JPS6316040A - 粉粒体の熱処理方法 - Google Patents
粉粒体の熱処理方法Info
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- JPS6316040A JPS6316040A JP7187886A JP7187886A JPS6316040A JP S6316040 A JPS6316040 A JP S6316040A JP 7187886 A JP7187886 A JP 7187886A JP 7187886 A JP7187886 A JP 7187886A JP S6316040 A JPS6316040 A JP S6316040A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2/00—Processes or devices for granulating materials, e.g. fertilisers in general; Rendering particulate materials free flowing in general, e.g. making them hydrophobic
- B01J2/16—Processes or devices for granulating materials, e.g. fertilisers in general; Rendering particulate materials free flowing in general, e.g. making them hydrophobic by suspending the powder material in a gas, e.g. in fluidised beds or as a falling curtain
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)
- Glanulating (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分骨〕
本発明は、例えば、七メント原料扮などを、圧力損失が
少なく、゛かつ、炉径の大きい噴流層炉で造粒焼成する
方法に関する。
少なく、゛かつ、炉径の大きい噴流層炉で造粒焼成する
方法に関する。
噴流層炉をスケールアップする場合、第４図ａ。
ｂ、 ｃ、 ｄに示すように、炉径りを大きくすると層
高りが増加する。炉の圧力損失（層差圧）は、ｈに比例
するので、第５図に示すように炉径りの大型化により層
差圧ΔＰが増加する。この層差圧ΔＰの増加は、電力消
費量の増加につながり、非常に不利である。
高りが増加する。炉の圧力損失（層差圧）は、ｈに比例
するので、第５図に示すように炉径りの大型化により層
差圧ΔＰが増加する。この層差圧ΔＰの増加は、電力消
費量の増加につながり、非常に不利である。
噴流層炉４２を用いて、例えばセメント原料粉をＭ温度
１３００−１４５０℃で熱処理することによって、数１
０Ｉｌｙａのセメント原料粉は、微開の大きな粒子に造
粒することができる。そのもっとも基本的なシステムを
第６図に示しているが、セメント原料を予熱部４１で予
熱し、噴流層炉４２に連続供給すると、新しい粒子が生
成されて成長するが、１３００〜１４５０℃の温度条件
に保っても、投入したセメント原料粉の全てが完全に造
粒されない。造粒されないセメント原料粉は炉から飛散
する。このため炉出口部には、飛散ダストの分ｇｌ響４
３を設けて捕集したセメント原料粉を炉に戻す方法がと
られている。即ち、炉での造粒率を１００％にするため
には、第６図で示すようにゲスト分離器４３（サイクロ
ンなど）を設け、セメント原料粉を循環する必要がある
。
１３００−１４５０℃で熱処理することによって、数１
０Ｉｌｙａのセメント原料粉は、微開の大きな粒子に造
粒することができる。そのもっとも基本的なシステムを
第６図に示しているが、セメント原料を予熱部４１で予
熱し、噴流層炉４２に連続供給すると、新しい粒子が生
成されて成長するが、１３００〜１４５０℃の温度条件
に保っても、投入したセメント原料粉の全てが完全に造
粒されない。造粒されないセメント原料粉は炉から飛散
する。このため炉出口部には、飛散ダストの分ｇｌ響４
３を設けて捕集したセメント原料粉を炉に戻す方法がと
られている。即ち、炉での造粒率を１００％にするため
には、第６図で示すようにゲスト分離器４３（サイクロ
ンなど）を設け、セメント原料粉を循環する必要がある
。
上述したように、噴流層炉の大型化に伴い炉の圧力損失
が大きくなるので、従来では第７図に示すように、ガス
導入部（炉下部のコーン部）の複数化が提案されており
、造粒をうまくするためには、ガス導入部の数に相当す
る数の原料投入シュートを設ける必要がある。
が大きくなるので、従来では第７図に示すように、ガス
導入部（炉下部のコーン部）の複数化が提案されており
、造粒をうまくするためには、ガス導入部の数に相当す
る数の原料投入シュートを設ける必要がある。
例えば、第７図において、小領域のガス導入部１と３の
みにシュー１−７．８からセメント原料粉を投入し、燃
料は４，５．６から何れも同量投入している場合、造粒
温度、即ち、層温度１３００〜１４５０℃に対して比較
的低い温度（約８５０℃）に予熱されたセメント原料粉
を投入する故、ガス導入部１，３の温度を一定に保つた
めには、４と６の燃料を増加することになる。
みにシュー１−７．８からセメント原料粉を投入し、燃
料は４，５．６から何れも同量投入している場合、造粒
温度、即ち、層温度１３００〜１４５０℃に対して比較
的低い温度（約８５０℃）に予熱されたセメント原料粉
を投入する故、ガス導入部１，３の温度を一定に保つた
めには、４と６の燃料を増加することになる。
一方、原料粉の入らないガス導入部２は、５の燃料を減
少することになる。この結果、ガス導入部２は酸素が残
余することになり、炉出口の排ガス中の０２濃度を一定
にするとすれば、ガス導入部１、および３は空気比の少
ない、詳しくは、０２ ｉ１１度の低い条件での燃焼と
な咋、不利となる。
少することになる。この結果、ガス導入部２は酸素が残
余することになり、炉出口の排ガス中の０２濃度を一定
にするとすれば、ガス導入部１、および３は空気比の少
ない、詳しくは、０２ ｉ１１度の低い条件での燃焼と
な咋、不利となる。
また第７図に示すノズル９から、例えば粗粒炭などの燃
料を投入した場合、燃料を多く必要とする原料粉が供給
されるガス導入部１と３にのみ燃料を投入することは技
術的に困難であり、このため原料粉の供給口のないガス
導入部２の温度が高くなり、アフロメイシヲントラブル
が生じ、不利である。
料を投入した場合、燃料を多く必要とする原料粉が供給
されるガス導入部１と３にのみ燃料を投入することは技
術的に困難であり、このため原料粉の供給口のないガス
導入部２の温度が高くなり、アフロメイシヲントラブル
が生じ、不利である。
本発明は、このような実情に鑑みなされたもので、簡単
な而も合理的手段によって従来技術の問題点を解消せし
め、分割小領域化された一部のガス導入部に予熱部から
の粉粒体を供給し、残りのガス導入部にゲスト分ｖｉＩ
ｉ？にて捕集した粉粒体を供給することにより、各ガス
導入部に温度差が生ぜず、アフロメイシアンが起こらな
い長期安定運転が可能な方法を提供せんとするものであ
る。
な而も合理的手段によって従来技術の問題点を解消せし
め、分割小領域化された一部のガス導入部に予熱部から
の粉粒体を供給し、残りのガス導入部にゲスト分ｖｉＩ
ｉ？にて捕集した粉粒体を供給することにより、各ガス
導入部に温度差が生ぜず、アフロメイシアンが起こらな
い長期安定運転が可能な方法を提供せんとするものであ
る。
従来技術の問題点を解決する本発明の構成は、粉粒体の
熱処理炉の下部が複数のガス導入部からなる噴流層炉に
、燃料および粉粒体を供給して、燃焼と粉粒体の熱処理
を行うようにした方法において、上記一部のガス導入部
に、予熱部からの粉粒体を供給し、残りのガス導入部に
、ダスト分離器にて捕集した粉粒体を供給するようにし
たことを特徴とするものである。
熱処理炉の下部が複数のガス導入部からなる噴流層炉に
、燃料および粉粒体を供給して、燃焼と粉粒体の熱処理
を行うようにした方法において、上記一部のガス導入部
に、予熱部からの粉粒体を供給し、残りのガス導入部に
、ダスト分離器にて捕集した粉粒体を供給するようにし
たことを特徴とするものである。
〔実施例１〕 （第１図）
第１図に示す実施例は、噴流層炉１１の炉下部を４個の
ガス導入部１２．１３．１４．１５に分割小領域化させ
たもので、セメント原料の粉粒体を予熱部１６で予熱し
た粉粒体をガス導入部１５にのみ投入するようにし、更
に、造粒されずに層から飛び出しな粉粒体を３個のダス
ト分離器１７．１８．１９にて捕集分配して、このダス
ト分ｇｌｌ＃１７．１８．１９から各別に上記ガス導入
部１２．１３．１４に対し供給するようにしたものであ
る。２０は粗粒炭などの燃料供給ノズルで、各ガス導入
部１２〜１５に均等に燃料が散布供給される。尚この燃
料供給ノズルに代え、各ガス導入部の下部から各別に燃
料を供給するようにしてもよい。このようにして噴流層
炉のスケールアップが行われる。
ガス導入部１２．１３．１４．１５に分割小領域化させ
たもので、セメント原料の粉粒体を予熱部１６で予熱し
た粉粒体をガス導入部１５にのみ投入するようにし、更
に、造粒されずに層から飛び出しな粉粒体を３個のダス
ト分離器１７．１８．１９にて捕集分配して、このダス
ト分ｇｌｌ＃１７．１８．１９から各別に上記ガス導入
部１２．１３．１４に対し供給するようにしたものであ
る。２０は粗粒炭などの燃料供給ノズルで、各ガス導入
部１２〜１５に均等に燃料が散布供給される。尚この燃
料供給ノズルに代え、各ガス導入部の下部から各別に燃
料を供給するようにしてもよい。このようにして噴流層
炉のスケールアップが行われる。
〔実施例２〕 （第２図）
第２図に示す実施例は、噴流層炉１１の炉下部を４個の
ガス導入部２１．２２．２３．２４に分割小領域化した
もので、セメント原料の粉粒体を予熱部１６で予熱した
粉粒体を、シュート分岐ダンパー２５にて２分してガス
導入部２３．２４に投入し、更に、造粒されずに層から
飛び出しな粉粒体を１個のダスト分離器２６にて捕集し
、この捕集粉粒体をシュート分岐ダンパー２７で２分し
てガス導入部２１．２２に戻すようにしたものである。
ガス導入部２１．２２．２３．２４に分割小領域化した
もので、セメント原料の粉粒体を予熱部１６で予熱した
粉粒体を、シュート分岐ダンパー２５にて２分してガス
導入部２３．２４に投入し、更に、造粒されずに層から
飛び出しな粉粒体を１個のダスト分離器２６にて捕集し
、この捕集粉粒体をシュート分岐ダンパー２７で２分し
てガス導入部２１．２２に戻すようにしたものである。
また、燃料系は上記第１実施例と同一であるので説明を
省略する。
省略する。
〔実施例３〕 （第３図）
第３図に示す実施例は、噴流層炉１１の炉下部を炉径の
小さい２個のガス導入部２８．２９と、これよりも炉径
の大きな１個のガス導入部３０とに分割小領域化したも
ので、セメント原料の粉粒体を予熱部１６で予熱した粉
粒体を、上記大きなガス導入部３０に供給し、更に、造
粒されずに層から飛び出しな粉粒体を１個のダスト分ｇ
ｔ器３１にて捕良し、この捕集粉粒体をシュート分岐ダ
ンパー３２で２分してガス導入部２８．２９に戻すよう
にしたものである。
小さい２個のガス導入部２８．２９と、これよりも炉径
の大きな１個のガス導入部３０とに分割小領域化したも
ので、セメント原料の粉粒体を予熱部１６で予熱した粉
粒体を、上記大きなガス導入部３０に供給し、更に、造
粒されずに層から飛び出しな粉粒体を１個のダスト分ｇ
ｔ器３１にて捕良し、この捕集粉粒体をシュート分岐ダ
ンパー３２で２分してガス導入部２８．２９に戻すよう
にしたものである。
また、ガス導入部２８．２９は他のガス導入部３０に比
べて炉径が小さいので圧力損失も小さい。従って、該ガ
ス導入部２８．２９の空気導入’１’！’３３．３４に
可変オリフィス３３ｍ、 ３４ａをとりつけて、総ての
ガス導入部？８、２９．３０の圧力損失を一定にしてい
る。尚、燃料系は上記第１実施例と同一であるので、説
明を省略する。
べて炉径が小さいので圧力損失も小さい。従って、該ガ
ス導入部２８．２９の空気導入’１’！’３３．３４に
可変オリフィス３３ｍ、 ３４ａをとりつけて、総ての
ガス導入部？８、２９．３０の圧力損失を一定にしてい
る。尚、燃料系は上記第１実施例と同一であるので、説
明を省略する。
上述のように本発明の構成によれば、次のような効果が
得られる。
得られる。
（ａ） 噴流層炉の炉径が大きくなっても、その圧力
損失が小さくでき、電力消費量が低減しうろことは勿論
のこと、 （ｂ） 炉内の各小領域化されたガス導入部に温度差
ができず、従来のように１グロメイショントラブルの発
生が極力回避しうろ。その結果、長期安全運転が可能と
なる。
損失が小さくでき、電力消費量が低減しうろことは勿論
のこと、 （ｂ） 炉内の各小領域化されたガス導入部に温度差
ができず、従来のように１グロメイショントラブルの発
生が極力回避しうろ。その結果、長期安全運転が可能と
なる。
（ｅ） 炉出口で酸素濃度管理をしても、各ガス導入
部間での燃料量の差はあまり大きくないので、不完全燃
焼のガス導入部はない。従って、造粒物の製品性は良好
である。
部間での燃料量の差はあまり大きくないので、不完全燃
焼のガス導入部はない。従って、造粒物の製品性は良好
である。
第１図は第１実施例の、第２図は第２実施例の、第３図
は第３図実施例の説明図、第４図ａ、 ｂ、 ｅ、 ｄ
は、炉径の大型化による層高の変化を示す説明図。 第５図は層差圧ΔＰ−炉径り特性図、第６図は基本的な
噴流層炉のシステム説明図、第７図は炉下部を複数の小
領域ガス導入部とした従来例の説明図である。 １１・・・噴流層炉、 １２．１３．１４． Ｉｓ・・
ガス導入部、１６・予熱部、 １７．１８．１９・ダス
ト分Ｒ藩、２０・・・燃料供給ノズル、 ２１．２２．
２３．２４・・ガス導入部、２５・・シュート分岐ダン
パー、２６・ダスト分子ｌＡ’Ｊ１４．２７・シュート
分岐ダンパー、 ２８．２９．３０・ガス導入部、３１
・・・ダスト分ｇｉ器、３２・・シュー−１・分岐ダン
パー、３３．３４−・・空気導入管、 ３３ｍ、３４ｍ
・−・可変オリフィス。 特許出願人 川崎重工業株式会社 ２．″１件４ 代 理 人 佐 腎 義
雄・−パさ第１図 １１冊 第２図 第３図 第４ｒ１！Ｊ （４）ｃｂ） （ｅ） ｃＬ）千 第５図 炉径Ｏ 第７図 手 続 補 正 書、ヵ、） 昭和６２年７月２９日 昭和６１年 特許願 第７１８７８号 ２、発明の名称 粉粒体の熱処理方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （０９７） 川崎重工業株式会社 ４、代理人 昭和６２年７月１日（昭和６２年７月２８日発送）６、
補正の対生 明細書 ７、補正の内容 別紙のとおり １、明細書第９頁第９行の「第４図ａ、 ｂ、 ｅ、
ｄＪを「第４図」と補正する。 以上
は第３図実施例の説明図、第４図ａ、 ｂ、 ｅ、 ｄ
は、炉径の大型化による層高の変化を示す説明図。 第５図は層差圧ΔＰ−炉径り特性図、第６図は基本的な
噴流層炉のシステム説明図、第７図は炉下部を複数の小
領域ガス導入部とした従来例の説明図である。 １１・・・噴流層炉、 １２．１３．１４． Ｉｓ・・
ガス導入部、１６・予熱部、 １７．１８．１９・ダス
ト分Ｒ藩、２０・・・燃料供給ノズル、 ２１．２２．
２３．２４・・ガス導入部、２５・・シュート分岐ダン
パー、２６・ダスト分子ｌＡ’Ｊ１４．２７・シュート
分岐ダンパー、 ２８．２９．３０・ガス導入部、３１
・・・ダスト分ｇｉ器、３２・・シュー−１・分岐ダン
パー、３３．３４−・・空気導入管、 ３３ｍ、３４ｍ
・−・可変オリフィス。 特許出願人 川崎重工業株式会社 ２．″１件４ 代 理 人 佐 腎 義
雄・−パさ第１図 １１冊 第２図 第３図 第４ｒ１！Ｊ （４）ｃｂ） （ｅ） ｃＬ）千 第５図 炉径Ｏ 第７図 手 続 補 正 書、ヵ、） 昭和６２年７月２９日 昭和６１年 特許願 第７１８７８号 ２、発明の名称 粉粒体の熱処理方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 （０９７） 川崎重工業株式会社 ４、代理人 昭和６２年７月１日（昭和６２年７月２８日発送）６、
補正の対生 明細書 ７、補正の内容 別紙のとおり １、明細書第９頁第９行の「第４図ａ、 ｂ、 ｅ、
ｄＪを「第４図」と補正する。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔第１項〕 （ａ）粉粒体の熱処理炉の下部が複数のガス導入部から
なる噴流層炉に、燃料および粉粒体を供給して、燃焼と
粉粒体の熱処理を行うようにした方法において、 （ｂ）上記一部のガス導入部に、予熱部からの粉粒体を
供給し、残りのガス導入部に、ダスト分離器にて捕集し
た粉粒体を供給するようにしたことを特徴とする粉粒体
の熱処理方法。 〔第２項〕 噴流層炉の炉出口部に、複数のダスト分離器を設け、こ
れらを各別にガス導入部に接続するとともに、残りのガ
ス導入部に予熱部からの粉粒体供給シュートを接続した
特許請求の範囲第１項記載の粉粒体の熱処理方法。 〔第３項〕 炉出口部に設けたダスト分離器のシュート、および／ま
たは、予熱部からの粉粒体供給シュートを夫々複数に分
岐させ、これらの両シュートを夫々各別にガス導入部に
接続した特許請求の範囲第１項記載の粉粒体の熱処理方
法。 〔第４項〕 複数に形成された各ガス導入部のガス流量に比例するよ
うに、ダスト分離器の容量、および／または、シュート
分配を行うようにした特許請求の範囲第１項記載の粉粒
体の熱処理方法。 〔第５項〕 噴流層炉の層温度が１３００〜１４５０℃である特許請
求の範囲第１〜４項記載の粉粒体の熱処理方法。 〔第６項〕 粉粒体がセメント原料粉である特許請求の範囲第１〜５
項記載の粉粒体の熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7187886A JPS6316040A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 粉粒体の熱処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7187886A JPS6316040A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 粉粒体の熱処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6316040A true JPS6316040A (ja) | 1988-01-23 |
| JPH0429412B2 JPH0429412B2 (ja) | 1992-05-18 |
Family
ID=13473213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7187886A Granted JPS6316040A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 粉粒体の熱処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6316040A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009502704A (ja) * | 2005-07-19 | 2009-01-29 | アールイーシー シリコン インコーポレイテッド | シリコン噴流流動層 |
-
1986
- 1986-03-28 JP JP7187886A patent/JPS6316040A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009502704A (ja) * | 2005-07-19 | 2009-01-29 | アールイーシー シリコン インコーポレイテッド | シリコン噴流流動層 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0429412B2 (ja) | 1992-05-18 |
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