DE3106215A1

DE3106215A1 - Schottky-sperrschicht-photodetektor und verfahren zu dessen herstellung

Info

Publication number: DE3106215A1
Application number: DE3106215A
Authority: DE
Inventors: Gary L. 91750 La Verne Calif. Harnagel; Joseph M. 91773 San Dimas Calif. Harrison; Gerry T. 92670 Placentia Calif. Laga; Victor A. 14450 Fairport N.Y. Twaddell
Original assignee: General Dynamics Corp St Louis Mo; General Dynamics Corp
Current assignee: Raytheon Co
Priority date: 1980-03-07
Filing date: 1981-02-19
Publication date: 1982-01-21
Also published as: CA1159133A; IT8147840A0; DK157584C; AU6737481A; DE3106215C2; JPS6244825B2; JPS56135983A; NL189790C; PT72551A; ES499645A0; KR840001796B1; NL8100868A; JPH0421353B2; NL189790B; IL62119A; CH641913A5; IL62119A0; BE887599A; IT1170735B; JPS62216276A

Description

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Beschreibung

Die vorliegende Erfindung betrifft Festkörper-Strahlungsdetektoren und Verfahren zur Herstellung derselben. Insbesondere betrifft sie einen verbesserten Platin-Cadmiumsulfid-Schottky-Sperrschicht-Photodetektor und ein Verfahren zu dessen Herstellung.

In höchstentwickelten optischen Systemen - beispielsweise den optischen Leitsystemen für Strahlungssuchende Geschosse - besteht Bedarf für sehr schnelle Festkörper-Strahlungsdetektoren mit hohem Quantenwirkungsgrad. Bei derartigen Systemen muß der Detektor gut auf Strahlung aus dem nahen UV-Bereich ansprechen, gegenüber Strahlung im sichtbaren Spektrum aber im wesentlichen unempfindlich sein.

Für diese Anwendungsfälle hat m'an Siliziumphotodioden vorgeschlagen. Derartige Photodioden sind jedoch auch im sichtbaren Spektrum bis zu etwa 8000 H empfindlich und erfordern daher optische Filter, die die sichtbare Strahlung sperren. Zusätzlich haben diese Detektor-Filter-Kombinationen einen verhältnismäßig niedrigen Quantenwirkungsgrad von beispielsweise 3o% oder weniger.

Man hat auch Festkörper-Strahlungsdetektoren auf Cadmiumsulfidbasis eingesetzt; die bekannten Eigenschaften dieser Cadmiumsulfiddetektoren zeigen jedoch, daß sie primär im sichtbaren Spektrum brauchbar, im UV-Bereich jedoch verhältnismäßig unempfindlich sind. Es ist ein Festkörper-Strahlungsdetektor erwünscht, der auf Strahlung im nahen UV-Bereich und sichtbare Strahlung kurzer Wellenlängen anspricht, für IR-Strahlung jedoch transparent ist. Dies gilt besonders, wenn

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ein solcher Detektor sich mit hohem Quantenwirkungsgrad und verhältnismäßig kleiner optisch aktiver Fläche herstellen läßt, so daß man ihn zusammen mit einer hochauflösenden Optik einsetzen kann. Eine gute IR-Durchlässigkeit erlaubt, den Detektor zusammen mit einem IR-Fühler zu einem Koaxialwandler anzuordnen, der mit einer ungefilterten hochauflösenden Optik zusammen eingesetzt werden kann. Vor kurzem sind Schottky-Sperrschichtdioden auf Cadmiumsulfidbasis als Strahlungsdetektoren vorgeschlagen worden. Allgemein gesagt han'delt es sich bei einer Schottky-Sperrschichtdiode um eine Diode, bei der die Sperrschicht zwischen einem Halbleitermaterial und einem Metallkontakt, nicht zwischen ungleichen Halbleitermaterialien bzw. Trägertypen (wie bei einer herkömmlichen PN-Sperrschicht) ausgebildet ist. Aus dem Stand der Technik ist ein Platin-Cadmiumsulfid-Schottky-Sperrschicht-Photodetektor bekannt, bei dem der ohmsche und der Sperrschichtkontakt auf entgegengesetzten Seiten des Cadmiumsulfidsubstrats angeordnet sind. Dieser Detektor nach dem Stand der Technik zeigt einen guten Quantenwirkungsgrad im UV-Spektrum sowie gute IR-Übertragungseigenschaften.

Der verbesserte Detektor nach der vorliegenden Erfindung ist für die großmatstäbliche Herstellung und Zusammensetzung besser geeignet als der bekannte Detektor. Anstelle von ohmschen und Sperrschichtkontaktanschlüssen auf entgegengesetzten Seiten der Anordnung liegen bei dem neuen Detektor beide Kontakte auf der Oberseite. Organische Isolierschichten aus Photoresistmaterial sind durch harte, anorganische Isolierschichten ersetzt. Weiterhin sind die Kupfer- und Indiummetallisierunqen ersetzt durch Gold-, Titan-, Nichrom- und andere Metallisierungen. Diese Verbesserungen erleichtern das Anbringen der Zuleitunqsdrähte durch schnelle Schweißverfahren, die zuverlässiger sind und den Zeit- und Arbeitsaufwand verringern, der zur Herstellung der elektrischen Kontakte auf der Anordnung erforderlich ist.

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Weiterhin erhält man so eine verbesserte Zuverlässigkeit der Anordnung im ganzen. Das Herstellungsverfahren führt zu einer kompensierten Schicht an der Oberfläche des Cadmiumsulfidsubstrats, die die Anordnung gegen eine angelegte Überspannung schützt.

Die vorliegende Erfindung schafft einen Schottky-Sperrschicht-Photodetektor zur Erfassung von UU- und IR-Strahlung mit einem Cadmiumsulfidsubstrat mit einer Ober- und einer Unterseite, einer IR-Abschirmung auf der Oberseite des Substrats einschließlich einer Materialschicht, die im wesentlichen opak für IR-Strahlung ist, wobei die Abschirmung so umgrenzt ist, daß ein erstes zentrales Fenster in ihr entsteht, mit einer die IR-Abschirmung abdeckenden Isolierschicht mit einem zweiten zentralen Fenster und einem Seitenfenster, wobei das zweite zentrale Fenster geringfügig kleiner als das erste zentrale Fenster, aber ansonsten deckungsgleich mit ihm ist, mit einer Schottky-Sperrschicht-Metallisierung innerhalb des zweiten zentralen Fensters, die den dort befindlichen Teil des Substrats vollständig abdeckt, wobei die Schottky-Sperrschicht-Metallisierung dünn genug ist, daß sie für UU- und IR-Strahlung im wesentlichen transparent wirkt, mit einer über der Oberseite des Substrats angebrachten Einrichtung, die einen Sperrschichtkontakt durch das zweite zentrale Fenster hindurch schafft und einen größeren Teil der Schottky-Sperrschicht-Me till Ii R ie run (j offenläßt, und mit ei nor übnr der O-borno i t c? rli'ü Suh it t r ti I :i niii|rnrdnut rwi Γ ί tu* i rht iifn|, dir cint'ii ilnrili d;i:i Seitenfenster verlaufenden ohmschen Kontakt schafft.

Die vorliegende Erfindung schafft weiterhin ein Uerfahren zur Herstellung eines Schottky-Sperrschicht-Photodetektor*^f;, indem man ein Scheibchen von einem einkristnl 1 inen Π a d m i 11 ni f; 111 f i dt'fii'i(>n ni;hnt» ι dn I , du:i υ im' obrt'F· und riiir /u dicr.iT im wrui-uil

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lichen parallele ebene untere Oberfläche aufweist, die beide rechtwinklig zur C-Achse des Cadmiumsulfid-Hexagonalkristalls liegen, die Oberseite des Scheibchens läppt, poliert und ätzt, um ein Substrat mit glatter Ober- und Unterseite herzustellen, dann auf der Oberseite des Substrats eine IR-Abschirmung ablagert und abgrenzt, einschließlich einer Schicht eines Materials, das im wesentlichen opak für IR-Strahlung ist, wobei die Abschirmung ein erstes zentrales Fenster enthält, auf der IR-Abschirmunq eine Isolierschicht ablagert und abgrenzt, die ein zweites zentrales und ein Seitenfenster enthält, wobei das zweite zentrale Fenster geringfügig kleiner als das erste zentrale Fenster, aber mit ihm sonst deckungsgleich ist, im zweiten zentralen Fenster eine Schottky-Sperrschicht-Metallisierung aufbringt und abgrenzt, so daß sie den dort befindlichen Teil des Substrats vollständig abdeckt, wobei die Schottky-Sperrschicht-Metallisierung so dünn ausführt, daß sie im wesentlichen transparent für UU- und IR-Strahlung ist, und dann einen Sperrschicht- und einen ohmschen Kontakt aufbringt und abgrenzt, die über die Oberseite des Substrats durch das zentrale zweite bzw. das Seitenfenster verlaufen, wobei der Sperrschichtkontakt ' einen wesentlichen Teil der Schottky-Sperrschicht-Metallisierung freilaßt.

Nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird zunächst eine IR-Abschirmung auf der Oberseite eines polierten fehlerfreien Cadmiumsulfidsubtrats ausgebildet. Vorzugsweise besteht sie aus einer Goldschicht (Dicke etwa 15oo A), die für IR-Strahlung opak ist und sich zwischen zwei dünnen Schichten aus Titan (etwa 3oo A) befindet; die Titanschichten dienen dabei als Haftschichten. Die IR-Abschirmung wird zu einer allgemein rechteckigen bzw. quadratischen Gestalt aufgebracht, wobei ein kleiner zentraler Teil des Substrats freibleibt, der den optisch aktiven Bereich bildet. Eine verhältnismäßig dicke

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Schicht als Siliziumoxid (vorzugsweise etwa 5ooo K) deckt die IR-Abschirmung ab, um einen Kurzschluß der nachfolgend aufgebrachten Schichten zu verhindern. Zwei Fenster werden in die Siliziumoxid-Isolierschicht eingeätzt; eines von ihnen deckt sich mit dem zentralen, optisch aktiven Bereich des Substrats, das andere liegt seitlich dieses Bereichs und nimmt später den ohmschen Kontakt auf.

Die Schottky-Sperrschicht-Metallisierung ist vorzugsweise eine sehr dünne Schicht aus Platin, die unmittelbar auf das Substrat aufgebracht wird und das zentrale Fenster in der Siliziumoxidschicht vollständig ausfüllt. Eine Grenzschicht vorzugsweise aus einem Metall wie Wolfram, Nichrom oder Gold liegt' über dem Umfang der Platinschicht und verhindert, daß die Sperrschichtkontaktmetallisierung die Eigenschaften der Schottky-Sperrschicht beeinträchtigt.

Die Sperrschicht-Kontaktmetallisierung setzt sich vorzugsweise aus einer Titan-Haftschicht und einer Goldschicht zusammen. Die Dicke der Goldschicht wird galvanisch auf etwa 3o.ooo 8 erhöht. Der ohmsche Kontakt wird zur gleichen Zeit wie der Sperrschichtkontakt ausgebildet. Das in die Siliziumdioxidschicht gleichzeitig mit dem zentralen Fenster eingeätzte zweite Fenster erlaubt dem Metall des ohmschen Kontaktes, die IR-Abschirmung zu berühren. Die IR-Abschirmung steht ihrerseits infolge der unteren Titan-Haftschicht in ohmschen Kontakt mit dem Cadmiumsulfidsubstrat. Goldzuleitungsdrähte werden auf die Oberflächen der Goldteile des ohmschen und des Sperrschichtkontakts nach Wärmedruck- oder Wärmeschallverfahren befestigt.

Die Fig. 1-9 zeigen an einer Reihe von Vertikalschnitten die

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verschiedenen Stufen des Aufbaus eines UV-Detektors nach einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. loA, loB sind ein Vertikalschnitt bzw. eine Draufsicht des fertigen UV-Detektors nach den Fig. 1-9; diese Darstellungen zeigen auch die Anbringung der Goldzuleitungsdrähte am Sperrschicht- und am ohmschen Kontakt;

Fig. 11 ist ein Vertikalschnitt einer UV/IR-Detektor-

schichtanordnung nach einer zweiten Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 12 - 19 sind Vertikalschnitte und zeigen zusammen mit Fig. 1 und 2 die verschiedenen Stufen des Aufbaus eines UV-Detektors nach einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;

Fig. 2o ist ein Vertikalschnitt des vollständigen UV-Detektors nach den Fig. 1, 2 und 12 - 19; diese Darstellung zeigt die Anbringung der Goldzuleitungsdrähte am ohmschen und am Sperrschichtkontakt .

Eine erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist in ihren verschiedenen Fertigungsstufen in den Fig. 1-9, loA und loH gezeigt. Die Fig. loB zeigt dabei den Gesamtaufbau des Detektors am besten. Er weist ein flaches Rechteck aus einem Cadmiumsulfidsubstrat 3o mit einer kleinen rechteckigen

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IR-Abschirmung 32 auf, die unmittelbar auf das Substrat aufgebracht und deren Umriß gestrichelt gezeigt ist. Eine Isolierschicht 34 aus Siliziumdioxid deckt die IR-Abschirmung ab. Eine dünne Schottky-Sperrschicht-Metallisierung 36 ist unmittelbar auf das Cadmiumsulfidsubstrat in einem optisch aktiven zentralen Bereich aufgetragen, den die isolierte IR-Absrhinnunq umgibt. Der ohmsche und der Sperrschichtkontakt 38 bzw. 4o berühren die IR-Abschirmung und einen Grenzschichtring 42a (Fig. loA) auf dem Umfang der Schicht 36 durch separate Fenster in der SiO^-Isolierschicht hindurch. Wie die Fig. loA, loB zeigen, ist der Sperrschichtkontakt 4o im wesentlichen zylindrisch ausgeführt. Er verläuft innerhalb des zentralen Fensters in der Isolierschicht und läßt einen wesentlichen Teil der Schottky-Schicht 36 frei. Zwei Ansätze 44 verlaufen von gegenüberliegenden Seiten des Rings ab. Goldzuleitungsdrähte 46, sind an den ohmschen und den Sperrschichtkontakt 38 bzw. angebracht, wobei die Zuleitung 48 an einem der Ansätze 44 des Sperrschichtkontakts befestigt ist.

Bei dem in den Fig. loA, loB gezeigten Detektor handelt es sich um ein mikroelektronisches Bauelement. Beispielsweise mißt die Isolierschicht 34 auf einer Seite o,952 mm (o,o38 in.), während der offenliegende Teil der Schottky-Sperrschicht-Metallisierung 36 einen Durchmesser von o,lo2 mm (o,oo4 in.) haben kann. In sämtlichen Figuren sind die relativen Abmessungen der verschiedenen Schichten verzerrt dargestellt, um das Verständnis des Aufbaus der dargestellten Ausführungsformen zu erleichtern. Weiterhin sind in den Fig. 2-9 und 12 die einzelnen Schichtkanten im zentralen Fenster nicht durchgezogen, um die Darstellung nicht zu überlasten.

Anhand der Fig. 1-9 und loA sollen nun die monoilithische Struk-

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tür der ersten Ausführungsform sowie das Verfahren zu deren Ausbildung erläutert werden. Wie einzusehen ist, wird eine Vielzahl der Detektoren gleichzeitig auf einem einzigen Halbleiterplättchen in einer geeigneten Anordnung - beispielsweise einer 5x5-Matrix - hergestellt. Ein Scheibchen geeigneter Dicke - beispielsweise 1 mm - wird von einem Cadmiumsulfid-Einkristallbarren abgeschnitten, wie er von den Firmen Eagle-Picher oder Cleveland Crystals Company erhältlich ist. Ein solches Metrial ist als N-dotiert mit einem spezifischen Widerstand von 1 bis 2o Ohm.cm, einer Sperrschichtkonzentration von Io bis Io cm" und einer Trägerbeweglichkeit von

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mindestens 2oo cm .v s angegeben. Die bevorzugte Schnittarientierunq ist derart, daß die C-Achse des hexagonalen Kristalls rechtwinklig zur Scheibchenoberfläche liegt, wie in Fig. 1 gezeigt. Dieses Scheibchen bildet das Cadmiumsulfidsubstrat 3o des Detektors. Im Folgenden wird das Bezugszeichen 3o für sowohl das Scheibchen als auch das Substrat verwendet. Das Scheibchen wird zunächst in einer Lösung aus Salzsäurelösung geätzt, um die positiv und negativ orientierte Seite des Scheibchens, d.h. die schwefelreiche und die cadmiumreiche Seite des Scheibchens (vergl. Fig. 1) festzulegen.

Dann befestigt man das Scheibchen 3o auf einer Arbeitsvorrichtung und läppt es flach auf eine geeignete Dicke - beispielsweise etwa o,51 bis etwa o,76 mm (o,o2o bis o,o3 in.). Die Dicke des Cadmiumsulfidsubstrats kann auch weit über diesen Bereich hinaus unterschiedlich gewählt werden, ohne die photoelektrischen Eigenschaften des Detektors zu beeinträchtigen. Zum Läppen kann das Scheibchen auf einen Läpphalter befestigt und auf eine herkömmliche drehende Läpplatte aus Stahl gespannt werden. Eine Aufschlämmung beispielsweise aus Aluminiumoxidpulver einer Teilchengröße von 5 um in MICRO-ÖL Nr. 1 wird in Abutänden von 5o s aufgebracht. Man kann das Scheibchen auf

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beiden Seiten läppen, um parallele Oberflächen zu erhalten; und läppt, bis die gewünschte Dicke erreicht ist.

Nach dem Läppen wird das Scheibchen mit einem filzartigen Poliertuch auf einem drehenden Rad poliert. Dabei erfolgt die Politur anfänglich mit einem 1 ljm-Diamantpoliermittel, dann zur Endpolitur mit einem 1/4 iim-Poliermittel. Vorzugsweise reinigt man die zur Politur verwendete Vorrichtung zwischen den Polierschritten, um eine Verschmutzung durch das zuvor verwendete Schleifmittel zu verhindern. Es ist einzusehen, daß die verschiedenen Schichten des Detektors nur auf die · Oberseite des Scheibchens aufgebracht werden; deshalb braucht das Scheibchen an der Unterseite nicht geläppt oder poliert zu werden.

Zur abschließenden Vorbereitung des Scheibchens verwendet man eine Ätzpolitur, die nicht als Einkristall vorliegendes Cadmiumsulfid von der Scheibchenoberfläche entfernt und dieser eine glatte spiegelartige Qualität erteilt, die im wesentlichen von Fehlerstellen frei ist. Ein Rad mit Seitenwänden wird verwendet, das eine Atzpoliturlösung enthält, deren aktiver Bestandteil Salpeter- oder Salzsäure ist. Nach dem Ätzpolieren wird das Scheibchen abgespült, gereinigt und getrocknet .

Nach der Vorbereitung setzt man das Scheibchen auf einen Träger, bei dem es sich typischerweise um ein Glasplattehen von 25,4 χ 25,4 χ ο,8 mm (1 χ 1 χ ο,ο32 in.) handelt, um seine Handhabung zu erleichtern, und setzt das das Scheibchen tragende Glasplättchen in ein herkömmliches Bedampfungsgerät ein. Die folgende Diskussion wird sich mit der Ausbildung eines einzigen Detektors auf dem Cadmiumsulfidscheibchen be-

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fassen; es ist jedoch einzusehen, daß eine Vielzahl solcher Detektoren gleichzeitig an verschiedenen Stellen auf dem Scheibchen ausgebildet wird.

In der Bedampfungseinrichtung werden verschiedene Materialschichten auf das Cadmiumsulfidsubstrat 3o aufgebracht, um die IR-Abschirmung 32 (Fig. 2) auszubilden. Die Beschichtungstemperaturen können im Bereich von etwa 2q C bis etwa 275 C liegen, und zwar abhängig von der Art des aufzubringenden Materials. Die IR-Abschirmung wird auf der cadmiumreichen Oberseite des Cadmiumsulfidsubstrats ausgebildet. Vorzugsweise ist die IR-Abschirmung eine für IR-Strahlung opake Goldschicht 5o zwischen zwei dünnen Schichten 52 eines Haftmetalls. Die Goldschicht kann etwa 5oo A bis etwa lo.ooo A dick sein; ist die Schicht 5o aus Gold, ist sie vorzugsweise etwa 15oo A dick. Das Haftmetall ist vorzugsweise Titan, kann aber auch Aluminium, Magnesium, Zirkon, Hafnium oder Legierungen in verschiedenen Kombinationen dieser Metalle sein. Vorzugsweise befindet die Goldschicht sich zwischen zwei verhältnismäßig dünnen Schichten aus Titan, die jeweils etwa 5o A bis etwa 5ooo A, vorzugsweise jeweils 3oo A dick sind.

Herkömmliche photolithografische Verfahren werden verwendet, um die drei Metallschichten, die gemeinsam die IR-Abschirmung darstellen, identisch rechteckig zu formen und ein rundes zentrales Fenster 54 (Fig. 2) herzustellen, d.h. den optisch aktiven Bereich darstellt, durch den die IR-Strahlung hindurchtreten kann.

Nach dem Auslegen der IR-Abschirmung setzt man das Scheibchen in eine Sputterapparatur ein und bringt eine Schicht aus Si-

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liziumdioxid als isolierende Schicht 34 (Fig. 3) auf. Eine geeignete Sputtereinrichtung wird von der Fa. Balzer's High Vacuum Company hergestellt. Die Siliziumdioxid-Isolierschicht deckt die IR-Abschirmung ab und kann eine Dicke von etwa 5oo bis etwa 2o.ooo A, vorzugsweise etwa 5ooo Ά haben.

Herkömmliche photolithographische Verfahren werden eingesetzt, um das gewünschte Isolierschichtmuster herzustellen. Die Isolierschicht 34 (Fig. loB) ist allgemein rechteckig bzw. quadratisch und enthält ein erstes und ein zweites Fenster. Das erste Fenster 56 (Fig. 3) entspricht in seiner Lage und Gestalt insgesamt dem ersten Fenster 54 (Fig. 2) in der IR-Abschirmung 32, wobei jedoch das Fenster 56 etwas kleiner ist. Mit anderen Worten: Das zweite zentrale Fenster 56 ist deckungsgleich mit dem, aber etwas kleiner als das erste zentrale Fenster 54; beide haben eine runde Gestalt. Es wird darauf hingewiesen, daß in der Fig. 2, 3 die Isolierschicht 34 die Innenkanten der IR-Abschirmüng am Fenster 54 überlappt und das Cadmiumsulfidsubstrat 3o berührt. Das zweite Fenster 58 (Fig. 3) in der Isolierschicht 34 liegt vom ersten Fenster beabstandet und nimmt den ohmschen Kontakt 38 (Fig. loB) auf, wie unten erläutert. Beim Ätzen der Isolierschicht 34 zur Herstellung des Fensters 58 wird ein kleiner Teil der obersten Schicht 52 entfernt.

Heim S|)ii 1.1 urn winl die· (Ibi· iül¹ j I c de:.; Γ.ίιΙιιι ι unit; 11 L I Ldsubt; I r;i Iu beschädigt, was die Leistungsfähigkeit des Detektors beeinträchtigen kann. Diese Beschädigung wird beseitigt, indem man das Scheibchen bei einer qee itjnut.en Toniperatu r i'iir oine l)(!:;l immlrc l)mi(>r rjlüht: ( ";πιιη>;ι I i ri(j" ) , - be i r,\i i <> I :;w(> i im I'· min In· ι 1'Iu₁I ','/'»"Γ.

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Nach dem Glühen wird eine dünne Schicht aus Photoresist als Abhebemaske 60 (Fig. 4) für die Schottky-Sperrschicht-Metallisierung aufgebracht. Diese Abhebemaske deckt das Scheibchen mit Ausnahme des zentralen Fensters 56 und der inneren Schulter 62 der Isolierschicht 34 ab. Um die Abhebemaske auszubilden, kann man eine Photoresistschicht auf die gesamte Scheibchenoberfläche aufbringen und sie dann dort maskieren, wo das Photoresistmaterial verbleiben soll; dann bestrahlt man den zentralen Teil mit UV.-Licht, entwickelt das bestrahlte Photoresistmaterial und löst es chemisch ab, so daß das zentrale Fenster 56 und die Schulter 62 freibleiben .

Nach der Ausbildung der Abhebemaske wird das Scheibchen in eine herkömmliche Vakuumapparatur eingesetzt, in der auf die gesamte Oberfläche des Sch.eibchens (nicht gezeigt) durch Elektronenstrahlbedampfung zwei Metallisierungsschichten aufgebracht werden. Dann löst man die Photoresist-Abhebemaske 60 durch Aufsprühen eines Strahls von Aceton auf die Scheibchenoberfläche ab. Dabei entfernt man auch die beiden Metallisierungsschichten - außer im zentralen Fenster der Photoresist-Abhebemaske, wie in Fig. 5 gezeigt. In dieser Figur ist die untere der beiden Metallisierungsschichten, die teilweise unmittelbar auf dem Substrat 3o aufliegt, die Schottky-Sperrsch.i oht-Metallisierunq 36, die obere der beiden Schichten die Grenzschicht 42. Es ist wichtig, daß die Schicht 36 den gesamten offenliegenden Bereich des Substrats im Fenster 56 (Fiq. 4) abdeckt. Daher wird die Abhebemaske so abgegrenzt, daß sowohl das Fenster 56 als auch die Schulter 62 unbedeckt bleiben. Auf diese Weise erhält man ein Paar ringförmige Schichten 36', 42' (Fig. 5) auf der Schulter 62. Wie im folgenden erläutert, wird der Mittelteil der Grenzschicht 42 weggeätzt und der Randbereich bIeibt zurück (42a in Fiq. 9),

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damit die Sperrschicht-Kontaktmetallisierunq nicht die Eigenschaften der Schottky-Sperrschicht beeinträchtigen kann, die sich an der Grenze zwischen Metallschicht 36 und Cadmiumsulfidsubstrat 3o bildet.

Die Schottky-Sperrschicht-Metallisierung 36 läßt sich aus Platin, Gold, Iridium oder Legierungen in verschiedenen Kombinationen dieser Metalle ausbilden. Vorzugsweise ist die Schicht 36 aus Platin hergestellt; sie muß dünn genug sein, daß sie für sowohl UU- als auch IR-Strahlung im wesentlichen transparent ist.

Wo die Schicht 36 aus Platin ausgebildet ist, kann sie eine Dicke von etwa 5 S bis etwa 5o S, vorzugsweise von J¹J R¹ haben, Die Tiefe des 'Platins wird auf + 5 A genau eingestellt; die diesbezüglichen Messungen erfolgen mit einem Talystep-I-Profilometer.

Die Grenzschicht 42 kann aus Gold, Wolfram, Nichrom, Iridium, Rhenium, Paladium, Rhodium oder Legierungen in unterschiedlichen Kombinationen derselben ausgebildet werden. Vorzugsweise besteht die Schicht 42 aus Gold in einer Dicke von etwa loo bis etwa 3oo A. Die Schichten 36 und 42 dürfen auf keinen Fall aus dem gleichen Metall bestehen.

Dann setzt man das Scheibchen 3o erneut in die Vakuumapparatur ein und erwärmt es dort auf eine geeignete Temperatur zwischen etwa 2o°C und etwa 235°C, abhängig von der Art der eingesetzten ohmschen und Sperrschicht-Kontaktmetallisierung; vorzugsweise erwärmt man auf etwa 175⁰C. Danach trägt man auf die gesamte Oberfläche des Scheibchens eine Kontakthaftschicht

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66 (Fig. 6) in einer Dicke von etwa 5o A bis etwa 5ooo A, vorzugsweise etwa 3oo A auf. Vorzugsweise bildet man diese Kontakthaftschicht aus Titan aus; auch Nichrom, Chrom oder Wolfram sind geeignet. Während des Aufenthalts in der Vakuumapparatur wird eine Kontaktmetallisierung 68 (Fig. 6) auf die gerade aufgebrachte Kontakthaftschicht aufgetragen; diese Kontaktmetallisierung kann aus Gold oder Aluminium bestehen. Vorzugsweise besteht die Kontaktmetallisierung 68 aus Gold in einer Dicke von etwa looo bis etwa 2ooo. A.

Danach nimmt man das Scheibchen aus der Vakuumapparatur heraus und beschichtet es auf der gesamten Oberfläche mit Photoresist (nicht gezeigt). In dieser Photoresistschicht wird ein geeignetes Umkehrbild hergestellt, so daß ein Paar Kontaktflächen 7o, 72 (Fig. 7) galvanisch auf das Scheibchen aufgebracht werden kann, um den ohmschen und den Sperrschichtkontakt 38 bzw. 4o herzustellen, wie gezeigt.

Das Kontaktelement 7o füllt das Seitenfenster 50 vollständig aus und hat Flächen, die mit einem Paar gestufter Schichtteile 68a, 68b der Kontaktmetallisierunq 68 verbunden sind. Das Kontaktelement 72 hat unten einen zylindrischen Ansatz, der im zentralen Fenster 36 sitzt und mit seinen Flächen mit zwei gestuften Schichtteilen 68c, 68d der Schicht 68 verbunden ist.

Die Kontaktflächen bzw. -elemente 7o, 72 sind aus der gleichen Art Metall wie die Kontaktmetallisierung 68 hergestellt - vorzugsweise aus Gold, das galvanisch aufgebracht wird, bis die gemeinsame Dicke des Knntaktelernen ts und des Schicht teils 68a

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bzw. des Kontaktelements 72 und des Schichtteils 68c etwa 5o.ooo A beträgt.

Nach dieser galvanischen [Behandlung entfernt man das Photoresistmaterial und ätzt, wie in Fig. 8 gezeigt, denjenigen Teil der Kontaktmetallschicht 66 weg,die nicht unter den galvanisch aufgebrachten Kontaktelementen 7o, 72 liegen. Danach ätzt man die nicht unter den Elementen 7o, 72 liegenden Teile der Kontakthaftschicht 66 weg, wie in Fig. 9 gezeigt. Auf diese Weise bleiben der ohmsche und der Sperrschichtkontakt 38 bzw. 4o voneinander isoliert. Betrachtet man Fig. 8 und 9 gemeinsam, ist einzusehen, daß der vollständige ohmsche Kontakt 38 aus den Schichtteilen 66a, 66b, 68a und 68b sowie dem Kontaktelement 7o besteht, entsprechend der vollständige Sperrschichtkontakt 4o aus den Schichtteilen 66c, 66d, 68c und 68d und dem Kontaktelement 72. Schließlich ätzt man denjenigen Teil der Grenzschicht 42 (Fig. 8) weg, der nicht unter dem Kontaktelement 72 liegt; auf diese Weise wird die Schottk> Sperrschicht-Metallisierung 36 freigelegt, wie in Fig. 9 gezeigt. Der verbleibende Ring 42a (Fig. 9) der Grenzschicht überdeckt den Rand der Schottkyschicht 36. Er verhindert, daß der Teil 66c der - vorzugsweise aus Titan bestehenden - Kontakthaftschicht die Eigenschaften der zwischen der Schicht und dem Cadmiumsulfidsubtrat 3o gebildeten Schottky-Sperrschicht beeinträchtigt. Der Grenzschichtring 42a ist nicht unbedingt erforderlich und kann entfallen, wo die Kontakthaftschicht 66 aus einem Metall besteht, dns keinen ohmschen Kontakt zwischen der Schicht 66c und der Metallschicht 36 (Schottky-Sperrschicht) bildet.

Danach setzt man das Scheibchen mit der Oberseite nach unten auf eine zum Läppen geeignete Arbeitsvorrichtung auf, so daß

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die unbearbeitete Unterseite des Scheibchens obenliegt. Die zuvor auf der Oberseite des Scheibchens aufgebrachten Materialschichten dürfen nicht beschädigt werden. Daher trägt man eine Wachsschicht auf die Vorrichtung auf, so daß der Detektor die Metallteile der Läppvorrichtung nicht berühren kann Die Unterseite des Scheibchens wird nun auf eine geeignete Dicke - beispielsweise o,15 mm (0,006 in.) - abgeläppt und dann poliert, wie oben zum Polieren und Läppen der Oberseite beschrieben. Es ist jedoch einzusehen, daß die Unterseite nur geläppt und poliert zu werden braucht, wenn dort Schichten auf getragen werden sollen - beispielsweise zur Ausbildung ohmscher Kontakte auf der Unterseite des Cadmiumsulfidsubstrats oder wenn die Anordnung in einem schichtartig aufgebauten Detektor verwendet werden soll.

Weiterhin ist die Enddicke des Substrats nicht kritisch; sie ist nur in dem Sinn begrenzt, daß der fertige Detektor in Form eines verhältnismäßig flachen Plätt-chens vorliegen soll.

Nachdem man die Unterseite des Scheibchens geläppt und poliert hat, nimmt man das Scheibchen aus der Arbeitsvorrichtung her- j

aus und reinigt und trocknet es; geeignete Reinigungs- und !

Trockenschritte sind in der US-PS 4.ooo.5o2 beschrieben. j

Dann prüft man den Detektor auf Feinstlöcher in der IR-Abschir- ' mung 32. Derartige Feinstlöcher sind unerwünscht, da sie das Hindurchtreten von außen kommender Strahlung durch das Cadmiums υlfidssubtrat auch anderswo als im zentralen Fenster 0 6 gestatten; dio:>£? stört aber die Funkt inn eines IR-I-ü niers, der unter dem Cadmiumsulfidsubtrat sich befindet, wenn der Detektor Teil eines UV/IR-Schichtaufbaus ist.

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Man legt nun das Scheibchen auf ein Podest auf und zerteilt es mit einer geigneten Säge und Schleifmittelaufschlämmung zu einzelnen Detektoren. Eine geeignete Säge wird von der Fa. South Technology hergestellt; sie hat eim> Klinge mit einem Durchmesser von etwa o,13 mm (o,oo5 in.). Die Schleifmittelauf schlämmung kann aus 5 Jum-Aluminiumoxidpulver in Glycerol und Wasser bestehen.

Schließlich bringt man die Gold-Anschlußdrähte 46, 48 (Fig. loA) an dem ohmschen und dem Sperrschichtkontakt 36,· 4o durch Wärmedruck- der Wärmeschall-Verbindungsverfahren an. Es sind Geräte im Handel, die gestatten, die Zuleitungen auf diese Weise mit hoher Geschwindigkeit anzubringen; das Herstellen der Verbindung mit hoher Geschwindigkeit wird dadurch erleichtert, daß sowohl der ohmsche als auch der Sperrschichtkontakt sich auf der gleichen Seite des Substrats befinden. Leitfähiges Epoxyharz zum Festlegen der Kontakte ist nicht erforderlich. Das Wärmedruckverfahren führt zur Ausbildung von pilzartigen Zipfeln 74 an den Enden der Drähte, die fest mit den Gold-Kontaktelementen 7o, 72 verbunden sind (sofern Gold für die Kontaktmetallisierung eingesetzt wurde). In der Fig. loA sind die Aufrißkonturen der Schichten 42a, 66c und 68c um das Zentral fenster 56 herum durchgezogen dargestellt.

Der oben erläuterte Prozeß, nach dem die verschiedenen Schichten des Detektors aufgebaut werden, ergibt die Ausbildung einer kompensierten Schicht 76 (Fig. loA) an der Oberseite des Substrats 3o; ihre untere Grenzebene ist in Fig. loA gestrichelt gezeigt. Diese kompensierte Schicht bildet einen Lawinenbereich, der den Detektor schützt, sollte die anliegende Spannung zu hoch werden - beispielsweise wenn statische Elektrizität sich von einer Person in die Anordnung

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über mit ihr verbundene Kontakte - beispielsweise Sonden usw. - entladen. An einem ungeschützten Detektor kann in diesem Fall eine Potentialdifferenz von mehreren hundert Volt über der Isolierschicht 34 auftreten, die zu einem dielektrischen Durchbruch der Isolierschicht führt und den Detektor I permanent beschädigen kann. Die kompensierte Schicht 76 er- j laubt dem elektrischen Feld im Cadmiumsulfidsubstrat, sich |

schneller aufzubauen als in der Isolierschicht. Übersteigt das elektrische Feld im Cadmiumsulfidsubstrat einen bestimmten Schwellwert, bildet sich im Halbleitersubstrat infolge eines Lawineneffekts ein Leitungspfad. Fntlädt das Potential sich, fin (J c I kr: in SLroinfluü mehr statt; der Detektor kann keinen permanenten Schaden nehmen.

Die Fig. 11 zeigt eine zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung in Form einer UV/IR-Detektorschichtung. Der obere Teil dieses Detektors ist die erste Ausführungsform des UV-Detektors nach Fig. loA, wie eben beschrieben. Der untere Teil des UV/IR-Detektors ist ein IR-Fühler 78 in Form einer geeigneten PN-Sperrschicht-Photodiode. Eine geeignete Diode verwendet Indiumantimonid-Halbleitermaterlalien. Vorzugsweise ist der IR-Fühler 78 eng beabstandet zur Unterseite des UV-Detektors angeordnet. Mit anderen Worten: die P- und N-Halbleitermaterialien, die den IR-Fühler bilden, sind nicht unmittelbar mit der Unterseite des Cadmiumsulfidsubstrats des UV-Detektors verbunden. Die IR-Abschirmung 32 des UV-Detektors verläuft vorzugsweise über die Seitenkanten des IR-Fühlers 78 hinaus, so daß dieser Fühler IR-Strahlung nur durch das zentrale Fenster 56 des UV-Detektors hindurch aufnimmt.

Wie man weiO, zeiqb Si1iziumdioxid auf einigen Cadmiumsulfidoberflüchen schlechte Bindeeigenschaften. Die dritte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, die In den Fig. 12-2o

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gezeigt ist, überwindet dieses Problem und gewährleistet dadurch die Zuverlässigkeit der Isolierschicht. In den Fig. 1 - 2 0 sind gleiche Teile mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet, sofern nicht anders angegeben. Die anfänglichen Schritte im Verfahren zur Ausbildung der dritten Ausführungsform sind die gleichen, die oben zu den Fig. 1 und 2 erläutert worden sind. Nachdem die IR-Abschirmung 32 ausgebildet worden ist, setzt man das Scheibchen in eine Sputterapparatur ein, in der man es vorwärmt und dann eine erste, verhältnismäßig dünne Schicht 8o aus Siliziumdioxid (Fig. 12) in einer Dicke von etwa looo A aufbringt, so daß sie die gesamte Oberfläche des Scheibchens bedeckt.

Diese Schicht wird dann nach photolithographischen Verfahren so gemustert, daß das erste Fenster 58 entsteht, wie oben zur ersten Ausführungsform beschrieben worden ist. Auch hier beseitigt man beim Sputtern auf dem Cadmiumsulfidsubstrat entstehende Schaden durch etwa 15-minütiges Glühen des Scheibchens bei einer Temperatur von etwa 275 C.

Nach dem Glühen bringt man die Schottky-Sperrschicht-Metallisierung 36 sowie die Grenzschichtmetallisierung 42 auf bzw. grenzt sie ab, wie in Fig. 13, 14 gezeigt, wobei die Verfahrensschritte den zu den Fig. 4, 5 erläuterten entsprechen.

Danach setzt man das Scheibchen erneut in die Sputterapparatur ein und bringt auf die erste Schicht 8o aus Siliziumdioxid eine zweite, verhältnismäßig starke Schicht 82 aus Siliziumdioxid (Fig. 15) zu einer Dicke von etwa 4ooo A auf. Wiederum verwendet man photolithographische Verfahrensweisen,

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um die zweite Isolierschicht 82 abzugrenzen und so das erste und das zweite Fenster 56, 58 herzustellen. In diesem Fall wird jedoch die zweite Siliziumdioxidschicht so abgegrenzt, daß man ein geringfügig kleineres Fenster 56' mit geringfügig kleinerer aktiver Fläche erhält als in die erste Siliziumdioxidschicht 8o eingeätzt worden ist. Mit einem einzigen Ätzschritt beseitigt man Teile der Isolierschicht 8o und auch 82 sowie der oberen der Schichten 52, um das Fenster 58 herzustellen.

Die Kontakthaftschicht 66 und die Kontaktmetallisierung 68 werden auf das Scheibchen (Fig. 16) so aufgebracht, wie oben zur Fig. 6 der ersten Ausführungsform beschrieben. Die Kontaktflächen bzw. -elemente 7o, 72 erzeugt man galvanisch, wie in Fig. 17 gezeigt. Entsprechend der ersten Ausführungsform ätzt man diejenigen Teile der Schichten 66, 68 nacheinander weg, die nicht unter den Kontakten 7o, 72 liegen; vergleiche Fig. 18, 19. Auf diese Weise werden die ohrnsche und der Sperrschichtkontakt 38 bzw. 4o voneinander isoliert. Wie die Fig. 19 zeigt, ätzt man den freiliegenden Teil der Grenzschicht im zentralen Fenster 56 weg, so daß der Grenzschichtring 42a zurückbleibt·

Schließlich befestigt man, wie in Fig. 2o gezeigt, die CoId-Zuleitungsdrähte 46, 48 am ohmschen und am Sperrschichtkontakl·. 58 bzw. 4o durch Wärmedruck- oder Wärmeschal 1-Verb ί η-dungsverfahren, wie in der ersten Ausführungsform. Die Behandlung der Unterseite des Scheibchens,das Aufteilen des Scheibchens zu einzelnen Detektoren und das abschließende Testen jedes einzelnen Detektors können dann ao erfolgen, win oben zur ersten Ausführungsform zusammenfassend dargestellt.

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Schottky-Sperrschicht-Photodetektor und Verfahren zu dessen

Herstellung

Patentansprüche

Ij. Schottky-Sperrschicht-Photodetektor zum Erfassen von UV- und IR-Strahlung, gekennzeichnet durch ein
Cadmiumsulfidsubstrat mit einer Ober- und einer Unterseite, eine IR-Abschirmung auf der Oberseite des Substrats mit einer

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Schicht eines Materials, das für IR-Strahlung im wesentlichen undurchlässig ist, wobei die Abschirmung so abgegrenzt ist, daß sie ein erstes zentrales Fenster enthält, durch eine Isolierschicht, die die IR-Abschirmung abdeckt und ein zweites zentrales Fenster sowie ein Seitenfenster enthält, wobei das zweite zentrale Fenster deckungsgleich mit dem, aber geringfügig kleiner als das erste zentrale Fenster ist, eine Schottky-Sperrschicht-Metallisierung innerhalb des zweiten zentralen Fensters, die den dort befindlichen Substr-atteil vollständig abdeckt und dünn genug ist, daß sie für IR- und UV-Strahlung im wesentlichen transparent wirkt, durch eine auf der Oberseite des Substrats befindliche Anordnung, die einen Sperrschichtkontakt schafft, der durch das zweite zentrale Fenster verläuft und ! einen größeren Teil der Schottky-Sperrschicht-Metallisierung freiläßt, und durch eine auf der Oberseite des Substrats angeordnete Anordnung, die einen durch das Seitenfenster verlaufenden ohmschen Kontakt schafft.

Z. Detektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht aus Siliziumdioxid hergestellt ist.

3. Detektor nach Anspruch 1 oder 2, weiterhin gekennzeichnet durch eine Grenzschicht zwischen der Sperrschichtkontaktanordnung und der Schottky-Sperrschicht-Metallisierung, wobei die Grenzschicht aus einem Material hergestellt ist, das verhindert, daß die Sperrschichtkontaktanordnung die Fiqtuischaften der Schottky-Sperrschicht an der Grenze zwischen dem Substrat und der Schottky-Sperrschicht-Metallisierung beeinträchtigt.

4. Detektor nach Anspruch 1, 2 oder 3, dadurch g e k e η η -

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IMACHeEREICHT

zeichnet , daß die IR-Abschirmung eine Schicht aus
Gold zwischen zwei Schichten eines Materials aus der aus
Titan, Aluminium, Magnesium, Zirkon und Hnfnium bestehenden
Gruppe aufweist.

5. Detektor nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch g e k e η η ζ e i c h η e t , daß die Schottky-Sperrschicht-Metallisierung aus einem Material aus'der aus Platin, Gold und Iridium bestehenden Gruppe hergestellt ist.

6. Detektor nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Grenzschicht aus einem Material aus der aus Gold, Wolfram, Nichrom, Iridium, Rhenium, Paladium und Rhodium bestehenden Gruppe hergestellt ist.

7. Detektor nach einem der vorgehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet , daß die Sperrschicht- und die ohmsehe Kontaktanordnung jeweils eine untere Kontakthaftschicht aus einem Material aus der aus Titan, Wnlfrnm, Ni rhrenn und
t'lif'oiii bea Leitenden Gruppe sowie ein uberes Kontaktelement aus Gold oder Aluminium aufweisen.

8. Detektor nach einem der vorgehenden Ansprüche, weiterhin
gekennzeichnet durch ein Paar Gold-Zuleitungsdrähte, die mit jeweils einem Ende durch Wärmedruck ("thermocompression") mit der Sperrschicht- oder der ohmschen Kontaktanordnung verbunden worden sind.

9. Detektor nach einem der vorgehenden Ansprüche, weiterhin

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gekennzeichnet durch einen IR-Fühler, der eng beabstandet zur Unterseite des Substrats und unmittelbar unter dem ersten und zweiten zentralen Fenster angeordnet ist, wobei die IR-Abschirmung über die Seitenkanten des IR-Fühlers hinaus verläu ft.

lo. Detektor nach einem der vorgehenden Ansprüche, weiterhin gekennzeichnet durch eine kompensierte Schicht im Substrat an dessen Oberseite, die einen Lawinenbereich bildet, der den Detektor schützt, falls eine Überspannung an ihm liegt.

11. Verfahren zur Herstellung eines Schottky-Sperrschicht-Photodetektors, dadurch gekennzeichnet , daß man von einem Cadmiumsulfid-Einkristallbarren eine Scheibe schneidet, die eine obere und eine untere Seite aufweist, die im wesentlichen parallel und rechtwinklig zur C-Achse des Cadmiumsulfid-Hexagonalkristalls verlaufen, die Scheibe an der Oberseite läppt, poliert und ätzt, um ein Substrat mit einer glatten Oberseite und einer Unterseite zu erzeugen, auf der Oberseite des Substrats eine IR-Abschirmung ablagert und abgrenzt, die eine Materialschicht enthält, die im wesentlichen opak für IR-Strahlung ist, wobei die Abschirmung ein erstes zentrales Fenster enthält, dann eine Isolierschicht auf die IR-Abschirmung aufbringt und abgrenzt, die ein zweites zentrales Fenster sowie ein Seitenfenster enthält, wobei das zweite zentrale Fenster deckungsgleich mit dem, aber geringfügig kleiner als das erste zentrale Fenster ist, im zweiten zentralen Fenster eine Schottky-Sperrschicht-Metallisierung aufbringt und abgrenzt, so daß sie den dort befindlichen Teil des Substrats vollständig abdeckt, wobei die Schottky-Sperrschicht-Metallisierung dünn genug ist, daß sie für UV- und IR-Strahlung im wesentlichen transparent wirkt, und daß man eine Sperrschicht-

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und einen ohmschen Kontakt ablagert und abgrenzt, die über der Oberseite des Substrats durch das zweite zentrale bzw. das Seitenfenster verlaufen, wobei der Sperrschichtkontakt einen größeren Teil der Schottky-Sperrsohicht-Metallisierung freiläßt.

12. Verfahren nach Anspruch 11, weiterhin gekennzeichnet dadurch, daß man eine Grenzschicht zwischen dem Sperrschichtkontakt und der Schottky-Sperrschicht-Metallisierung ablagert und abgrenzt, bevor man den Sperrschichtkontakt ablagert und abgrenzt, wobei die Grenzschicht ver^- hindert, daß der Sperrschichtkontakt die Eigenschaften der Schottky-Sperrschicht zwischen der Oberseite des Substrats und der Schottky-Sperrschicht-Metallisierung beeinträchtigt, und man weiterhin die Grenzschicht aus einem Material aus der aus Gold, Wolfram, Nichrom, Iridium, Rhenium, Paladium und Rhodium bestehenden Gruppe herstellt.

13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch g e k e η η zeichnet , daß man die Isolierschicht aus Siliziumdioxid in einer Dicke von etwa 5oo bis etwa 2o.ooo A herstellt.

14. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet , daß man zur Ablagerung und Abgrenzung einer Isolierschicht eine erste Schicht aus Siliziumdioxid auf der IR-Abschirmung ablagert und abgrenzt, wobei die erste Siliziumdioxidschicht einen ersten Fensterteil aufweist, der deckungsgleich mit dem, aber geringfügig kleiner als das erste zentrale Fenster ist, dann eine zweite Isolierschicht aus Siliziumdioxid auf der ersten Siliziumdioxidschicht ablagert und einen zweiten Fensterteil in der zweiten

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Isolierschicht ausbildet, wobei der zweite Fensterteil deckungsgleich, aber geringfügig kleiner als der erste Fensterteil ist, der erste und der zweite Fensterteil gemeinsam das zweite zentrale Fenster bilden, und daß man das Seitenfenster ausbildet, das durch die erste und die zweite Isolierschicht zu der Materialschicht in der IR-Abschirmung verläuft, die für IR-Strahlung im wesentlichen opak ist.

15. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 14, weiterhin gekennzeichnet dadurch, daß man die Enden eines Paares von Gold-Zuleitungsdrähten an den ohmschen bzw. den Sperrschichtkontakt nach einem Wärmedruckverfahren anschließt,

16. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß man zur Ablagerung und Abgrenzung der IR-Abschirmung eine Goldschicht zwischen einer ersten und einer zweiten Schicht aus einem Material aus der aus Titan, Aluminium, Magnesium, Zirkon und Hafnium bestehenden Gruppe ausbildet.

17. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß man die Schottky-Sperrschicht-Metallisierung aus einem Material aus der aus Platin, Gold und Iridium bestehenden Gruppe herstellt.

18. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß derSperrschicht- und der ohmsche Kontakt jeweils eine untere Kontakthaftschicht aus einem Material aus der aus Titan, Nichrom, Wolfram und Chrom bestehenden Gruppe sowie ein oberes Kontaktelement aus einem Material

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aus der aus Gold und Aluminium bestehenden Gruppe aufweisen

19. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 18, dadurch gekennzeichnet , daß man zur Aufbringung und Abgrenzung der IR-Abschirmung eine Goldschicht zwischen einer ersten und einer zweiten Titanschicht ausbildet, die jeweils etwa 5o bis etwa 5ooo 8 dick sind, wobei die Goldschicht etwa 5oo bis etwa lo.ooo 8 dick ist.

2o. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 19, dadurch

gekennzeichnet , daß man die Schottky-Sperrschic

Metallisierung aus Platin mit einer Dicke von etwa 5 S bis etwa 5o A herstellt.

21. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekenn

loo 8 bis etwa 3oo 8 herstellt.

22. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 21, dadurch gekennzeichnet , daß man zur Aufbringung und Abgrenzung des Sperrschicht- und des ohmschen Kontakts eine Kon· takthaftschicht aus Titan aufbringt, die etwa 5o 8 bis etwa 5ooo A dick ist, dann eine Kontaktmetallisierung aus Gold zu einer Dicke von etwa looo H bis 2ooo Ά aufbringt, und schließlich auf die Kontaktmetallisierung das Sperrschicht- und das ohmsche Kontaktelement galvanisch so aufbringt, daß die Kontaktelemente über die Isolierschicht hinaus vorstehen.

23. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeic!"

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net, daß man die erste Isolierschicht aus Siliziumdioxid gegenüber der zweiten Siliziumdioxid-Isolierschicht verhältnismäßig dünn ausführt.

24. Verfahren nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichn e t , daß man die erste Siliziumdioxid-Isolierschicht etwa looo A , die zweite Siliziumdioxid-Isolierschicht etwa 4ooo A dick ausführt.

25. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 24, dadurch gekennzeichnet , daß man zur Aufbringung und Abgrenzung der IR-Abschirmung eine Goldschicht etwa 15oo A dick zwischen einer ersten und einer zweiten Schicht aus Titan ausbildet, die jeweils etwa 15oo A dick sind.

26. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 25, dadurch gekennzeichnet, daß man die Schottky-Sperrschicht-Metallisierung aus Platin etwa 15 S dick herstellt.

27. Nach dem Verfahren eines der Ansprüche 11 bis 26 hergestellter Detektor.

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