitridmaterialien bezeichnet, einschließen. Auf dem III-Nitrid-Materialsystem beruhende Licht emittierende Anordnungen verschaffen Festkörper-Lichtquellen hoher Helligkeit in den Spektralbereichen vom UV bis Gelb. Typischerweise werden III-Nitridanordnungen auf einem Saphir-, Siliciumcarbid- oder III-Nitrid-Substrat mit Hilfe von metallorganischer Gasphasenabscheidung (MOCVD: metal-organic chemical vapor deposition), Molekularstrahlepitaxie (MBE: molecular beam epitaxy) oder anderen Epitaxietechniken epitaktisch aufgewachsen. Einige dieser Substrate sind isolierend oder schlecht leitend. Anordnungen, die aus Halbleiterkristellen gefertigt werden, die auf derartigen Substraten aufgewachsen sind, müssen die elektrischen Kontakte sowohl der positiven als auch der negativen Polarität mit dem epitaktisch aufgewachsenen Halbleiter an der gleichen Seite der Anordnung aufweisen. Dagegen können auf leitenden Substraten aufgewachsene Halbleiteranordnungen so gefertigt werden, dass ein elektrischer Kontakt auf dem epitaktisch aufgewachsenen Material und der andere elektrische Kontakt auf dem Substrat gebildet wird, Auf leitenden Substrate gefertigte Anordnungen können jedoch auch so entworfen werden, dass sie beide Kontakte auf der gleichen Seite der Anordnung aufweisen, auf der das Epitaxiematerial in einer Flip-Chip-Geometrie aufgewachsen ist, um so die Extraktion von Licht aus dem LED-Chip zu verbessern, die Stromführungkapazität des Chips zu verbessern oder die Wärmeabfuhr des LED-Chips zu verbessern. Bei zwei Arten von Licht emittierenden Anordnungen sind die Kontakte auf der gleichen Seite der Anordnung gebildet. Bei der ersten, Flip-Chip genannt, wird Licht durch das Substrat hindurch extrahiert. Bei der zweiten wird Licht durch auf den Epitaxieschichten gebildete transparente oder semitransparent Kontakte extrahiert.
Die Fertigung einer LED erfordert das Aufwachsen einer n-Schicht oder von n-Schichten, die über einem Substrat liegen, das Aufwachsen eines über den n-Schichten liegenden aktiven Gebietes und das Aufwachsen einer p-Schicht oder p-Schichten, die über dem aktiven Gebiet liegen. Licht wird durch die Rekombination von Elektronen und Löchern innerhalb des aktiven Gebietes erzeugt. Nach der Fertigung wird die LED typischerweise auf einer Montagebasis montiert. Um eine LED-basierte Lichtquelle zu schaffen, die weißes Licht oder eine andere Farbe als die Farbe von in dem aktiven Gebiet der LED erzeugte Licht emittiert, wird ein Leuchtstoff in den Weg des gesamten oder eines Teils des in dem aktiven Gebiet erzeugten Lichtes eingebracht. Wie hier verwendet, bezieht sich ”Leuchtstoff” auf jedes lumineszierende Material, das Licht einer Wellenlänge absorbiert und Licht einer anderen Wellenlänge emittiert. Um beispielsweise weißes Licht zu erzeugen, kann eine blaue LED mit einem Leuchtstoff beschichtet sein, der gelbes Licht erzeugt. Blaues Licht aus der LED mischt sich mit gelbem Licht aus dem Leuchtstoff und weißes Licht wird erzeugt.
In der WO 97/48 138 A2 ist ein Verfahren zum Erzeugen einer leuchtstoff-konvertierten LED offenbart, bei dem eine Schicht einer Leuchtstoff/Photolack-Mischung auf die LED aufgetragen wird, die nach Beleuchten mit UV-Strahlung unlöslich wird. Die Schicht wird selektiv mit UV-Licht beleuchtet, indem die LEDs elektronisch aktiviert werden, wonach in einem Entwicklungsschritt die unbeleuchteten Abschnitte der Schicht mit einem Lösungsmittel entfernt werden.
Eine Weise, eine leuchtstoff-konvertierte LED zu erzeugen, ist, nach dem Montieren auf der Montagebasis eine konturgetreue Leuchtstoffbeschichtung über der LED anzubringen. Eine konturgetreu-beschichtete leuchtstoff-konvertierte LED wird ausführlicher in der US 2002/0 185 965 A1 (Anmeldenummer 09/879 547) mit dem Titel ”Phosphor-Converted Light Emitting Device” beschrieben. Wenn die konturgetreue Beschichtung von Leuchtstoff nicht gleichmäßig ist, kann es zu unerwünschten Inkonsistenzen in dem von der leuchtstoff-konvertierten LED erzeugten Licht kommen. Herkömmlicherweise wurde eine LED konturgetreu beschichtet, indem für planare Halbleiter entwickelte Photomaskierungstechniken verwendet wurden, wobei Masken eingesetzt werden, um die Größe und Form von in Photolack, der auf der LED und Montagebasis deponiert ist, zu druckende Muster zu definieren. Die gedruckte Photolackschicht definiert, welche Gebiete mit Leuchtstoff bedeckt werden.
Die Anwendung herkömmlicher Maskierungstechniken auf dreidimensionale Strukturen, wie z. B. eine auf einer Montagebasis montierte LED ist voller Probleme, zu denen reflektiertes Streulicht und Schärfentiefe-Artefakte in dem resultierenden Bild gehören sowie unvollkommene Ausrichtung, die beide zu einer ungleichmäßigen Beschichtung der LED führen. Zum Beispiel an den Oberflächen der dreidimensionalen LED-Struktur, einschließlich der Oberfläche der zum Maskieren verwendeten Photolackschicht reflektiertes Licht kann Belichtungsartefakte einbringen. Auch Schärfentiefeprobleme können zu Verzeichnungen und Verlust an Maßgenauigkeit in dem von der Maske erzeugten Bild führen. Außerdem werden nicht alle LEDs eine perfekte Form haben oder perfekt zu anderen LEDs in einer Matrix aus LEDs ausgerichtet sein. Form- und Ausrichtungsunvollkommenheiten können zu ungleichmäßiger Beschichtung führen. Masken können die Prozess- und Objektschwankungen, die normalerweise in einer Fertigungsumgebung beobachtet werden und die zu Unvollkommenheiten und Ausbeuteverlusten führen, nicht vollständig kompensieren.
Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung wird ein Verfahren zum Bilden einer Photolackmaske auf einer Licht emittierenden Anordnung offenbart. Ein Abschnitt der Licht emittierenden Anordnung wird mit Photolack bedeckt. Ein Abschnitt des Photolacks wird durch vom Inneren der Licht emittierenden Anordnung aus auf die Grenzfläche zwischen der Licht emittierenden Anordnung und dem Photolack auftreffendes Licht belichtet. Der Photolack wird entwickelt, wobei der belichtete Photolack entfernt wird. Bei einer der Ausführungsformen kann die Photolackmaske verwendet werden, um eine Leuchtstoffbeschichtung auf der Licht emittierenden Anordnung zu bilden. Die Licht emittierende Anordnung wird an einer Montagebasis befestigt, und die Licht emittierende Anordnung und die Montagebasis werden mit Photolack beschichtet. Ein Abschnitt des Photolacks wird durch vom Inneren der Licht emittierenden Anordnung aus auf die Grenzfläche zwischen der Licht emittierenden Anordnung und dem Photolack auftreffendes Licht belichtet. Der Photolack wird entwickelt, um den belichteten Photolack zu entfernen. Eine Leuchtstoffschicht wird deponiert, die über der Licht emittierenden Anordnung liegt, danach wird der unbelichtete Abschnitt aus Photolack gestrippt. Bei manchen Ausführungsformen wird das Licht, das den Photolack belichtet, durch elektrisches Vorspannen der Licht emittierenden Anordnung, durch Leuchtenlassen von Licht durch eine Öffnung in die Licht emittierende Anordnung hinein oder durch Leuchtenlassen von Licht in die Licht emittierende Anordnung hinein mit einem gelenkten, fokussierten Laserstrahlenbündel erzeugt.
1A–1F veranschaulichen eine mit einer Montagebasis verbundene LED bei verschiedenen Stadien während der Leuchtstoff-Beschichtung.
2 veranschaulicht eine Ausführungsform eines selbstbelichtenden Photolacks.
3 veranschaulicht eine alternative Ausführungsform eines selbstbelichtenden Photolacks.
4A–4C veranschaulichen eine alternative Ausführungsform der Leuchtstoff-Beschichtung einer LED.
Gemäß Ausführungsformen der Erfindung wird aus einer LED stammendes Licht verwendet, um Photolack zu belichten, was zu einem Photolackmuster führt, dass zu der LED selbstjustiert ist. Der Prozess kann Schärfentiefe-, Streu- und Maskenausrichtungsprobleme beseitigen, die mit der Verwendung herkömmlicher Masken verbunden sind, sowie Probleme, die sich aus ungleichmäßig großen LEDs ergeben.
1A–1F veranschaulichen eine Ausführungsform von konturgetreuer Beschichtung einer LED mit Leuchtstoff bei Verwendung einer selbst justierten Photolackmaske. 1A veranschaulicht eine auf der Montagebasis 10 montierte LED 18. Die LED 18 enthält ein Substrat 16, ein n-Gebiet 15, ein aktives Gebiet 14 und ein p-Gebiet 13. Ein p-Kontakt 12 ist an dem p-Gebiet 13 befestigt. Ein n-Kontakt 11 ist an dem n-Gebiet 15 befestigt. Die LED 18 kann an der Montagebasis 10 beispielsweise mit Lot (nicht abgebildet) zwischen den Kontakten 11 und 12 und der Montagebasis 10 befestigt sein. Andere Verfahren zum Befestigen von LED 18 an der Montagebasis 10 werden ausführlicher in der US 6 486 499 B1 (Anmeldenummer 09/469 657) beschrieben, mit dem Titel ”III-Nitrid-Light-Emitting-Device With Increased Light Generating Capability' und durch Nennung hierin aufgenommen. Üblicherweise ist das Substrat 16 transparent und die Montagebasis 10 undurchsichtig.
In 1B sind die LED 18 und die Montagebasis 10 mit einer Schicht aus Photolack 20 beschichtet. Die Photolackschicht 20 kann beispielsweise ein positiver Photolack sein, was bedeutet, dass, wenn Photolack 20 elektromagnetischer Strahlung ausgesetzt wird, die Strahlung die chemischen Bindungen in der Photolackschicht 20 zerstört, wodurch diese in einer Entwicklerlösung gelöst werden kann. Die nicht bestrahlten Abschnitte des Photolacks 20 sind in einer Entwicklerlösung nicht löslich und bleiben daher zurück, wenn die Photolackschicht 20 entwickelt wird. Der Photolack 20 kann beispielsweise ein Trockenfilm-Photolack sein, der mit einem geheizten Vakuumbeschichter angebracht wird, ein Flüssigfilm-Photolack, ein elektrophoretisch abgeschiedener Photolack, ein mittels Siebdruck aufgebrachter Photolack oder irgendein anderer geeigneter Photolack. Im Allgemeinen ist der Photolack 20 ein positiv wirkender Photolack.
In 1C wird die Photolackschicht 20a Licht aus der LED 18 ausgesetzt. Die Photolackschicht 20b wird dem Licht aus der LED 18 nicht ausgesetzt. 2 und 3 veranschaulichen zwei Ausführungsformen des Belichtens der Photolackschicht 20a. Bei einer in 2 veranschaulichten Ausführungsform ist die LED 18 elektrisch vorgespannt, um Licht 24 zu erzeugen. Das Licht 24 kann von den mit Photolack bedeckten Oberflächen der LED 18 weg intern reflektiert werden, wobei der diese Oberflächen bedeckende Photolack belichtet wird. Üblicherweise sind die Kontakte 11 und 12 (in 1A gezeigt) stark reflektierend, was das Streuen von Licht 24 innerhalb der LED 18 unterstützt. Das intern reflektierte Licht 24 erzeugt eine selbst justierte belichtete Schicht aus Photolack, die einen Kreisring von kontrollierter Dicke 20c enthält, der die LED 18 umgibt.
Die LED 18 von 2 kann auf zwei Weisen elektrisch vorgespannt werden. Erstens kann eine Spannung an Kontakte (nicht abgebildet) auf der Unterseite 26 der Montagebasis 10 angelegt werden. Die Kontakte auf der Unterseite 26 der Montagebasis 10 sind mit Lötbuckeln 28 elektrisch verbunden, die mit den Kontakten 11 und 12 (in 1A gezeigt) der LED 18 verbunden sind. Die Spannung bewirkt, dass die LED 18 Licht 24 aus dem aktiven Gebiet der LED 18 heraus emittiert. Bei einer der Ausführungsformen ist die Montagebasis 10 ein Teil eines nicht zertrennten Wafers aus Montagebasen mit einer an jeder Montagebasis auf dem Wafer befestigten LED. Mit jeder Montagebasenzeile auf dem Wafer ist eine Reihe von Sonden verbunden. Jede Sonde liefert dann eine Reihe kurzer Spannungsvorimpulse, bis in der LED 18 ein minimal geforderter Pegel eines Belichtungsflusses erzeugt worden ist, der notwendig ist, um den Photolack 20 zu belichten. Zweitens kann die LED 18 durch HF-Anregung elektrisch vorgespannt werden. Die LED 18 kann durch gleichgerichtetes Koppeln mit HF-Feldern Licht erzeugen, wenn die Montagebasis 10 und die LED 18 in der Nähe eines HF-Strahlers oder einer Antenne platziert sind.
Bei einer in 3 veranschaulichten Ausführungsform wird die LED 18 optisch gepumpt, um Licht 24 zu erzeugen. Wie in 3 gezeigt ist eine Maske 30, wie z. B. eine Dunkelfeld-Punktmaske, über der LED 18 ausgerichtet. Die Maske 30 enthält eine Öffnung 35. Die Öffnung 35 ist viel kleiner als die LED 18, um die Ausrichtung der Öffnung 35 über der LED 18 zu vereinfachen. Die Öffnung 35 braucht nicht in der Mitte der LED 18 zu liegen. Die Öffnung 35 kann jede beliebige Form haben. Ein kollimiertes Lichtbündel 24 wird der Maske 30 zugeführt. Die verwendete Lichtquelle kann beispielsweise ein Breitstrahler sein, der kollimiertes Licht mit einer Divergenz von weniger als 30° erzeugt, ein Glasfaserkabel, das mit einer entfernten Lichtquelle verbunden ist oder eine Laserlichtquelle. Es kann eine fokussierte Laserlichtquelle verwendet werden und der Laser kann gelenkt werden, um den Photolack zu belichten, der auf einem nicht zertrennten Wafer aus Montagebasen montierte Mehrfach-LEDs bedeckt. Die Lichtquelle belichtet zuerst den Photolackabschnitt unter der Öffnung 35. Durch die Öffnung 35 und die Photolackschicht hindurchgelassenes Licht 24 tritt in die LED 18 ein, wo Licht 24 von den mit Photolack bedeckten Oberflächen der LED 18 weg reflektiert wird, wobei der diese Oberflächen bedeckende Photolack belichtet wird. Bei einer der Ausführungsformen wird der Photolack entwickelt, um die von der Öffnung 35 frei gelassene Photolackschicht zu entfernen. Man läßt dann Licht durch die Öffnung 35 und die Lücke in der Photolackschicht leuchten, und dieses wird von den Wandungen der LED 18 weg reflektiert, um den übrigen die LED 18 beschichtenden Photolack zu belichten. So können, wenn die LED optisch gepumpt wird, zwei Zyklen von Photolackbelichtung und Entwickeln erforderlich sein. Auch kann die LED eine III-Nitrid-Anordnung mit einem aktiven Gebiet aus InGaN sein, und das kollimierte Lichtbündel kann UV-Licht sein, das flache UV-Emissionen aus dem aktiven Gebiet oder irgendeiner anderen Schicht der LED 18 anregt. Bei einer der Ausführungsformen kann der Durchmesser von Öffnung 35 etwa 100 μm betragen. Die LED 18 kann eine obere Fläche von (1000 μm)² haben. Der Photolack 20 (1B) kann eine hohe Absorption aufweisen, um zu verhindern, dass Licht 24 durch den Photolack 20a und 20b hindurchgelassen wird.
Bei den in sowohl 2 als auch 3 veranschaulichten Ausführungsformen hängt die Menge an Belichtung mit Licht (d. h. die Belichtungsdauer und Belichtungsstärke), die zum Entwickeln von Photolack 20 notwendig ist, von dem verwendeten Photolack ab. Wenn ein hochabsorbierender Photolack verwendet wird, kann die Belichtungsdauer erhöht werden. Auch die Wellenlänge des zum Belichten des Photolacks notwendigen Lichtes hängt von dem verwendeten Photolack ab.
Nachdem er Licht aus der LED 18 ausgesetzt worden ist, wird der belichtete Photolack 20a durch Anwendung einer Photolackentwicklerlösung, wie z. B. eines flüssigen Standardentwicklers entfernt. Belichteter Photolack 20a ist in der Entwicklerlösung löslich, während unbelichteter Photolack 20b in der Entwicklerlösung nicht löslich ist. Der verwendete Entwickler hängt von der Zusammensetzung des Photolacks 20 ab. Nach dem Entwickeln verbleibt die in 1D gezeigte Struktur.
Dann wird eine Schicht aus Leuchtstoff 22 über Abschnitten der in 1D gezeigten Struktur deponiert, wie in 1E gezeigt. Leuchtstoff 22 kann selektiv mittels beispielsweise Siebdruck oder elektrophoretische Abscheidung deponiert werden, welche beide in ”Phosphor-Converted Light Emitting Device”, bereits früher durch Nennung aufgenommen, ausführlicher beschrieben werden. Nach der Leuchtstoffdeposition und Fixierung wird unbelichteter Photolack 20b gestrippt. Es ergibt sich die in 1F gezeigte Struktur. Bei einer der Ausführungsformen wird der Photolack 20 so gewählt, dass unbelichteter Photolack 20b eine Leitfähigkeit hat, die niedrig genug ist, dass er eine wirksame Maske für elektrophoretische Abscheidung ohne ”Hardbake” darstellt, was den Photolack 20b weiterhin fixieren wurde, wodurch der Photolack 20b schwierig zu strippen wäre, sobald der Leuchtstoff 22 deponiert ist. Bei einer der Ausführungsformen wird der Photolack 20 so gewählt, dass die Hardbake-Temperatur niedriger ist als die von der LED 18 und der Montagebasis 10 während der Leuchtstoffbeschichtung und eventueller Aushärteschritte, die zum Einstellen der Leuchtstoffbeschichtung nötig sind, zugelassene maximale Temperatur.
Sobald jede LED 18 auf dem Wafer aus Montagebasen mit Leuchtstoff beschichtet ist, können die Montagebasen durch Probing getestet werden. Der Wafer wird dann in einzelne Montagebasen, die je an einer LED befestigt sind, zertrennt. Die Montagebasen werden sortiert, mit einem Gehäuse chipbefestigt und mit einer Einbettmasse verkapselt. Probing, Zertrennen, Sortieren, Chipbefestigung und Verkapselungsschritte sind in der Gehäusetechnik für Leuchtdioden wohlbekannt.
Gemäß Ausführungsformen der Erfindung kann die Verwendung eines selbst belichteten und selbst justierten Verfahrens zum Belichten von Photolack mehrere Vorteile bieten. Erstens wird, da der Photolack durch aus dem Inneren der LED 18 stammendes Licht selbst belichtet ist, keine andere Maske als eventuell die Punktmaske 30 von 3 benötigt. Die Punktmaske 30 kann eine einfache preiswerte Ausrichtungsschablone sein, die für jede Größe oder Form einer LED funktioniert, die auf den Montagebasismitten des Montagebasiswafers montiert ist. Somit wird eine kostspielige Hochpräzisionsausrichtung einer Maske mit dem Montagebasiswafer vermieden. Durch die Beseitigung der Strukturierung durch eine Präzisionsmaske werden durch Veränderungen der Größe, Form, Platzierung und Montagehöhe von LEDs 18 in Bezug zum Maskenmuster verursachte Schwankungen in der Leuchtstoffdicke verringert. Zweitens werden Schärfentiefe- und Lichtstreufehler in dem Photolackmuster beseitigt. Drittens kann die Breite des Kreisrings 20c durch Belichtung mit Licht gesteuert werden, wodurch Schwankungen in der Lichtausbeute der fertigen gehäusten konturgetreu beschichteten LED, die durch Schwankungen in der Ringdicke verursacht werden, verringert werden. Bei einer der Ausführungsformen hat der Kreisring 20c eine Breite, die nicht größer ist als die Dicke der Photolackbeschichtung 20. Bei einer der Ausführungsformen ist die Breite von Kreisring 20c weniger als 100 Mikrometer breit.
4A–4C veranschaulichen ein alternatives Verfahren zum Erzeugen einer selbst justierten Photolackschicht auf einer LED. In 4A ist die LED 18 auf der Montagebasis 10 montiert, was zu der gleichen Struktur wie in 1A führt. Die Struktur wird dann mit einer Schicht aus Photolack 40 beschichtet, wie in 4B gezeigt. Photolack 40 kann ein negativer Photolack sein, der mit Leuchtstoff, fluoreszierenden Farbstoffen oder andere photolumineszierenden Materialien gefüllt ist. In 4C wird mit einem der in dem zu 2 und 3 gehörenden Text beschriebenen Verfahren Licht in die LED 18 eingebracht. Das Licht belichtet den Abschnitt 40a der Photolackschicht 40. Abschnitte 40b sind unbelichtet. Da der Photolack 40 ein negativer Photolack ist, werden bei der Entwicklung von Photolack 40a und 40b Abschnitte 40b des Photolacks entfernt, wobei der Abschnitt 40a verbleibt. Es ergibt sich die in 1F gezeigte Struktur.
Die oben beschriebenen Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung dienen nur der Erläuterung und sollen nicht einschränkend sein. Beispielsweise beschränkt sich die Erfindung nicht auf III-Nitrid-Anordnungen und kann sie auf Anordnungen angewendet werden, die aus III-Phosphiden oder anderen Materialsystemen hergestellt sind.

Claims

Verfahren mit: Beschichten zumindest eines Abschnitts einer Licht emittierenden Anordnung mit Photolack, Belichten eines Abschnitts des Photolacks, wobei der Abschnitt des Photolacks mit Licht belichtet wird, das vom Inneren der Licht emittierenden Anordnung aus auf die Grenzfläche zwischen der Licht emittierenden Anordnung und dem Photolack trifft, und Entwickeln des Photolacks, wobei das Entwickeln den belichteten Abschnitt des Photolacks entfernt.
Verfahren nach Anspruch 1, weiterhin mit Erzeugen von Licht innerhalb der Licht emittierenden Anordnung durch elektrisches Vorspannen der Licht emittierenden Anordnung.
Verfahren nach Anspruch 2, in dem das Vorspannen mittels einer Vielzahl von Vorimpulsen erreicht wird.
Verfahren nach Anspruch 1, weiterhin mit Erzeugen von Licht innerhalb der Licht emittierenden Anordnung durch Platzieren der Licht emittierenden Anordnung nahe einer HF-Quelle, wobei die HF-Quelle bewirkt, dass die Licht emittierende Anordnung Licht aus einem aktiven Gebiet der Licht emittierenden Anordnung emittiert.
Verfahren nach Anspruch 1, weiterhin mit Erzeugen von Licht innerhalb der Licht emittierenden Anordnung durch: Platzieren einer Öffnung über einem Abschnitt der Licht emittierenden Anordnung; Leuchtenlassen von Licht durch die Öffnung.
Verfahren nach Anspruch 5, wobei die Öffnung kleiner ist als eine Abmessung der Licht emittierenden Anordnung.
Verfahren nach Anspruch 5, in dem Leuchtenlassen von Licht durch die Öffnung das Leuchtenlassen eines nahezu parallelisierten Lichtbündels durch die Öffnung umfasst.
Verfahren nach Anspruch 1, weiterhin mit Erzeugen von Licht innerhalb der Licht emittierenden Anordnung durch Belichtung mit einem fokussierten Laserstrahlenbündel.
Verfahren nach Anspruch 8, in dem das fokussierte Laserstrahlenbündel gelenkt wird, um einen die Licht emittierende Anordnung beschichtenden Abschnitt des Photolacks und einen eine zweite Licht emittierende Anordnung beschichtenden Photolackabschnitt zu belichten.
Verfahren nach Anspruch 1, weiterhin mit Erzeugen von Licht innerhalb der Licht emittierenden Anordnung durch Aussetzen der Licht emittierenden Anordnung an eine Lichtquelle, die Lichtemission aus einer Schicht der Licht emittierenden Anordnung heraus anregt.
Verfahren nach Anspruch 10, in dem die Lichtquelle eine UV-Lichtquelle umfasst.
Verfahren nach Anspruch 1, in dem Entwickeln den belichteten Abschnitt des Photolacks entfernt, wobei das Verfahren weiterhin das Deponieren eines photolumineszierenden Materials in einer durch Entwickeln in dem Photolack gelassenen Lücke umfasst.
Verfahren zum Beschichten einer Licht emittierenden Anordnung mit Leuchtstoff, wobei das Verfahren umfasst: Befestigen der Licht emittierenden Anordnung an einer Montagebasis; Beschichten zumindest eines Abschnitts der Licht emittierenden Anordnung und zumindest eines Abschnitts der Montagebasis mit Photolack; Erzeugen von Licht, das vom Inneren der Licht emittierenden Anordnung aus auf eine Grenzfläche zwischen der Licht emittierenden Anordnung und dem Photolack trifft, wobei das Licht einen Abschnitt des Photolacks belichtet; Entwickeln des Photolacks, wobei das Entwickeln den belichteten Photolackabschnitt entfernt; Deponieren einer über der Licht emittierenden Anordnung liegenden Leuchtstoffschicht und Strippen eines unbelichteten Abschnitts des Photolacks.
Verfahren nach Anspruch 13, in dem die Licht emittierende Anordnung eine III-Nitrid-Anordnung ist.
Verfahren nach Anspruch 13, in dem Erzeugen von Licht elektrisches Vorspannen der Licht emittierenden Anordnung umfasst.
Verfahren nach Anspruch 13, in dem Erzeugen von Licht das Erzeugen von genug Belichtung mit Licht umfasst, um einen über der Licht emittierenden Anordnung liegenden Abschnitt des Photolacks und einen Kreisring aus Photolack auf der Montagebasis zu belichten.
Verfahren nach Anspruch 13, in dem Erzeugen von Licht umfasst: Platzieren einer Öffnung über einem Abschnitt der Licht emittierenden Anordnung; Leuchtenlassen von Licht durch die Öffnung.
Verfahren nach Anspruch 14, in dem die Öffnung eine Abmessung aufweist, die kleiner als 100 Mikrometer ist.
Verfahren nach Anspruch 13, in dem Erzeugen von Licht das Aussetzen der Licht emittierenden Anordnung an eine Lichtquelle umfasst, die Lichtemission aus einem aktiven Gebiet der Licht emittierenden Anordnung heraus anregt.
Verfahren nach Anspruch 13, in dem Deponieren einer Leuchtstoffschicht Deponieren einer Leuchtstoffschicht mittels elektrophoretischer Abscheidung umfasst.
Verfahren nach Anspruch 13, in dem die Leuchtstoffschicht in einem Gebiet deponiert wird, wo der Photolack durch Belichtung und Entwicklung entfernt worden ist.