JPS62227436A - 造粒粒径の制御方法 - Google Patents
造粒粒径の制御方法Info
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- JPS62227436A JPS62227436A JP7187786A JP7187786A JPS62227436A JP S62227436 A JPS62227436 A JP S62227436A JP 7187786 A JP7187786 A JP 7187786A JP 7187786 A JP7187786 A JP 7187786A JP S62227436 A JPS62227436 A JP S62227436A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えばセメントクリンカなどの造粒物の造粒
に当たり、循環する粉粒体の温度を一定に制御すること
により、該温度に対応した粒径をもつ造粒物が得られる
、詳しくは、サンプリングせずに粒径が把握できるよう
にした制御方法に関する。
に当たり、循環する粉粒体の温度を一定に制御すること
により、該温度に対応した粒径をもつ造粒物が得られる
、詳しくは、サンプリングせずに粒径が把握できるよう
にした制御方法に関する。
例えば、セメント原料粉を熱間造粒して焼成する装置、
詳しくは、流whH炉において、セメント原料粉の造粒
物の粒径を均一に制御する必要がある。従来、流動層炉
内の粒子の粒径を把握するには、炉内から粒子をサンプ
リングして粒度分布を測定する方法しかないが、炉内粒
子の代表サンプルをサンプリングする手段は技術的に困
難であり、よしんば、サンプリングしたとしても、熱い
粒子をとり出しこれを冷却するまでに相当の時間を要す
るなど問題点が多い。
詳しくは、流whH炉において、セメント原料粉の造粒
物の粒径を均一に制御する必要がある。従来、流動層炉
内の粒子の粒径を把握するには、炉内から粒子をサンプ
リングして粒度分布を測定する方法しかないが、炉内粒
子の代表サンプルをサンプリングする手段は技術的に困
難であり、よしんば、サンプリングしたとしても、熱い
粒子をとり出しこれを冷却するまでに相当の時間を要す
るなど問題点が多い。
本発明は、このような実情に鑑みなされたもので、簡単
な而も合理的手段によって従来技術の問題点を解消せし
め、造粒炉から造粒物の粒度分布をサンプリングせずに
、循環する粉粒体の温度が一定となるように層温度を制
御し、循環粉粒体の設定温度に対応した粒径の造粒物が
得られ、かつ、粒径が把握しうる制御方法を提供せんと
するものである。
な而も合理的手段によって従来技術の問題点を解消せし
め、造粒炉から造粒物の粒度分布をサンプリングせずに
、循環する粉粒体の温度が一定となるように層温度を制
御し、循環粉粒体の設定温度に対応した粒径の造粒物が
得られ、かつ、粒径が把握しうる制御方法を提供せんと
するものである。
従来技術の問題点を解決する本発明の構成は、造粒炉と
、該造粒炉から飛び出しな粉粒体を造粒炉に戻す集塵装
置からなる装置による造粒方法において、循環する粉粒
体の温度が一定となるように、層温度を、循環する粉粒
体の温度によって制御し、循環粉粒体の設定温度に対応
した粒径の造粒物が得られ、かつ、粒径が把握しうるよ
うにしたことを特徴とするものである。
、該造粒炉から飛び出しな粉粒体を造粒炉に戻す集塵装
置からなる装置による造粒方法において、循環する粉粒
体の温度が一定となるように、層温度を、循環する粉粒
体の温度によって制御し、循環粉粒体の設定温度に対応
した粒径の造粒物が得られ、かつ、粒径が把握しうるよ
うにしたことを特徴とするものである。
〔実施例1〕 (第1図)
第1図は、造粒炉として噴流層炉を使用し、粉体として
セメント原料粉の造粒を行う実施例を示しており、噴流
層炉1内には、あらかじめ粒径1〜3mm程度の所定量
のセメントクリンカが収容しである。七メント原料粉を
原料供給流路2から噴流層炉1内に投入すると、層内で
セメント原料粉が自己造粒する。このとき、自己造粒物
の粒径の小さいものは噴流作用によって排ガスに浮遊し
て噴流層炉1から飛び出し、サイクロン3で捕集されて
循環路4.フラップダンパーなどのシール装置5を経て
再び噴流層炉1の層中に戻される。一方、噴流層炉1よ
り飛び出さなかった自己造粒物は、層内に滞留して成長
し炉外に排出シュート6から排出される。
セメント原料粉の造粒を行う実施例を示しており、噴流
層炉1内には、あらかじめ粒径1〜3mm程度の所定量
のセメントクリンカが収容しである。七メント原料粉を
原料供給流路2から噴流層炉1内に投入すると、層内で
セメント原料粉が自己造粒する。このとき、自己造粒物
の粒径の小さいものは噴流作用によって排ガスに浮遊し
て噴流層炉1から飛び出し、サイクロン3で捕集されて
循環路4.フラップダンパーなどのシール装置5を経て
再び噴流層炉1の層中に戻される。一方、噴流層炉1よ
り飛び出さなかった自己造粒物は、層内に滞留して成長
し炉外に排出シュート6から排出される。
したがって、造粒粒径が細かいときには、噴流層炉1か
らの飛び出し量が多く、その結果、サイクロン3で捕集
されて噴流層炉1内に戻きれる量、即ち、循環量が増加
することから、循環@4において測定される粉体の温度
T、が、ある設定温度より高くなる。一方、造粒粒径が
粗いときには、飛び出し量が少なく、循環する粉体の温
度T霊が設定温度より低くなる。
らの飛び出し量が多く、その結果、サイクロン3で捕集
されて噴流層炉1内に戻きれる量、即ち、循環量が増加
することから、循環@4において測定される粉体の温度
T、が、ある設定温度より高くなる。一方、造粒粒径が
粗いときには、飛び出し量が少なく、循環する粉体の温
度T霊が設定温度より低くなる。
造粒粒径は、層温度、即ち、造粒温度の上昇とともに大
きくなる。従って、粉体の循環量を粉体の温度T、で把
握し、その測定温度が、ある設定温度より上界すれば、
この信号を演算N7に入力し、該演算器7により演算さ
れた出力信号によって燃料の流量調節弁8を調節し、多
くの燃料を噴流層炉1の下部に設けたバーナー9に送っ
て層温度を上昇させて造粒を促進せしめる。また、計測
しtコ粉体の温度T、が設定温度より低下した場合には
、上記とは逆に燃料の供給量を減少させて層温度を低下
させ、造粒を抑制する。このように、層温度を、循環す
る粉粒体の温度によって制御し、循環粉粒体の設定温度
に対応した粒径の造粒物、即ち、セメントクリンカが得
られるようにしたものである。
きくなる。従って、粉体の循環量を粉体の温度T、で把
握し、その測定温度が、ある設定温度より上界すれば、
この信号を演算N7に入力し、該演算器7により演算さ
れた出力信号によって燃料の流量調節弁8を調節し、多
くの燃料を噴流層炉1の下部に設けたバーナー9に送っ
て層温度を上昇させて造粒を促進せしめる。また、計測
しtコ粉体の温度T、が設定温度より低下した場合には
、上記とは逆に燃料の供給量を減少させて層温度を低下
させ、造粒を抑制する。このように、層温度を、循環す
る粉粒体の温度によって制御し、循環粉粒体の設定温度
に対応した粒径の造粒物、即ち、セメントクリンカが得
られるようにしたものである。
〔実施例2〕 (第1図)
この実施例は、上記噴流暦炉1において、その代表流速
、例えばスロート流速V(または炉内流速)を、流量計
11から測定した押し込み空気量(または熱ガス量)と
、スロート渇度T2がら計算して、スロート流速Vの大
小による噴流層炉lからの飛び出し量の変動を演算m7
によって補正して、粉体の循環量を正確に把握し、造粒
粒径の変動を極力避けるようにしたものである。即ち、
スロート流速Vが大きいと、比較的大きい粒子も噴流層
炉から飛び出し、−見造粒粒径が小さいように検知され
ることを避けろようにしたものである。
、例えばスロート流速V(または炉内流速)を、流量計
11から測定した押し込み空気量(または熱ガス量)と
、スロート渇度T2がら計算して、スロート流速Vの大
小による噴流層炉lからの飛び出し量の変動を演算m7
によって補正して、粉体の循環量を正確に把握し、造粒
粒径の変動を極力避けるようにしたものである。即ち、
スロート流速Vが大きいと、比較的大きい粒子も噴流層
炉から飛び出し、−見造粒粒径が小さいように検知され
ることを避けろようにしたものである。
〔実施例3〕 (第1図)
第1実施例において、層温度を制御するために、燃料の
供給量を調節するようにした代わりに、セメント原料粉
の供給量を変える。即ち、層温度が高いときには、粉体
の供給量を増して層温度を低くするようにしたものであ
る。更に層温度を制御するために燃料の供給量を変える
代わりに押込み空気量(または熱ガス量)を変えてもよ
い。
供給量を調節するようにした代わりに、セメント原料粉
の供給量を変える。即ち、層温度が高いときには、粉体
の供給量を増して層温度を低くするようにしたものであ
る。更に層温度を制御するために燃料の供給量を変える
代わりに押込み空気量(または熱ガス量)を変えてもよ
い。
〔実施例4〕 (第2図)
第2図は、造粒炉として流動層炉を使用した実施例を示
し、流動層炉10内には、あらかじめ粒径1〜3−程度
の所定量のセメントクリンカが収容しである。
し、流動層炉10内には、あらかじめ粒径1〜3−程度
の所定量のセメントクリンカが収容しである。
セメント原料粉を原料供給流路2から流動層炉IO内に
投入すると、層内でセメント原料粉が自己造粒する。こ
のとき、自己造粒物の粒径の小さいものは排ガスに浮遊
して流gh層炉10から飛び出し、サイクロン3で捕集
されて循環路4.フラップダンパーなどのシール装M5
を経て再び流!I!l1m炉10の層内に戻される。一
方、110!rllJ層炉lOより飛び出さなかった自
己造粒物(よ、層内に滞留して成長し、炉外に排出シュ
ート6から排出される。
投入すると、層内でセメント原料粉が自己造粒する。こ
のとき、自己造粒物の粒径の小さいものは排ガスに浮遊
して流gh層炉10から飛び出し、サイクロン3で捕集
されて循環路4.フラップダンパーなどのシール装M5
を経て再び流!I!l1m炉10の層内に戻される。一
方、110!rllJ層炉lOより飛び出さなかった自
己造粒物(よ、層内に滞留して成長し、炉外に排出シュ
ート6から排出される。
このように、造粒粒径が細かいときには、流動層炉10
からの飛び出し量が多く、その結果、サイクロン3で捕
集されて流動層炉10に戻される量、即ち、循環量が増
加することから、循環路4において測定されろ粉体の温
度T、が、ある設定)開度より高くなる。一方、造粒粒
径が粗いときには、飛び出し量が少なく、循環する粉体
の温度T、が設定温度より低くなる。
からの飛び出し量が多く、その結果、サイクロン3で捕
集されて流動層炉10に戻される量、即ち、循環量が増
加することから、循環路4において測定されろ粉体の温
度T、が、ある設定)開度より高くなる。一方、造粒粒
径が粗いときには、飛び出し量が少なく、循環する粉体
の温度T、が設定温度より低くなる。
造粒粒径は、層温度、即ち、造粒温度の上昇とともに大
きくなる。従って、粉体の循環量を粉体の温度T、で把
握し、その測定温度が、ある設定温度より上昇すれば、
この信号を演3y器7に入力し、該演算器7により演算
された出力信号によって燃料の流量制御弁8を調節し、
多くの燃料を供給して層温度を上昇させて造粒を促進せ
しめろ。
きくなる。従って、粉体の循環量を粉体の温度T、で把
握し、その測定温度が、ある設定温度より上昇すれば、
この信号を演3y器7に入力し、該演算器7により演算
された出力信号によって燃料の流量制御弁8を調節し、
多くの燃料を供給して層温度を上昇させて造粒を促進せ
しめろ。
また、測定した粉体の温度T、が設定温度より低下した
場合には、上記とは逆に燃料の供給量を減少させて層温
度を低下させ、造粒を抑える。このように、層温度を、
循環する粉粒体の温度によって制御し、循環粉粒体の設
定温度に対応した粒径の造粒物、即ち、セメントクリン
カが得られるようにしたものである。
場合には、上記とは逆に燃料の供給量を減少させて層温
度を低下させ、造粒を抑える。このように、層温度を、
循環する粉粒体の温度によって制御し、循環粉粒体の設
定温度に対応した粒径の造粒物、即ち、セメントクリン
カが得られるようにしたものである。
〔実施例5〕 (第2図)
この実施例は、上記第4実施例に示された流動層炉10
において、流動層炉10内の代表流速、例え、ば炉内流
速V、を、流量計11で測定した押し込み空気量(また
は熱ガス量)と、R温度T2から計算して、炉内流速V
lの大小による流動層炉10からの飛び出し量の変動を
演算器7によって補正して、粉体の循環量を正確に把握
し、造粒粒径の変動を極力避けるようにしたものである
。即ち、炉内流速V、が大きいと、比較的大きい粒子も
流動層炉から飛び出し、−見造粒粒径が小さいように検
知されろことを避けるようにしたものである。
において、流動層炉10内の代表流速、例え、ば炉内流
速V、を、流量計11で測定した押し込み空気量(また
は熱ガス量)と、R温度T2から計算して、炉内流速V
lの大小による流動層炉10からの飛び出し量の変動を
演算器7によって補正して、粉体の循環量を正確に把握
し、造粒粒径の変動を極力避けるようにしたものである
。即ち、炉内流速V、が大きいと、比較的大きい粒子も
流動層炉から飛び出し、−見造粒粒径が小さいように検
知されろことを避けるようにしたものである。
〔実施例6〕 (第2図)
第4実施例において、層温度を制御するために、燃料の
供給量を調節するようにした代わりに、セメント原料粉
の供給量を変える。即ち、層温度が高いときには、粉体
の供給量を増して層温度を低くするようにしたものであ
る。
供給量を調節するようにした代わりに、セメント原料粉
の供給量を変える。即ち、層温度が高いときには、粉体
の供給量を増して層温度を低くするようにしたものであ
る。
〔実施例7〕
流動層炉の層高を変えろことにより、流動層内の燃焼効
率を変えて層温度を制御してもよい。例えば、循環する
粉粒体の温度が設定温度より高くなれば、排出シュート
6からの排出量を減らし、層差圧(Δpt )を増し、
流!l1II層内の燃焼効率を上昇させて層温度を上昇
させる。一方、循環する粉粒体の温度が設定温度より低
くなれば、排出シュート6からの排出量を増加させて層
差圧を減らし、層温度を下げる。
率を変えて層温度を制御してもよい。例えば、循環する
粉粒体の温度が設定温度より高くなれば、排出シュート
6からの排出量を減らし、層差圧(Δpt )を増し、
流!l1II層内の燃焼効率を上昇させて層温度を上昇
させる。一方、循環する粉粒体の温度が設定温度より低
くなれば、排出シュート6からの排出量を増加させて層
差圧を減らし、層温度を下げる。
上述のように本発明の構成によれば、次のような効果が
得られろ。
得られろ。
(al 造粒炉からの造粒物の粉度分布を、従来のよ
うにサンプリングすることなく造粒粒径が、循環する粉
粒体の温度によって把握することができろ。
うにサンプリングすることなく造粒粒径が、循環する粉
粒体の温度によって把握することができろ。
(b) 層温度の制御によって、循環する粉粒体の温
度が一定になしうるので、制御操作が容易で、而も造粒
粒径の変動が少なく、代表粒径が一定の造粒物が得られ
、次工程での操作が容易である。
度が一定になしうるので、制御操作が容易で、而も造粒
粒径の変動が少なく、代表粒径が一定の造粒物が得られ
、次工程での操作が容易である。
(e) 層温度を、循環する粉粒体の温度によって制
御するので、層温度を高くしすぎることがなく、造粒炉
での1グロメイショントラブルが回避でき、安定な連続
運転となる。
御するので、層温度を高くしすぎることがなく、造粒炉
での1グロメイショントラブルが回避でき、安定な連続
運転となる。
図は本発明方法を実施するに当たり使用する造粒炉を示
し、第1図は噴流層炉を使用する場合の説明図、第2図
は流動層炉を使用する場合の説明図である。 1−噴流層炉、2・・・原料供給流路、3・・サイクロ
ン、4・・・循環路、5−・シール装置、6・・排出シ
ュート、7・・演算器、8・・流量調節弁、9・・バー
ナー、10・流′gh層炉、11・・流量計。 第1図 李
し、第1図は噴流層炉を使用する場合の説明図、第2図
は流動層炉を使用する場合の説明図である。 1−噴流層炉、2・・・原料供給流路、3・・サイクロ
ン、4・・・循環路、5−・シール装置、6・・排出シ
ュート、7・・演算器、8・・流量調節弁、9・・バー
ナー、10・流′gh層炉、11・・流量計。 第1図 李
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔第1項〕 (a)造粒炉と、該造粒炉から飛び出した粉粒体を造粒
炉に戻す集塵装置からなる装置による造粒方法において
、 (b)循環する粉粒体の温度が一定となるように、層温
度を、循環する粉粒体の温度によって制御し、循環粉粒
体の設定温度に対応した粒径の造粒物が得られ、かつ、
粒径が把握しうるようにしたことを特徴とする造粒粒径
の制御方法。 〔第2項〕 造粒炉内の代表流速を把握して、流速変動による造粒炉
からの飛び出し量を補正し、循環粉粒体の温度を一定に
保つようにした特許請求の範囲第1項記載の造粒粒径の
制御方法。 〔第3項〕 循環する粉粒体の温度が一定となるように、原料粉体の
供給量を調節する特許請求の範囲第1、2項記載の造粒
粒径の制御方法。 〔第4項〕 循環する粉粒体の温度が一定となるように、燃料供給量
を調節する特許請求の範囲第1、2、3項記載の造粒粒
径の制御方法。 〔第5項〕 循環する粉粒体の温度が一定になるように押込みガス量
を調節する特許請求の範囲第1、3、4項記載の造粒粒
径の制御方法。 〔第6項〕 循環する粉粒体の温度が一定になるように造粒炉の層差
圧を調節する特許請求の範囲第1、2、3、4、5項記
載の造粒粒径の制御方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7187786A JPH0653218B2 (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 造粒粒径の制御方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7187786A JPH0653218B2 (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 造粒粒径の制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62227436A true JPS62227436A (ja) | 1987-10-06 |
JPH0653218B2 JPH0653218B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=13473185
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7187786A Expired - Lifetime JPH0653218B2 (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 造粒粒径の制御方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0653218B2 (ja) |
-
1986
- 1986-03-28 JP JP7187786A patent/JPH0653218B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0653218B2 (ja) | 1994-07-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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EXPY | Cancellation because of completion of term |