JPH0653218B2

JPH0653218B2 - 造粒粒径の制御方法

Info

Publication number: JPH0653218B2
Application number: JP7187786A
Authority: JP
Inventors: 恂舘林; 善嗣岡田; 親徳熊谷; 友昭高田
Original assignee: Kawasaki Jukogyo KK
Current assignee: Kawasaki Motors Ltd
Priority date: 1986-03-28
Filing date: 1986-03-28
Publication date: 1994-07-20
Anticipated expiration: 2009-07-20
Also published as: JPS62227436A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、例えばセメントクリンカなどの造粒物の造粒
に当たり、循環する粉粒体の温度を一定に制御すること
により、該温度に対応した粒径をもつ造粒物が得られ
る、詳しくは、サンプリングせずに粒径が把握できるよ
うにした制御方法に関する。

〔従来の技術〕

例えば、セメント原料粉を熱間造粒して焼成する装置、
詳しくは、流動層炉において、セメント原料粉の造粒物
の粒径を均一に制御する必要がある。従来、流動層炉内
の粒子の粒径を把握するには、炉内から粒子をサンプリ
ングして粒度分布を測定する方法しかないが、炉内粒子
の代表サンプルをサンプリングする手段は技術的に困難
であり、よしんば、サンプリングしたとしても、熱い粒
子をとり出しこれを冷却するまでに相当の時間を要する
など問題点が多い。

〔発明の目的〕

本発明は、このような実情に鑑みなされたもので、簡単
な而も合理的手段によって従来技術の問題点を解消せし
め、造粒炉から造粒物の粒度分布をサンプリングせず
に、循環する粉粒体の温度が一定となるように層温度を
制御し、循環粉粒体の設定測定に対応した粒径の造粒物
が得られ、かつ、粒径が把握しうる制御方法を提供せん
とするものである。

〔発明の構成〕

従来技術の問題点を解決する本発明の構成は、造粒炉
と、該造粒炉から飛び出した粉粒体を造粒炉に戻す集塵
装置からなる装置による造粒方法において、循環する粉
粒体の温度が一定となるように、層温度を、循環する粉
粒体の温度によって制御し、循環粉粒体の設定温度に対
応した粒径の造粒物が得られ、かつ、粒径が把握しうる
ようにしたことを特徴とするものである。

〔実施例１〕（第１図）第１図は、造粒炉として噴流層炉を使用し、粉体として
セメント原料粉の造粒を行う実施例を示しており、噴流
層炉１内には、あらかじめ粒径１〜３mm程度の所定量の
セメントクリンカが収容してある。セメント原料粉を原
料供給路２から噴流層路１内に投入すると、層内でセメ
ント原料粉が自己造粒する。このとき、自己造粒物の粒
径の小さいものは噴流作用によって排ガスに浮遊して噴
流層炉１から飛び出し、サイクロン３で捕集されて循環
路４，フラップダンパーなどのシール装置５を経て再び
噴流層炉１の層中に戻される。一方、噴流層炉１より飛
び出さなかった自己造粒物は、層内に滞留して成長した
炉外に排出シュート６から排出される。

したがって、造粒粒径が細かいときには、噴流層炉１か
らの飛び出し量が多く、その結果、サイクロン３で捕集
されて噴流層炉１内に戻される量、即ち、循環量が増加
することから、循環路４において測定される粉体の温度
Ｔ_１が、ある設定温度より高くなる。一方、造粒粒径が
粗いときには、飛び出し量が少なく、循環する粉体の温
度Ｔ_１が設定温度より低くなる。

造粒粒径は、層温度、即ち、造粒温度の上昇とともに大
きくなる。従って、粉体の循環量を粉体の温度Ｔ_１で把
握し、その測定温度が、ある設定温度より上昇すれば、
この信号を演算器７に入力し、該演算器７により演算さ
れた出力信号によって燃料の流量調節弁８を調節し、多
くの燃料を噴流層炉１の下部に設けたバーナー９に送っ
て層温度を上昇させて造粒を促進せしめる。また、計測
した粉体の温度Ｔ_１が設定温度より低下した場合には、
上記とは逆に燃料の供給量を減少させて層温度を低下さ
せ、造粒を抑制する。このように、層温度を、循環する
粉粒体の温度によって制御し、循環粉粒体の設定温度に
対応した粒径の造粒物、即ち、セメントクリンカが得ら
れるようにしたものである。

〔実施例２〕（第１図）この実施例は、上記噴流層炉１において、その代表流
速、例えばスロート流速ｖ（または炉内流速）を、流量
計11から測定した押し込み空気量（または熱ガス量）
と、スロート温度Ｔ_２から計算して、スロート流速ｖの
大小による噴流層炉１からの飛び出し量の変動を演算器
７によって補正して、粉体の循環量を正確に把握し、造
粒粒径の変動を極力避けるようにしたものである。即
ち、スロート流速ｖが大きいと、比較的大きい粒子も噴
流層炉から飛び出し、一見造粒粒径が小さいように検知
されることを避けるようにしたものである。

〔実施例３〕（第１図）第１実施例において、層温度を制御するために、燃料の
供給量を調節するようにした代わりに、セメント原料粉
の供給量を変える。即ち、層温度が高いときには、粉体
の供給量を増して層温度を低くするようにしたものであ
る。更に層温度を制御するために燃料の供給量を変える
代わりに押込み空気量（または熱ガス量）を変えてもよ
い。

〔実施例４〕（第２図）第２図は、造粒炉として流動層炉を使用した実施例を示
し、流動層炉10内には、あらかじめ粒径１〜３mm程度の
所定量のセメントクリンカが収容してある。

セメント原料粉を原料供給流路２から流動層炉10内に投
入すると、層内でセメント原料粉が自己造粒する。この
とき、自己造粒物の粒径の小さいものは排ガスに浮遊し
て流動層炉10から飛び出し、サイクロン３で捕集されて
循環路４，フラップダンパーなどのシール装置５を経て
再び流動層炉10の層内に戻される。一方、流動層炉10よ
り飛び出さなかった自己造粒物は、層内に滞留して成長
し、炉外に排出シュート６から排出される。

このように、造粒粒径が細かいときには、流動層炉10か
らの飛び出し量が多く、その結果、サイクロン３で捕集
されて流動層炉10に戻される量、即ち、循環量が増加す
ることから、循環路４において測定される粉体の温度Ｔ
_１が、ある設定温度より高くなる。一方、造粒粒径が粗
いときには、飛び出し量が少なく、循環する粉体の温度
Ｔ_１が設定温度より低くなる。

造粒粒径は、層温度、即ち、造粒温度の上昇とともに大
きくなる。従って、粉体の循環量を粉体の温度Ｔ_１で把
握し、その測定温度が、ある設定温度より上昇すれば、
この信号を演算器７に入力し、該演算器７により演算さ
れた出力信号によって燃料の流量制御弁８を調節し、多
くの燃料を供給して層温度を上昇させて造粒を促進せし
める。

また、測定した粉体の温度Ｔ_１が設定温度より低下した
場合には、上記とは逆に燃料の供給量を減少させて層温
度を低下せさ、造粒を抑える。このように、層温度を、
循環する粉粒体の温度によって制御し、循環粉粒体の設
定温度に対応した粒径の造粒物、即ち、セメントクリン
カが得られるようにしたものである。

〔実施例５〕（第２図）この実施例は、上記第４実施例に示された流動層炉10に
おいて、流動層炉10内の代表流速、例えば炉内流速Ｖ_１
を、流量計11で測定した押し込み空気量（または熱ガス
量）と、層温度Ｔ_２から計算して、炉内流速Ｖ_１の大小
による流動層炉10からの飛び出し量の変動を演算器７に
よって補正して、粉体の循環量を正確に把握し、造粒粒
径の変動を極力避けるようにしたものである。即ち、炉
内流速ｖ_１が大きいと、比較的大きい粒子も流動層炉か
ら飛び出し、一見造粒粒径が小さいように検知されるこ
とを避けるようにしたものである。

〔実施例６〕（第２図）第４実施例において、層温度を制御するために、燃料の
供給量を調節するようにした代わりに、セメント原料粉
の供給量を変える。即ち、層温度が高いときには、粉体
の供給量を増して層温度を低くするようにしたものであ
る。

〔実施例７〕流動層炉の層高を変えることにより、流動層内の燃焼効
率を変えて層温度を制御してもよい。例えば、循環する
粉粒体の温度が設定温度より高くなれば、排出シュート
６からの排出量を減らし、層差圧（ΔＰ_１）を増し、流
動層内の燃焼効率を上昇させて層温度を上昇させる。一
方、循環する粉粒体の温度が設定温度より低くなれば、
排出シュート６からの排出量を増加させて層差圧を減ら
し、層温度を下げる。

〔効果〕

上述のように本発明の構成によれば、次のような効果が
得られる。

(a)造粒炉からの造粒物の粉度分布を、従来のようにサ
ンプリングすることなく造粒粒径が、循環する粉粒体の
温度によって把握することができる。

(b)層温度の制御によって、循環する粉粒体の温度が一
体になしうるので、制御操作が容易で、而も造粒粒径の
変動が少なく、代表粒径が一体の造粒物が得られ、次工
程での操作が容易である。

(c)層温度を、循環する粉粒体の温度によって制御する
ので、層温度を高くしすぎることがなく、造粒炉でのア
グロメイショントラブルが回避でき、安定な連続運転と
なる。

【図面の簡単な説明】

図は本発明方法を実施するに当たり使用する造粒炉を示
し、第１図は噴流層炉を使用する場合の説明図，第２図
は流動層炉を使用する場合の説明図である。１……噴流層炉，２……原料供給流路，３……サイクロ
ン，４……循環路，５……シール装置，６……排出シュ
ート，７……演算器，８……流量調節弁，９……バーナ
ー、10……流動層炉，11……流量計。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者高田友昭東京都港区浜松町２丁目４番１号川崎重工業株式会社東京本社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】(a)造粒炉と、該造粒炉から飛び出した粉
粒体を造粒炉に戻す集塵装置からなる装置による造粒方
法において、 (b)循環する粉粒体の温度が一定となるように、層温度
を、循環する粉粒体の温度によって制御し、循環粉粒体
の設定温度に対応した粒径の造粒物が得られ、かつ、粒
径が把握しうるようにしたことを特徴とする造粒粒径の
制御方法。
【請求項２】造粒炉内の代表流速を把握して、流速変動
による造粒炉からの飛び出し量を補正し、循環粉粒体の
温度を一定に保つようにした特許請求の範囲第１項記載
の造粒粒径の制御方法。
【請求項３】循環する粉粒体の温度が一定となるよう
に、原料粉体の供給量を調節する特許請求の範囲第1,2
項記載の造粒粒径の制御方法。
【請求項４】循環する粉粒体の温度が一定となるよう
に、燃料供給量を調節する特許請求の範囲第1,2,3項記
載の造粒粒径の制御方法。
【請求項５】循環する粉粒体の温度が一定になるように
押込みガス量を調節する特許請求の範囲第1,3,4項記載
の造粒粒径の制御方法。
【請求項６】循環する粉粒体の温度が一定になるように
造粒炉の層差圧を調節する特許請求の範囲第1,2,3,4,5
項記載の造粒粒径の制御方法。