JPH04252084A - Ledレンズアレイの製造方法 - Google Patents
Ledレンズアレイの製造方法Info
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B3/00—Simple or compound lenses
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- G02B3/0012—Arrays characterised by the manufacturing method
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
-
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- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Led Device Packages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明はLEDレンズアレイの
製造方法、特に光プリンタに適用されるLEDアレイヘ
ッドを構成するに好適なLEDレンズアレイの製造方法
に関する。
製造方法、特に光プリンタに適用されるLEDアレイヘ
ッドを構成するに好適なLEDレンズアレイの製造方法
に関する。
【0002】
【従来の技術】従来から電子写真方式の光プリンタとし
てはレーザ光を光源とするものが知られているが、近年
LEDアレイヘッドを発光光源とする光プリンタが提案
されている。このような光プリンタにおいてはLEDか
らの光を適宜変調して感光体上に結像させる発光装置を
用いる必要があるが、このために従来はLEDにセルフ
ォックレンズや光ファイバアレイなどの光導波路を組み
合わせて用いる必要があった。
てはレーザ光を光源とするものが知られているが、近年
LEDアレイヘッドを発光光源とする光プリンタが提案
されている。このような光プリンタにおいてはLEDか
らの光を適宜変調して感光体上に結像させる発光装置を
用いる必要があるが、このために従来はLEDにセルフ
ォックレンズや光ファイバアレイなどの光導波路を組み
合わせて用いる必要があった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来にお
いては、光カップリングの問題などから光損失が大きく
、光の取り出し効率が悪いという欠点があった。
いては、光カップリングの問題などから光損失が大きく
、光の取り出し効率が悪いという欠点があった。
【0004】これに対して、光CVD(ケミカルベーパ
ーデポジション)法や光重合などのプロセスを用いてL
ED上に直接レンズを形成することにより光の取り出し
効率を向上させる方式も知られているが、選択された位
置にレンズとなる素材を形成するためには集光された光
をその部分に露光する必要があるため、数千素子からな
るLEDアレイの多数の領域にレンズを形成するために
は非常に時間がかかり、生産効率が悪いという解決すべ
き課題がある。また、露光のために光源となるLEDア
レイヘッドを用いて数千個所を一度に露光するという方
法も考えられるが露光ピッチが生産する機種やロット毎
に異なる場合に適用できない等実用上の問題を生ずる。
ーデポジション)法や光重合などのプロセスを用いてL
ED上に直接レンズを形成することにより光の取り出し
効率を向上させる方式も知られているが、選択された位
置にレンズとなる素材を形成するためには集光された光
をその部分に露光する必要があるため、数千素子からな
るLEDアレイの多数の領域にレンズを形成するために
は非常に時間がかかり、生産効率が悪いという解決すべ
き課題がある。また、露光のために光源となるLEDア
レイヘッドを用いて数千個所を一度に露光するという方
法も考えられるが露光ピッチが生産する機種やロット毎
に異なる場合に適用できない等実用上の問題を生ずる。
【0005】この発明は上記のような従来技術の課題を
解決するためになされたもので、LEDアレイを構成す
るLEDの発光そのものを光源としてLEDアレイに直
接レンズを形成することにより、生産性を高めると共に
光損失を低減させることを可能としたLEDレンズアレ
イの製造方法を提供することにある。
解決するためになされたもので、LEDアレイを構成す
るLEDの発光そのものを光源としてLEDアレイに直
接レンズを形成することにより、生産性を高めると共に
光損失を低減させることを可能としたLEDレンズアレ
イの製造方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、LEDアレイ上にLEDからの光を集
光するレンズアレイを形成するLEDレンズアレイの製
造方法であって、LED上に形成されたマスクを介して
LEDから出射した光を用いた光CVD法により前記レ
ンズアレイを形成することを特徴とする。
に、この発明は、LEDアレイ上にLEDからの光を集
光するレンズアレイを形成するLEDレンズアレイの製
造方法であって、LED上に形成されたマスクを介して
LEDから出射した光を用いた光CVD法により前記レ
ンズアレイを形成することを特徴とする。
【0007】
【作用】このように、本発明はLEDを発光させ、この
LEDからの光自体を用いて光CVD法によりレンズア
レイを形成するものであり、他に露光手段を設けて露光
する必要がなく、効率的にレンズアレイを形成すること
ができる。
LEDからの光自体を用いて光CVD法によりレンズア
レイを形成するものであり、他に露光手段を設けて露光
する必要がなく、効率的にレンズアレイを形成すること
ができる。
【0008】
【実施例】以下、図面を参照しながらこの発明の実施例
を説明する。
を説明する。
【0009】図1はこの発明の一実施例により製造され
たLEDアレイの断面図である。図において、1はLE
Dアレイを構成するLEDの1エレメント、2は電極、
3はp層、4はn層、5はp層3とn層4からなるpn
ジャンクション上に配されるマスク、6はマスク5上に
形成された保護層、7は保護層6上に形成されたレンズ
である。
たLEDアレイの断面図である。図において、1はLE
Dアレイを構成するLEDの1エレメント、2は電極、
3はp層、4はn層、5はp層3とn層4からなるpn
ジャンクション上に配されるマスク、6はマスク5上に
形成された保護層、7は保護層6上に形成されたレンズ
である。
【0010】ここで、レンズ7は各LEDエレメント1
毎に形成されてレンズアレイを構成し、LEDからの光
を集光して光損失を低減する機能を有している。以下、
このレンズを製造する工程を詳細に説明する。
毎に形成されてレンズアレイを構成し、LEDからの光
を集光して光損失を低減する機能を有している。以下、
このレンズを製造する工程を詳細に説明する。
【0011】図2には図1に示されたLEDアレイの製
造フローチャートが示されており、まず、S101にて
図示しない基板上にn層4が公知の方法により形成され
る。次に、S102にてこのn層4上にマスク5を積層
し、S103にてこのマスク5の開口部から不純物を拡
散せしめp層3が形成される。このp層3とn層4との
界面にpnジャンクションが形成され、この界面近傍に
キャリアが注入され発光が行われることとなる。
造フローチャートが示されており、まず、S101にて
図示しない基板上にn層4が公知の方法により形成され
る。次に、S102にてこのn層4上にマスク5を積層
し、S103にてこのマスク5の開口部から不純物を拡
散せしめp層3が形成される。このp層3とn層4との
界面にpnジャンクションが形成され、この界面近傍に
キャリアが注入され発光が行われることとなる。
【0012】pnジャンクションを構成するp層3が形
成された後、S104にてこのp層3上に蒸着等により
電極2を形成する。なお、図示していないが、基板の下
にも電極が同時に形成される。
成された後、S104にてこのp層3上に蒸着等により
電極2を形成する。なお、図示していないが、基板の下
にも電極が同時に形成される。
【0013】そして、電極2上に保護層6が形成された
後、電極に所定の順方向バイアスを印加することにより
全てのLEDを発光させ、この光を利用してS106に
てレンズアレイが形成される。
後、電極に所定の順方向バイアスを印加することにより
全てのLEDを発光させ、この光を利用してS106に
てレンズアレイが形成される。
【0014】すなわち、電極に順方向バイアスを印加す
るとpnジャンクションから保護層6を通じて光が出射
するが、pnジヤンクションの周辺領域ではマスク5が
あるため出射光の強度は弱くなる。一方、pnジャンク
ションの中央部は何等遮る層がないのでその強度は周辺
部に比べて強くなる。従って、マスク5を介して出射す
る光は中央部が最も強く、周辺部に向かうに従って弱く
なるプロファイルを示すことになる。そこで、本実施例
においては、このような光出力プロファイルを巧みに利
用し、このLEDからの光により光CVD又は光重合法
を生じせしめ、凸レンズ7を形成するのである。
るとpnジャンクションから保護層6を通じて光が出射
するが、pnジヤンクションの周辺領域ではマスク5が
あるため出射光の強度は弱くなる。一方、pnジャンク
ションの中央部は何等遮る層がないのでその強度は周辺
部に比べて強くなる。従って、マスク5を介して出射す
る光は中央部が最も強く、周辺部に向かうに従って弱く
なるプロファイルを示すことになる。そこで、本実施例
においては、このような光出力プロファイルを巧みに利
用し、このLEDからの光により光CVD又は光重合法
を生じせしめ、凸レンズ7を形成するのである。
【0015】周知のごとく、光CVD法は光エネルギー
を気体分子の励起、分解等に利用して化学反応を促進さ
せ薄膜を堆積させる方法であり、このLEDからの光に
より光CVDを生じさせると、光の強度分布に応じて選
択的に膜が堆積されることになり、結局中央部が厚く周
辺部が薄くなる凸状レンズが形成されることになる。周
知の如く、光重合法は光エネルギーを液体分子の励起、
分解等に利用して化学反応を促進させ高分子樹脂などを
硬化させる方法であり、このLEDからの光により光重
合を生じさせると、光強度分布に応じて選択的に樹脂が
硬化されることになり、硬化されていない部分の樹脂を
除去することによって、中央部が厚く周辺部が薄くなる
凸状レンズが形成されることになる。
を気体分子の励起、分解等に利用して化学反応を促進さ
せ薄膜を堆積させる方法であり、このLEDからの光に
より光CVDを生じさせると、光の強度分布に応じて選
択的に膜が堆積されることになり、結局中央部が厚く周
辺部が薄くなる凸状レンズが形成されることになる。周
知の如く、光重合法は光エネルギーを液体分子の励起、
分解等に利用して化学反応を促進させ高分子樹脂などを
硬化させる方法であり、このLEDからの光により光重
合を生じさせると、光強度分布に応じて選択的に樹脂が
硬化されることになり、硬化されていない部分の樹脂を
除去することによって、中央部が厚く周辺部が薄くなる
凸状レンズが形成されることになる。
【0016】なお、上記実施例では光源として拡散型の
LEDを用いた場合を例示したが、光源が他の型のLE
Dやレーザダイオードであっても同様に適用可能である
。また、この発明により製造されたLEDアレイは光プ
リンタに限らず他の装置、例えば光コンピュータ用のL
EDアレイにも適用可能なことはもちろんである。
LEDを用いた場合を例示したが、光源が他の型のLE
Dやレーザダイオードであっても同様に適用可能である
。また、この発明により製造されたLEDアレイは光プ
リンタに限らず他の装置、例えば光コンピュータ用のL
EDアレイにも適用可能なことはもちろんである。
【0017】
【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
LED等の発光体からの光を集光させるためのレンズを
発光体自身から導出させる光により形成することにより
、多数の発光体を列状またはマトリックス状に配置した
発光体アレイの各発光体毎にレンズを形成する場合の生
産効率を大幅に向上することが可能となり、また発光体
上に直接レンズを形成するために光取り出し効率を向上
させることができる。
LED等の発光体からの光を集光させるためのレンズを
発光体自身から導出させる光により形成することにより
、多数の発光体を列状またはマトリックス状に配置した
発光体アレイの各発光体毎にレンズを形成する場合の生
産効率を大幅に向上することが可能となり、また発光体
上に直接レンズを形成するために光取り出し効率を向上
させることができる。
【図1】この発明の一実施例に係るLEDアレイの断面
図である。
図である。
【図2】同実施例のフローチャート図である。
1 LED
2 電極
3 p層
4 n層
5 マスク
6 保護層
7 レンズ
Claims (1)
- 【請求項1】LEDアレイ上にLEDからの光を集光す
るレンズアレイを形成するLEDレンズアレイの製造方
法であって、LED上に形成されたマスクを介してLE
Dから出射した光を用いた光CVD法又は光重合法によ
り前記レンズアレイを形成することを特徴とするLED
レンズアレイの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3008750A JPH04252084A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | Ledレンズアレイの製造方法 |
US07/818,632 US5301063A (en) | 1991-01-28 | 1992-01-06 | Method of producing LED lens array |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3008750A JPH04252084A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | Ledレンズアレイの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04252084A true JPH04252084A (ja) | 1992-09-08 |
Family
ID=11701608
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3008750A Pending JPH04252084A (ja) | 1991-01-28 | 1991-01-28 | Ledレンズアレイの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5301063A (ja) |
JP (1) | JPH04252084A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003298106A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-17 | Lumileds Lighting Us Llc | 発光素子に自己整合及び自己露光フォトレジストパターンを作製する方法 |
JP2006041415A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光素子の製造方法 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5475417A (en) * | 1991-10-25 | 1995-12-12 | Rohm Co., Ltd. | LED array printhead and method of adjusting light luminance of same |
KR100209752B1 (ko) * | 1996-05-16 | 1999-07-15 | 구본준 | 마이크로 렌즈 패턴용 마스크 |
US6043481A (en) * | 1997-04-30 | 2000-03-28 | Hewlett-Packard Company | Optoelectronic array device having a light transmissive spacer layer with a ridged pattern and method of making same |
DE60230599D1 (de) * | 2001-03-02 | 2009-02-12 | Innovative Solutions & Support Inc | Bildanzeigegenerator für ein head-up-display |
US6485160B1 (en) | 2001-06-25 | 2002-11-26 | Gelcore Llc | Led flashlight with lens |
JP2004072004A (ja) * | 2002-08-09 | 2004-03-04 | Keiji Tanaka | マイクロレンズ付発光素子およびその形成方法 |
US20060105483A1 (en) * | 2004-11-18 | 2006-05-18 | Leatherdale Catherine A | Encapsulated light emitting diodes and methods of making |
DE102008021658A1 (de) | 2008-04-30 | 2009-11-05 | Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh | Lichtemittierende Vorrichtung mit Volumenstrukturierung |
KR100963743B1 (ko) * | 2009-06-23 | 2010-06-14 | 한국광기술원 | 파장변환물질층을 구비하는 발광 다이오드 및 이의 제조방법 |
ITPN20100009A1 (it) | 2010-02-11 | 2011-08-12 | Franco Corazza | "porta-lampada con trasparente a lente integrata" |
ITPN20100005U1 (it) | 2010-02-19 | 2011-08-20 | Franco Corazza | "porta-lampada a led con supporto perfezionato" |
WO2012162503A1 (en) * | 2011-05-26 | 2012-11-29 | Rogers Scientific, Inc. | Continuous low irradiance photodynamic therapy illumination system |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3981023A (en) * | 1974-09-16 | 1976-09-14 | Northern Electric Company Limited | Integral lens light emitting diode |
US4667092A (en) * | 1982-12-28 | 1987-05-19 | Nec Corporation | Solid-state image device with resin lens and resin contact layer |
-
1991
- 1991-01-28 JP JP3008750A patent/JPH04252084A/ja active Pending
-
1992
- 1992-01-06 US US07/818,632 patent/US5301063A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003298106A (ja) * | 2002-03-22 | 2003-10-17 | Lumileds Lighting Us Llc | 発光素子に自己整合及び自己露光フォトレジストパターンを作製する方法 |
JP4589604B2 (ja) * | 2002-03-22 | 2010-12-01 | フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー | 発光素子に自己整合及び自己露光フォトレジストパターンを作製する方法 |
JP2006041415A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Matsushita Electric Works Ltd | 発光素子の製造方法 |
JP4635507B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2011-02-23 | パナソニック電工株式会社 | 発光素子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5301063A (en) | 1994-04-05 |
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