CN111106215B - 一种led芯片电极的制备方法 - Google Patents
一种led芯片电极的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111106215B CN111106215B CN201811266029.9A CN201811266029A CN111106215B CN 111106215 B CN111106215 B CN 111106215B CN 201811266029 A CN201811266029 A CN 201811266029A CN 111106215 B CN111106215 B CN 111106215B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- led chip
- layer
- negative photoresist
- positive photoresist
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 139
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 claims description 3
- 238000002144 chemical decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 1
- 239000005431 greenhouse gas Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
一种LED芯片电极的制备方法，在LED芯片外延层表面上先沉积一层正性光刻胶层，此正性光刻胶层处于负性光刻胶层和LED芯片外延层之间，且在制备过程中此部分正性光刻胶已经受到光照发生化学分解反应，此部分正性光刻胶更易去除，因负性光刻胶层覆盖在正性光刻胶层表面，负性光刻胶随着正性光刻胶一起去除，确保LED芯片不会留下胶膜，得到更洁净的LED芯片。
Description
技术领域
本发明涉及光电子技术领域，具体涉及一种LED芯片电极的制备方法。
背景技术
LED作为21世纪的照明新光源，同样亮度下，半导体灯耗电仅为普通白炽灯的l/10，而寿命却可以延长100倍。LED器件是冷光源，光效高，工作电压低，耗电量小，体积小，可平面封装，易于开发轻薄型产品，结构坚固且寿命很长，光源本身不含汞、铅等有害物质，无红外和紫外污染，不会在生产和使用中产生对外界的污染。因此，半导体灯具有节能、环保、寿命长等特点，如同晶体管替代电子管一样，半导体灯替代传统的白炽灯和荧光灯，也将是大势所趋。无论从节约电能、降低温室气体排放的角度，还是从减少环境污染的角度，LED作为新型照明光源都具有替代传统照明光源的极大潜力。
上世纪50年代，在IBM Thomas J. Watson Research Center为代表的诸多知名研究机构的努力下，以GaAs为代表的III–V族半导体在半导体发光领域迅速崛起。之后随着金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术的出现，使得高质量的III–V族半导体的生长突破了技术壁垒，各种波长的半导体发光二极管器件相继涌入市场。由于半导体发光二极管相对于目前的发光器件具有效率高、寿命长、抗强力学冲击等特质，在世界范围内被看作新一代照明器件。
现阶段LED芯片电极制备大部分都采用负胶剥离的方法，正性光刻胶的特点是受到紫外光或其它强光照射后，受到光照区域的光刻胶发生化学分解反应，更容易被显影液溶解。负性光刻胶的特点是受到紫外光或其它强光照射后，受到光照区域的光刻胶发生光固化反应，较难被显影液溶解，而未受到光照区域较容易被显影液溶解。因负性光刻胶的特性经过曝光的部分会较难去除，导致负胶容易在LED芯片留下胶膜，后续需要通过大量的去胶作业确保LED芯片表面的洁净度。而正性光刻胶作业的特性经过曝光的部分会较容易去除，但正性光刻胶无法用于电极剥离。负胶剥离容易留下胶膜，胶膜对芯片外观、芯片的可焊性都会造成比较大的影响，会造成较严重的芯片损失及客户端损失。
发明内容
本发明为了克服以上技术的不足，提供了一种能得到更洁净的芯片表面且确保表面不会残留胶膜的LED芯片电极的制备方法。
本发明克服其技术问题所采用的技术方案是：
一种LED芯片电极的制备方法，包括如下步骤：
a)在LED芯片衬底上方制备LED芯片外延层；
b)在LED芯片外延层上表面上涂一层正性光刻胶，形成正性光刻胶层；
c)在正性光刻胶层上通过光刻制备正性光刻胶图形；
d)在正性光刻胶图形表面涂一层负性光刻胶，形成负性光刻胶层；
e)在负性光刻胶层上通过光刻制备负性光刻胶图形；
f)在负性光刻胶图形上制备LED芯片电极，将LED芯片外延层上端且位于LED芯片电极之外的正性光刻胶层及负性光刻胶层去除。
优选的，步骤b)中在LED芯片外延层上表面上涂厚度为3-4μm的正性光刻胶，涂胶后放入温度为85-95℃的烘箱中烘烤10-20分钟。
优选的，在正性光刻胶烘烤后对正性光刻胶层中需要制备LED芯片电极的区域进行光照，光照后使用显影液将需要制备LED芯片电极的区域中的正性光刻胶去除，制得正性光刻胶图形。
优选的，步骤d)中在正性光刻胶图形上涂厚度为2-3μm的负性光刻胶，涂胶后放入温度为85-95℃的烘箱中烘烤10-15分钟。
优选的，在负性光刻胶烘烤后对负性光刻胶层中需要制备LED芯片电极的区域之外进行光照，光照后放入温度为95-105℃的烘箱中烘烤10-15分钟，烘烤后使用显影液将需要制备LED芯片电极的区域中的负性光刻胶去除，制得负性光刻胶图形。
优选的，在步骤f)中先将负性光刻胶层上表面上镀一层厚度为1.6-2.8μm的Au膜，将需要制备LED芯片电极的区域之外的Au膜剥离掉后将LED芯片外延层上端且位于LED芯片电极之外的正性光刻胶层及负性光刻胶层去除，制得LED芯片电极。
本发明的有益效果是：在LED芯片外延层表面上先沉积一层正性光刻胶层，此正性光刻胶层处于负性光刻胶层和LED芯片外延层之间，且在制备过程中此部分正性光刻胶已经受到光照发生化学分解反应，此部分正性光刻胶更易去除，因负性光刻胶层覆盖在正性光刻胶层表面，负性光刻胶随着正性光刻胶一起去除，确保LED芯片不会留下胶膜，得到更洁净的LED芯片。
附图说明
图1为本发明中在外延层表面涂正性光刻胶后的LED芯片剖视图；
图2为本发明中在正性光刻胶表面涂负性光刻胶后的LED芯片剖视图；
图3为本发明中在负性光刻胶上制备电极后的LED芯片剖视图；；
图中，1.LED芯片衬底 2.LED芯片外延层 3.正性光刻胶层 4.负性光刻胶层5.LED芯片电极。
具体实施方式
下面结合附图1、附图2、附图3对本发明做进一步说明。
一种LED芯片电极的制备方法，包括如下步骤：
a)在LED芯片衬底1上方制备LED芯片外延层2；
b)在LED芯片外延层2上表面上涂一层正性光刻胶，形成正性光刻胶层3；
c)在正性光刻胶层3上通过光刻制备正性光刻胶图形；
d)在正性光刻胶图形表面涂一层负性光刻胶，形成负性光刻胶层4；
e)在负性光刻胶层4上通过光刻制备负性光刻胶图形；
f)在负性光刻胶图形上制备LED芯片电极5，将LED芯片外延层2上端且位于LED芯片电极5之外的正性光刻胶层3及负性光刻胶层4去除。
现有技术中，LED芯片电极制备大部分都采用负胶剥离的方法，都需要在LED芯片的外延层表面直接涂上负性光刻胶，因负性光刻胶的特性，电极剥离后要去除的负性光刻胶是通过光照产生光固化反应的，此部分负性光刻胶去除难度较大且容易留下胶膜。
本发明中在LED芯片外延层2表面上先沉积一层正性光刻胶层3，此正性光刻胶层3处于负性光刻胶层4和LED芯片外延层2之间，且在制备过程中此部分正性光刻胶已经受到光照发生化学分解反应，此部分正性光刻胶更易去除，因负性光刻胶层4覆盖在正性光刻胶层3表面，负性光刻胶随着正性光刻胶一起去除，确保LED芯片不会留下胶膜，得到更洁净的LED芯片。
实施例1：
优选的，步骤b)中在LED芯片外延层2上表面上涂厚度为3-4μm的正性光刻胶，涂胶后放入温度为85-95℃的烘箱中烘烤10-20分钟。涂正性光刻胶后进行烘烤可以使正性光刻胶层3更加坚固。
实施例2：
优选的，在正性光刻胶烘烤后对正性光刻胶层3中需要制备LED芯片电极5的区域进行光照，光照后使用显影液将需要制备LED芯片电极5的区域中的正性光刻胶去除，制得正性光刻胶图形。
实施例3：
优选的，步骤d)中在正性光刻胶图形上涂厚度为2-3μm的负性光刻胶，涂胶后放入温度为85-95℃的烘箱中烘烤10-15分钟。涂负性光刻胶后进行烘烤可以使负性光刻胶层4更加坚固。
实施例4：
优选的，在负性光刻胶烘烤后对负性光刻胶层4中需要制备LED芯片电极5的区域之外进行光照，光照后放入温度为95-105℃的烘箱中烘烤10-15分钟，烘烤后使用显影液将需要制备LED芯片电极5的区域中的负性光刻胶去除，制得负性光刻胶图形。
实施例5：
优选的，在步骤f)中先将负性光刻胶层4上表面上镀一层厚度为1.6-2.8μm的Au膜，将需要制备LED芯片电极5的区域之外的Au膜剥离掉后将LED芯片外延层2上端且位于LED芯片电极5之外的正性光刻胶层3及负性光刻胶层4去除，制得LED芯片电极5。
Claims (6)
1.一种LED芯片电极的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
a)在LED芯片衬底（1）上方制备LED芯片外延层（2）；
b)在LED芯片外延层（2）上表面上涂一层正性光刻胶，形成正性光刻胶层（3）；
c)在正性光刻胶层（3）上通过光刻制备正性光刻胶图形；
d)在正性光刻胶图形表面涂一层负性光刻胶，形成负性光刻胶层（4）；
e)在负性光刻胶层（4）上通过光刻制备负性光刻胶图形；
f)在负性光刻胶图形上制备LED芯片电极（5），将LED芯片外延层（2）上端且位于LED芯片电极（5）之外的正性光刻胶层（3）及负性光刻胶层（4）去除。
2.根据权利要求1所述的LED芯片电极的制备方法，其特征在于：步骤b)中在LED芯片外延层（2）上表面上涂厚度为3-4μm的正性光刻胶，涂胶后放入温度为85-95℃的烘箱中烘烤10-20分钟。
3.根据权利要求2所述的LED芯片电极的制备方法，其特征在于：在正性光刻胶烘烤后对正性光刻胶层（3）中需要制备LED芯片电极（5）的区域进行光照，光照后使用显影液将需要制备LED芯片电极（5）的区域中的正性光刻胶去除，制得正性光刻胶图形。
4.根据权利要求1所述的LED芯片电极的制备方法，其特征在于：步骤d)中在正性光刻胶图形上涂厚度为2-3μm的负性光刻胶，涂胶后放入温度为85-95℃的烘箱中烘烤10-15分钟。
5.根据权利要求4所述的LED芯片电极的制备方法，其特征在于：在负性光刻胶烘烤后对负性光刻胶层（4）中需要制备LED芯片电极（5）的区域之外进行光照，光照后放入温度为95-105℃的烘箱中烘烤10-15分钟，烘烤后使用显影液将需要制备LED芯片电极（5）的区域中的负性光刻胶去除，制得负性光刻胶图形。
6.根据权利要求1所述的LED芯片电极的制备方法，其特征在于：在步骤f)中先将负性光刻胶层（4）上表面上镀一层厚度为1.6-2.8μm的Au膜，将需要制备LED芯片电极（5）的区域之外的Au膜剥离掉后将LED芯片外延层（2）上端且位于LED芯片电极（5）之外的正性光刻胶层（3）及负性光刻胶层（4）去除，制得LED芯片电极（5）。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811266029.9A CN111106215B (zh) | 2018-10-29 | 2018-10-29 | 一种led芯片电极的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811266029.9A CN111106215B (zh) | 2018-10-29 | 2018-10-29 | 一种led芯片电极的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111106215A CN111106215A (zh) | 2020-05-05 |
| CN111106215B true CN111106215B (zh) | 2021-02-05 |
Family
ID=70419653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811266029.9A Active CN111106215B (zh) | 2018-10-29 | 2018-10-29 | 一种led芯片电极的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN111106215B (zh) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101989046A (zh) * | 2009-08-06 | 2011-03-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 图形转移方法和掩模版制作方法 |
| CN103545589A (zh) * | 2013-10-16 | 2014-01-29 | 北京理工大学 | 一种正负胶工艺结合的微带线制造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6756186B2 (en) * | 2002-03-22 | 2004-06-29 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Producing self-aligned and self-exposed photoresist patterns on light emitting devices |
-
2018
- 2018-10-29 CN CN201811266029.9A patent/CN111106215B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101989046A (zh) * | 2009-08-06 | 2011-03-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 图形转移方法和掩模版制作方法 |
| CN103545589A (zh) * | 2013-10-16 | 2014-01-29 | 北京理工大学 | 一种正负胶工艺结合的微带线制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN111106215A (zh) | 2020-05-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11495585B2 (en) | Nanoscale LED electrode assembly having improved electrical contact and manufacturing method thereof | |
| CN105679895A (zh) | 一种垂直紫外led芯片的制备方法 | |
| CN106098867B (zh) | 提高led芯片返工效率的芯片返工方法 | |
| CN102931298B (zh) | 一种GaN基LED制造工艺中ITO图形的制作方法 | |
| CN109755367B (zh) | 一种反极性AlGaInP四元LED芯片的粗化方法 | |
| CN111106215B (zh) | 一种led芯片电极的制备方法 | |
| CN106340574B (zh) | 具有粗化电流扩展层的GaAs基LED芯片及制备方法 | |
| CN110021710A (zh) | 用于照明装置的柔性oled面板及其制造方法 | |
| TW201338214A (zh) | 半導體封裝製造方法及其封裝結構 | |
| CN115980538A (zh) | 一种适于芯片厂进行的发光二极管芯片老化测试方法 | |
| KR100873187B1 (ko) | 발광 다이오드의 제조 방법 | |
| CN102468450A (zh) | 一种有机发光显示器件制备方法 | |
| CN106057998A (zh) | 一种具有电流阻挡层及电流扩展层的GaAs基发光二极管芯片及其制备方法 | |
| CN109698262A (zh) | 一种led芯片的电极制备方法 | |
| CN206163513U (zh) | 具有粗化电流扩展层的GaAs基LED芯片 | |
| CN111370550B (zh) | 一种红光led芯片的封装方法 | |
| CN111987192B (zh) | 一种四元led发光二极管芯片的封装方法 | |
| CN108389938B (zh) | 一种GaAs基LED芯片的无光刻制备方法 | |
| CN108735868B (zh) | 一种GaN基LED包覆式电极结构的制作方法 | |
| CN111987205B (zh) | 一种GaAs基LED灯珠的封装方法 | |
| WO2012048616A1 (zh) | 一种led芯片的制造方法、led芯片及led | |
| CN110098298B (zh) | 一种GaN基LED晶片金属电极图形制作方法 | |
| CN116190505A (zh) | 一种GaAs基LED芯片的制备方法 | |
| CN107221584A (zh) | 一种电极无损伤且易焊线的GaAs基LED芯片的制备方法 | |
| CN110137125A (zh) | 一种led灯珠的芯片剥离方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |