JPS62229598A - 不揮発性メモリを用いるデ−タ記憶方式 - Google Patents
不揮発性メモリを用いるデ−タ記憶方式Info
- Publication number
- JPS62229598A JPS62229598A JP61069770A JP6977086A JPS62229598A JP S62229598 A JPS62229598 A JP S62229598A JP 61069770 A JP61069770 A JP 61069770A JP 6977086 A JP6977086 A JP 6977086A JP S62229598 A JPS62229598 A JP S62229598A
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- JP
- Japan
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- data
- volatile memory
- rom
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- Pending
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- 238000013500 data storage Methods 0.000 title claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 241000862969 Stella Species 0.000 description 3
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 3
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Memory System (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は不揮発性メモリを用いるデータ記憶方式に関す
る。本発明による方式は、例えば数値制御装置や数値制
御工作機械に関して使用される数値制御プログラム自動
作成装置等に適用されることができる。
る。本発明による方式は、例えば数値制御装置や数値制
御工作機械に関して使用される数値制御プログラム自動
作成装置等に適用されることができる。
〔従来技術、および発明が解決しようとする問題点〕一
般に、数値制御装置や数値制御プログラム自動作成装置
においては電気的に取消し可能なゾログラ、ム可能なリ
ード・オンリ・メモリ（Ｅ２ＦＲＯＭ）が用いられる。
般に、数値制御装置や数値制御プログラム自動作成装置
においては電気的に取消し可能なゾログラ、ム可能なリ
ード・オンリ・メモリ（Ｅ２ＦＲＯＭ）が用いられる。
Ｅ ＦＲＯＭは電気的に書き換え可能な不揮発性メモリ
であり、電源オフ時に消滅しないことが要求されるデー
タを記憶させるには便利であるが、データ書き換え回数
には限界回数、例えば保証値としてのデータ書き換え回
数が１０．０００回というような限界回数、があるため
、ひんばんにデータを書き換える用途に対しては不都合
である。そこで、データ書き換え回数に限界回数があっ
て不都合であるという問題点に対する解決策が望まれて
いる。
であり、電源オフ時に消滅しないことが要求されるデー
タを記憶させるには便利であるが、データ書き換え回数
には限界回数、例えば保証値としてのデータ書き換え回
数が１０．０００回というような限界回数、があるため
、ひんばんにデータを書き換える用途に対しては不都合
である。そこで、データ書き換え回数に限界回数があっ
て不都合であるという問題点に対する解決策が望まれて
いる。
本発明においては、書き換え回数に予め定められた限界
のある書き換え可能な不揮発性メモリの常備用のものと
予備用のもの；該常備用の不揮発性メモリの書き換え回
数が該予め定められた限界回数に到達したことを検出す
る手段：および該常備用の不揮発性メモリを該予備用の
不揮発性メモリに切換える手段；を用い、該常備用の不
揮発性メモリの書き換え回数が該予め定められた限界回
数に到達したことが検出されたとき、該常備用の不揮発
性メモリが該予備用の不揮発性メモリに切換えられるよ
うになっていることを特徴とする不揮発性メモリを用い
るデータ記憶方式が提供され〔実施例〕 本発明の一実施例としての不揮発性メモリを用いるデー
タ記憶方式の特徴を説明する図として第１図として示さ
れる。２個のＥ２ＦＲＯＭである、Ｅ２ＰＲＯＭ−Ａ
、 Ｅ２ＰＲＯＭ−Ｂが用いられる。Ｅ２ＦＲＯＭ−Ａ
。
のある書き換え可能な不揮発性メモリの常備用のものと
予備用のもの；該常備用の不揮発性メモリの書き換え回
数が該予め定められた限界回数に到達したことを検出す
る手段：および該常備用の不揮発性メモリを該予備用の
不揮発性メモリに切換える手段；を用い、該常備用の不
揮発性メモリの書き換え回数が該予め定められた限界回
数に到達したことが検出されたとき、該常備用の不揮発
性メモリが該予備用の不揮発性メモリに切換えられるよ
うになっていることを特徴とする不揮発性メモリを用い
るデータ記憶方式が提供され〔実施例〕 本発明の一実施例としての不揮発性メモリを用いるデー
タ記憶方式の特徴を説明する図として第１図として示さ
れる。２個のＥ２ＦＲＯＭである、Ｅ２ＰＲＯＭ−Ａ
、 Ｅ２ＰＲＯＭ−Ｂが用いられる。Ｅ２ＦＲＯＭ−Ａ
。
Ｅ２ＰＲＯＭ −ＢはＩＣＣタケトを介してプリント板
に実装される。Ｅ ＰＲＯＭ−Ａ、Ｅ ＰＲＯＭ−Ｂは
、使用中フラグ部分、書換え実行回数カウント部分、お
よびデータ領域を有する。使用中フラグ部分は、Ｅ２Ｐ
ＲＯＭ−Ａ、Ｅ２ＰＲＯＭ−Ｂのうちのいずれを現在使
用しているかを示すフラグをあられす。書換え実行回数
カウント部分は当該Ｅ２ＦＲＯＭのデータが書換えられ
た回数を表示するカウントをあられす。なお第１図にお
いてはＥ２ＦＲＯＭ−ＡのアドレスＯ〜９９９、Ｅ２Ｐ
１ｔＯＭ−Ｂのアドレス１０００〜１９９９が例示とし
て示されている。
に実装される。Ｅ ＰＲＯＭ−Ａ、Ｅ ＰＲＯＭ−Ｂは
、使用中フラグ部分、書換え実行回数カウント部分、お
よびデータ領域を有する。使用中フラグ部分は、Ｅ２Ｐ
ＲＯＭ−Ａ、Ｅ２ＰＲＯＭ−Ｂのうちのいずれを現在使
用しているかを示すフラグをあられす。書換え実行回数
カウント部分は当該Ｅ２ＦＲＯＭのデータが書換えられ
た回数を表示するカウントをあられす。なお第１図にお
いてはＥ２ＦＲＯＭ−ＡのアドレスＯ〜９９９、Ｅ２Ｐ
１ｔＯＭ−Ｂのアドレス１０００〜１９９９が例示とし
て示されている。
本発明の一実施例としての不揮発性メモリを用いるデー
タ記憶方式を実行する装置における計算回路が第２図に
示される。第２図の計算回路はＣＰＵＩＩ、ＲＯＭ１２
、ＲＡＭ１３、インタフェイス部１４、Ｅ ＦＲＯＭ−
Ａ １５、ＥＰＲＯＭ−Ｂ １６、キイボード１７、表
示器１８、切換回路２１、およびドライバ／レシーバ回
路２２および２３を具備する。
タ記憶方式を実行する装置における計算回路が第２図に
示される。第２図の計算回路はＣＰＵＩＩ、ＲＯＭ１２
、ＲＡＭ１３、インタフェイス部１４、Ｅ ＦＲＯＭ−
Ａ １５、ＥＰＲＯＭ−Ｂ １６、キイボード１７、表
示器１８、切換回路２１、およびドライバ／レシーバ回
路２２および２３を具備する。
第１図に示される方式において、ＥＰＲＯＭ−Ａ 。
Ｅ２ＦＲＯＭ−Ｂは書き換え回数に予め定められた限界
のある書き換え可能な不揮発メモリでちり、例えばＥ２
Ｆ ＲＯＭ−Ａを常備用、Ｅ２ＦＲＯＭ−Ｂを予備用と
する。常備用Ｅ ＰＲＯＭ−Ａの書き換え回数が該予め
定められた限界回数に到達することを検出する手段およ
び常備用Ｅ２ＦＲＯＭ−Ａを予備用Ｅ２ＦＲＯＭ−Ｈに
切換える手段が設けられている。常備用Ｅ ＦＲＯＭ−
Ａの書き換え回数が該予め定められた限界回数に到達し
たことが検出されたとき、常備用Ｅ２ＦＲＯＭ−Ａが予
備用Ｅ２ＦＲＯＭ−Ｂに切換えられるようになっている
。
のある書き換え可能な不揮発メモリでちり、例えばＥ２
Ｆ ＲＯＭ−Ａを常備用、Ｅ２ＦＲＯＭ−Ｂを予備用と
する。常備用Ｅ ＰＲＯＭ−Ａの書き換え回数が該予め
定められた限界回数に到達することを検出する手段およ
び常備用Ｅ２ＦＲＯＭ−Ａを予備用Ｅ２ＦＲＯＭ−Ｈに
切換える手段が設けられている。常備用Ｅ ＦＲＯＭ−
Ａの書き換え回数が該予め定められた限界回数に到達し
たことが検出されたとき、常備用Ｅ２ＦＲＯＭ−Ａが予
備用Ｅ２ＦＲＯＭ−Ｂに切換えられるようになっている
。
第１図に示されるＥ２ＰＲＯＭ−Ａ、Ｅ２ＰＲＯＭ−Ｂ
について行われる動作が、以下に順次的に記述される。
について行われる動作が、以下に順次的に記述される。
（１） まず、Ｅ ＰＲＯＭ−Ａにデータ、例えばプ
ログラム自動作成装置と、数値制御工作機械の接続態様
を示すデータを書き込み、アドレスＯにおける使用中フ
ラグを「１」とじＥ ＰＲＯＭ−Ａが使用されているこ
とを表示する。そして書換え回数カウントをｒｌＪとす
る。
ログラム自動作成装置と、数値制御工作機械の接続態様
を示すデータを書き込み、アドレスＯにおける使用中フ
ラグを「１」とじＥ ＰＲＯＭ−Ａが使用されているこ
とを表示する。そして書換え回数カウントをｒｌＪとす
る。
（１１） データの書換えを行うときは、書換え回数
カウントを「グラス１コする。
カウントを「グラス１コする。
（１ゆ Ｅ ＦＲＯＭ−Ａの書換え回数カウントが予め
定められた限界回数に到達した場合には、その次にデー
タを書換えるときはＥ２ＰＲＯＭ−Ｂ ｉ／（ｆ−夕を
書込む。Ｅ２ＰＲＯＭ−Ｈのアドレス１０００における
使用中フラグを「１」とし、書換え回数カウントを「１
」とする。Ｉ ＰＲＯＭ−Ａの使用中フラグはｒＯＪと
する。これ以後はＥ２ＦＲＯＭ−Ｂを使用することにな
る。
定められた限界回数に到達した場合には、その次にデー
タを書換えるときはＥ２ＰＲＯＭ−Ｂ ｉ／（ｆ−夕を
書込む。Ｅ２ＰＲＯＭ−Ｈのアドレス１０００における
使用中フラグを「１」とし、書換え回数カウントを「１
」とする。Ｉ ＰＲＯＭ−Ａの使用中フラグはｒＯＪと
する。これ以後はＥ２ＦＲＯＭ−Ｂを使用することにな
る。
なお、Ｅ２ＦＲＯＭに記憶されているデータを使用し、
または書換える場合には、使用中フラグ部分の表示をみ
て、Ｅ２ＰＲＯＭ−Ａ、Ｅ２ＰＲＯＭ−Ｂのいずれが使
用されているかを判断する。
または書換える場合には、使用中フラグ部分の表示をみ
て、Ｅ２ＰＲＯＭ−Ａ、Ｅ２ＰＲＯＭ−Ｂのいずれが使
用されているかを判断する。
（％１．１） Ｅ２ＦＲＯＭ−８のデータを書換える
ときは、Ｅ２ＦＲＯＭ−Ｈの書換え回数力９ントを「プ
ラス１」する。
ときは、Ｅ２ＦＲＯＭ−Ｈの書換え回数力９ントを「プ
ラス１」する。
（至）使用されるＥ ２ＰＲＯＭがＥ２ＰＲＯＭ−Ａか
らｄＰＦＯＡ−Ｂへ変ったとき、Ｅ２ＦＲＯＭ−Ａを新
品と交換する必要があることを、なんらかの表示手段に
より操作者に知らせる。
らｄＰＦＯＡ−Ｂへ変ったとき、Ｅ２ＦＲＯＭ−Ａを新
品と交換する必要があることを、なんらかの表示手段に
より操作者に知らせる。
位）操作者は、都合の良いとき、Ｅ２ＦＲＯＭ −Ａを
新品と交換する。
新品と交換する。
（ｙｉｉ） Ｅ ＰＲＯＭ−Ｈの書換え回数カウントが
予め定められた限界回数に到達した場合には、その次に
データを書換えるときはＥ ＦＲＯＭ−Ａの新品にデー
タを書込む。
予め定められた限界回数に到達した場合には、その次に
データを書換えるときはＥ ＦＲＯＭ−Ａの新品にデー
タを書込む。
このように、Ｅ２ＰＲＯＭ−Ａ 、 Ｅ２ＰＲＯＭ−Ｂ
が交互に使用される。それによりデータの書換えがひん
ばんに行われる用途に対してもＥ２ＦＲＯＭを使用する
ことが可能となる。
が交互に使用される。それによりデータの書換えがひん
ばんに行われる用途に対してもＥ２ＦＲＯＭを使用する
ことが可能となる。
第１図のＥ２ＰＲＯＭ−Ａ 、 Ｋ２ＰＲＯＭ−Ｂにつ
いての動作の７０−チャートが第３図に示される。アド
レス０の内容が１であるかの判断が行われ（ｓ １）、
イエスであればアドレスｌの内容は限界書換回数ｎであ
るかの判断が行わ［Ｓ ２）、ツクであればステップＳ
９へ進む。アドレスｌの内容はｎからの判断（Ｓ２）の
結果がイエスであればステラｆｓ６へノウであればステ
ップＳ３へ進む。ステップＳ３においてアドレス２〜９
９９の書換えが行われ、ステップＳ４においてアドレス
１におけるカウントを＋１し、プロセスは復帰する。ス
テラ７’Ｓ６においてはＥ ＰＲＯＭ−Ａについてのア
ラーム出力が行われ、ステラｆｓ７においてアドレス１
０００におけるフラグを１とし、ステップＳ８において
アドレスＯにおけるフラグをＯとする。
いての動作の７０−チャートが第３図に示される。アド
レス０の内容が１であるかの判断が行われ（ｓ １）、
イエスであればアドレスｌの内容は限界書換回数ｎであ
るかの判断が行わ［Ｓ ２）、ツクであればステップＳ
９へ進む。アドレスｌの内容はｎからの判断（Ｓ２）の
結果がイエスであればステラｆｓ６へノウであればステ
ップＳ３へ進む。ステップＳ３においてアドレス２〜９
９９の書換えが行われ、ステップＳ４においてアドレス
１におけるカウントを＋１し、プロセスは復帰する。ス
テラ７’Ｓ６においてはＥ ＰＲＯＭ−Ａについてのア
ラーム出力が行われ、ステラｆｓ７においてアドレス１
０００におけるフラグを１とし、ステップＳ８において
アドレスＯにおけるフラグをＯとする。
ステップＳ９においてアドレス１０００のフラグが１で
あるかの判断が行われ、ノウであれば異常と判断しく８
１４）、イエスであればアドレス１００１のカウントは
限界回転数ｎであるかの判断が行われる（８１０）。こ
の判断の結果がノウであればステップ８１１においてア
ドレス１００２〜１９９９の書換えが行われ、ステップ
８１２においてアドレス１００１０カウントを＋１し、
プロセスは復侍する。ステップ８１０における判断の結
果がイエスであれば、ステップ８１５においてＥ ＦＲ
ＯＭ−Ｈについてのアラーム出力が行われ、ステップ８
１６においてアドレス０におけるフラグを１とし、ステ
ップ８１７においてアドレス１０００におけるフラグを
Ｏとし、再びステップＳｌ以下のプロセスが行われる。
あるかの判断が行われ、ノウであれば異常と判断しく８
１４）、イエスであればアドレス１００１のカウントは
限界回転数ｎであるかの判断が行われる（８１０）。こ
の判断の結果がノウであればステップ８１１においてア
ドレス１００２〜１９９９の書換えが行われ、ステップ
８１２においてアドレス１００１０カウントを＋１し、
プロセスは復侍する。ステップ８１０における判断の結
果がイエスであれば、ステップ８１５においてＥ ＦＲ
ＯＭ−Ｈについてのアラーム出力が行われ、ステップ８
１６においてアドレス０におけるフラグを１とし、ステ
ップ８１７においてアドレス１０００におけるフラグを
Ｏとし、再びステップＳｌ以下のプロセスが行われる。
本発明によれば、常備用の不揮発性メモリの書き換え回
数が予め定められた限界回数に到達したことが検出され
たとき、該常備用の不揮発性メモリが予備用の不揮発性
メモリに切換えられることができ、メモリのデータ書き
換え回数に限界回数があっても、ひんばんにデータを書
き換える用途に対応することが可能である、不揮発性メ
モリを用いる有利なデータ記憶方式が得られる。
数が予め定められた限界回数に到達したことが検出され
たとき、該常備用の不揮発性メモリが予備用の不揮発性
メモリに切換えられることができ、メモリのデータ書き
換え回数に限界回数があっても、ひんばんにデータを書
き換える用途に対応することが可能である、不揮発性メ
モリを用いる有利なデータ記憶方式が得られる。
第１図は本発明の一実施例としての不揮発性メモリを用
いるデータ記憶方式の特徴を説明する図、第２図は本発
明の一実施例としての不揮発性メモリを用いるデータ記
憶方式を実行する装置における計算回路を示す図、 第３図は本発明の一実施例としての不揮発性メモリを用
いるデータ記憶方式における動作の流れを示す図である
。 １１・・・ＣＰＵ、 １２・・・ＲＯＭ、 １３・・
・ＲＡＭ、 １４・・・インタフェイス部、１５・・・
ｇ２ＰＲＯＭ−Ａ 、 １６・・・Ｅ２ＰＲＯＭ−Ｂ、
１７・・・キイメート、１８・・・表示器、２１・・
・切換回路、２２．２３・・・ドライバ／レシーバ回路
。
いるデータ記憶方式の特徴を説明する図、第２図は本発
明の一実施例としての不揮発性メモリを用いるデータ記
憶方式を実行する装置における計算回路を示す図、 第３図は本発明の一実施例としての不揮発性メモリを用
いるデータ記憶方式における動作の流れを示す図である
。 １１・・・ＣＰＵ、 １２・・・ＲＯＭ、 １３・・
・ＲＡＭ、 １４・・・インタフェイス部、１５・・・
ｇ２ＰＲＯＭ−Ａ 、 １６・・・Ｅ２ＰＲＯＭ−Ｂ、
１７・・・キイメート、１８・・・表示器、２１・・
・切換回路、２２．２３・・・ドライバ／レシーバ回路
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 書き換え回数に予め定められた限界のある書き換え可能
な不揮発性メモリの常備用のものと予備用のもの； 該常備用の不揮発性メモリの書き換え回数が該予め定め
られた限界回数に到達したことを検出する手段：および
、 該常備用の不揮発性メモリを該予備用の不揮発性メモリ
に切換える手段：を用い、 該常備用の不揮発性メモリの書き換え回数が該予め定め
られた限界回数に到達したことが検出されたとき、該常
備用の不揮発性メモリが該予備用の不揮発性メモリに切
換えられるようになっていることを特徴とする不揮発性
メモリを用いるデータ記憶方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61069770A JPS62229598A (ja) | 1986-03-29 | 1986-03-29 | 不揮発性メモリを用いるデ−タ記憶方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61069770A JPS62229598A (ja) | 1986-03-29 | 1986-03-29 | 不揮発性メモリを用いるデ−タ記憶方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62229598A true JPS62229598A (ja) | 1987-10-08 |
Family
ID=13412359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61069770A Pending JPS62229598A (ja) | 1986-03-29 | 1986-03-29 | 不揮発性メモリを用いるデ−タ記憶方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62229598A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08195098A (ja) * | 1995-01-17 | 1996-07-30 | Nec Corp | フラッシュメモリ装置 |
| US6850443B2 (en) | 1991-09-13 | 2005-02-01 | Sandisk Corporation | Wear leveling techniques for flash EEPROM systems |
| US8040727B1 (en) | 1989-04-13 | 2011-10-18 | Sandisk Corporation | Flash EEprom system with overhead data stored in user data sectors |
-
1986
- 1986-03-29 JP JP61069770A patent/JPS62229598A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8040727B1 (en) | 1989-04-13 | 2011-10-18 | Sandisk Corporation | Flash EEprom system with overhead data stored in user data sectors |
| US6850443B2 (en) | 1991-09-13 | 2005-02-01 | Sandisk Corporation | Wear leveling techniques for flash EEPROM systems |
| US7353325B2 (en) | 1991-09-13 | 2008-04-01 | Sandisk Corporation | Wear leveling techniques for flash EEPROM systems |
| JPH08195098A (ja) * | 1995-01-17 | 1996-07-30 | Nec Corp | フラッシュメモリ装置 |
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