JPH0429412B2 - - Google Patents

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JPH0429412B2
JPH0429412B2 JP7187886A JP7187886A JPH0429412B2 JP H0429412 B2 JPH0429412 B2 JP H0429412B2 JP 7187886 A JP7187886 A JP 7187886A JP 7187886 A JP7187886 A JP 7187886A JP H0429412 B2 JPH0429412 B2 JP H0429412B2
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JP
Japan
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powder
granular material
gas introduction
furnace
heat treatment
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JP7187886A
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JPS6316040A (ja
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Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2/00Processes or devices for granulating materials, e.g. fertilisers in general; Rendering particulate materials free flowing in general, e.g. making them hydrophobic
    • B01J2/16Processes or devices for granulating materials, e.g. fertilisers in general; Rendering particulate materials free flowing in general, e.g. making them hydrophobic by suspending the powder material in a gas, e.g. in fluidised beds or as a falling curtain

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Glanulating (AREA)
  • Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、例えば、セメント原料粉などを圧力
損失が少なく、かつ、炉径の大きい噴流層炉で造
粒焼成する方法に関する。
[従来技術とその課題] 噴流層炉をスケールアツプする場合、第4図
a,b,c,dに示すように、炉径Dを大きくす
ると層高hが増加する。炉の圧力損失(層差圧)
はhに比例するので、第5図に示すように炉径D
の大型化により層差圧Δpが増加する。この層差
圧Δpの増加は、電力消費量の増加につながり、
非常に不利である。
噴流層炉42を用いて、例えばセメント原料粉
を層温度1300〜1450℃で熱処理することによつ
て、数10μmのセメント原料粉は数mmの大きな粒
子に造粒することができる。そのもつとも基本的
なシステムを第6図に示しているが、セメント原
料を予熱部41で予熱し、噴流層炉42に連続供
給すると、新しい粒子が生成されて成長するが、
1300〜1450℃の温度条件に保つても、投入したセ
メント原料粉の全てが完全に造粒されない。造粒
されないセメント原料粉は炉から飛散する。この
ため炉出口部には、飛散ダストの分離器43を設
けて捕集したセメント原料粉を噴流層炉42に戻
す方法がとられている。即ち、噴流層炉42での
造粒率を100%にするためには、第6図で示すよ
うにダスト分離器43(サイクロンなど)を設
け、セメント原料粉を循環する必要がある。
上述したように、噴流層炉の大型化に伴い噴流
層炉の圧力損失が大きくなるので、従来では第7
図に示すように、ガス導入部(炉下部のコーン
部)の複数化が提案されているが、造粒をうまく
するためには、ガス導入部の数に相当する数の原
料投入シユートを設ける必要がある。
例えば、第7図において、小領域のガス導入部
1と3のみにシユート7,8からセメント原料粉
を投入し、燃料は4,5,6から何れも同量投入
している場合、造粒温度、即ち、層温度1300〜
1450℃に対して比較的低い温度(約850℃)に予
熱されたセメント原料粉を投入する故、ガス導入
部1,3の温度を一定に保つためには、4と6の
燃料を増加することになる。
一方、原料粉の入らないガス導入部2は、5の
燃料を減少することになる。この結果、ガス導入
部2は酸素が残余することになり、炉出口の排ガ
ス中のO2濃度を一定にするとすれば、ガス導入
部1、および3は空気比の少ない、詳しくは、
O2濃度の低い条件での燃焼となり不利となる。
また、第7図に示すノズル9から、例えば粗粒
炭などの燃料を投入した場合、燃料を多く必要と
する原料粉が供給されるガス導入部1と3にのみ
燃料を投入することは技術的に困難であり、この
ため、原料粉の供給口のないガス導入部2の温度
が高くなり、アグロメイシヨントラブルが生じ不
利である。
本発明の目的は、各ガス導入部に温度差が生ぜ
ず、アグロメイシヨンが起こらない長期安全運転
が可能な方法を提供せんとするものである。
[課題を解決するための手段] 従来技術の課題を解決する本発明の構成は、粉
粒体の熱処理炉の下部が複数のガス導入部からな
る噴流層炉に、燃料および粉粒体を供給して、燃
焼と粉粒体の熱処理を行うようにした粉粒体の熱
処理方法において、上記一部のガス導入部に、予
熱部からの粉粒体を供給し、残りのガス導入部
に、ダスト分離器にて捕集した粉粒体を供給する
ようにしたものである。
実施例 1(第1図) 第1図に示す実施例は、噴流層炉11の炉下部
を4個のガス導入部12,13,14,15に分
割小領域化させたもので、セメント原料の粉粒体
を予熱部16で予熱した粉粒体を上記ガス導入部
15にのみ投入するようにし、更に、造粒されず
に噴流層炉11から飛び出した粉粒体を、3個の
ダスト分離器17,18,19にて捕集して、こ
のダスト分離器17,18,19から各別に上記
ガス導入部12,13,14に対し捕集粉粒体を
供給するようにしたものである。20は粗粒炭な
どの燃料供給ノズルで、各ガス導入部12〜15
に均等に燃料が散布供給される。尚、この燃料供
給ノズルに代え、各ガス導入部12〜15の下部
から各別に燃料を供給するようにしてもよい。こ
のようにして噴流層炉のスケールアツプが行われ
る。
実施例 2(第2図) 第2図に示す実施例は、噴流層炉11の炉下部
を4個のガス導入部21,22,23,24に分
割小領域化したもので、セメント原料の粉粒体を
予熱部16で予熱した粉粒体を、シユート分岐ダ
ンパー25にて2分してガス導入部23,24に
投入し、更に、造粒されずに噴流層炉11から飛
び出した粉粒体を1個のダスト分離器26にて捕
集し、この捕集粉粒体をシユート分岐ダンパー2
7で2分して上記ガス導入部21,22に戻すよ
うにしたものである。また、燃料系は上記第1実
施例と同一であるので説明を省略する。
実施例 3(第3図) 第3図に示す実施例は、噴流層炉11の炉下部
を炉径の小さい2個のガス導入部28,29と、
これよりも炉径の大きな1個のガス導入部30と
に分割小領域化したもので、セメント原料の粉粒
体を予熱部16で予熱した粉粒体を、上記大きな
ガス導入部30に供給し、更に、造粒されずに噴
流層炉11から飛び出した粉粒体を1個のダスト
分離器31にて捕集し、この捕集粉粒体をシユー
ト分岐ダンパー32で2分して上記ガス導入部2
8,29に戻すようにしたものである。また、ガ
ス導入部28,29は他のガス導入部30に比べ
て炉径が小さいので圧力損失も小さい。従つて、
該ガス導入部28,29の空気導入管33,34
に可変オリフイス33a,34aをとりつけて、
総てのガス導入部28,29,30の圧力損失を
一定にしている。尚、燃料系は上記第1実施例と
同一であるので、説明を省略する。
[効果] 上述のように本発明の構成によれば、次のよう
な効果が得られる。
(a) 噴流層炉の炉径が大きくなつても、その圧力
損失が小さくでき、電力消費量が低減しうるこ
とは勿論のこと、 (b) 炉内の各小領域化されたガス導入部に温度差
ができず、従来のようにアグロメイシヨントラ
ブルの発生が極力回避しうる。その結果、長期
安全運転が可能となる。
(c) 炉出口で酸素濃度管理をしても、各ガス導入
部間での燃料量の差はあまり大きくないので、
不完全燃焼のガス導入部はない。従つて、造粒
物の製品性は良好である。
【図面の簡単な説明】
第1図は第1実施例の説明図、第2図は第2実
施例の説明図、第3図は第3実施例の説明図、第
4図は炉径の大型化による層高の変化を示す説明
図、第5図は層差圧Δp−炉径D特性図、第6図
は基本的な噴流層炉のシステム説明図、第7図は
炉下部を複数の小領域ガス導入部とした従来例の
説明図である。 11……噴流層炉、12,13,14,15…
…ガス導入部、16……予熱部、17,18,1
9……ダスト分離器、20……燃料供給ノズル、
21,22,23,24……ガス導入部、25…
…シユート分岐ダンパー、26……ダスト分離
器、27……シユート分岐ダンパー、28,2
9,30……ガス導入部、31……ダスト分離
器、32……シユート分岐ダンパー、33,34
……空気導入管、33a,34a……可変オリフ
イス。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 粉粒体の熱処理炉の下部が複数のガス導入部
    からなる噴流層炉に、燃料および粉粒体を供給し
    て、燃焼と粉粒体の熱処理を行うようにした粉粒
    体の熱処理方法において、 上記一部のガス導入部に、予熱部からの粉粒体
    を供給し、残りのガス導入部に、ダスト分離器に
    て捕集した粉粒体を供給するようにしたことを特
    徴とする粉粒体の熱処理方法。 2 噴流層炉の炉出口部に、ガス導入部の数より
    少ない複数のダスト分離器を設け、これらを各別
    に一部のガス導入部に接続するとともに、残りの
    ガス導入部に予熱部からの粉粒体供給シユートを
    接続した特許請求の範囲第1項記載の粉粒体の熱
    処理方法。 3 炉出口部に設けたダスト分離器のシユート、
    および/または、予熱部からの粉粒体供給シユー
    トを夫々複数に分岐させ、これらの両シユートを
    夫々各別にガス導入部に接続した特許請求の範囲
    第1項記載の粉粒体の熱処理方法。 4 複数に形成された各ガス導入部のガス流量に
    比例するように、ダスト分離器の容量、および/
    または、シユート分配を行うようにした特許請求
    の範囲第1項記載の粉粒体の熱処置方法。 5 噴流層炉の層温度が1300〜1450℃である特許
    請求の範囲1項、第2項、第3項、または、第4
    項記載の粉粒体の熱処理方法。 6 粉粒体がセメント原料粉である特許請求の範
    囲第1項、第2項、第3項、第4項、または、第
    5項記載の粉粒体の熱処理方法。
JP7187886A 1986-03-28 1986-03-28 粉粒体の熱処理方法 Granted JPS6316040A (ja)

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JPS6316040A JPS6316040A (ja) 1988-01-23
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JPS6316040A (ja) 1988-01-23

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