JPS62219990A - 半導体発光装置の製造方法 - Google Patents
半導体発光装置の製造方法Info
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- JPS62219990A JPS62219990A JP6291286A JP6291286A JPS62219990A JP S62219990 A JPS62219990 A JP S62219990A JP 6291286 A JP6291286 A JP 6291286A JP 6291286 A JP6291286 A JP 6291286A JP S62219990 A JPS62219990 A JP S62219990A
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Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明は埋込型半導体レーザー等の発光素子において、
その活性層の下の一導１［＃域を３層にすることｋよっ
て、埋込層の反対導電型層からの不純物の拡散で一導電
型領域中和形成される２反転領域を基板まで到達しない
所定の厚さに形成し、この部分のＰ−Ｎ接合の特性を太
き（改良するものである・ このことにより、埋込領域に＠れる無効電流が減少し１
発光領域に流れる電流が増加するため、発光効率やしき
い値電流といった素子特性を大幅に向上することが可能
となる。
その活性層の下の一導１［＃域を３層にすることｋよっ
て、埋込層の反対導電型層からの不純物の拡散で一導電
型領域中和形成される２反転領域を基板まで到達しない
所定の厚さに形成し、この部分のＰ−Ｎ接合の特性を太
き（改良するものである・ このことにより、埋込領域に＠れる無効電流が減少し１
発光領域に流れる電流が増加するため、発光効率やしき
い値電流といった素子特性を大幅に向上することが可能
となる。
本発明は半導体発光装置の製造方法に係り、特に低しき
い値高効率の半導体レープな得るための方５法に関する
・ 〔従来の技術〕 光通信用の半導体レーザーや発光ダイオード等の発光素
子においては、発光効率やしきい値電流等の素子特性は
その構造に大きく依存している。
い値高効率の半導体レープな得るための方５法に関する
・ 〔従来の技術〕 光通信用の半導体レーザーや発光ダイオード等の発光素
子においては、発光効率やしきい値電流等の素子特性は
その構造に大きく依存している。
素子特性を向上させるため、従来、発光部分の周りをＰ
−Ｎ接合からなる電流狭宇層で埋込み電流を発光部分に
集中させる、謂わゆる埋込構造が知られている。
−Ｎ接合からなる電流狭宇層で埋込み電流を発光部分に
集中させる、謂わゆる埋込構造が知られている。
しかしながら、この埋込構造には従来多くの問題点が残
されており、素子特性の大幅な改善が極めて難しかった
。特に大きな問題点は、成長が２回以上にわたるため埋
込部のＰ−Ｎ接合が熱損傷を受けて劣化し、この部分に
流れるリーク１！流が増大することであった。
されており、素子特性の大幅な改善が極めて難しかった
。特に大きな問題点は、成長が２回以上にわたるため埋
込部のＰ−Ｎ接合が熱損傷を受けて劣化し、この部分に
流れるリーク１！流が増大することであった。
第２図は、従来例の製造方法による埋込型半導体レーザ
ーの製造工程断面図を図示したものである０まず、Ｎ型
ＩｎＰ基板１ （Ｓｎ ： ２Ｘ１０ ａｎ ）上に
Ｎ型ＩｎＰ ２ （Ｓｎ ： １．５ｘｌ Ｏｃｍ ）
、ＩｎＧａＡｓＰ３（ノーンドープ：波長＝１．３μ
ｍ）、Ｐ型ＩｎＰ４（Ｃｄ：５Ｘ１０ ａＲ）、Ｐ型Ｉ
ｎＧａＡａＰ ５ （Ｚｎ ：］Ｘ１０ｃｎ４．波長＝
１．３μｍ）を順次成長させる（第２図ａ）。ここで各
層の厚みは各々２ ： １．５μｍ、 ３ ： ０．１
５μｍ、４：２μｍ、５：０．５μｍである。
ーの製造工程断面図を図示したものである０まず、Ｎ型
ＩｎＰ基板１ （Ｓｎ ： ２Ｘ１０ ａｎ ）上に
Ｎ型ＩｎＰ ２ （Ｓｎ ： １．５ｘｌ Ｏｃｍ ）
、ＩｎＧａＡｓＰ３（ノーンドープ：波長＝１．３μ
ｍ）、Ｐ型ＩｎＰ４（Ｃｄ：５Ｘ１０ ａＲ）、Ｐ型Ｉ
ｎＧａＡａＰ ５ （Ｚｎ ：］Ｘ１０ｃｎ４．波長＝
１．３μｍ）を順次成長させる（第２図ａ）。ここで各
層の厚みは各々２ ： １．５μｍ、 ３ ： ０．１
５μｍ、４：２μｍ、５：０．５μｍである。
次に、このウェハー上に５ｉｆ２膜６をＣＶＤ法等の方
法で形成し、さらにフォトレジスト法により幅４μｍの
ストライプマスクを形成する（第２図ｂ）ｏこのマスク
を使い、Ｂｒ−メチルアルコール溶液でエツチングして
メサストライプを形成したのち、再度成長装置に入れて
Ｐ聾ＩｎＰ ８ （Ｚｎ ：２Ｘ１０”ｍ”）、Ｎ型Ｉ
ｎＰ ９ （Ｓｎ ： ２ Ｘ １０”ｃｍ ”）を第
２図Ｃの如く成長する。埋込成長後、５ｔｏ２−６を除
去し、基板側にＮ電極を、エビ表面側にＰ電極を形成し
、３００Ｘ３００μｍ程度の大きさにへき開してレーザ
ーチップとし、これをさらに、Ｐ電極を下にしてステム
上にボンディングしてレーザー素子を完成する０ このよう圧して得られた埋込型レーザーでは、ストライ
プ部以外の埋込Ｍ、ＶＣＮ−Ｐ−Ｎ接合があり逆バイア
スとなるため、この部分圧は基本的には電流が流れず、
ＩｎＧａＡｓＰ活性層３に電流が集中する。しかしなが
ら、埋込部の２層８はストライプ部のＰ層と継なかって
おり、ストライプ部に流れる電流の一部はこの部分を通
って８層２へと流れ、謂わゆるリーク電流となる。この
リーク電流の大きさは、層８と層２で形成されるＰ−Ｎ
接合の特性によって大きく左右される。これを小さくす
るためには、Ｐ−Ｎ接合特性のＩ−Ｖ特性をできるだけ
理想的なものに近づけ、その立上り電圧を大きくする必
要がある。しかし、この部分のＰ−Ｎ接合は２回にわた
る成長忙よって形成されているため、熱損傷による多く
の欠陥を含んでおり、立上り電圧の低い劣化した特性と
なっている。
法で形成し、さらにフォトレジスト法により幅４μｍの
ストライプマスクを形成する（第２図ｂ）ｏこのマスク
を使い、Ｂｒ−メチルアルコール溶液でエツチングして
メサストライプを形成したのち、再度成長装置に入れて
Ｐ聾ＩｎＰ ８ （Ｚｎ ：２Ｘ１０”ｍ”）、Ｎ型Ｉ
ｎＰ ９ （Ｓｎ ： ２ Ｘ １０”ｃｍ ”）を第
２図Ｃの如く成長する。埋込成長後、５ｔｏ２−６を除
去し、基板側にＮ電極を、エビ表面側にＰ電極を形成し
、３００Ｘ３００μｍ程度の大きさにへき開してレーザ
ーチップとし、これをさらに、Ｐ電極を下にしてステム
上にボンディングしてレーザー素子を完成する０ このよう圧して得られた埋込型レーザーでは、ストライ
プ部以外の埋込Ｍ、ＶＣＮ−Ｐ−Ｎ接合があり逆バイア
スとなるため、この部分圧は基本的には電流が流れず、
ＩｎＧａＡｓＰ活性層３に電流が集中する。しかしなが
ら、埋込部の２層８はストライプ部のＰ層と継なかって
おり、ストライプ部に流れる電流の一部はこの部分を通
って８層２へと流れ、謂わゆるリーク電流となる。この
リーク電流の大きさは、層８と層２で形成されるＰ−Ｎ
接合の特性によって大きく左右される。これを小さくす
るためには、Ｐ−Ｎ接合特性のＩ−Ｖ特性をできるだけ
理想的なものに近づけ、その立上り電圧を大きくする必
要がある。しかし、この部分のＰ−Ｎ接合は２回にわた
る成長忙よって形成されているため、熱損傷による多く
の欠陥を含んでおり、立上り電圧の低い劣化した特性と
なっている。
このため、従来得られていたレーザー素子の特性も、し
きい値電流＋４０ｍＡ、効率０．１５ｍＷ／ｍＡ程度の
低いものであった。
きい値電流＋４０ｍＡ、効率０．１５ｍＷ／ｍＡ程度の
低いものであった。
この熱損傷による欠陥は、２回目の埋込成長時に、Ｎ層
表面（すなわちＰ−Ｎ接合面）近傍に局在している。従
って、埋込成長の後に何らかの方法によって、このＰ−
Ｎ８合面を熱損傷＠域からずらしてやることによって、
Ｐ−Ｎ接合の特性を改善できると考えちれる。そのため
の方法としてＰＩｉＩの不純物であるＺｎの拡散を利用
することができる。
表面（すなわちＰ−Ｎ接合面）近傍に局在している。従
って、埋込成長の後に何らかの方法によって、このＰ−
Ｎ８合面を熱損傷＠域からずらしてやることによって、
Ｐ−Ｎ接合の特性を改善できると考えちれる。そのため
の方法としてＰＩｉＩの不純物であるＺｎの拡散を利用
することができる。
第３図は、２層８の濃度を８層２の濃度よりも遥かに高
い濃度（４Ｘ１０ ｃｎｓ ＞Ｋ設定し、Ｚｎの拡散
忙よるＰ−Ｎ接合位置のＮ＠への移動をはかった従来例
の改曳例の断面図である。
い濃度（４Ｘ１０ ｃｎｓ ＞Ｋ設定し、Ｚｎの拡散
忙よるＰ−Ｎ接合位置のＮ＠への移動をはかった従来例
の改曳例の断面図である。
図中、７で示された領域は、２層８中のＺｎがＮ層２中
に拡散し、Ｐ型に反転した領域で、新たなＰ−Ｎ接合面
は層７と層２により形成されている。
に拡散し、Ｐ型に反転した領域で、新たなＰ−Ｎ接合面
は層７と層２により形成されている。
しかしこの方法では、Ｚｎの拡散による２反転領域が基
板側のみならず、活性層３の方向に広がることを考慮し
なかつたために、図中にも示されている如＜、Ｎ層中で
ストライプのは５に広がった２反転領域は、８層２と活
性層３との接合面積を狭め、活性層全体への均一な電子
の注入を阻害し、また活性層により近い位置にＰ−Ｎ接
合が形成されることによって、この部分を流れるリーク
電流が増大する結果となった。従って、この点を改良す
るためＫはストライプ近傍では２反転領域は狭く、離れ
たところでは広くなるようＫすることが望ましい。特Ｋ
、レーザーの横モードを単一基本発振特性に制御するた
めＫは、ストライプ幅を１μｍ程度の狭いものにする必
要がある。一方埋込部の接合特性を良好なもの和するに
は、０．５μｍ程度接合面をずらす必要があるが、この
値をそのまま１層１ｍのストライプの場合に適用するこ
とは明らかに不可能であａ面積から考えても、このＰ−
Ｎ接合面はストライプ領域の内１１１に広く拡がってし
まう。
板側のみならず、活性層３の方向に広がることを考慮し
なかつたために、図中にも示されている如＜、Ｎ層中で
ストライプのは５に広がった２反転領域は、８層２と活
性層３との接合面積を狭め、活性層全体への均一な電子
の注入を阻害し、また活性層により近い位置にＰ−Ｎ接
合が形成されることによって、この部分を流れるリーク
電流が増大する結果となった。従って、この点を改良す
るためＫはストライプ近傍では２反転領域は狭く、離れ
たところでは広くなるようＫすることが望ましい。特Ｋ
、レーザーの横モードを単一基本発振特性に制御するた
めＫは、ストライプ幅を１μｍ程度の狭いものにする必
要がある。一方埋込部の接合特性を良好なもの和するに
は、０．５μｍ程度接合面をずらす必要があるが、この
値をそのまま１層１ｍのストライプの場合に適用するこ
とは明らかに不可能であａ面積から考えても、このＰ−
Ｎ接合面はストライプ領域の内１１１に広く拡がってし
まう。
そこで上記のごとき２反転領域の厚さ分布を実現するた
め忙考案されたのがＮ型層中に不純物の濃度分布をつけ
る方法である・ 以下にその詳細について第４図の工程断面図を参照して
説明する。
め忙考案されたのがＮ型層中に不純物の濃度分布をつけ
る方法である・ 以下にその詳細について第４図の工程断面図を参照して
説明する。
まず、第４■ａＫ示す如く、Ｎ型ＩｎＰ基板上に多層エ
ピタキシャル膜を形成する。この図と第２図ａとで異な
るところはＮ！１ｉＩｎＰが２．′層になりている点だ
けで、他の層については第２図ａと全く同一である。本
例の場合には、その濃度及び厚みを層２で５Ｘ１０
ｃｍ 及び１．５μｍ、２′の層で１．５Ｘ１０
ｃｍ 及び０．５μｍとした。次のメサストライプの形
成方法も第２図すの場合と同様であるが、本例では第４
図すに示すごとくエツチング後の底面が低濃度Ｎ型層２
に到達していることが重要である。メサエッチング後、
Ｐ型ＩｎＰ ８ 、 Ｎ型ＩｎＰ ９を成長する工程及
び各層の一度は第２図Ｃの場合と同様である。この様に
して作製された埋込レーザー用結晶の構造が編４図Ｃに
示されている＠ 図中に示されている如く、ｐｍｍ込層８のＺｎの濃度２
Ｘ１０ ５ＩＫ比較して、２′の一度は１．５Ｘ１０”
５１１−”と近い。従ってこの部分での２反転領域は０
．１μｍ以内と極めて少ない。一方Ｎ層２の濃度は５Ｘ
１０ ｃｍ と２層８のＺｎ濃度と較べて十分く低
いＩＡ＆となっているため、この部分では０．５μｍ以
上の比較的厚い２反転領域７が形成される。
ピタキシャル膜を形成する。この図と第２図ａとで異な
るところはＮ！１ｉＩｎＰが２．′層になりている点だ
けで、他の層については第２図ａと全く同一である。本
例の場合には、その濃度及び厚みを層２で５Ｘ１０
ｃｍ 及び１．５μｍ、２′の層で１．５Ｘ１０
ｃｍ 及び０．５μｍとした。次のメサストライプの形
成方法も第２図すの場合と同様であるが、本例では第４
図すに示すごとくエツチング後の底面が低濃度Ｎ型層２
に到達していることが重要である。メサエッチング後、
Ｐ型ＩｎＰ ８ 、 Ｎ型ＩｎＰ ９を成長する工程及
び各層の一度は第２図Ｃの場合と同様である。この様に
して作製された埋込レーザー用結晶の構造が編４図Ｃに
示されている＠ 図中に示されている如く、ｐｍｍ込層８のＺｎの濃度２
Ｘ１０ ５ＩＫ比較して、２′の一度は１．５Ｘ１０”
５１１−”と近い。従ってこの部分での２反転領域は０
．１μｍ以内と極めて少ない。一方Ｎ層２の濃度は５Ｘ
１０ ｃｍ と２層８のＺｎ濃度と較べて十分く低
いＩＡ＆となっているため、この部分では０．５μｍ以
上の比較的厚い２反転領域７が形成される。
第４図の方法で作製されたウェハーを使い、第′ ２
図の場合と同様のレーザー素子を作製したとこ□
ろ、しきい値電流：］１ｍＡ、効率：０．３５ｍＷ／
ｍ Ａの優れた特性を得ることができた。しかしこの方
法では、Ｚｎの拡散の制御が難しく、うまく制御できず
ＫＰ反転領域が基板１まで達してしまう場合がある。こ
の場合のウェハーでは１回目の成長時に熱損傷を受けて
いる基板１表面ＫＰ反転領域とのＰ−Ｎ接合面が形成さ
れるため、やはり特性の優れた素子を得ることができな
い問題があった。
図の場合と同様のレーザー素子を作製したとこ□
ろ、しきい値電流：］１ｍＡ、効率：０．３５ｍＷ／
ｍ Ａの優れた特性を得ることができた。しかしこの方
法では、Ｚｎの拡散の制御が難しく、うまく制御できず
ＫＰ反転領域が基板１まで達してしまう場合がある。こ
の場合のウェハーでは１回目の成長時に熱損傷を受けて
いる基板１表面ＫＰ反転領域とのＰ−Ｎ接合面が形成さ
れるため、やはり特性の優れた素子を得ることができな
い問題があった。
本発明によれば上述の間聴は、基板上に、−導・ 電型
の第１の半導体層、該ｗＪ１の半導体層よりキャリア濃
度の低い一導電型の第２の半導体層、該第２の半導体層
よりキャリア濃度の高い一導電型の第３の半感体層、活
性層及び反対導電型の第４の半導体層を１ｌｉ１に形成
し、 該第４の半導体層、活性層及び第３の半導体層を部分的
にエツチング除去してストライプ状に形成すると共に、
該第２の半導体層を表出し、該表出された第２の半導体
層上及びストライプ状の第３の半導体層、活性層側面に
反対導電型の第５の半導体層を形成すると共に、該第２
の半導体層の該第５の半導体層に接する部分に第５の半
導体層より不純物を拡散させて反射場１！型の反転領域
を形成することによりて解決される。
の第１の半導体層、該ｗＪ１の半導体層よりキャリア濃
度の低い一導電型の第２の半導体層、該第２の半導体層
よりキャリア濃度の高い一導電型の第３の半感体層、活
性層及び反対導電型の第４の半導体層を１ｌｉ１に形成
し、 該第４の半導体層、活性層及び第３の半導体層を部分的
にエツチング除去してストライプ状に形成すると共に、
該第２の半導体層を表出し、該表出された第２の半導体
層上及びストライプ状の第３の半導体層、活性層側面に
反対導電型の第５の半導体層を形成すると共に、該第２
の半導体層の該第５の半導体層に接する部分に第５の半
導体層より不純物を拡散させて反射場１！型の反転領域
を形成することによりて解決される。
本発明では、一導電型の第１の半導体層および第３の半
導体層を第２の半導体層よりキャリア濃度の高い層で形
成し、反対導電型層の埋込成長時に一導電□層への反対
導電型層からの不純物の拡散を良好に制御をする・ よって、不純物の拡散により形成された反転領域と一導
電型層とで良質の結晶内ＫＰ−Ｎ接合を形成でき、素子
特性の向上が図れる。
導体層を第２の半導体層よりキャリア濃度の高い層で形
成し、反対導電型層の埋込成長時に一導電□層への反対
導電型層からの不純物の拡散を良好に制御をする・ よって、不純物の拡散により形成された反転領域と一導
電型層とで良質の結晶内ＫＰ−Ｎ接合を形成でき、素子
特性の向上が図れる。
、 第１図は本発明一実施例の半導体発光装置の製造
方法を説明するための工程断面図である◎以下、この図
面を参照しつつ、本実施例を説明するＯ まず、第１図ａＫ示す如く、Ｎ氾ＩｎＰ基板１上に１例
えば、キャリアｌ１ｌｉＦ： １．５Ｘ１０ ｃｍ
、厚み０．５μｍのＮ型ＩｎＰ層２″９例えばキャリ
ア濃度５ Ｘ １０”Ｐｖ−” で厚み０．７μｍのＮ
製ＩｎＰ層２゜例えばキャリア濃度］、５Ｘ１０ ｃ
ｒｓ で厚み０．５、ｕｍのＮ型ＩｎＰ層２ ’ ＋
ＩｎＧａＡａＰ活性層５．Ｐ！ＩｎＰ ４ 、 Ｐ
ＭＬ ＩｎＧａＡｓＰ層５を順次成長させる０ここで、
Ｎ屋ニ一層２”、２．２’以外の層は第２図の場合と同
様のキャリア濃度及び厚みにする。
方法を説明するための工程断面図である◎以下、この図
面を参照しつつ、本実施例を説明するＯ まず、第１図ａＫ示す如く、Ｎ氾ＩｎＰ基板１上に１例
えば、キャリアｌ１ｌｉＦ： １．５Ｘ１０ ｃｍ
、厚み０．５μｍのＮ型ＩｎＰ層２″９例えばキャリ
ア濃度５ Ｘ １０”Ｐｖ−” で厚み０．７μｍのＮ
製ＩｎＰ層２゜例えばキャリア濃度］、５Ｘ１０ ｃ
ｒｓ で厚み０．５、ｕｍのＮ型ＩｎＰ層２ ’ ＋
ＩｎＧａＡａＰ活性層５．Ｐ！ＩｎＰ ４ 、 Ｐ
ＭＬ ＩｎＧａＡｓＰ層５を順次成長させる０ここで、
Ｎ屋ニ一層２”、２．２’以外の層は第２図の場合と同
様のキャリア濃度及び厚みにする。
次に、Ｎ１図すの如く、例えば二数化シリコンからなる
マスクｌ１ＩＩ６を発光部形成領域く形成し、これをマ
スクにして基板上からＮ型ＩｎＰ層２に達するまでＢｒ
−メチルアルコール浴液等でメサ状にエツチングする。
マスクｌ１ＩＩ６を発光部形成領域く形成し、これをマ
スクにして基板上からＮ型ＩｎＰ層２に達するまでＢｒ
−メチルアルコール浴液等でメサ状にエツチングする。
このエツチングでストライプ状の発光部が形成される。
次に１エツチングを行った部分に１例えばＺｎを２×１
０ 圀 程度含むＰ型ＩｎＰ層８及びＮ型ＩｎＰ層９を
成長する。このとき、第１図Ｃの如くＮ型ＩｎＰ層２の
Ｐ型ＩｎＰ層８と接する部分ＫＺｎの拡散によりＰ型反
転領域が形成される。
０ 圀 程度含むＰ型ＩｎＰ層８及びＮ型ＩｎＰ層９を
成長する。このとき、第１図Ｃの如くＮ型ＩｎＰ層２の
Ｐ型ＩｎＰ層８と接する部分ＫＺｎの拡散によりＰ型反
転領域が形成される。
本実施例においては、Ｎ型１ｎＰ層２′′のキャリア１
１度をＮｆｌｌｎＰ層２のキャリア濃度より高くしであ
るので、ＺｎがＮ型ＩｎＰ層２″まで拡散してもＮ型Ｉ
ｎＰ層２″′は容易ＫＰ反転せず、Ｐ＃１反転領域の厚
さはＮ型１ｎＰ層２の厚さで制限される。
１度をＮｆｌｌｎＰ層２のキャリア濃度より高くしであ
るので、ＺｎがＮ型ＩｎＰ層２″まで拡散してもＮ型Ｉ
ｎＰ層２″′は容易ＫＰ反転せず、Ｐ＃１反転領域の厚
さはＮ型１ｎＰ層２の厚さで制限される。
すなわち、２Ｍ反転領域が基板１まで達することなく形
成できる・ 本実施例により作製されたウニ／１−を使い、第２図の
場合と同様のレーザー素子を作製したところ、しきい値
電流： １０ ｍ Ａ ｅ効率：０．４０ｍＷ／ ｍ
Ａの優れた特性を得ることができた。
成できる・ 本実施例により作製されたウニ／１−を使い、第２図の
場合と同様のレーザー素子を作製したところ、しきい値
電流： １０ ｍ Ａ ｅ効率：０．４０ｍＷ／ ｍ
Ａの優れた特性を得ることができた。
なお、本実施例では、Ｎｍ層を３層にした場合について
述べているが、本発明では、その主旨からして３層以上
の何層であってもよいことは明らかである。
述べているが、本発明では、その主旨からして３層以上
の何層であってもよいことは明らかである。
本発明によれば、Ｐ−Ｎ接合面を熱損傷によって劣化し
た部分である基板表面及びメサエッチング後の底面から
ずらし、良質の結晶中に制御良く形成することが可能な
ため、低しきい値、高効率の優れた特性の素子が得られ
る。
た部分である基板表面及びメサエッチング後の底面から
ずらし、良質の結晶中に制御良く形成することが可能な
ため、低しきい値、高効率の優れた特性の素子が得られ
る。
ｇｌ自は本発明の一実施例の半導体発光装置の製造方法
を説明するための工程断面図、第２図は従来例の製造方
法を説明するための工程断面図。 第３図及び第４図は従来例の改良例を説明するためのＷ
ｒ面図及び工程断面図、第５１は第４図の工程による問
題点を説明するための断面図である。 ｌ￥ｌ＆ｃおいて、１はＮ１ＪＪＩ ＩｎＰｆｉｉ＆、
２．２’、 ２″。 ９はＮ型ＩｎＰ、３はＩｎＧａＡｓＰ 、 ４ 、８は
Ｐ型ＩｎＰ、５はＰ型１ｎＧａＡｓＰ 、 ６はＳｉＯ
２マスク。 ７はＰ反転したＩｎＰ領域である・ °う′ ニブ／ 第 １ 日 様摩う列／１区創刊を＄を明フろに語の懺柄狛図茅３図 ％４図 屓シ軒が°Ｍ”／犬１ようとフる閲是負誤６毘明１ろＥ
ｌの圀伽図茅５日
を説明するための工程断面図、第２図は従来例の製造方
法を説明するための工程断面図。 第３図及び第４図は従来例の改良例を説明するためのＷ
ｒ面図及び工程断面図、第５１は第４図の工程による問
題点を説明するための断面図である。 ｌ￥ｌ＆ｃおいて、１はＮ１ＪＪＩ ＩｎＰｆｉｉ＆、
２．２’、 ２″。 ９はＮ型ＩｎＰ、３はＩｎＧａＡｓＰ 、 ４ 、８は
Ｐ型ＩｎＰ、５はＰ型１ｎＧａＡｓＰ 、 ６はＳｉＯ
２マスク。 ７はＰ反転したＩｎＰ領域である・ °う′ ニブ／ 第 １ 日 様摩う列／１区創刊を＄を明フろに語の懺柄狛図茅３図 ％４図 屓シ軒が°Ｍ”／犬１ようとフる閲是負誤６毘明１ろＥ
ｌの圀伽図茅５日
Claims (1)
- 基板上に、一導電型の第１の半導体層、該第１の半導体
層よりキャリア濃度の低い一導電型の第２の半導体層、
該第２の半導体層よりキャリア濃度の高い一導電型の第
３の半導体層、活性層及び反対導電型の第４の半導体層
を順に形成し、該第４の半導体層、活性層及び第３の半
導体層を部分的にエッチング除去してストライプ状に形
成すると共に、該第２の半導体層を表出し、該表出され
た第２の半導体層上及びストライプ状の第３の半導体層
、活性層側面に反対導電型の第５の半導体層を形成する
と共に、該第２の半導体層の該第５の半導体層に接する
部分に第５の半導体層より不純物を拡散させて反対導電
型の反転領域を形成することを特徴とする半導体発光装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6291286A JPS62219990A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 半導体発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6291286A JPS62219990A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 半導体発光装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62219990A true JPS62219990A (ja) | 1987-09-28 |
Family
ID=13213938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6291286A Pending JPS62219990A (ja) | 1986-03-20 | 1986-03-20 | 半導体発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62219990A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4849372A (en) * | 1987-02-18 | 1989-07-18 | Mitsubishi Kenki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and a method of producing same |
-
1986
- 1986-03-20 JP JP6291286A patent/JPS62219990A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4849372A (en) * | 1987-02-18 | 1989-07-18 | Mitsubishi Kenki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device and a method of producing same |
| US4910745A (en) * | 1987-02-18 | 1990-03-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser device |
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