JPS62227158A - 特定の下引層を有する電子写真感光体 - Google Patents
特定の下引層を有する電子写真感光体Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0675—Azo dyes
- G03G5/0679—Disazo dyes
-
- G—PHYSICS
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- G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
- G03G5/142—Inert intermediate layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は電子写真感光体に関し、詳しくは感度、暗減衰
特性、電荷受容性、緑返し特性等の諸特性において優れ
た電子写真感光体に関する。
特性、電荷受容性、緑返し特性等の諸特性において優れ
た電子写真感光体に関する。
[5!明の背景]
従来、電子写真感光体に用いられる感光層には、 Se
、 CdS 、 ZnO等の無機系の光導電性物質が広
く用いられている。一方、近年この無機光導電性物質の
かわりに有機系の光導電性物質を用いる研究が盛んに行
われている。かかる有機系の光導電性物質は無機系のも
のと比べて、感光層が柔軟性に富み、製造が容易てあり
、より安価で電子写真特性の安定した感光体が得られる
等の利点があり、近年数多くの提案かなされている。中
でも感光層を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離したタ
イプの感光体は、高感度であり、機能に合せて多様に材
料を選択できることなどから実用化されてきている。
、 CdS 、 ZnO等の無機系の光導電性物質が広
く用いられている。一方、近年この無機光導電性物質の
かわりに有機系の光導電性物質を用いる研究が盛んに行
われている。かかる有機系の光導電性物質は無機系のも
のと比べて、感光層が柔軟性に富み、製造が容易てあり
、より安価で電子写真特性の安定した感光体が得られる
等の利点があり、近年数多くの提案かなされている。中
でも感光層を電荷発生層と電荷輸送層に機能分離したタ
イプの感光体は、高感度であり、機能に合せて多様に材
料を選択できることなどから実用化されてきている。
しかるに、かかるIa能分子1lffiの感光体は、通
常導電性基体に電荷発生層と電荷輸送層が順に塗布形成
されており、入射光量の大部分が電荷発生層で吸収され
てキャリアを生成し、さらに発生したキャリアを再結合
や捕獲により失活することなく電荷輸送層に注入される
ように構成されている。
常導電性基体に電荷発生層と電荷輸送層が順に塗布形成
されており、入射光量の大部分が電荷発生層で吸収され
てキャリアを生成し、さらに発生したキャリアを再結合
や捕獲により失活することなく電荷輸送層に注入される
ように構成されている。
一方、感光層の電気的特性の劣化防止、導電性基体から
感光層への電荷の注入の防止等の目的て、導電性基体と
感光層の間に下引層を設けることか検討されてきた。
感光層への電荷の注入の防止等の目的て、導電性基体と
感光層の間に下引層を設けることか検討されてきた。
この下引層に用いる樹脂としては、ニトロセルロース樹
脂(特開昭48−3544号公報参照)ポリビニルブチ
ラール樹脂(特開昭50−28837号、同59−36
258号公報参照)、ポリビニルアルコール樹脂(特開
昭52−100240公報参照)、アルコール系溶剤に
可溶なナイロン樹脂(特開昭52−25638号公報参
照)、ポリビニルホルマール樹脂(特開昭57−906
39号公報参照)、水溶性ポリビニルブチラール樹脂(
特開昭58−106549号公報参照)、ポリビニルブ
チラール樹脂とフェノール樹脂のブレンド(特開昭59
−36259号公報参照)等が知られており、またポリ
ビニルメチルエーテル、ポリビニルイミダゾール、ポリ
エチレンオキシド、ポリウレタン、ポリアミド、メラミ
ン、ポリビニルピロリドン、セルロースエステル、カゼ
イン、ゼラチン等の樹脂も知られている。
脂(特開昭48−3544号公報参照)ポリビニルブチ
ラール樹脂(特開昭50−28837号、同59−36
258号公報参照)、ポリビニルアルコール樹脂(特開
昭52−100240公報参照)、アルコール系溶剤に
可溶なナイロン樹脂(特開昭52−25638号公報参
照)、ポリビニルホルマール樹脂(特開昭57−906
39号公報参照)、水溶性ポリビニルブチラール樹脂(
特開昭58−106549号公報参照)、ポリビニルブ
チラール樹脂とフェノール樹脂のブレンド(特開昭59
−36259号公報参照)等が知られており、またポリ
ビニルメチルエーテル、ポリビニルイミダゾール、ポリ
エチレンオキシド、ポリウレタン、ポリアミド、メラミ
ン、ポリビニルピロリドン、セルロースエステル、カゼ
イン、ゼラチン等の樹脂も知られている。
しかるに、下引層を設けた場合、一般には感光層の光導
電性の低下かひきおこされるために、電子写真感光体の
感度の犠牲を余儀なくされる。
電性の低下かひきおこされるために、電子写真感光体の
感度の犠牲を余儀なくされる。
また近年機能分離型感光体が検討され、高感度化が達成
されるに従い、下引層の特性及び下引層の膜厚変化が感
光体特性に一層鋭敏に反映されるようになってきたため
、感度の低下を引き起すことなく、暗減衰特性、電荷受
容性及び耐久性等の品持性を向上させる下引層、また膜
厚の許容巾の広い下引層の開発の要請が一層強くなって
きている。
されるに従い、下引層の特性及び下引層の膜厚変化が感
光体特性に一層鋭敏に反映されるようになってきたため
、感度の低下を引き起すことなく、暗減衰特性、電荷受
容性及び耐久性等の品持性を向上させる下引層、また膜
厚の許容巾の広い下引層の開発の要請が一層強くなって
きている。
そこで本発明は、■感度が良好で、暗減衰特性に優れ、
電荷受容性のよい電子写真感光体を得ること、■繰返し
特性に優れ、繰返し、帯電・露光・除電な行っても、受
容電位、残留電位、感度特性が安定した電子写真感光体
を得ることを目的とする。
電荷受容性のよい電子写真感光体を得ること、■繰返し
特性に優れ、繰返し、帯電・露光・除電な行っても、受
容電位、残留電位、感度特性が安定した電子写真感光体
を得ることを目的とする。
[問題点を解決するための手段]
上記目的を達成する本発明の電子写真感光体は、導電性
基体上に下引層と感光層を有する電子写真感光体におい
て、該下引層がヒドロキシスチレン重合体もしくはヒド
ロキシスチレンをt金成分とする共重合体樹脂を主成分
とすることを特徴とする。
基体上に下引層と感光層を有する電子写真感光体におい
て、該下引層がヒドロキシスチレン重合体もしくはヒド
ロキシスチレンをt金成分とする共重合体樹脂を主成分
とすることを特徴とする。
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の電子写真感光体は導電性基体上に下引層と感光
層が形成されたものである。
層が形成されたものである。
該感光体の好ましい層構成としては、下記(1)〜(4
)の層構成を挙げることができる。
)の層構成を挙げることができる。
(1)第1図に示すように、下層より、導電性基体1、
下引層2、電荷発生層3、電荷輸送層4の順に構成され
ているもの。
下引層2、電荷発生層3、電荷輸送層4の順に構成され
ているもの。
(2)第2図に示すように、下層より、導電性基体l、
下引層2、電荷輸送層4、電荷発生層3の順に構成され
ているもの。
下引層2、電荷輸送層4、電荷発生層3の順に構成され
ているもの。
(3)第3図に示すように、下層より、導電性基体1、
下引層2.電荷発生物質と電荷輸送物質を含む電荷発生
層3A、電荷輸送層4の順に構成されているもの。
下引層2.電荷発生物質と電荷輸送物質を含む電荷発生
層3A、電荷輸送層4の順に構成されているもの。
(4)第4図に示すように、導電性基体l上に。
電荷発生物質または電荷発生物質及び電荷輸送物が均一
に分散あるいは溶解している電荷発生層3のみが形成さ
れているもの。
に分散あるいは溶解している電荷発生層3のみが形成さ
れているもの。
また上記層構成において、各層の間に中間層を設けても
よく、最上層に表面保護層を形成したものであってもよ
い。
よく、最上層に表面保護層を形成したものであってもよ
い。
導電性基体としては、アルミニウム、黄銅、ステンレス
等の金属をドラム状に成型するか、シート状のフィルム
や箔にして用いられ、さらにポリエチレンテレフタレー
ト、ナイロン、ポリアリ−レート、ポリイミド、ポリカ
ーボネート等の高分子材料、硬質紙等の絶縁性材料をド
ラム状に成型したものやシート状のフィルムに導電処理
して用いられる。導電処理をする方法としては、導電性
物質の含浸、金属箔(例えばアルミ箔)のラミネート、
金属(例えばアルミニウム、インジウム、酸化スズ、イ
ツトリウム等)の蒸着、導電加工等の方法がある。
等の金属をドラム状に成型するか、シート状のフィルム
や箔にして用いられ、さらにポリエチレンテレフタレー
ト、ナイロン、ポリアリ−レート、ポリイミド、ポリカ
ーボネート等の高分子材料、硬質紙等の絶縁性材料をド
ラム状に成型したものやシート状のフィルムに導電処理
して用いられる。導電処理をする方法としては、導電性
物質の含浸、金属箔(例えばアルミ箔)のラミネート、
金属(例えばアルミニウム、インジウム、酸化スズ、イ
ツトリウム等)の蒸着、導電加工等の方法がある。
下引層はヒドロキシスチレン重合体もしくはヒドロキシ
スチレンを重合成分とする共重合体樹脂を主成分とする
層である。
スチレンを重合成分とする共重合体樹脂を主成分とする
層である。
本発明におけるヒドロキシスチレン重合体及びヒドロキ
シスチレンを重合成分とする共重合体とは、水酸基を有
するスチレンモノマ一単位を有する樹脂であり、水酸基
の他にアルキル基、ハロゲン原子等の置換基を有してい
てもよい、一般的にはヒドロキシスチレン或は置換基を
有するヒドロキシスチレン単独でもしくはスチレン、ア
クリル酸エステル、メタクリル酸エステル、アクリロニ
トリル、エチレン、プロピレン、酢酸ビニル、塩化ビニ
ル、塩化ビニリデン等の任意の重合性モノマーと一緒に
熱重合、ラジカル重合、或はイオン重合させることによ
って、得ることができる。
シスチレンを重合成分とする共重合体とは、水酸基を有
するスチレンモノマ一単位を有する樹脂であり、水酸基
の他にアルキル基、ハロゲン原子等の置換基を有してい
てもよい、一般的にはヒドロキシスチレン或は置換基を
有するヒドロキシスチレン単独でもしくはスチレン、ア
クリル酸エステル、メタクリル酸エステル、アクリロニ
トリル、エチレン、プロピレン、酢酸ビニル、塩化ビニ
ル、塩化ビニリデン等の任意の重合性モノマーと一緒に
熱重合、ラジカル重合、或はイオン重合させることによ
って、得ることができる。
本発明の下引層は、上記の樹脂を溶剤に溶解し、導電性
基体上に塗布することにより所定の膜厚に形成される。
基体上に塗布することにより所定の膜厚に形成される。
ここに溶剤としては、テトラヒドロフラン、メタノール
、エタノール、ブタノール、アセトン、酢酸エチル、ジ
オキサン等が好ましく用いられ、さらにケトン系溶剤と
アルコール系溶剤、エーテル系溶剤とケトン系溶剤、芳
香族系溶剤とアルコール系溶剤の組合せ等が好ましく用
いられる。塗布法としては、導電性基体がドラム状であ
る場合には、浸漬法、スプレー法、押出又はスライドホ
ッパー法等が好ましく、また導電性基体がシート状であ
る場合には、ロール法、押出又はスライドホッパー法等
が好ましく採用される。上記のようにして形成された下
引層の膜厚は、0.01〜10gm O)a囲が好まし
く、0.05〜2pmの範囲がより好ましい。
、エタノール、ブタノール、アセトン、酢酸エチル、ジ
オキサン等が好ましく用いられ、さらにケトン系溶剤と
アルコール系溶剤、エーテル系溶剤とケトン系溶剤、芳
香族系溶剤とアルコール系溶剤の組合せ等が好ましく用
いられる。塗布法としては、導電性基体がドラム状であ
る場合には、浸漬法、スプレー法、押出又はスライドホ
ッパー法等が好ましく、また導電性基体がシート状であ
る場合には、ロール法、押出又はスライドホッパー法等
が好ましく採用される。上記のようにして形成された下
引層の膜厚は、0.01〜10gm O)a囲が好まし
く、0.05〜2pmの範囲がより好ましい。
なお下引層には本発明の効果を損なわない範囲でヒドロ
キシスチレン重合体以外の樹脂やカーボン、酸化チタン
、酸化マグネシウム、アルミニウム、コロイダルシリカ
等の微粉末を含んでもよい、ヒドロキシスチレン重合体
以外の樹脂としては、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、
塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ウレ
タン樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、アルキ
ド樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコン樹脂、メラミ
ン樹脂、ポリビニルホルマール樹脂。
キシスチレン重合体以外の樹脂やカーボン、酸化チタン
、酸化マグネシウム、アルミニウム、コロイダルシリカ
等の微粉末を含んでもよい、ヒドロキシスチレン重合体
以外の樹脂としては、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、
塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ウレ
タン樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、アルキ
ド樹脂、ポリカーボネート樹脂、シリコン樹脂、メラミ
ン樹脂、ポリビニルホルマール樹脂。
ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂
、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸
ビニル−無水マレイン酸共重合体。
、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸
ビニル−無水マレイン酸共重合体。
塩化ビニリデン−7クリロニトリル共重合体、スチレン
−ブタジェン共重合体等の高分子材料、エチルセルロー
ス、カルボキシメチルセルロース等のセルロース類等が
挙げられ、それぞれ単独あるいは二種以上組合わせて用
いることができる。
−ブタジェン共重合体等の高分子材料、エチルセルロー
ス、カルボキシメチルセルロース等のセルロース類等が
挙げられ、それぞれ単独あるいは二種以上組合わせて用
いることができる。
上記樹脂及び微粉末の含有量は、下引用樹脂に対し70
重量%以下が好ましい。
重量%以下が好ましい。
又、上記の樹脂層は接着性や機械的強度を向上させる目
的で、■インシアネート化合物、エポキシ化合物等の硬
化剤を含有させて、硬化させる方法、■シラン系のカッ
プリング剤、チタン系のカップリング剤等で導電性基体
表面を処理する方法、或は■これらのカップリング剤を
樹脂層中に含有させる方法等によって処理してもよい。
的で、■インシアネート化合物、エポキシ化合物等の硬
化剤を含有させて、硬化させる方法、■シラン系のカッ
プリング剤、チタン系のカップリング剤等で導電性基体
表面を処理する方法、或は■これらのカップリング剤を
樹脂層中に含有させる方法等によって処理してもよい。
このような処理に有用な硬化剤としては1例えばヘキサ
メチレンテトラミン、ホルムアルデヒド、パラホルムア
ルデヒド、フェニレンジイソシアネート、トリレンジイ
ソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ナフ
タレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシア
ネート、トリフェニルメタントリイソシアネート、ビス
フェノールA型ジグリシジルエーテル、レゾルシン型ジ
グリシジルエーテル、ビスフェノールFy!1ジグリシ
ジルエーテル、ポリアルキレングリコール型ジグリシジ
ルエーテル、エポキシ化大豆油、エポキシ化アマニ油等
が挙げられ、又、シラン系のカップリング剤としては、
β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメ
トキシシラン、γ−グリシドキシプロビルトリメトキシ
シラン、γ−7ミノプロビルトリエトキシシラン、N−
β−(アミノエチル)−γ−7ミノプロビルトリメトキ
シシラン、N−β−(アミンエチル)−γ−7ミノプロ
ビルメチルジメトキシシラン等が挙げられ、チタン系の
カップリング剤としては、テトライソプロポキシチタン
、テトラ−n−ブトキシチタン、テトライソグロポキシ
チタンポリマー、テトラ−n−ブトキシチタンポリマー
、トリーn−ブトキシチタンステアレート、ジイソプロ
ポキシチタンビスアセチルアセトナート、ジヒドロキシ
ビスラフタ−トチタン等が挙げらる。
メチレンテトラミン、ホルムアルデヒド、パラホルムア
ルデヒド、フェニレンジイソシアネート、トリレンジイ
ソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ナフ
タレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシア
ネート、トリフェニルメタントリイソシアネート、ビス
フェノールA型ジグリシジルエーテル、レゾルシン型ジ
グリシジルエーテル、ビスフェノールFy!1ジグリシ
ジルエーテル、ポリアルキレングリコール型ジグリシジ
ルエーテル、エポキシ化大豆油、エポキシ化アマニ油等
が挙げられ、又、シラン系のカップリング剤としては、
β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメ
トキシシラン、γ−グリシドキシプロビルトリメトキシ
シラン、γ−7ミノプロビルトリエトキシシラン、N−
β−(アミノエチル)−γ−7ミノプロビルトリメトキ
シシラン、N−β−(アミンエチル)−γ−7ミノプロ
ビルメチルジメトキシシラン等が挙げられ、チタン系の
カップリング剤としては、テトライソプロポキシチタン
、テトラ−n−ブトキシチタン、テトライソグロポキシ
チタンポリマー、テトラ−n−ブトキシチタンポリマー
、トリーn−ブトキシチタンステアレート、ジイソプロ
ポキシチタンビスアセチルアセトナート、ジヒドロキシ
ビスラフタ−トチタン等が挙げらる。
本発明において上記下引層の上には、感光層が形成され
る。感光層は、電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した
層であってもよく、さらにこの上に表面保護層が形成さ
れていてもよい。
る。感光層は、電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した
層であってもよく、さらにこの上に表面保護層が形成さ
れていてもよい。
電荷発生層に用いられる電荷発生物質としては、グアイ
アズレン系顔料(例えば特開昭59−53850号)、
ペリレン系顔料(例えば同59−24852号、同47
−30330号)、フタロシアニン系顔料(例えば同5
3−9538号、同59−9537号)、ピリリウム系
顔料(例えば同53−40531号)、キナクリドン系
顔料(例えば同4?−30332号)、インジゴ系顔料
(例えば同4?−30331号)、シアニン系顔料(例
えば同54−21343号)、アゾ系顔料(例えば同5
8−194035号、同58−115447号、同59
−723757号、同59−72378号、同59−7
3820号)の物質が挙げられ、特にアゾ系顔料、フタ
ロシアニン系顔料が好ましく用いられ、そのなかでもア
ゾ系顔料がより好ましく用いられる。
アズレン系顔料(例えば特開昭59−53850号)、
ペリレン系顔料(例えば同59−24852号、同47
−30330号)、フタロシアニン系顔料(例えば同5
3−9538号、同59−9537号)、ピリリウム系
顔料(例えば同53−40531号)、キナクリドン系
顔料(例えば同4?−30332号)、インジゴ系顔料
(例えば同4?−30331号)、シアニン系顔料(例
えば同54−21343号)、アゾ系顔料(例えば同5
8−194035号、同58−115447号、同59
−723757号、同59−72378号、同59−7
3820号)の物質が挙げられ、特にアゾ系顔料、フタ
ロシアニン系顔料が好ましく用いられ、そのなかでもア
ゾ系顔料がより好ましく用いられる。
本発明に用いられるアゾ顔料としては、下記のものが挙
げられる。
げられる。
(1)特開昭54−21728号公報に記載のジベンゾ
チオフェン骨格を有するアゾ顔料 (2)特開昭54−12724号公報に記載のオキサジ
アゾール骨格を有するアゾ顔料 (3)特開昭54−2211134号公報に記載のフル
オレノン骨格を有するアゾ顔料 (4)特開昭54−20737号公報に記載のスチルベ
ン骨格を有するアゾ顔料 (5)特開昭54−2129号公報に記載のジスチリル
オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料 (8)特開昭57−13H4B号公報に記載のアントラ
キノン骨格を有するアゾ顔料 (7)特開昭57−182747号公報に記載のスチル
ベン骨格を有するアゾ顔料 (8)特開昭57−182748号公報に記載のA−N
=N−Arl N=N Ar2−N=N A(9
)特開昭58−70232号公報に記載のスチリルスチ
ルベン骨格を有するアゾ顔料 (10)特開昭58−194035号公報に記載の(1
1)特開昭58−173748号公報に記載の(12)
特開昭511−115447号公報に記載のシアノスチ
ルベン骨格を有するアゾ顔料 (13)特開昭59−723757.同59−7237
8 、同58−73820号公報に記載の (14)特願昭59−229793号記載の中でも好ま
しいのは、(10)、 (13)、(14)のアゾ顔料
である。
チオフェン骨格を有するアゾ顔料 (2)特開昭54−12724号公報に記載のオキサジ
アゾール骨格を有するアゾ顔料 (3)特開昭54−2211134号公報に記載のフル
オレノン骨格を有するアゾ顔料 (4)特開昭54−20737号公報に記載のスチルベ
ン骨格を有するアゾ顔料 (5)特開昭54−2129号公報に記載のジスチリル
オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料 (8)特開昭57−13H4B号公報に記載のアントラ
キノン骨格を有するアゾ顔料 (7)特開昭57−182747号公報に記載のスチル
ベン骨格を有するアゾ顔料 (8)特開昭57−182748号公報に記載のA−N
=N−Arl N=N Ar2−N=N A(9
)特開昭58−70232号公報に記載のスチリルスチ
ルベン骨格を有するアゾ顔料 (10)特開昭58−194035号公報に記載の(1
1)特開昭58−173748号公報に記載の(12)
特開昭511−115447号公報に記載のシアノスチ
ルベン骨格を有するアゾ顔料 (13)特開昭59−723757.同59−7237
8 、同58−73820号公報に記載の (14)特願昭59−229793号記載の中でも好ま
しいのは、(10)、 (13)、(14)のアゾ顔料
である。
また、好ましく用いられるフタロシアニン顔料としては
、下記に示すようなものがあげられる。
、下記に示すようなものがあげられる。
(15)特公昭45−11021号、同45−1201
3号、同46−42511号、同4B−42512号、
特開昭80−11847号公報に記載の無金属フタロシ
アニン顔料。
3号、同46−42511号、同4B−42512号、
特開昭80−11847号公報に記載の無金属フタロシ
アニン顔料。
(IB)特公昭4B−42512号、特開昭50−38
543号、同51−8731号、同52−141229
号、同52−143827号、特願昭53−13328
4号、特開昭57−148745号、同53−4405
4、同511−44053号公報に各々記載の金属フタ
ロシアニン顔料。
543号、同51−8731号、同52−141229
号、同52−143827号、特願昭53−13328
4号、特開昭57−148745号、同53−4405
4、同511−44053号公報に各々記載の金属フタ
ロシアニン顔料。
電荷発生層は、電荷発生物質をバインダーに分散したり
、溶剤に溶解して導電性基体上に塗布形成されることが
好ましい、ここに分散手段は、サンドミル、ボールミル
等の方法を用いることができる。
、溶剤に溶解して導電性基体上に塗布形成されることが
好ましい、ここに分散手段は、サンドミル、ボールミル
等の方法を用いることができる。
電荷発生物質の含有量は、バインダー100重量部に対
し、10〜400 fifi部が好ましく、より好まし
くは50〜20Off!量部である。
し、10〜400 fifi部が好ましく、より好まし
くは50〜20Off!量部である。
電荷輸送層は電荷輸送物質とバインダーとを適当な溶剤
に溶解して上記電荷発生層又は下引層上に塗布、形成さ
れる。
に溶解して上記電荷発生層又は下引層上に塗布、形成さ
れる。
電荷輸送物質としては、トリアゾール誘導体(例えば特
公昭34−5487号)、オキサゾール誘導体(例えば
同35−1125号)、オキサジアゾール誘導体(例え
ば同34−5488号)、ピラゾリン誘導体(例えば同
34−10388号)、イミダゾール誘導体(例えば同
35−11215号、同37−18098号)、フルオ
レノン誘導体(特開昭52−128373号、同54−
110837号)、カルバゾール誘導体(例えば同54
−59142号)更に同58−134842号、同51
1−85440号等に記載の物質が挙げられる。
公昭34−5487号)、オキサゾール誘導体(例えば
同35−1125号)、オキサジアゾール誘導体(例え
ば同34−5488号)、ピラゾリン誘導体(例えば同
34−10388号)、イミダゾール誘導体(例えば同
35−11215号、同37−18098号)、フルオ
レノン誘導体(特開昭52−128373号、同54−
110837号)、カルバゾール誘導体(例えば同54
−59142号)更に同58−134842号、同51
1−85440号等に記載の物質が挙げられる。
電荷輸送物質の含有量は、バインダー100重量部に対
し、25〜200重量部が好ましく、より好ましくは5
0〜100重量部である。
し、25〜200重量部が好ましく、より好ましくは5
0〜100重量部である。
本発明の感光層に用いられるバインダー樹脂としては、
電荷発生物質あるいは電荷輸送物質との組合せで種々の
樹脂が使用できるが、一般にポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリアミド、ポリカーボネート、エポキシ、ポリ−
N−ビニルカルバゾール、ポリスチレン、ポリビニルブ
チラール、ポリメチルメタクリレート等の樹脂が用いら
れる。
電荷発生物質あるいは電荷輸送物質との組合せで種々の
樹脂が使用できるが、一般にポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリアミド、ポリカーボネート、エポキシ、ポリ−
N−ビニルカルバゾール、ポリスチレン、ポリビニルブ
チラール、ポリメチルメタクリレート等の樹脂が用いら
れる。
本発明において感光層には、シリコンオイル、各種のア
ンモニウム化合物、増感剤等の添加剤を加えることがで
きる。なかでも低分子のアンモニウム塩化合物が好まし
い。
ンモニウム化合物、増感剤等の添加剤を加えることがで
きる。なかでも低分子のアンモニウム塩化合物が好まし
い。
低分子アンモニウム塩の代表的なものとしては、下記(
イ)及び(ロ)が挙げられ、更にこれらの中でも具体的
には一般式Iならびに一般式■および一般式mが挙げら
れる。
イ)及び(ロ)が挙げられ、更にこれらの中でも具体的
には一般式Iならびに一般式■および一般式mが挙げら
れる。
(イ)(一般式1)
式中、R1は置換基を有してもよい非環状炭化水素基、
置換基を有してもよい環状炭化水素基を表わし、R2−
R4は各々水素原子、置換基を有してもよい非環状炭化
水素基、置換基を有してもよい環状炭化水素基を表わし
、XQはアニオンを表わす。
置換基を有してもよい環状炭化水素基を表わし、R2−
R4は各々水素原子、置換基を有してもよい非環状炭化
水素基、置換基を有してもよい環状炭化水素基を表わし
、XQはアニオンを表わす。
置換基を有してもよい非環状炭化水素基としては、置換
基を有してもよい飽和又は不飽和非環状炭化水素基が挙
げられ、飽和非環状炭化水素基としてはアルキル基(特
に炭素数1〜20のアルキル基)が挙げられ、不飽和非
環状炭化水素基としてはアルケニル基(特に炭素数2〜
20のアルケニル基)、アルキニル基、アルカジェニル
基が挙げられる。これらの中でもアルキル基(特に炭素
数1〜20のアルキル基)およびアルケニル基(特に炭
素数2〜20のアルケニル基)が好ましく、特にアルキ
ル基(中でも炭素数1〜20のアルキル基)が最も好ま
しい。
基を有してもよい飽和又は不飽和非環状炭化水素基が挙
げられ、飽和非環状炭化水素基としてはアルキル基(特
に炭素数1〜20のアルキル基)が挙げられ、不飽和非
環状炭化水素基としてはアルケニル基(特に炭素数2〜
20のアルケニル基)、アルキニル基、アルカジェニル
基が挙げられる。これらの中でもアルキル基(特に炭素
数1〜20のアルキル基)およびアルケニル基(特に炭
素数2〜20のアルケニル基)が好ましく、特にアルキ
ル基(中でも炭素数1〜20のアルキル基)が最も好ま
しい。
飽和非環状炭化水素基のアルキル基の例としては1例え
ばメチル基、エチル基、!I−プロピル基、1so−プ
ロピル基、n−ブチル基、1so−ブチル基、tert
−メチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘ
プチル基、n−オクチル基、2−エチルヘキシル基、ド
デシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基等が挙げら
れる。一方不飽和非環状炭化水素基のアルケニル基の例
としては1例えばビニル基、アリル基、3−メチル−2
−ブテニル基、インプロペニル基、2−ブチニル基等が
あり、アルキニル基の例としては、エチニル基、ブチニ
ル基等があり、またアルカジェニル基の例としては、例
えば1.3−ブタンジェニル基等が挙げられる。
ばメチル基、エチル基、!I−プロピル基、1so−プ
ロピル基、n−ブチル基、1so−ブチル基、tert
−メチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘ
プチル基、n−オクチル基、2−エチルヘキシル基、ド
デシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基等が挙げら
れる。一方不飽和非環状炭化水素基のアルケニル基の例
としては1例えばビニル基、アリル基、3−メチル−2
−ブテニル基、インプロペニル基、2−ブチニル基等が
あり、アルキニル基の例としては、エチニル基、ブチニ
ル基等があり、またアルカジェニル基の例としては、例
えば1.3−ブタンジェニル基等が挙げられる。
これら飽和又は不飽和非環状炭化水素基の置換基の例と
しては、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子ニジアノ
基:ヒドロキシ基;アシル基;メトキシ基、エトキシ基
等のフルコキシ基;フェニル基等の7リール基、フェノ
キシ基等の7リールオキシ基等が挙げられる。
しては、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子ニジアノ
基:ヒドロキシ基;アシル基;メトキシ基、エトキシ基
等のフルコキシ基;フェニル基等の7リール基、フェノ
キシ基等の7リールオキシ基等が挙げられる。
置換基を有するアルキル基としては、例えば、ベンジル
基、フェネチル基、トリチル基、ジフェニルメチル基、
ヒドロキシエチル基、メトキシエチル基、シアノエチル
基、アセトキシエチル基。
基、フェネチル基、トリチル基、ジフェニルメチル基、
ヒドロキシエチル基、メトキシエチル基、シアノエチル
基、アセトキシエチル基。
アセチルエチル基、クロロメチル基等があり、前記置換
基を有するアルケニル基としては、例えばスチリル基、
シンナミル基等がある。
基を有するアルケニル基としては、例えばスチリル基、
シンナミル基等がある。
また、置換基を有してもよい環状炭化水素基としては、
各々置換基を有してもよい単環炭化水素基(例えば炭素
数3〜12の単環炭化水素基)、有橋炭化水素基(例え
ば炭素数6〜18の有橋炭化水素基)、縮合多環炭化水
素基(例えば炭素数7〜18の縮合多環炭化水素基)が
ある。
各々置換基を有してもよい単環炭化水素基(例えば炭素
数3〜12の単環炭化水素基)、有橋炭化水素基(例え
ば炭素数6〜18の有橋炭化水素基)、縮合多環炭化水
素基(例えば炭素数7〜18の縮合多環炭化水素基)が
ある。
単環炭化水素基の例としては、シクロアルキル基5単環
の芳香族基等が挙げられ、シクロアルキル基の例として
は、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙
げられ、単環の芳香族基としては、フェニル基が挙げら
れ、その他シクロドデ力トリエニル基等がある。また、
有橋炭化水素基の例としては1例えばジシクロペンタジ
ェニル基、/ルポルニル基、アダマンチル基等がある。
の芳香族基等が挙げられ、シクロアルキル基の例として
は、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙
げられ、単環の芳香族基としては、フェニル基が挙げら
れ、その他シクロドデ力トリエニル基等がある。また、
有橋炭化水素基の例としては1例えばジシクロペンタジ
ェニル基、/ルポルニル基、アダマンチル基等がある。
さらに、縮合多環炭化水素基の例としては、例えばナフ
チル基、アントリル基、アニオントリル基、インデニル
基等がある。
チル基、アントリル基、アニオントリル基、インデニル
基等がある。
これら環状炭化水素基の置換基の例としては、フッ素、
塩素、臭素等のハロゲン原子;メチル。
塩素、臭素等のハロゲン原子;メチル。
エチル等のアルキル基;シアノ基ニアシル基:二トロ基
:水酸基:メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ2!
i:フェノ午シ基等のアリールオキシ基等が挙げられる
。
:水酸基:メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ2!
i:フェノ午シ基等のアリールオキシ基等が挙げられる
。
これら置換基を有する単環炭化水素基としては1例えば
トリル基、キシリル基、クメニル基、メトキシフェニル
基、メシチル基等がある。
トリル基、キシリル基、クメニル基、メトキシフェニル
基、メシチル基等がある。
また、X−で表されるアニオンの例としては、フッ素、
塩素、臭素、ヨウ素のハロゲン陰イオン;四フッ化ホウ
素イオン、六フッ化リンイオン、炭酸イオン、硫酸イオ
ン、リン酸イオン、硝酸イオン、過塩素酸イオン等の無
機酸陰イオン:水酸イオン等の無機陰イオン;酢酸イオ
ン、シュウ酸イオン、プロピオン酸イオン、安息香酸イ
オン等のカルボン酸イオン:ベンゼンスルホン酸等のス
ルホン酸イオン;メトキシイオン、エトキシイオン等の
フルコキシイオン等が挙げられる。なかでもハロゲン陰
イオン、無機酸陰イオンが好ましい。
塩素、臭素、ヨウ素のハロゲン陰イオン;四フッ化ホウ
素イオン、六フッ化リンイオン、炭酸イオン、硫酸イオ
ン、リン酸イオン、硝酸イオン、過塩素酸イオン等の無
機酸陰イオン:水酸イオン等の無機陰イオン;酢酸イオ
ン、シュウ酸イオン、プロピオン酸イオン、安息香酸イ
オン等のカルボン酸イオン:ベンゼンスルホン酸等のス
ルホン酸イオン;メトキシイオン、エトキシイオン等の
フルコキシイオン等が挙げられる。なかでもハロゲン陰
イオン、無機酸陰イオンが好ましい。
(ロ)含四価窒素複素環化合物塩
含四価窒素複素環化合物は、三価窒素を含む複素環化合
物の三価窒素がイオン化されたもので、ヘテロ原子とし
て他に、イオウ、酸素、セレン、リン、ヒ素、ケイ素、
ゲルマニウム、ホウ素等を含んでいてもよい。
物の三価窒素がイオン化されたもので、ヘテロ原子とし
て他に、イオウ、酸素、セレン、リン、ヒ素、ケイ素、
ゲルマニウム、ホウ素等を含んでいてもよい。
該含四価窒素複素環化合物塩の代表的な例は。
次の一般式■又は■で示される化合物がある。
(一般式■)
(一般式■)
上式において、R5及びR6は水素原子、置換基を有し
てもよい非環状及び環状炭化水素基から選ばれる。置換
基を有してもよい非環状及び環状炭化水素基としては前
記R1で説明したものと同義であるaR7及びR8は窒
素原子と共同して含窒素複素環を形成するに必要な原子
群を表し、R9は前記R5と同義である。RB、Rh及
びR12は窒素原子と共同して含窒素複素環を形成する
に必要な原子群を表す、xOは前記x(E)と同義の7
ニオンを表す。
てもよい非環状及び環状炭化水素基から選ばれる。置換
基を有してもよい非環状及び環状炭化水素基としては前
記R1で説明したものと同義であるaR7及びR8は窒
素原子と共同して含窒素複素環を形成するに必要な原子
群を表し、R9は前記R5と同義である。RB、Rh及
びR12は窒素原子と共同して含窒素複素環を形成する
に必要な原子群を表す、xOは前記x(E)と同義の7
ニオンを表す。
該含四価窒素複素環化合物塩の母核の代表例としては次
の(A)〜(K)に示すものが挙げられる。これらの母
核には必要に応じて置換基が導入されていてもよい。
の(A)〜(K)に示すものが挙げられる。これらの母
核には必要に応じて置換基が導入されていてもよい。
以下余白
(E) (F)(1)
(J)なお上式(C)
、(E)及び(J)において、XOは1価の7ニオン、
X 20は2価のアニオンを各々意味し、2 xo O
r X 70士同式中の左側の構造式中に2x○とx
20のいずれか一方が付くことを意味する。
(J)なお上式(C)
、(E)及び(J)において、XOは1価の7ニオン、
X 20は2価のアニオンを各々意味し、2 xo O
r X 70士同式中の左側の構造式中に2x○とx
20のいずれか一方が付くことを意味する。
また、前記(C)において、異なる窒素原子と結合して
いる2つのR5は同じであっても異なってもよい、また
R6についても同様である。また(E)についても同様
である。更に(J)における異なる窒素原子と結合した
R9は同じであっても異なってもよい、さらにまた(A
)〜(K)各々において、母核に導入される置換基の例
としては、前記一般式Iで記載した置換基と同じものを
挙げることができる。
いる2つのR5は同じであっても異なってもよい、また
R6についても同様である。また(E)についても同様
である。更に(J)における異なる窒素原子と結合した
R9は同じであっても異なってもよい、さらにまた(A
)〜(K)各々において、母核に導入される置換基の例
としては、前記一般式Iで記載した置換基と同じものを
挙げることができる。
一般式■、■、■またはVで表されるアンモニウム塩化
合物の具体例としては、下記のものが挙げられる。
合物の具体例としては、下記のものが挙げられる。
[例示化合物]
e e
(L ) (CHs)r Nttl CQ(5)
(n−C4Ha)−rNHt CQe (11) n−C4HI−NH3CQ(13)
n−Chants−NHs CQ(14)
n−CtaH3t−NHa CQ(16
) (CJs+T−NHCQe
e (17) (n−CJsテ「NHPhe
e (18) (n−CJtt)’rNHCQe
e (19) (n−c、■*5−ThNHCQΦ
θ (20) (n−CJsテ* Nut B
F−e e (21) (n Ca■、すrNHz
PF。
(n−C4Ha)−rNHt CQe (11) n−C4HI−NH3CQ(13)
n−Chants−NHs CQ(14)
n−CtaH3t−NHa CQ(16
) (CJs+T−NHCQe
e (17) (n−CJsテ「NHPhe
e (18) (n−CJtt)’rNHCQe
e (19) (n−c、■*5−ThNHCQΦ
θ (20) (n−CJsテ* Nut B
F−e e (21) (n Ca■、すrNHz
PF。
(33ン n−Cm■ttN +CHs)、
CQ(4G) (C+a[1stbN
+ CH3)t BrCH,Ct[。
CQ(4G) (C+a[1stbN
+ CH3)t BrCH,Ct[。
上記低分子アンモニウム塩化合物は、例えばオーガニッ
ク シンセシス コレクティブ ボリュウム(Org、
Syn、CoM 、 VoJl 、)4 巻p、84.
同(1bid) 4巻p、96等の文献に記載された方
法で合成することができ、また一般的な合成法によって
も得ることができる。該一般的な合成法としては、アミ
ノ化合物の適当な溶液(例えばアセトン、アルコール)
に塩酸ガス、塩酸、硫酸、硝酸、ホウフッ化水素酸、六
フッ化燐酸、過塩素酸、燐酸、炭酸、酢酸等のカルボン
酸、ベンゾスルフォン酸等のスルフォン酸を加えること
で。
ク シンセシス コレクティブ ボリュウム(Org、
Syn、CoM 、 VoJl 、)4 巻p、84.
同(1bid) 4巻p、96等の文献に記載された方
法で合成することができ、また一般的な合成法によって
も得ることができる。該一般的な合成法としては、アミ
ノ化合物の適当な溶液(例えばアセトン、アルコール)
に塩酸ガス、塩酸、硫酸、硝酸、ホウフッ化水素酸、六
フッ化燐酸、過塩素酸、燐酸、炭酸、酢酸等のカルボン
酸、ベンゾスルフォン酸等のスルフォン酸を加えること
で。
容易に合成することができる。また市販品としては、東
京化成工業社製、関東化学社製、和光紬薬工業社製が挙
げられる。
京化成工業社製、関東化学社製、和光紬薬工業社製が挙
げられる。
上記低分子アンモニウム塩化合物は、電荷発生層、電荷
輸送層のいずれの層に含有させても好ましいが、特に好
ましくは電荷発生層である。
輸送層のいずれの層に含有させても好ましいが、特に好
ましくは電荷発生層である。
上記低分子アンモニウム塩化合物の添加量は電荷発生物
質100重量部に対し0.1重量部以上50重量部以下
でか好ましく、より好ましくは0.5〜30重量部であ
る。
質100重量部に対し0.1重量部以上50重量部以下
でか好ましく、より好ましくは0.5〜30重量部であ
る。
感光層の塗布法は上記下引層と同様の方法を採用でき、
膜厚は、電荷発生層が好ましくは0.05〜10uLm
、より好ましくは0.1〜2終履であり、電荷輸送層が
好ましくは5〜50pm、より好ましくは10〜30u
L11である。
膜厚は、電荷発生層が好ましくは0.05〜10uLm
、より好ましくは0.1〜2終履であり、電荷輸送層が
好ましくは5〜50pm、より好ましくは10〜30u
L11である。
し発明の効果1
本発明によれば、後述の実施例からも明らかな如く、ヒ
ドロキシスチレン重合体もしくはヒドロキシスチレンを
重合成分とする共重合体樹脂を主成分とする下引層を設
けることなよって、■感度が良好で、暗減衰特性に優れ
、電荷受容性のよい電子写真感光体を得ることができ、
また■緑返し特性に優れ、縁返し、帯Ti、曝露曝露光
電除電っても、受容電位、在留電位、感度特性が安定し
た電子写真感光体を得ることができる。
ドロキシスチレン重合体もしくはヒドロキシスチレンを
重合成分とする共重合体樹脂を主成分とする下引層を設
けることなよって、■感度が良好で、暗減衰特性に優れ
、電荷受容性のよい電子写真感光体を得ることができ、
また■緑返し特性に優れ、縁返し、帯Ti、曝露曝露光
電除電っても、受容電位、在留電位、感度特性が安定し
た電子写真感光体を得ることができる。
[実施例]
以下に本発明の好ましい実施例を示すが、本発明はこれ
によって限定されるものではない。
によって限定されるものではない。
実施例1
p−ヒドロキシスチレンの重合体(商品名:マルゼンレ
ジンーに 丸首石油社製) logを酢酸エチル:ジオ
キサン(5二1)混合液1000鳳見に溶解し。
ジンーに 丸首石油社製) logを酢酸エチル:ジオ
キサン(5二1)混合液1000鳳見に溶解し。
アルミニウム板に浸漬塗布法により塗布して、0.2
鉢IIの膜厚の下引層を形成した。
鉢IIの膜厚の下引層を形成した。
次にポリカーボネート樹脂()くンライトL−1250
帝人化成社製)5g、下記構造式のアゾ顔料(電橋発生
物質) tog 、 1.2−ジクロロエタン10QO
mlLをサンドミルで10時間混合分散した。
帝人化成社製)5g、下記構造式のアゾ顔料(電橋発生
物質) tog 、 1.2−ジクロロエタン10QO
mlLをサンドミルで10時間混合分散した。
得られた分散液をワイヤーバー塗布法により、前記下引
層上に塗布し、100℃で10分間乾燥して、膜厚的0
.2JLtsの電荷発生層を形成した。
層上に塗布し、100℃で10分間乾燥して、膜厚的0
.2JLtsの電荷発生層を形成した。
さらにポリカーボネート樹脂(商品名;パンライ)
K−1300帝人化成社製) 150g、下記構造式の
電荷輸送物質120gをテロラヒドロフランtoo。
K−1300帝人化成社製) 150g、下記構造式の
電荷輸送物質120gをテロラヒドロフランtoo。
tailに溶解混合し、浸漬塗布法により、前記電荷発
生層上に塗布し、110℃で20分間乾燥して、膜厚約
18終厘の電荷輸送層を形成した。このようにして得ら
れた感光体をサンプルlとする。
生層上に塗布し、110℃で20分間乾燥して、膜厚約
18終厘の電荷輸送層を形成した。このようにして得ら
れた感光体をサンプルlとする。
比較例1〜3
実施例1において、マルゼンレジンーXからなる下引層
を、下記表−1の下引層に代えた以外は、同様にして感
光体を得た。
を、下記表−1の下引層に代えた以外は、同様にして感
光体を得た。
これを比較サンプル1〜3とする。
表−1
実施例2〜3
実施例1において、感光層に用いた電荷発生物質及び電
荷輸送物質を下記のものに代えた以外は、同様にして感
光体を得た。これをサンプル2.3とする。
荷輸送物質を下記のものに代えた以外は、同様にして感
光体を得た。これをサンプル2.3とする。
(I) 電荷発生物質
サンプル2
サンプル3
(n)電荷輸送物質
サンプル2
サンプル3
実施例4
実施例1において、感光層に用いた電荷発生物質をε型
銅フタロシアニン顔料(東洋インキ社製)に代えた以外
は同様にして感光体を作成した。これをサンプル4とす
る。
銅フタロシアニン顔料(東洋インキ社製)に代えた以外
は同様にして感光体を作成した。これをサンプル4とす
る。
実施例5〜6
実施例1において、マルゼンレジンー滅をP−ヒドロキ
シスチレンとメタクリル酸メチルの共重合体(1:1組
成比)及び、P−ヒドロキシスチレンとメタクリル酸ヒ
ドロキシエチル(1:1組成比)に代えた外は同様にし
て感光体を作成した。サンプル5.6を得た。
シスチレンとメタクリル酸メチルの共重合体(1:1組
成比)及び、P−ヒドロキシスチレンとメタクリル酸ヒ
ドロキシエチル(1:1組成比)に代えた外は同様にし
て感光体を作成した。サンプル5.6を得た。
実施例7
実施例1において、調製したアゾ顔料分散液に、さらに
塩酸ジヘキシルアンモニウム1gを添加して電荷発生層
形成用の分散液とした外は、同様にして感光体を作成し
た。これをサンプル7とする。
塩酸ジヘキシルアンモニウム1gを添加して電荷発生層
形成用の分散液とした外は、同様にして感光体を作成し
た。これをサンプル7とする。
[評価]
上記の各サンプルをペーパーアナライザー5P−428
(川口電機社製)を用い、40JLAの放電条件て5秒
間帯電し、帯電直後の表面電位[VA]、 5秒間暗中
放置した後の表面電位[VI]、表面照度が2ルツクス
になるようにして露光し1表面型位が112vIになる
まテノ露光ffi[E172](Lux−sec)、
10秒露光後の表面電位[V* ]を求め、 さらに V^ の式より暗減衰−1[D]を求めた。
(川口電機社製)を用い、40JLAの放電条件て5秒
間帯電し、帯電直後の表面電位[VA]、 5秒間暗中
放置した後の表面電位[VI]、表面照度が2ルツクス
になるようにして露光し1表面型位が112vIになる
まテノ露光ffi[E172](Lux−sec)、
10秒露光後の表面電位[V* ]を求め、 さらに V^ の式より暗減衰−1[D]を求めた。
又1通常のカールソンプロセスを行い、初期と1000
0回後の帯電直後の表面電位の差[Δva110000
回後の残存電位[v、1′]を求めた。
0回後の帯電直後の表面電位の差[Δva110000
回後の残存電位[v、1′]を求めた。
以上の結果を表−2に示す。
表−2
一ヒ記表から明らかなように下引層のないものは、■^
が低く電荷受容性悪く、またΔveが大きく繰り返し安
定性悪い。
が低く電荷受容性悪く、またΔveが大きく繰り返し安
定性悪い。
又、本発明によらない下引層の場合、E34が大きく感
度が悪く、残存電位(VR)が大きく、縁り返し使用に
よって、VR′が大きくなる。
度が悪く、残存電位(VR)が大きく、縁り返し使用に
よって、VR′が大きくなる。
これに対し、本発明の下引層を設けることによって、著
しく優れた特性が得られ、感度、帯電保持性および繰り
返し特性に優れた感光体を得ることができる。
しく優れた特性が得られ、感度、帯電保持性および繰り
返し特性に優れた感光体を得ることができる。
第1図〜第4図は本発明の電子写真感光体の好ましい層
構成を示す部分断面図である。 l:導電性基体 2:下引層 3:電荷発生音 4:電荷輸送層
構成を示す部分断面図である。 l:導電性基体 2:下引層 3:電荷発生音 4:電荷輸送層
Claims (3)
- (1)導電性基体上に下引層と感光層を有する電子写真
感光体において、該下引層がヒドロキシスチレン重合体
もしくはヒドロキシスチレンを重合成分とする共重合体
樹脂を主成分とすることを特徴とする電子写真感光体。 - (2)感光層に電荷発生物質としてアゾ顔料を含有する
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電子写真
感光体。 - (3)感光層に電荷発生物質としてフタロシアニン顔料
を含有することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の電子写真感光体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61070081A JPS62227158A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 特定の下引層を有する電子写真感光体 |
US07/030,694 US4842971A (en) | 1986-03-28 | 1987-03-25 | Photoreceptor for electrophotography having a hydroxystyrene subbing layer |
DE19873709979 DE3709979A1 (de) | 1986-03-28 | 1987-03-26 | Photorezeptor fuer die elektrophotographie |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61070081A JPS62227158A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 特定の下引層を有する電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62227158A true JPS62227158A (ja) | 1987-10-06 |
Family
ID=13421233
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61070081A Pending JPS62227158A (ja) | 1986-03-28 | 1986-03-28 | 特定の下引層を有する電子写真感光体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4842971A (ja) |
JP (1) | JPS62227158A (ja) |
DE (1) | DE3709979A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3852012T2 (de) * | 1987-12-02 | 1995-06-01 | Konishiroku Photo Ind | Photorezeptor für Elektrophotographie. |
JP2776655B2 (ja) * | 1991-09-12 | 1998-07-16 | 三菱電機株式会社 | 正帯電型有機感光体 |
US6465397B1 (en) | 2000-02-11 | 2002-10-15 | Clariant Finance (Bvi) Limited | Synthetic crosslinked copolymer solutions and direct injection to subterranean oil and gas formations |
US7901856B2 (en) * | 2007-10-09 | 2011-03-08 | Xerox Corporation | Additive containing photogenerating layer photoconductors |
US7914960B2 (en) * | 2007-10-09 | 2011-03-29 | Xerox Corporation | Additive containing charge transport layer photoconductors |
US9145383B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-09-29 | Hallstar Innovations Corp. | Compositions, apparatus, systems, and methods for resolving electronic excited states |
WO2014025370A1 (en) | 2012-08-10 | 2014-02-13 | Hallstar Innovations Corp. | Tricyclic energy quencher compounds for reducing singlet oxygen generation |
US9125829B2 (en) | 2012-08-17 | 2015-09-08 | Hallstar Innovations Corp. | Method of photostabilizing UV absorbers, particularly dibenzyolmethane derivatives, e.g., Avobenzone, with cyano-containing fused tricyclic compounds |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6039225B2 (ja) * | 1975-12-10 | 1985-09-05 | 株式会社リコー | 電子写真感光体 |
US4281055A (en) * | 1979-02-24 | 1981-07-28 | Konishiroku Photo Industry Co., Ltd. | Photosensitive element with water soluble interlayer |
US4427754A (en) * | 1981-03-10 | 1984-01-24 | Mitsubishi Paper Mills, Ltd. | Electrophotographic lithographic printing plate |
US4391888A (en) * | 1981-12-16 | 1983-07-05 | Pitney Bowes Inc. | Multilayered organic photoconductive element and process using polycarbonate barrier layer and charge generating layer |
-
1986
- 1986-03-28 JP JP61070081A patent/JPS62227158A/ja active Pending
-
1987
- 1987-03-25 US US07/030,694 patent/US4842971A/en not_active Expired - Fee Related
- 1987-03-26 DE DE19873709979 patent/DE3709979A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3709979A1 (de) | 1987-10-01 |
US4842971A (en) | 1989-06-27 |
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