JPS62216276A - シヨツトキ障壁光検出器の製造方法 - Google Patents
シヨツトキ障壁光検出器の製造方法Info
- Publication number
- JPS62216276A JPS62216276A JP61315933A JP31593386A JPS62216276A JP S62216276 A JPS62216276 A JP S62216276A JP 61315933 A JP61315933 A JP 61315933A JP 31593386 A JP31593386 A JP 31593386A JP S62216276 A JPS62216276 A JP S62216276A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- angstroms
- contact
- depositing
- gold
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims description 67
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 182
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 47
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 44
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 40
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 36
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 30
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 26
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 22
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 22
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 16
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 16
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000004821 Contact adhesive Substances 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 5
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 claims description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 1
- 229910052845 zircon Inorganic materials 0.000 claims 1
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 43
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 2
- 235000001674 Agaricus brunnescens Nutrition 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- ZSJRPSRPYLFQOL-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+) platinum(2+) disulfide Chemical compound [S-2].[Cd+2].[Pt+2].[S-2] ZSJRPSRPYLFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- -1 iridylam Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 150000003057 platinum Chemical class 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002211 ultraviolet spectrum Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/07—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the Schottky type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/108—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the Schottky type
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は放射光固体検出器の製造法に関するものである
。とくに、本発明は改良された白金・硫化カドミウム・
ショツ］・キ障壁光検出器の製造法に関するものである
。
。とくに、本発明は改良された白金・硫化カドミウム・
ショツ］・キ障壁光検出器の製造法に関するものである
。
（従来の技術）
ＩＩｉ劃光採光探知ミサイルめの光学誘導システムにお
けるような高度技術光学システムにおいて、高い量子効
率、短い応答時間の放射光固体検出器に対する要求があ
る。これらのシステムにおいて、このＪ：うな検出器は
紫外（ＵＶ）光線近くで高い応答性をもたなければなら
ないが、可視スペクトル内の光線を事実上窓じてはなら
ない。
けるような高度技術光学システムにおいて、高い量子効
率、短い応答時間の放射光固体検出器に対する要求があ
る。これらのシステムにおいて、このＪ：うな検出器は
紫外（ＵＶ）光線近くで高い応答性をもたなければなら
ないが、可視スペクトル内の光線を事実上窓じてはなら
ない。
シリコン・ホトダイオードが、このような応用に対し、
提案されてきた。けれども、このようなホトダイオード
は約８０００オングストロームまでの可視スペクトルを
感する。したがって、これらは可視光線を除去するため
の光学フィルタと一緒に用いられなければならない。さ
らに、これらの検出器・フィルタ組立体は量子効率が比
較的低く、例えば、３０％またはそれ以下である。
提案されてきた。けれども、このようなホトダイオード
は約８０００オングストロームまでの可視スペクトルを
感する。したがって、これらは可視光線を除去するため
の光学フィルタと一緒に用いられなければならない。さ
らに、これらの検出器・フィルタ組立体は量子効率が比
較的低く、例えば、３０％またはそれ以下である。
硫化カドミウムをベースとする放射光固体検出器が用い
られてきた。けれども、硫化カドミウム検出器の既に知
られている特性によれば、これらは可視領域において主
として用いられることを示しており、そして紫外光線を
比較的感じないことを示している。紫外領域付近の光線
および短波長の可視光線を感じ、そして赤外光線に対し
透明である放射光固体検出器をうろことが望ましい。高
量子効率をもちそして比較的小さな光学活性領域をもつ
このような検出器がもし製造可能であるならば、このこ
とは特にあてはまり、そしてこれは高分解能光学装置に
利用することができる。良好な赤外光線（ＩＲ）透過特
性はこの検出器を赤外線検出器と関連して用いられるこ
とを可能にし、フィルタのない高分解能光学装置と関連
して用いるのに適した同軸変換器がえられる。
られてきた。けれども、硫化カドミウム検出器の既に知
られている特性によれば、これらは可視領域において主
として用いられることを示しており、そして紫外光線を
比較的感じないことを示している。紫外領域付近の光線
および短波長の可視光線を感じ、そして赤外光線に対し
透明である放射光固体検出器をうろことが望ましい。高
量子効率をもちそして比較的小さな光学活性領域をもつ
このような検出器がもし製造可能であるならば、このこ
とは特にあてはまり、そしてこれは高分解能光学装置に
利用することができる。良好な赤外光線（ＩＲ）透過特
性はこの検出器を赤外線検出器と関連して用いられるこ
とを可能にし、フィルタのない高分解能光学装置と関連
して用いるのに適した同軸変換器がえられる。
最近、硫化カドミウムをベースとするショット−〇 −
４：障壁ダイオードが放射光線検出器として提案された
。一般的にいえば、ショットキ障壁ダイオードは半導体
物質と金属接触体との間につくられた接合ダイオードで
あって、通常のＰＮダイオードの場合のように、異った
形の半導体物質または異った形のキャリアの間の接合ダ
イオードではない。
。一般的にいえば、ショットキ障壁ダイオードは半導体
物質と金属接触体との間につくられた接合ダイオードで
あって、通常のＰＮダイオードの場合のように、異った
形の半導体物質または異った形のキャリアの間の接合ダ
イオードではない。
硫化カドミウム基板の両面に配置されたオーム接触体お
よび障壁接触体を有する白金・硫化カドミウム・ショッ
トキ障壁光検出器が先行技術において明らかにされてい
る。この先行技術における検出器は、良好な赤外光線透
過特性をもち、紫外光線スペクトルにおいて高い陽子効
率を示している。
よび障壁接触体を有する白金・硫化カドミウム・ショッ
トキ障壁光検出器が先行技術において明らかにされてい
る。この先行技術における検出器は、良好な赤外光線透
過特性をもち、紫外光線スペクトルにおいて高い陽子効
率を示している。
（発明の目的と要約）
本発明により製造される検出器は、先行技術にＪ：る検
出器よりも、製造法と組立法がより簡単である。オーム
接触体接続と障壁接触体接続が装置の対向している面上
にあるのではなく、新しい検出器では２つの接触体が１
つの面上にあるように１ｉＪ造される。ホトレジストで
つくられた有機絶縁体層は硬い無機絶縁体層によって置
き変えられた。
出器よりも、製造法と組立法がより簡単である。オーム
接触体接続と障壁接触体接続が装置の対向している面上
にあるのではなく、新しい検出器では２つの接触体が１
つの面上にあるように１ｉＪ造される。ホトレジストで
つくられた有機絶縁体層は硬い無機絶縁体層によって置
き変えられた。
さらに、銅金属化体およびインジウム金属化体は金金属
化体、チタン金属化体、ニク］１ム金属化体および他の
金属化体によって置き換えられた。これらの改良により
、高速接合法による導線の取付番プが容易になる。この
高速接合法は信頼性のより高いものであり、そしてこの
装置に電気的接触体をつくるのに要する時間と困難さを
減らす。さらに、装置全体の信頼性は増す。ＩＩＪ造■
稈において硫化カドミウム基板の表面上に補償層ができ
るが、これはこの装置に過大電圧が加えられた時にこの
装置を保護する。
化体、チタン金属化体、ニク］１ム金属化体および他の
金属化体によって置き換えられた。これらの改良により
、高速接合法による導線の取付番プが容易になる。この
高速接合法は信頼性のより高いものであり、そしてこの
装置に電気的接触体をつくるのに要する時間と困難さを
減らす。さらに、装置全体の信頼性は増す。ＩＩＪ造■
稈において硫化カドミウム基板の表面上に補償層ができ
るが、これはこの装置に過大電圧が加えられた時にこの
装置を保護する。
本発明により、上表面および下表面を有する硫化カドミ
ウム基板と、前記基板の前記上表面の上にあり赤外光線
に対して実質的に不透明である物質層を備えその中に第
１中央窓を有するように輪郭が定められた赤外線遮蔽体
と、前記赤外線遮蔽体を被覆しおよび前記第１中央窓と
同じ位置にあるがそれよりも少し小さい第２中央窓とお
よび側方の窓とをその中に有する絶縁体層と、前記第２
中央窓の中にありそしてその中にある基板部分を完全に
被覆しそして十分に薄くて紫外光線および赤外光線に対
して実質的に透明であるショットキ障壁金属化層と、前
記基板の前記上表面の上にあって前記第２中央窓を通っ
て延長されておりおよび前記ショットキ障壁金属化層の
大部分を露出したままにしておく障壁接触体を構成する
装置と、前記基板の前記上表面の上にあって前記側方窓
を通って延長されているオーム接触体を構成するための
装置とを有する紫外光線および赤外光線を検出するのに
適したショットキ障壁光検出器かえられる。
ウム基板と、前記基板の前記上表面の上にあり赤外光線
に対して実質的に不透明である物質層を備えその中に第
１中央窓を有するように輪郭が定められた赤外線遮蔽体
と、前記赤外線遮蔽体を被覆しおよび前記第１中央窓と
同じ位置にあるがそれよりも少し小さい第２中央窓とお
よび側方の窓とをその中に有する絶縁体層と、前記第２
中央窓の中にありそしてその中にある基板部分を完全に
被覆しそして十分に薄くて紫外光線および赤外光線に対
して実質的に透明であるショットキ障壁金属化層と、前
記基板の前記上表面の上にあって前記第２中央窓を通っ
て延長されておりおよび前記ショットキ障壁金属化層の
大部分を露出したままにしておく障壁接触体を構成する
装置と、前記基板の前記上表面の上にあって前記側方窓
を通って延長されているオーム接触体を構成するための
装置とを有する紫外光線および赤外光線を検出するのに
適したショットキ障壁光検出器かえられる。
木弁明にＪ：るショットキ障壁光検出器の製造方法は、
単結晶硫化カドミウムインゴットから前記硫化カドミウ
ムの六方晶系結晶のＣ軸に垂直で事実１互いに平行な上
表面と下表面とをもったつ工−ハを切出すスライスエ稈
と、平滑な上表面および平滑な下表面を有する基板をつ
くるために前記ウェーハの前記上表面を研磨およびエツ
チングする工程と、前記基板の前記上表面の上に赤外光
線に対し実質的に不透明である物質層を備えその中に第
１中央窓を有する赤外線遮蔽Ｉ１４造体を被着する工程
およびその輪郭を定める工程と、前記赤外線遮蔽体の」
−に前記第１中央窓と同じ位置にありそしてそれより僅
かに小さい第２中央窓および側方の窓とを有する絶縁体
層を被着する工程およびその輪郭を定める工程と、前記
第２中央窓の中の前記基板部分を完全に被覆するように
および紫外光線おＪ：び赤外光線に対し実質的に透明で
ある程度に十分薄いショットキ障壁金属化層を被着する
工程およびその輪郭を定める工程と、前記基板の前記表
面の上で前記第２中央窓を通して延長されそして前記シ
ョットキ障壁金属化層の大部分を露出したままにしてお
く障壁接触体とおよび前記基板の前記上表面の上で前記
側方窓を通して延長されているオーム接触体とを被着す
る工程およびその輪郭を定める工程との諸工程を含む。
単結晶硫化カドミウムインゴットから前記硫化カドミウ
ムの六方晶系結晶のＣ軸に垂直で事実１互いに平行な上
表面と下表面とをもったつ工−ハを切出すスライスエ稈
と、平滑な上表面および平滑な下表面を有する基板をつ
くるために前記ウェーハの前記上表面を研磨およびエツ
チングする工程と、前記基板の前記上表面の上に赤外光
線に対し実質的に不透明である物質層を備えその中に第
１中央窓を有する赤外線遮蔽Ｉ１４造体を被着する工程
およびその輪郭を定める工程と、前記赤外線遮蔽体の」
−に前記第１中央窓と同じ位置にありそしてそれより僅
かに小さい第２中央窓および側方の窓とを有する絶縁体
層を被着する工程およびその輪郭を定める工程と、前記
第２中央窓の中の前記基板部分を完全に被覆するように
および紫外光線おＪ：び赤外光線に対し実質的に透明で
ある程度に十分薄いショットキ障壁金属化層を被着する
工程およびその輪郭を定める工程と、前記基板の前記表
面の上で前記第２中央窓を通して延長されそして前記シ
ョットキ障壁金属化層の大部分を露出したままにしてお
く障壁接触体とおよび前記基板の前記上表面の上で前記
側方窓を通して延長されているオーム接触体とを被着す
る工程およびその輪郭を定める工程との諸工程を含む。
（実施例）
本発明の１つの実施例を添付図面を参照して説明する。
赤外１１″ａ蔽構造体が、研磨されそして損傷のない硫
化カドミウム基板の上表面の上に、まずつくられる。こ
の赤外線遮蔽構造体は、２つの薄いチタンの層（厚さ約
３００オングストローム）の間にはさまれた、赤外光線
に対して不透明な金の層（厚さ約１５００オングストロ
ーム）で構成されることが望ましい。チタン層は接合（
ボンド）剤として働く。赤外線遮蔽構造体は一般に四角
形にその輪郭が定められ、光学的に活性な領域となる基
板の小さな中央部分を露出して残す。二酸化シリコンの
比較的厚い層（約５０００オングストロームの厚さであ
ることが望ましい）が赤外線遮蔽構造体を被覆し、それ
でその上に沈着すなわち被着される層の知略を防ぐ。二
酸化シリコン絶縁体層の中にエツチングにより２つの窓
がつくられる。
化カドミウム基板の上表面の上に、まずつくられる。こ
の赤外線遮蔽構造体は、２つの薄いチタンの層（厚さ約
３００オングストローム）の間にはさまれた、赤外光線
に対して不透明な金の層（厚さ約１５００オングストロ
ーム）で構成されることが望ましい。チタン層は接合（
ボンド）剤として働く。赤外線遮蔽構造体は一般に四角
形にその輪郭が定められ、光学的に活性な領域となる基
板の小さな中央部分を露出して残す。二酸化シリコンの
比較的厚い層（約５０００オングストロームの厚さであ
ることが望ましい）が赤外線遮蔽構造体を被覆し、それ
でその上に沈着すなわち被着される層の知略を防ぐ。二
酸化シリコン絶縁体層の中にエツチングにより２つの窓
がつくられる。
１つの窓は基板の中央の光学的に活性な領域と一致し、
そして他の窓はこの領域の側方にあって、そこには後で
オーム接触体がつくられる。
そして他の窓はこの領域の側方にあって、そこには後で
オーム接触体がつくられる。
ショットキ障壁金属化層は基板の上に直接に沈着された
白金の非常に薄い層であることが望ましく、そしてそれ
は二酸化シリコン層内の中央窓を完全に被覆している。
白金の非常に薄い層であることが望ましく、そしてそれ
は二酸化シリコン層内の中央窓を完全に被覆している。
タングステン、ニクロムまたは金のＪ：うな金属でつく
られることが望ましい境界層は白金層の周縁の上にあり
、そして障壁接触体金属化層がショットキ障壁の性質に
影響しイ【いようにする。
られることが望ましい境界層は白金層の周縁の上にあり
、そして障壁接触体金属化層がショットキ障壁の性質に
影響しイ【いようにする。
障壁接触体金属化層はチタン接＠層と金の層でつくられ
ることが望ましい。金の層の厚さは電気メッキにより約
３０．０００オングストロームまで増加される。オーム
接触体が障壁接触体と同時につくられる。中央窓と同時
に二酸化シリコン層をエツチングすることによりつくら
れる第２窓にＪ：す、オーム接触体金属化層が赤外線遮
蔽構造体に接触する。赤外線遮蔽構造体は、その下のチ
タン接着層にＪ：す、硫化カドミウム基板にオーム接触
をする。金環線が、熱圧着接合または熱音波接合にＪ：
す、オーム接触体および障壁接触体の台部分の上表面に
接合される。
ることが望ましい。金の層の厚さは電気メッキにより約
３０．０００オングストロームまで増加される。オーム
接触体が障壁接触体と同時につくられる。中央窓と同時
に二酸化シリコン層をエツチングすることによりつくら
れる第２窓にＪ：す、オーム接触体金属化層が赤外線遮
蔽構造体に接触する。赤外線遮蔽構造体は、その下のチ
タン接着層にＪ：す、硫化カドミウム基板にオーム接触
をする。金環線が、熱圧着接合または熱音波接合にＪ：
す、オーム接触体および障壁接触体の台部分の上表面に
接合される。
本発明の第１実施例の構成のいろいろ／、Ｔ段階が第１
図〜第９図、第１０Ａ図および第１０Ｂ図に示されてい
る。この検出器の全体の構造は第１０１３図に最もよく
示されている。この検出器は四角形の平板状の硫化カド
ミウム基板３０を有している。この基板３０はその上に
直接に沈着された小さな四角形の赤外線遮蔽構造体３２
を有し、および点線で示された外側周縁を有している。
図〜第９図、第１０Ａ図および第１０Ｂ図に示されてい
る。この検出器の全体の構造は第１０１３図に最もよく
示されている。この検出器は四角形の平板状の硫化カド
ミウム基板３０を有している。この基板３０はその上に
直接に沈着された小さな四角形の赤外線遮蔽構造体３２
を有し、および点線で示された外側周縁を有している。
二酸化シリコンの絶縁体層３４がこの赤外線遮蔽構造体
を覆っている。薄いショットキ障壁金属層３６が、絶縁
された赤外線遮蔽構造体によって取囲まれた中央の光学
活性領域内の硫化カドミウム基板の上に、直接沈着され
る。オーム接触体３８および障壁接触体４０は、それぞ
れ、二酸化シリコン絶縁体層内の別々の窓を通して、赤
外線遮蔽構造体および境界層リング４２ａ（第１０Ａ図
）に接触する。第１０Ａ図および第１０Ｂ図に示されて
いるように、障壁構造体４０はほぼ円筒状の構造を有し
ている。この障壁接触体は絶縁体層の中央の窓の中に存
在し、大部分のショッ１−キ層３６が露出している。１
対の突出部４４がこのリングの両側にある。金環線４６
．４８が、それぞれ、オーム接触体３８および障壁接触
体４０に取付けられる。
を覆っている。薄いショットキ障壁金属層３６が、絶縁
された赤外線遮蔽構造体によって取囲まれた中央の光学
活性領域内の硫化カドミウム基板の上に、直接沈着され
る。オーム接触体３８および障壁接触体４０は、それぞ
れ、二酸化シリコン絶縁体層内の別々の窓を通して、赤
外線遮蔽構造体および境界層リング４２ａ（第１０Ａ図
）に接触する。第１０Ａ図および第１０Ｂ図に示されて
いるように、障壁構造体４０はほぼ円筒状の構造を有し
ている。この障壁接触体は絶縁体層の中央の窓の中に存
在し、大部分のショッ１−キ層３６が露出している。１
対の突出部４４がこのリングの両側にある。金環線４６
．４８が、それぞれ、オーム接触体３８および障壁接触
体４０に取付けられる。
導線４８は障壁接触体の突出部４４０１つに取付りられ
る。
る。
第１０Ａ図おＪ：び第１０Ｂ図に示された検出器はマイ
クロ電子装置であることに注意すべきである。例えば、
絶縁体層３４の一辺の大きさは０．９３ミリメートル（
０，０３８インチ）であり、そしてショットキ障壁金属
層３６の被覆されていない部分の直径は０．１ミリメー
トル（０，００４インチ）である。すべての図面におい
て、示された実施例の構造を理解しやすくするために、
いろいろな層の相互の大きさは変形されている。第２図
〜第９図および第１２図〜第１９図においてもまた、は
っきりさせるために、いろいろな層の高さが中央の窓の
中に示されていない。
クロ電子装置であることに注意すべきである。例えば、
絶縁体層３４の一辺の大きさは０．９３ミリメートル（
０，０３８インチ）であり、そしてショットキ障壁金属
層３６の被覆されていない部分の直径は０．１ミリメー
トル（０，００４インチ）である。すべての図面におい
て、示された実施例の構造を理解しやすくするために、
いろいろな層の相互の大きさは変形されている。第２図
〜第９図および第１２図〜第１９図においてもまた、は
っきりさせるために、いろいろな層の高さが中央の窓の
中に示されていない。
第１実施例のモノリシック構造とその製造工程を、第１
図〜第９図および第１０Ａ図を参照して、詳細に説明す
る。１つの半導体ウェーハの上に、５×５マトリツクス
のような適当なアレイに、複数個の検出器が同時に製造
されることが理解されるであろう。適当な厚さ、例えば
１ミリメートル、のつ１−ハが、例えばイーグル・ピチ
ャ社またはクリーブランド・クリスタルン１から市販さ
れている硫化カドミウムの単結晶インボッ１〜から裁断
してえられる。このような物質はＮ形物質であって、抵
抗率は１〜２０オ一ムｃｔｍ、障壁濃度は１０１５〜１
０１６α−３、キャリア移動度は少なくとも２００Ｊ
Ｖ−１ｓｅｃ−１である。ウェハをインゴットから切出
すときの望ましい方向は、第１図に示されているように
、六方晶系の結晶のＣ軸がウェハの表面に垂直である方
向である。このウェハは検出器の硫化カドミウム基板３
０となる。今後、参照番＠３０はウェハおよび基板のい
ずれをも示すものとして用いられるであろう。このウェ
ハは塩酸溶液によってエッチされ、このウェハの正方位
面および負方位面、すなわち、イオウ多量面およびカド
ミウムの多量面（第１図をみよ）をそれぞれ同定する。
図〜第９図および第１０Ａ図を参照して、詳細に説明す
る。１つの半導体ウェーハの上に、５×５マトリツクス
のような適当なアレイに、複数個の検出器が同時に製造
されることが理解されるであろう。適当な厚さ、例えば
１ミリメートル、のつ１−ハが、例えばイーグル・ピチ
ャ社またはクリーブランド・クリスタルン１から市販さ
れている硫化カドミウムの単結晶インボッ１〜から裁断
してえられる。このような物質はＮ形物質であって、抵
抗率は１〜２０オ一ムｃｔｍ、障壁濃度は１０１５〜１
０１６α−３、キャリア移動度は少なくとも２００Ｊ
Ｖ−１ｓｅｃ−１である。ウェハをインゴットから切出
すときの望ましい方向は、第１図に示されているように
、六方晶系の結晶のＣ軸がウェハの表面に垂直である方
向である。このウェハは検出器の硫化カドミウム基板３
０となる。今後、参照番＠３０はウェハおよび基板のい
ずれをも示すものとして用いられるであろう。このウェ
ハは塩酸溶液によってエッチされ、このウェハの正方位
面および負方位面、すなわち、イオウ多量面およびカド
ミウムの多量面（第１図をみよ）をそれぞれ同定する。
このウェーハ３０は工作取付具に取ずクロノられ、そし
て適当な厚さ、例えば約０．５０ミリメートル（０，０
２０インチ）〜約０．７４ミリメートル（０，０３０イ
ンチ）、まで平らに研磨される。硫化カドミウム基板３
０の厚さ、すなわち、つ工−ハの厚さはこの部間をｈＸ
ｌ、ｔすＪｌて変動しても、検出器の光起電力特性に影
響しない。
て適当な厚さ、例えば約０．５０ミリメートル（０，０
２０インチ）〜約０．７４ミリメートル（０，０３０イ
ンチ）、まで平らに研磨される。硫化カドミウム基板３
０の厚さ、すなわち、つ工−ハの厚さはこの部間をｈＸ
ｌ、ｔすＪｌて変動しても、検出器の光起電力特性に影
響しない。
研磨を行４【うために、ウェーハがＴｔｌｌ磨用保ｌｈ
器の上に取付けられ、そして従来の回転研磨板の十に置
かれる。マイクロ・オイル１ｌｋｌＩ中の５ミクロンア
ルミナ粒子のような研磨剤が３０秒毎に供給される。こ
のウェーハは平行な表面をうるために両面を研磨するこ
とができ、そして所要の厚さかえられるまで研磨を続ｉ
−＋ることができる。
器の上に取付けられ、そして従来の回転研磨板の十に置
かれる。マイクロ・オイル１ｌｋｌＩ中の５ミクロンア
ルミナ粒子のような研磨剤が３０秒毎に供給される。こ
のウェーハは平行な表面をうるために両面を研磨するこ
とができ、そして所要の厚さかえられるまで研磨を続ｉ
−＋ることができる。
この研磨工程の後、このウェーハは回転づる車輪に取付
【ノられたフＪルトのような研磨布で０１磨される。最
初の研磨は１ミクロンダイヤモンド研磨剤で行なわれ、
最終研磨は１層４ミクロン研磨剤で行なわれる。研磨を
実行するために用いられる工作取付具は、以前に用いら
れた研磨剤による汚染を防ぐために、１つの研磨と次の
研磨との間に清掃されることが望ましい。この検出器の
各種の層はこの上表面にだけ沈着されることがわかるで
あろう。したがって、下表面を研磨する■稈は行なう必
要がない。
【ノられたフＪルトのような研磨布で０１磨される。最
初の研磨は１ミクロンダイヤモンド研磨剤で行なわれ、
最終研磨は１層４ミクロン研磨剤で行なわれる。研磨を
実行するために用いられる工作取付具は、以前に用いら
れた研磨剤による汚染を防ぐために、１つの研磨と次の
研磨との間に清掃されることが望ましい。この検出器の
各種の層はこの上表面にだけ沈着されることがわかるで
あろう。したがって、下表面を研磨する■稈は行なう必
要がない。
ウェーハを最終的に完成するためにエツチング研磨が行
なわれる。このエツチング研磨により、このウェーハの
上表面から単結晶でない硫化カドミウムを除去し、そし
てこの表面を事実上損傷のない平滑で鏡のような面に仕
上げる。エツチング液を保持するために、側壁を備えた
車輪が用いられる。このエツチング液の活性成分は硝酸
または塩酸である。エツチング研磨の後、このウェーハ
はすすがれ、そして清浄にされ、そして乾燥される。
なわれる。このエツチング研磨により、このウェーハの
上表面から単結晶でない硫化カドミウムを除去し、そし
てこの表面を事実上損傷のない平滑で鏡のような面に仕
上げる。エツチング液を保持するために、側壁を備えた
車輪が用いられる。このエツチング液の活性成分は硝酸
または塩酸である。エツチング研磨の後、このウェーハ
はすすがれ、そして清浄にされ、そして乾燥される。
ウェーハ３０が完成すると、それは受具の上に取付けら
れる。この受具は、容易に取扱えるために、曲型的には
２５Ｘ２５Ｘ０．７８ミリメートル（１ＸＩＸ０．０３
２インチ）のスライドガラスである。ウェーハを取付け
たスライドガラスが従来の真空蒸着装置の中に置かれる
。これから後の記載の中心は硫化カドミウム・つＴ−ハ
の上に１個の検出器をつくることである。複数個のこの
Ｊ：うな検出器がこのウェーハの上の離れた別々の位置
に同時につくられることがわかるであろう。
れる。この受具は、容易に取扱えるために、曲型的には
２５Ｘ２５Ｘ０．７８ミリメートル（１ＸＩＸ０．０３
２インチ）のスライドガラスである。ウェーハを取付け
たスライドガラスが従来の真空蒸着装置の中に置かれる
。これから後の記載の中心は硫化カドミウム・つＴ−ハ
の上に１個の検出器をつくることである。複数個のこの
Ｊ：うな検出器がこのウェーハの上の離れた別々の位置
に同時につくられることがわかるであろう。
真空蒸着装置の中で、赤外線遮蔽構造体３２（第２図）
をつくるために、いろいろな物質の層が硫化カドミウム
基板３０の上に沈着される。沈＠温度は、沈着される金
属の種類によって、約り０℃〜約２７５℃の範囲である
。赤外線遮蔽構造体は硫化カドミウム基板の上表面につ
くられる。
をつくるために、いろいろな物質の層が硫化カドミウム
基板３０の上に沈着される。沈＠温度は、沈着される金
属の種類によって、約り０℃〜約２７５℃の範囲である
。赤外線遮蔽構造体は硫化カドミウム基板の上表面につ
くられる。
この上表面ばウェーハのカドミウム多吊面に選ばれる。
赤外線遮蔽構造体は赤外線に対し不透明な金の層５０と
それをはさんでいる２つの薄い粘着金属層５２とで構成
されることが望ましい。金の層の厚さは約５００オング
ストロームから約１０゜０００オングストロームである
ことができる。層５０が金でつくられる時、その厚さは
１，５００オングストロームであることが望ましい。接
着金属はチタンであることが望ましいが、しかしそれは
またアルミニウム、マグネシウム、ジルコニウム、ハフ
ニウムまたはこれらを組合わせた合金であることができ
る。金の層が比較的薄いチタンの層ではさまれることが
望ましい。このチタンの層の厚さはそれぞれ約５０オン
グストロームから約５．０００オングストロームである
ことができ、望ましい厚さは３００オングストロームで
ある。
それをはさんでいる２つの薄い粘着金属層５２とで構成
されることが望ましい。金の層の厚さは約５００オング
ストロームから約１０゜０００オングストロームである
ことができる。層５０が金でつくられる時、その厚さは
１，５００オングストロームであることが望ましい。接
着金属はチタンであることが望ましいが、しかしそれは
またアルミニウム、マグネシウム、ジルコニウム、ハフ
ニウムまたはこれらを組合わせた合金であることができ
る。金の層が比較的薄いチタンの層ではさまれることが
望ましい。このチタンの層の厚さはそれぞれ約５０オン
グストロームから約５．０００オングストロームである
ことができ、望ましい厚さは３００オングストロームで
ある。
従来の光食刻技術が用いられ、赤外線遮蔽構造体を構成
する３層の金属が同一の四角形をもちそして中央に丸い
窓５４（第２図）をもつ。この窓は光学的に活性な領域
であって、赤外線はこの領域を通る。
する３層の金属が同一の四角形をもちそして中央に丸い
窓５４（第２図）をもつ。この窓は光学的に活性な領域
であって、赤外線はこの領域を通る。
赤外線遮蔽構造体の概要が定められた後、このウェハは
スパッタリング装置の中に置かれ、そして二酸化シリコ
ンの層が沈着されて、絶縁体層３４（第３図）がつくら
れる。適当なスパッタリング装置の１つはバルツアのハ
イ・バキューム社によって製造されている。二酸化シリ
コン絶縁体層は赤外線遮蔽構造体を被覆する。その厚さ
は約５００オングストローム〜２０，０００オングスト
ロームであるが、望ましい厚さは約５．０００オングス
トロームである。
スパッタリング装置の中に置かれ、そして二酸化シリコ
ンの層が沈着されて、絶縁体層３４（第３図）がつくら
れる。適当なスパッタリング装置の１つはバルツアのハ
イ・バキューム社によって製造されている。二酸化シリ
コン絶縁体層は赤外線遮蔽構造体を被覆する。その厚さ
は約５００オングストローム〜２０，０００オングスト
ロームであるが、望ましい厚さは約５．０００オングス
トロームである。
望む絶縁体層パターンを得るために、従来の光食刻技術
が用いられる。絶縁体層（第１０Ｂ図）は一般に四角形
をしており、でしてそれを貫通する第１窓および第２窓
を有しＣいる。第１窓５６（第３図）は赤外線遮蔽構造
体３２の第１窓５４〈第２図）の位置と全体の形に対応
する。ただし、窓５６は窓５４より少し小さい。換言す
れば、第２中央窓５６は第１中央窓５４と一致している
が、少し小さい。両方の窓の形は円形である。第２図お
よび第３図かられかるように、絶縁体層３４は窓５４を
定める赤外線遮蔽構造体の内側端を被覆しており、そし
て硫化カドミウム基板３０と接触している。絶縁体層３
４内につくられた第２窓５８（第３図）は第１窓から離
れた位置にあり、そして後で記載されるようにそこにオ
ーム接触体３８（第１０Ｂ図）がつくられる。窓５８を
つくるために絶縁体層３４をエツチングするさい、層５
２の」−の層の一部分が除去される。
が用いられる。絶縁体層（第１０Ｂ図）は一般に四角形
をしており、でしてそれを貫通する第１窓および第２窓
を有しＣいる。第１窓５６（第３図）は赤外線遮蔽構造
体３２の第１窓５４〈第２図）の位置と全体の形に対応
する。ただし、窓５６は窓５４より少し小さい。換言す
れば、第２中央窓５６は第１中央窓５４と一致している
が、少し小さい。両方の窓の形は円形である。第２図お
よび第３図かられかるように、絶縁体層３４は窓５４を
定める赤外線遮蔽構造体の内側端を被覆しており、そし
て硫化カドミウム基板３０と接触している。絶縁体層３
４内につくられた第２窓５８（第３図）は第１窓から離
れた位置にあり、そして後で記載されるようにそこにオ
ーム接触体３８（第１０Ｂ図）がつくられる。窓５８を
つくるために絶縁体層３４をエツチングするさい、層５
２の」−の層の一部分が除去される。
スパッタリングは硫化カドミウム基板の上表面に損傷を
生じさせ、この損傷は検出器に特に悪い影響を与える。
生じさせ、この損傷は検出器に特に悪い影響を与える。
この損傷は、このウェーハを適当な温度で予め定められ
た時間、例えば、約２７５℃の温度で１５分間、焼鈍づ
ることによって除去される。
た時間、例えば、約２７５℃の温度で１５分間、焼鈍づ
ることによって除去される。
焼鈍の後、ホトレジストの薄い層が、ショットキ障壁金
属化のため、リフ］・・オフ・マスク（１ｉｆｔ−ｏＨ
ｍａｓｋ ） ６０ （第４図）として用いられる。こ
のリフト・オフ・マスクは中央窓５６と絶縁体層３４の
内側肩部６２以外のウェーハ部分を被覆する。このリフ
ト・オフ・マスクをつくるために、ホトレジスト層がウ
ェーハの全表面上に沈着される。それから、このホトレ
ジス１−を残すべきである領域がマスクされ、そして紫
外光線で露光される。それから、この露光されたホトレ
ジスト物質が現像され、そして化学的に溶解されて、中
央窓５６と肩部分６２が露出する。
属化のため、リフ］・・オフ・マスク（１ｉｆｔ−ｏＨ
ｍａｓｋ ） ６０ （第４図）として用いられる。こ
のリフト・オフ・マスクは中央窓５６と絶縁体層３４の
内側肩部６２以外のウェーハ部分を被覆する。このリフ
ト・オフ・マスクをつくるために、ホトレジスト層がウ
ェーハの全表面上に沈着される。それから、このホトレ
ジス１−を残すべきである領域がマスクされ、そして紫
外光線で露光される。それから、この露光されたホトレ
ジスト物質が現像され、そして化学的に溶解されて、中
央窓５６と肩部分６２が露出する。
リフト・オフ・マスクがつくられた後、このつ工−ハは
従来の真空装置の中に入れられ、そこで２つの金属化層
が、電子ビーム蒸着により、ウェーハの全表面に沈着さ
れる（図示されていない）。
従来の真空装置の中に入れられ、そこで２つの金属化層
が、電子ビーム蒸着により、ウェーハの全表面に沈着さ
れる（図示されていない）。
それから、このウェーハの表面上にアセトンのジェット
流を吹きつ【プることにより、ホトレジスト・リフト・
オフ・マスク６０が溶解される。このことはまた、第５
図に示されているように、ホトレジスト・リフ］・・オ
フ・マスクの中央窓の中以外の２つの金属化層を除去す
る。第５図において、これらの２つの金属化層の下の層
の一部分は基板３０の上に直接乗っていて、ショットキ
障壁金属化層３６である。これらの２つの層の中の上の
層は境界層４２である。窓５６（第４図）内の基板の露
出した全領域が層３６で被覆されるということが重要で
ある。したがって、リフト・オフ・マスクは、窓５６と
肩部分６２の両方を被覆しないで残すように、輪郭が描
かれる。このために、肩部分６２の上に、１対のリング
状の層３６′および４２′（第５図）ができる。後で記
載されるように、境界層４２の中央部分がエツチングで
除去され、そしてその周縁部分４２ａ（第９図）が残さ
れて、金属３６と硫化カドミウム基板３０との間の接合
のところにつくられたショットキ障壁の性質に障壁接触
金属化が影響しないようにされる。
流を吹きつ【プることにより、ホトレジスト・リフト・
オフ・マスク６０が溶解される。このことはまた、第５
図に示されているように、ホトレジスト・リフ］・・オ
フ・マスクの中央窓の中以外の２つの金属化層を除去す
る。第５図において、これらの２つの金属化層の下の層
の一部分は基板３０の上に直接乗っていて、ショットキ
障壁金属化層３６である。これらの２つの層の中の上の
層は境界層４２である。窓５６（第４図）内の基板の露
出した全領域が層３６で被覆されるということが重要で
ある。したがって、リフト・オフ・マスクは、窓５６と
肩部分６２の両方を被覆しないで残すように、輪郭が描
かれる。このために、肩部分６２の上に、１対のリング
状の層３６′および４２′（第５図）ができる。後で記
載されるように、境界層４２の中央部分がエツチングで
除去され、そしてその周縁部分４２ａ（第９図）が残さ
れて、金属３６と硫化カドミウム基板３０との間の接合
のところにつくられたショットキ障壁の性質に障壁接触
金属化が影響しないようにされる。
ショットキ障壁金属層３６は白金、金、イリジラムまた
はこれらをいろいろに組合わせた合金でつくることがで
きる。層３６は、紫外光線と赤外光線の両方に対し十分
透明であるように、十分薄くなければならない。
はこれらをいろいろに組合わせた合金でつくることがで
きる。層３６は、紫外光線と赤外光線の両方に対し十分
透明であるように、十分薄くなければならない。
例えば、層３６が白金でつくられている場合、その厚さ
は約５オングストローム〜約５０オングストロームまで
であることができ、そして望ましい厚さは１５Ａングス
トロームである。この白金の厚さは、タリステップＩプ
ロフィロメータ（ｔａｌｙｓｔｅｐ Ｉ ｐｒｏｆｉｌ
ｏｍｅｔｅｒ ）で測定されるとき、プラスまたはマイ
ナス５オングストロームまで制御される。
は約５オングストローム〜約５０オングストロームまで
であることができ、そして望ましい厚さは１５Ａングス
トロームである。この白金の厚さは、タリステップＩプ
ロフィロメータ（ｔａｌｙｓｔｅｐ Ｉ ｐｒｏｆｉｌ
ｏｍｅｔｅｒ ）で測定されるとき、プラスまたはマイ
ナス５オングストロームまで制御される。
境界層４２は金、タングステン、ニクロム、イリジウム
、レニウム、パラジウム、ロジウムまたはこれらをいろ
いろに組合わせた合金でつくることができる。層４２は
金でつくられることが望ましく、その厚さは約１００オ
ングストローム〜約３００オンゲスト０−ムである。層
３６と層４２の両方を、どの場合にも、同じ金属でつく
ることはできない。
、レニウム、パラジウム、ロジウムまたはこれらをいろ
いろに組合わせた合金でつくることができる。層４２は
金でつくられることが望ましく、その厚さは約１００オ
ングストローム〜約３００オンゲスト０−ムである。層
３６と層４２の両方を、どの場合にも、同じ金属でつく
ることはできない。
次に、ウェーハ３０は再び真空装置の中に入れられ、そ
こで適当な温度にまで加熱される。この温度は用いられ
るオーム接触体金属化層および障壁接触体金属化層の形
により違うが、約り０℃〜約２３５℃の間である。ウェ
ーハの望ましい加熱。
こで適当な温度にまで加熱される。この温度は用いられ
るオーム接触体金属化層および障壁接触体金属化層の形
により違うが、約り０℃〜約２３５℃の間である。ウェ
ーハの望ましい加熱。
温度は約１７５℃である。それから、このウェーハの全
表面上に厚さが約５０オングストローム〜５０００オン
グストロームの接触体接着層４６が沈着される。この接
Ｉｌｌの望ましい厚さは約３００オングストロームであ
る。この接触体接着層は、ニクロム、クロムまたはタン
グステンでつくることもできるが、チタンでつくること
が望ましい。
表面上に厚さが約５０オングストローム〜５０００オン
グストロームの接触体接着層４６が沈着される。この接
Ｉｌｌの望ましい厚さは約３００オングストロームであ
る。この接触体接着層は、ニクロム、クロムまたはタン
グステンでつくることもできるが、チタンでつくること
が望ましい。
真空装置の中になおある間に、いま沈着された接触体接
着層の上に、接触体金属化層６８（第６図）が沈着され
る。この接触体金属化層は金またはアルミニウムでつく
ることができる。この接触体金属化層６８は金でつくら
れることが望ましく、その厚さは約１０００オングスト
ローム〜約２０００オングストロームである。
着層の上に、接触体金属化層６８（第６図）が沈着され
る。この接触体金属化層は金またはアルミニウムでつく
ることができる。この接触体金属化層６８は金でつくら
れることが望ましく、その厚さは約１０００オングスト
ローム〜約２０００オングストロームである。
このウェーハが真空装置から取出され、そしてその全表
面がホトレジストの層で被覆される。適当な反転像がこ
のホトレジスト層の上につくられ、それで一対の接触体
バッド７０および７２（第７図）がウェーハに電気メッ
キされ、それらでそれぞれオーム接触体３８および障壁
接触体４０がつくられる。
面がホトレジストの層で被覆される。適当な反転像がこ
のホトレジスト層の上につくられ、それで一対の接触体
バッド７０および７２（第７図）がウェーハに電気メッ
キされ、それらでそれぞれオーム接触体３８および障壁
接触体４０がつくられる。
パッド７０は側方窓５８を完全に埋めており、そしてこ
のパッドは接触体金属化層６８の１対の段差のある層部
分６８８および６８ｂに接合された表面を有している。
のパッドは接触体金属化層６８の１対の段差のある層部
分６８８および６８ｂに接合された表面を有している。
パッド７２は、中央窓３６表面内にあり層６８の１対の
段差のある層部分６８Ｃおよび６８ｄに接合された千円
筒部分を有している。
段差のある層部分６８Ｃおよび６８ｄに接合された千円
筒部分を有している。
パッド７０および７２は接触体金属化層６８と同じ種類
の金属でつくられる。望ましい金属の種類は金であり、
パッド７０の厚さと層部分６８ａの厚さの合計またはパ
ッド７２の厚さと層部分６８Ｇの厚さの合計が約５０，
０００７１ングストロームになるまで、電気メッキによ
り厚くされる。
の金属でつくられる。望ましい金属の種類は金であり、
パッド７０の厚さと層部分６８ａの厚さの合計またはパ
ッド７２の厚さと層部分６８Ｇの厚さの合計が約５０，
０００７１ングストロームになるまで、電気メッキによ
り厚くされる。
前記電気メッキの後、ホトレジスト層が除去され、そし
て第８図に示されているように、接触体金属化層６６の
うち電気メツ１−されたパッド７０および７２の下にな
い部分が］ツチングにより除去される。次に、第９図に
示されているように、接触係接＠層６６のパッド７０お
よび７２の下にない部分がエツチングにより除去される
。このことにより、オーム接触体３８と障壁接触体３８
が互に隔離されて残る。したがって、第８図と第９図を
一緒にみれば、完成したオーム接触体３８は層部分６６
ａ、６６ｂ、６８ａおよび６８ｂとパッド７０で構成さ
れることがわかる。同様に、完成した障壁接触体４０は
層部分６６０，６６６゜６８ｃおよび６８ｄとパッド７
２で構成されることがわかる。最後に、境界層４２のパ
ッド７２の下にない部分（第８図）はエツチングにより
除去され、第９図に示されているように、ショットキ障
壁金属層３６が露出される。この境界層の残った境界層
リング４２ａ（第９図）はショットキ層３６の周縁の上
にある。この境界層リングは、チタンであることが望ま
しい接触体接着層部分６６Ｃが層３６と硫化カドミウム
基板との間につくられるショットキ障壁の性質に影響を
与えないようにする。境界層リング４２ａは絶対必要と
いうわ【′Ｊではなく、接触体接着層６６が層６６ｃと
ショットキ障壁金属層３６との間にオーム形接触体をつ
くらない金属でできている場合には、無くてもよい。
て第８図に示されているように、接触体金属化層６６の
うち電気メツ１−されたパッド７０および７２の下にな
い部分が］ツチングにより除去される。次に、第９図に
示されているように、接触係接＠層６６のパッド７０お
よび７２の下にない部分がエツチングにより除去される
。このことにより、オーム接触体３８と障壁接触体３８
が互に隔離されて残る。したがって、第８図と第９図を
一緒にみれば、完成したオーム接触体３８は層部分６６
ａ、６６ｂ、６８ａおよび６８ｂとパッド７０で構成さ
れることがわかる。同様に、完成した障壁接触体４０は
層部分６６０，６６６゜６８ｃおよび６８ｄとパッド７
２で構成されることがわかる。最後に、境界層４２のパ
ッド７２の下にない部分（第８図）はエツチングにより
除去され、第９図に示されているように、ショットキ障
壁金属層３６が露出される。この境界層の残った境界層
リング４２ａ（第９図）はショットキ層３６の周縁の上
にある。この境界層リングは、チタンであることが望ま
しい接触体接着層部分６６Ｃが層３６と硫化カドミウム
基板との間につくられるショットキ障壁の性質に影響を
与えないようにする。境界層リング４２ａは絶対必要と
いうわ【′Ｊではなく、接触体接着層６６が層６６ｃと
ショットキ障壁金属層３６との間にオーム形接触体をつ
くらない金属でできている場合には、無くてもよい。
次に、このウェーハが、研磨用の工作取付台に、面を下
にして取付けられる。すなわち、このつ工−ハの処理さ
れていない下表面を上にして取付（プられる。これは、
ウェーハの、ト表面上に沈着されてきたいろいろな層の
物質に損傷を与えないために必要なことである。したが
って、研磨用取付台の金属部分とこの検出器が接触しな
いように、工作取付台にある量のワックスが用いられる
。つ工−ハの下表面が適当な厚さ、例えば０．１５ミリ
メートル（０，００６インチ）の厚さまで研磨され、そ
して下表面は上表面を研磨したときに記載したのと同じ
ようにして研磨される。この下表面研磨■稈は、例えば
、硫化カドミウム基板の下表面上にオーム接触体をつく
るための層が沈着さねる場合とか、この装置がす°ンド
イツチ形検出器において用いられる時といった場合にだ
け必要である。さらに、基板の最終的な厚さは重要では
ない。
にして取付けられる。すなわち、このつ工−ハの処理さ
れていない下表面を上にして取付（プられる。これは、
ウェーハの、ト表面上に沈着されてきたいろいろな層の
物質に損傷を与えないために必要なことである。したが
って、研磨用取付台の金属部分とこの検出器が接触しな
いように、工作取付台にある量のワックスが用いられる
。つ工−ハの下表面が適当な厚さ、例えば０．１５ミリ
メートル（０，００６インチ）の厚さまで研磨され、そ
して下表面は上表面を研磨したときに記載したのと同じ
ようにして研磨される。この下表面研磨■稈は、例えば
、硫化カドミウム基板の下表面上にオーム接触体をつく
るための層が沈着さねる場合とか、この装置がす°ンド
イツチ形検出器において用いられる時といった場合にだ
け必要である。さらに、基板の最終的な厚さは重要では
ない。
最終的な厚さが限定されるのは、完成した検出器が比較
的平らなチップの形につくられることが要求されている
場合である。
的平らなチップの形につくられることが要求されている
場合である。
ウェーハの下表面が研磨された後、このウェーハが工作
取付台から取はずされ、そして清浄にされ、乾燥される
。適当な清浄段階と乾燥段階は米国特許第４．０００，
５０２号に記載されている。
取付台から取はずされ、そして清浄にされ、乾燥される
。適当な清浄段階と乾燥段階は米国特許第４．０００，
５０２号に記載されている。
この検出器は赤外線遮蔽構造体３２にピンホールがない
か検査される。このようなピンホールはないことが望ま
しい。それはこのようなピンホールがあると、中央窓５
６以外の位置で硫化カドミウム基板を通る外部光線が入
るからである。このことは、この検出器がＵＶ／ＩＲ勺
ンドイツチ構造体において用いられる時、硫化カドミウ
ム基板の下に置かれた赤外線検出器の正しい動作を妨げ
るであろう。
か検査される。このようなピンホールはないことが望ま
しい。それはこのようなピンホールがあると、中央窓５
６以外の位置で硫化カドミウム基板を通る外部光線が入
るからである。このことは、この検出器がＵＶ／ＩＲ勺
ンドイツチ構造体において用いられる時、硫化カドミウ
ム基板の下に置かれた赤外線検出器の正しい動作を妨げ
るであろう。
このウェーハは基台の上に取付けられ、そして適当な鋸
と？ｉｌ！磨剤を用いて個々の検出器に分割される。１
つの適当な鋸はサウス・ペイ・テクノロジによって製造
されている。この鋸は約０．１２ミリメー１ヘル（０，
００５インチ）の直径をもつ刃を有している。研磨スラ
リはグリセリンと水の中の５ミクロンのアルミナ粉末で
構成することができる。
と？ｉｌ！磨剤を用いて個々の検出器に分割される。１
つの適当な鋸はサウス・ペイ・テクノロジによって製造
されている。この鋸は約０．１２ミリメー１ヘル（０，
００５インチ）の直径をもつ刃を有している。研磨スラ
リはグリセリンと水の中の５ミクロンのアルミナ粉末で
構成することができる。
最後に金導線４６および４８（第１０Ａ図）が、熱圧着
接合または熱音波接合により、それぞれオーム接触体３
８および障壁接触体４０に接合される。導線をこのよう
に高速で接合する装置は市販されており、そしてこの高
速接合はオーム接触体と障壁接触体の両方が基板の同じ
側面上にあるとぎに可能である。それぞれの接触体に導
線を固定するのに、導電性エポキシ接合剤を使う必要が
ない。熱圧着接合法を用いると導線の端部にきのこ膨拡
大部分ができるが、これは金が接触体金属化体として用
いられたとして合接触体パッド７０および７２への接合
を確実なものとＪる。第１ＯＡ＝ ３２− 図には、中央窓５６のまわりの層４２ａ、６６Ｃおよび
６８Ｇの立面図が示されている。
接合または熱音波接合により、それぞれオーム接触体３
８および障壁接触体４０に接合される。導線をこのよう
に高速で接合する装置は市販されており、そしてこの高
速接合はオーム接触体と障壁接触体の両方が基板の同じ
側面上にあるとぎに可能である。それぞれの接触体に導
線を固定するのに、導電性エポキシ接合剤を使う必要が
ない。熱圧着接合法を用いると導線の端部にきのこ膨拡
大部分ができるが、これは金が接触体金属化体として用
いられたとして合接触体パッド７０および７２への接合
を確実なものとＪる。第１ＯＡ＝ ３２− 図には、中央窓５６のまわりの層４２ａ、６６Ｃおよび
６８Ｇの立面図が示されている。
検出器のいろいろな層を堆積する前記工程の結果、基板
３０の上表面の近くに補償層７６（第１０Ａ図）ができ
る。この補償層の下境界平面が、第１０Ａ図において、
点線で示されている。この補償層は、この検出器に過大
電圧が加えられた時、この検出器を保護するアバランシ
ェ領域を構成する。このことは、プローブ、ヘッダ等を
通してこの装置に人が触れた時に起こる静電気の放電の
さいに生ずることがある。保護されていない検出器では
、絶縁体層３４０両側に数百ボルトの電圧が生ずること
がある。このような電圧は絶縁体に誘電体破壊を誘発し
、そして検出器に永久的損傷を与える原因となる。補償
層７６があると、電界が絶縁体層内で成長するよりも速
く、硫化カドミウム基板内で電界が生成する。硫化カド
ミウム基板内の電界がある閾値を越えると、アバランシ
ェ効果により、半導体基板内に導電路がつくられる。
３０の上表面の近くに補償層７６（第１０Ａ図）ができ
る。この補償層の下境界平面が、第１０Ａ図において、
点線で示されている。この補償層は、この検出器に過大
電圧が加えられた時、この検出器を保護するアバランシ
ェ領域を構成する。このことは、プローブ、ヘッダ等を
通してこの装置に人が触れた時に起こる静電気の放電の
さいに生ずることがある。保護されていない検出器では
、絶縁体層３４０両側に数百ボルトの電圧が生ずること
がある。このような電圧は絶縁体に誘電体破壊を誘発し
、そして検出器に永久的損傷を与える原因となる。補償
層７６があると、電界が絶縁体層内で成長するよりも速
く、硫化カドミウム基板内で電界が生成する。硫化カド
ミウム基板内の電界がある閾値を越えると、アバランシ
ェ効果により、半導体基板内に導電路がつくられる。
この電圧が放電すると電流は止み、検出器に対する永久
的損傷は生じない。
的損傷は生じない。
第１１図は本発明の第２実施例であるサンドイッチ形Ｕ
Ｖ／ＩＲ検出器を示している。この検出器の上部分はい
ま記載した第１０Ａ図および第１０Ｂ図のＵ Ｖ検出器
の第１実施例である。このＬＪＶ／ＩＲ検出器の下部分
は、適当なＰＮ接合光電池ダイオードの形をしたＩＲ検
出器である。この適当なダイオードの１つはインジウム
・アンチモン半導体物質を用いたものである。ＩＲ検出
器７８はＵＶ検出器の下表面のすぐ近くに配置されるこ
とが望ましい。換言すれば、ＩＲ検出器を構成するＰ形
半導体物体とＮ形半導体物体がＵＶ検出器の硫化カドミ
ウム基板の下表面に直接に接合されない。ＵＶ検出器の
赤外線遮蔽構造体３２はＩＲ検出器７８の側端より広く
延長されていることが望ましく、したがって、このＩＲ
検出器はＵＶ検出器の中央窓５６を透過した赤外光線の
みを受取る。
Ｖ／ＩＲ検出器を示している。この検出器の上部分はい
ま記載した第１０Ａ図および第１０Ｂ図のＵ Ｖ検出器
の第１実施例である。このＬＪＶ／ＩＲ検出器の下部分
は、適当なＰＮ接合光電池ダイオードの形をしたＩＲ検
出器である。この適当なダイオードの１つはインジウム
・アンチモン半導体物質を用いたものである。ＩＲ検出
器７８はＵＶ検出器の下表面のすぐ近くに配置されるこ
とが望ましい。換言すれば、ＩＲ検出器を構成するＰ形
半導体物体とＮ形半導体物体がＵＶ検出器の硫化カドミ
ウム基板の下表面に直接に接合されない。ＵＶ検出器の
赤外線遮蔽構造体３２はＩＲ検出器７８の側端より広く
延長されていることが望ましく、したがって、このＩＲ
検出器はＵＶ検出器の中央窓５６を透過した赤外光線の
みを受取る。
二酸化シリコンは硫化カドミウム表面とはうまく接合し
ないということはよく知られている。第１２図〜第２０
図に示された本発明の第３実施例はこの問題を解決し、
それにＪ、って、絶縁体層の信頼性が保証される。第１
図〜第２１図のすべての図面において、特に記載する場
合を除き、類似の部品には同じ参照番号がつけられてい
る。第３実施例における製造工程の最初の段階は第１図
および第２図のところで記載した工程段階と同じである
。赤外線遮蔽構造体がつくられた後、ウェーハがスパッ
タリング装置の中に入れられ、そこでウェーハが予熱さ
れ、そして厚さが約１０００オングストロームの比較的
薄い二酸化シリコンの第１層８０（第１２図）がこのウ
ェーハの全表面を被覆するように沈着される。それから
、この層が光食刻法を用いてパターンにつくられ、第１
実施例のところで記載した第１窓５６がつくられる。
ないということはよく知られている。第１２図〜第２０
図に示された本発明の第３実施例はこの問題を解決し、
それにＪ、って、絶縁体層の信頼性が保証される。第１
図〜第２１図のすべての図面において、特に記載する場
合を除き、類似の部品には同じ参照番号がつけられてい
る。第３実施例における製造工程の最初の段階は第１図
および第２図のところで記載した工程段階と同じである
。赤外線遮蔽構造体がつくられた後、ウェーハがスパッ
タリング装置の中に入れられ、そこでウェーハが予熱さ
れ、そして厚さが約１０００オングストロームの比較的
薄い二酸化シリコンの第１層８０（第１２図）がこのウ
ェーハの全表面を被覆するように沈着される。それから
、この層が光食刻法を用いてパターンにつくられ、第１
実施例のところで記載した第１窓５６がつくられる。
スパッタリング装置により硫化カドミウム基板に生じた
損傷は、再び、このウェーハを約２７５℃の温度で約１
５分間焼鈍することにより除去される。
損傷は、再び、このウェーハを約２７５℃の温度で約１
５分間焼鈍することにより除去される。
この焼鈍後、ショットキ障壁金Ｒ層３６と境界金属化層
４２が、第１３図および第１４図に示されているように
、沈着されそして輪郭が定められる。この工程は第４図
および第５図に示された工程と同様である。
４２が、第１３図および第１４図に示されているように
、沈着されそして輪郭が定められる。この工程は第４図
および第５図に示された工程と同様である。
次に、このウェーハが再びスパッタリング装置の中に入
れられ、そして厚さ約４０００オングストロームの比較
的厚い二酸化シリコンの第２層８２（第１５図）が、二
酸化シリコンの第１層８０の上に沈着される。この第２
絶縁体層８２の輪郭を定めて第１窓５６および第２窓５
８をつくるために、光食刻法が再び用いられる。けれど
も、この場合には、二酸化シリコンの第１層８０がエツ
チングされた窓よりも、二酸化シリコンの第２層は少し
小さな活性領域窓５６′を与えるように輪郭が定められ
る。窓５８をつくるために、絶縁体層８０および８２と
層５２の上の層の両方の一部分が１回のエツチング段階
により除去される。
れられ、そして厚さ約４０００オングストロームの比較
的厚い二酸化シリコンの第２層８２（第１５図）が、二
酸化シリコンの第１層８０の上に沈着される。この第２
絶縁体層８２の輪郭を定めて第１窓５６および第２窓５
８をつくるために、光食刻法が再び用いられる。けれど
も、この場合には、二酸化シリコンの第１層８０がエツ
チングされた窓よりも、二酸化シリコンの第２層は少し
小さな活性領域窓５６′を与えるように輪郭が定められ
る。窓５８をつくるために、絶縁体層８０および８２と
層５２の上の層の両方の一部分が１回のエツチング段階
により除去される。
接触体接着層６６および接触体金属化層６８が、第１実
施例の第６図のところで記載したのと同じようにして、
このウェーハの上に沈着される。
施例の第６図のところで記載したのと同じようにして、
このウェーハの上に沈着される。
（第１６図）第１７図に示されているように、接触体パ
ッド７０および７２が電気メッキによりつくられる。第
１実施例のときと同じようにして、第１８図および第１
９図に示されているように、層６６および６８の接触体
パッド７０および７２の下にない部分が次々にエツチン
グにより除去される。このことにより、オーム接触体３
８と障壁接触体４０が万に隔離される。第１９図に示さ
れているように、境界層４２の露出した部分の中央窓５
６内の部分がエツチングにより除去され、境界層リング
４２ａが残る。
ッド７０および７２が電気メッキによりつくられる。第
１実施例のときと同じようにして、第１８図および第１
９図に示されているように、層６６および６８の接触体
パッド７０および７２の下にない部分が次々にエツチン
グにより除去される。このことにより、オーム接触体３
８と障壁接触体４０が万に隔離される。第１９図に示さ
れているように、境界層４２の露出した部分の中央窓５
６内の部分がエツチングにより除去され、境界層リング
４２ａが残る。
最後に、第２０図に示されているように、金導線４６お
よび４８が、第１実施例において行ったように、熱圧着
接合または熱音波接合により、オーム接触体３８および
障壁接触体４０に接合される。第１実施例のところで記
載したのと同じように、このウェーハの下面の処理、ウ
ェーハを裁断して個々の検出器装置にすること、そして
この個個の検出器を検査して完成する。
よび４８が、第１実施例において行ったように、熱圧着
接合または熱音波接合により、オーム接触体３８および
障壁接触体４０に接合される。第１実施例のところで記
載したのと同じように、このウェーハの下面の処理、ウ
ェーハを裁断して個々の検出器装置にすること、そして
この個個の検出器を検査して完成する。
本発明の提案された実施例が記載されたが、そ−３７＝
の機造と工程の詳細について変更の可能であることは当
業者には理解されるであろう。したがって、本発明はこ
のような変更をもその範囲に含み、特許請求の範囲によ
ってのみ限定されるものであると理解しなければならな
い。
業者には理解されるであろう。したがって、本発明はこ
のような変更をもその範囲に含み、特許請求の範囲によ
ってのみ限定されるものであると理解しなければならな
い。
第１図〜第９図は本発明の第１実施例による紫外光線検
出器の構成の各段階を示す一連の垂直断面図。 第１０Ａ図および第１０Ｂ図は第１図〜第９図までに示
されたようにして構成され完成した紫外光線検出器のそ
れぞれ垂直断面図および平面図。 これら図面はまた障壁接触体およびオーム接触体への金
導線の取付法をも示している。 第１１図は本発明の第２実施例に従って構成された紫外
光線／赤外光線検出器サンドイッチの垂直断面図。 第１２図〜第１９図までは、第１図および第２図と一緒
になって、本発明の第３実施例に従って紫外光線検出器
の構成の各段階を示す一連の垂直１９図までに従って構
成され完成した紫外光線検出器の垂直断面図。この図面
はオーム接触体および障壁接触・体に取付けられた金環
線も示している。 ３０ 硫化カドミウム基板 ３２ 赤外線遮蔽構造体 ３４ 絶縁体層 ３６ ショットキ障壁金属化層４０．７２
障壁接触体装置 ３８．７０ オーム接触体装置 ４２ 境界層
出器の構成の各段階を示す一連の垂直断面図。 第１０Ａ図および第１０Ｂ図は第１図〜第９図までに示
されたようにして構成され完成した紫外光線検出器のそ
れぞれ垂直断面図および平面図。 これら図面はまた障壁接触体およびオーム接触体への金
導線の取付法をも示している。 第１１図は本発明の第２実施例に従って構成された紫外
光線／赤外光線検出器サンドイッチの垂直断面図。 第１２図〜第１９図までは、第１図および第２図と一緒
になって、本発明の第３実施例に従って紫外光線検出器
の構成の各段階を示す一連の垂直１９図までに従って構
成され完成した紫外光線検出器の垂直断面図。この図面
はオーム接触体および障壁接触・体に取付けられた金環
線も示している。 ３０ 硫化カドミウム基板 ３２ 赤外線遮蔽構造体 ３４ 絶縁体層 ３６ ショットキ障壁金属化層４０．７２
障壁接触体装置 ３８．７０ オーム接触体装置 ４２ 境界層
Claims (16)
- （１）単結晶硫化カドミウムインゴットから硫化カドミ
ウムの六方晶系結晶のＣ軸に垂直で互いに実質的に平行
な上平面と下平面とをもつたウェーハを切出すスライス
工程と、 平滑な上表面および平滑な下表面を有する基板をつくる
ために前記ウェーハの前記上表面を研磨およびエッチン
グする工程と、 前記基板の前記上表面の上に、赤外光線に対し実質的に
不透明である物質層を備え、その中に第１中央窓を有す
る赤外線遮蔽体を被着する工程およびその輪郭を定める
工程と、 前記赤外線遮蔽体の上に、前記第１中央窓と同じ位置に
ありそしてそれより僅かに小さい第２中央窓および側方
の窓とを有する絶縁体層を被着する工程およびその輪郭
を定める工程と、 前記第２中央窓の中の前記基板部分を完全に被覆するよ
うに、および紫外光線および赤外光線に対し実質的に透
明である程度に十分薄いショットキ障壁金属化層を被着
する工程およびその輪郭を定める工程と、 前記基板の前記上表面の上で前記第２中央窓を通して延
長され、そして前記ショットキ障壁金属化層の大部分を
露出したままにしておく障壁接触体と、および前記基板
の前記上表面の上で前記側方窓を通して延長されている
オーム接触体とを被着する工程およびその輪郭を定める
工程と、の各工程を有するショットキ障壁光検出器の製
造法。 - （２）特許請求の範囲第１項において、前記障壁接触体
が前記基板の前記上表面と前記ショットキ障壁金属層と
の接合でつくられたショットキ障壁の性質に影響を与え
ないために、前記障壁接触体を被着しおよびそのパター
ンを定める前に、前記障壁接触体と前記ショットキ障壁
金属化層との間に、金、タングステン、ニクロム、イリ
ジウム、レニウム、パラジウムおよびロジウムから成る
材料群から選定された材料でつくられた境界層を被着す
る工程およびその輪郭を定める工程をさらに有すること
を特徴とする製造法。 - （３）特許請求の範囲第１項または第２項において、前
記絶縁体が約５００オングストローム乃至約２０，００
０オングストロームの厚さを有する二酸化シリコンでつ
くられることを特徴とする製造法。 - （４）特許請求の範囲第１項から第３項までのいずれか
において、絶縁体層を被着しそしてその輪郭を定める前
記工程段階が 前記赤外線遮蔽体の上に、前記第１中央窓と同じ位置に
それより僅かに小さな第１窓部分を有する二酸化シリコ
ンの第１層を被着する工程およびその輪郭を定める工程
と、 二酸化シリコンの前記第１層の上に二酸化シリコンでつ
くられた第２絶縁体層を被着する工程と、前記第２絶縁
体層内で、前記第１窓部分と同じ位置にそれより僅かに
小さな、前記第１窓部分と一緒になつて前記第２中央窓
を構成する第２窓部分をつくる工程と、 赤外光線に対して実質的に不透明である前記赤外線遮蔽
体内の物質層まで前記第１絶縁体層および前記第２絶縁
体層を通つて延びている前記側方窓をつくる工程と、 を有することを特徴とする製造法。 - （５）特許請求の範囲第１項から第４項までのいずれか
において、前記障壁接触体および前記オーム接触体のお
のおのに一対の金導線の端部を熱圧着により接合する工
程をさらに有することを特徴とする製造法。 - （６）特許請求の範囲第１項から第５項までのいずれか
において、前記赤外線遮蔽体を被着しそしてそのパター
ンを定める前記工程段階がチタン、アルミニウム、マグ
ネシウム、ジルコンおよびハフニウムから成る群から選
定された材料の第１層と第２層ではさまれた金の層の形
成段階を有することを特徴とする製造法。 - （７）特許請求の範囲第１項から第６項までのいずれか
において、前記ショットキ障壁金属化層がパラジウム、
金およびイリジウムから成る群から選定された材料でつ
くられることを特徴とする製造法。 - （８）特許請求の範囲第１項から第７項までのいずれか
において、前記障壁接触体および前記オーム接触体がお
のおのチタン、ニクロム、タングステンおよびクロムか
ら成る群から選定された材料でつくられた下層接触体接
着層と、金およびアルミニウムから成る群から選定され
た材料でつくられた上層接触体パッドとを有することを
特徴とする製造法。 - （９）特許請求の範囲第１項から第８項までのいずれか
において、前記赤外線遮蔽体を被着しおよびその輪郭を
定める前記工程段階が約５０オングストロームから約５
，０００オングストロームまでの厚さのチタンの第１層
および第２層の間にはさまれた約５００オングストロー
ムから約１０，０００オングストロームまでの厚さの金
の層の形成段階を有することを特徴とする製造法。 - （１０）特許請求の範囲第１項から第９項までのいずれ
かにおいて、前記ショットキ障壁金属化層が約５オング
ストロームから約５０オングストロームまでの厚さの白
金でつくられることを特徴とする製造法。 - （１１）特許請求の範囲第２項において、前記境界層が
約１００オングストロームから約３００オングストロー
ムまでの厚さの金でつくられることを特徴とする製造法
。 - （１２）特許請求の範囲第１項から第１１項までのいず
れかにおいて、前記障壁接触体および前記オーム接触体
を被着しそしてその輪郭を定める前記工程段階が、厚さ
が約５０オングストロームから約５，０００オングスト
ロームまでのチタンでつくられた接触体接着層を被着す
る工程と、厚さが約１，０００オングストロームから約
２，０００オングストロームまでの金でつくられた接触
体金属化層を接着する工程と、前記接触金属化層の上に
前記絶縁体層の上まで延長した金でつくられた障壁接触
体パッドおよびオーム接触体パッドを電気メッキする工
程とを有することを特徴とする製造法。 - （１３）特許請求の範囲第４項において、二酸化シリコ
ンの前記第１絶縁体層が二酸化シリコンの前記第２絶縁
体層の厚さに比べて薄いことを特徴とする製造法。 - （１４）特許請求の範囲第１３項において、二酸化シリ
コンの前記第１絶縁体層の厚さが約１，０００オングス
トロームであることと、二酸化シリコンの前記第２絶縁
体層の厚さが約４，０００オングストロームであること
を特徴とする製造法。 - （１５）特許請求の範囲第１項から第１４項までのいず
れかにおいて、前記赤外線遮蔽体を被着しおよびその輪
郭を定める工程段階が約１，５００オングストロームの
厚さをもつたチタンの第１層および第２層の間にはさま
れた約１，５００オングストロームの厚さの金の層の形
成段階を有することを特徴とする製造法。 - （１６）特許請求の範囲第１項から第１５項までのいず
れかにおいて、前記ショットキ障壁金属化層が厚さ約１
５オングストロームの白金でつくられていることを特徴
とする製造法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/128,325 US4319258A (en) | 1980-03-07 | 1980-03-07 | Schottky barrier photovoltaic detector |
| US128325 | 1980-03-07 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62216276A true JPS62216276A (ja) | 1987-09-22 |
| JPH0421353B2 JPH0421353B2 (ja) | 1992-04-09 |
Family
ID=22434786
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3043581A Granted JPS56135983A (en) | 1980-03-07 | 1981-03-03 | Schottky barrier photocell detector |
| JP61315933A Granted JPS62216276A (ja) | 1980-03-07 | 1986-12-25 | シヨツトキ障壁光検出器の製造方法 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3043581A Granted JPS56135983A (en) | 1980-03-07 | 1981-03-03 | Schottky barrier photocell detector |
Country Status (18)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4319258A (ja) |
| JP (2) | JPS56135983A (ja) |
| KR (1) | KR840001796B1 (ja) |
| AU (1) | AU519933B2 (ja) |
| BE (1) | BE887599A (ja) |
| CA (1) | CA1159133A (ja) |
| CH (1) | CH641913A5 (ja) |
| DE (2) | DE3153186C2 (ja) |
| DK (1) | DK157584C (ja) |
| ES (1) | ES8206849A1 (ja) |
| FR (1) | FR2477779B1 (ja) |
| IL (1) | IL62119A (ja) |
| IT (1) | IT1170735B (ja) |
| MY (1) | MY8500875A (ja) |
| NL (1) | NL189790C (ja) |
| NO (1) | NO159627C (ja) |
| PT (1) | PT72551B (ja) |
| SE (1) | SE459055B (ja) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4533933A (en) * | 1982-12-07 | 1985-08-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Schottky barrier infrared detector and process |
| JPS59161083A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-11 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | フオト・ダイオ−ド |
| FR2557371B1 (fr) * | 1983-12-27 | 1987-01-16 | Thomson Csf | Dispositif photosensible comportant entre les detecteurs des zones opaques au rayonnement a detecter, et procede de fabrication |
| JPS60253958A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-14 | Sharp Corp | センサ |
| US4942442A (en) * | 1986-04-11 | 1990-07-17 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Device including a radiation sensor |
| US4789645A (en) * | 1987-04-20 | 1988-12-06 | Eaton Corporation | Method for fabrication of monolithic integrated circuits |
| JPS63183128U (ja) * | 1987-05-18 | 1988-11-25 | ||
| EP0296371B1 (de) * | 1987-06-22 | 1992-12-23 | Landis & Gyr Business Support AG | Photodetektor für Ultraviolett und Verfahren zur Herstellung |
| JPH02149632U (ja) * | 1989-05-22 | 1990-12-20 | ||
| US4990988A (en) * | 1989-06-09 | 1991-02-05 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Laterally stacked Schottky diodes for infrared sensor applications |
| US5557148A (en) * | 1993-03-30 | 1996-09-17 | Tribotech | Hermetically sealed semiconductor device |
| US5406122A (en) * | 1993-10-27 | 1995-04-11 | Hughes Aircraft Company | Microelectronic circuit structure including conductor bridges encapsulated in inorganic dielectric passivation layer |
| KR100211070B1 (ko) * | 1994-08-19 | 1999-07-15 | 아끼구사 나오유끼 | 반도체 장치 및 그 제조방법 |
| DE102005027220A1 (de) * | 2005-06-13 | 2006-12-14 | Siemens Ag | Festkörperdetektor zur Aufnahme von Röntgenabbildungen |
| US9929192B1 (en) | 2016-09-28 | 2018-03-27 | Raytheon Company | Ultraviolet (UV) schottky diode detector having single crystal UV radiation detector material bonded directly to a support structure with proper c-axis orientation |
| US9985058B2 (en) | 2016-09-28 | 2018-05-29 | Raytheon Company | Dual band ultraviolet (UV) and infrared radiation detector |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6244825A (ja) * | 1985-08-22 | 1987-02-26 | Nec Corp | 端末装置 |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2688564A (en) * | 1950-11-22 | 1954-09-07 | Rca Corp | Method of forming cadmium sulfide photoconductive cells |
| US2820841A (en) * | 1956-05-10 | 1958-01-21 | Clevite Corp | Photovoltaic cells and methods of fabricating same |
| US2844640A (en) * | 1956-05-11 | 1958-07-22 | Donald C Reynolds | Cadmium sulfide barrier layer cell |
| DE1223472B (de) * | 1957-10-07 | 1966-08-25 | Lab Fuer Strahlungstechnik G M | Lichtempfindlicher Gleichrichter |
| NL280579A (ja) * | 1961-07-10 | |||
| BE630443A (ja) * | 1962-04-03 | |||
| US3386894A (en) * | 1964-09-28 | 1968-06-04 | Northern Electric Co | Formation of metallic contacts |
| US3571915A (en) * | 1967-02-17 | 1971-03-23 | Clevite Corp | Method of making an integrated solar cell array |
| US3577631A (en) * | 1967-05-16 | 1971-05-04 | Texas Instruments Inc | Process for fabricating infrared detector arrays and resulting article of manufacture |
| US3560812A (en) * | 1968-07-05 | 1971-02-02 | Gen Electric | High selectively electromagnetic radiation detecting devices |
| US3597270A (en) * | 1968-08-15 | 1971-08-03 | Trw Inc | Inverted solid state diode |
| US3806779A (en) * | 1969-10-02 | 1974-04-23 | Omron Tateisi Electronics Co | Semiconductor device and method of making same |
| NL7007171A (ja) * | 1970-05-16 | 1971-11-18 | ||
| DE2112812C2 (de) * | 1971-03-17 | 1984-02-09 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Halbleiterbauelement mit gitterförmiger Metallelektrode und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US3888697A (en) * | 1971-10-23 | 1975-06-10 | Licentia Gmbh | Photocell |
| GB1384028A (en) * | 1972-08-21 | 1974-02-12 | Hughes Aircraft Co | Method of making a semiconductor device |
| US4000502A (en) * | 1973-11-05 | 1976-12-28 | General Dynamics Corporation | Solid state radiation detector and process |
| US3980915A (en) * | 1974-02-27 | 1976-09-14 | Texas Instruments Incorporated | Metal-semiconductor diode infrared detector having semi-transparent electrode |
| JPS50151487A (ja) * | 1974-05-24 | 1975-12-05 | ||
| US4001858A (en) * | 1974-08-28 | 1977-01-04 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Simultaneous molecular beam deposition of monocrystalline and polycrystalline iii(a)-v(a) compounds to produce semiconductor devices |
| DE2445548A1 (de) * | 1974-09-24 | 1976-04-01 | Baldwin Co D H | Photoelement |
| US4016643A (en) * | 1974-10-29 | 1977-04-12 | Raytheon Company | Overlay metallization field effect transistor |
| US3969751A (en) * | 1974-12-18 | 1976-07-13 | Rca Corporation | Light shield for a semiconductor device comprising blackened photoresist |
| US4035197A (en) * | 1976-03-30 | 1977-07-12 | Eastman Kodak Company | Barrier type photovoltaic cells with enhanced open-circuit voltage, and process of manufacture |
| DE2732933C2 (de) * | 1977-07-21 | 1984-11-15 | Bloss, Werner H., Prof. Dr.-Ing., 7065 Winterbach | Verfahren zum Herstellen von Dünnschicht-Solarzellen mit pn-Heteroübergang |
-
1980
- 1980-03-07 US US06/128,325 patent/US4319258A/en not_active Expired - Lifetime
-
1981
- 1981-02-04 CA CA000370052A patent/CA1159133A/en not_active Expired
- 1981-02-09 SE SE8100885A patent/SE459055B/sv not_active IP Right Cessation
- 1981-02-12 IL IL62119A patent/IL62119A/xx not_active IP Right Cessation
- 1981-02-17 AU AU67374/81A patent/AU519933B2/en not_active Ceased
- 1981-02-19 DE DE3153186A patent/DE3153186C2/de not_active Expired
- 1981-02-19 NO NO810570A patent/NO159627C/no unknown
- 1981-02-19 CH CH111581A patent/CH641913A5/fr not_active IP Right Cessation
- 1981-02-19 IT IT47840/81A patent/IT1170735B/it active
- 1981-02-19 DE DE3106215A patent/DE3106215C2/de not_active Expired
- 1981-02-19 KR KR1019810000528A patent/KR840001796B1/ko active
- 1981-02-20 DK DK077181A patent/DK157584C/da active
- 1981-02-20 BE BE1/10145A patent/BE887599A/fr not_active IP Right Cessation
- 1981-02-20 FR FR8103476A patent/FR2477779B1/fr not_active Expired
- 1981-02-20 NL NLAANVRAGE8100868,A patent/NL189790C/xx not_active IP Right Cessation
- 1981-02-20 ES ES499645A patent/ES8206849A1/es not_active Expired
- 1981-02-20 PT PT72551A patent/PT72551B/pt active IP Right Revival
- 1981-03-03 JP JP3043581A patent/JPS56135983A/ja active Granted
-
1985
- 1985-12-30 MY MY875/85A patent/MY8500875A/xx unknown
-
1986
- 1986-12-25 JP JP61315933A patent/JPS62216276A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6244825A (ja) * | 1985-08-22 | 1987-02-26 | Nec Corp | 端末装置 |
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS62216276A (ja) | シヨツトキ障壁光検出器の製造方法 | |
| US4000502A (en) | Solid state radiation detector and process | |
| US6215123B1 (en) | Forming contacts on semiconductor substrates, radiation detectors and imaging devices | |
| EP0279492B1 (en) | Radiation-sensitive semiconductor device | |
| US20030151124A1 (en) | Integrated circuit device | |
| US4355456A (en) | Process of fabricating a Schottky barrier photovoltaic detector | |
| JPH04116986A (ja) | 集積化太陽電池 | |
| CN100466301C (zh) | 半导体受光元件及其制造方法 | |
| US4037311A (en) | Methods of manufacturing infra-red detector elements | |
| JP3361378B2 (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
| US4606115A (en) | Method of manufacturing optically sensitive semiconductor devices including anti-reflective coatings | |
| EP1554759A2 (en) | Formation of contacts on semiconductor substrates | |
| US4616403A (en) | Configuration of a metal insulator semiconductor with a processor based gate | |
| US4449044A (en) | Focal plane photo-detector mosaic array apparatus | |
| GB1568958A (en) | Methods of manufacturing infra-red sensitive devices | |
| JPH0818091A (ja) | 複数のフォトダイオードを有する半導体光電変換素子 | |
| GB2071415A (en) | Schottky Barrier Photovoltaic Detector and Process | |
| US3704375A (en) | Monolithic detector construction of photodetectors | |
| US4729003A (en) | Configuration of a metal insulator semiconductor with a processor based gate | |
| JPS60217671A (ja) | 半導体放射線検出器の製造方法 | |
| JP2664142B2 (ja) | 受光素子の製造方法 | |
| GB1559473A (en) | Manufacturing infra-red detector elements | |
| JP3629360B2 (ja) | 回路内蔵受光素子の製造方法 | |
| JPS5857762A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2883370B2 (ja) | 光起電力装置 |