DE2732933A1 - Verfahren zum herstellen von solarzellen - Google Patents
Verfahren zum herstellen von solarzellenInfo
- Publication number
- DE2732933A1 DE2732933A1 DE19772732933 DE2732933A DE2732933A1 DE 2732933 A1 DE2732933 A1 DE 2732933A1 DE 19772732933 DE19772732933 DE 19772732933 DE 2732933 A DE2732933 A DE 2732933A DE 2732933 A1 DE2732933 A1 DE 2732933A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- layer
- grid
- cover glass
- base
- sulfide layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 30
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 claims description 25
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 16
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 16
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 11
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 claims description 5
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 4
- 239000012945 sealing adhesive Substances 0.000 claims description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 4
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N cadmium sulfide Chemical compound [Cd]=S CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 48
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 11
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 2
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012494 Quartz wool Substances 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000002775 capsule Substances 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 1
- AQKDYYAZGHBAPR-UHFFFAOYSA-M copper;copper(1+);sulfanide Chemical compound [SH-].[Cu].[Cu+] AQKDYYAZGHBAPR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hcl hcl Chemical compound Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D17/00—Detergent materials or soaps characterised by their shape or physical properties
- C11D17/04—Detergent materials or soaps characterised by their shape or physical properties combined with or containing other objects
- C11D17/041—Compositions releasably affixed on a substrate or incorporated into a dispensing means
- C11D17/047—Arrangements specially adapted for dry cleaning or laundry dryer related applications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/0328—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, semiconductor materials provided for in two or more of groups H01L31/0272 - H01L31/032
- H01L31/0336—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, semiconductor materials provided for in two or more of groups H01L31/0272 - H01L31/032 in different semiconductor regions, e.g. Cu2X/CdX hetero- junctions, X being an element of Group VI of the Periodic Table
- H01L31/03365—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, semiconductor materials provided for in two or more of groups H01L31/0272 - H01L31/032 in different semiconductor regions, e.g. Cu2X/CdX hetero- junctions, X being an element of Group VI of the Periodic Table comprising only Cu2X / CdX heterojunctions, X being an element of Group VI of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
- H01L31/0488—Double glass encapsulation, e.g. photovoltaic cells arranged between front and rear glass sheets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
Lindenstrasse 4-5
Claims (1)
- DR.-ING. H. H. WILHElM - DIPL.-ING. H. DAUSTERD-7000 STUTTGART 1 - GYMNASIUMSTRASSE 31B - TELEFON (0711) 29 11Anmelder: Stuttgart, den 20. Juli 1977Herr Prof. Dr.-Ing. JJ ^Werner H. Bloss Da/EiLindenstrasse706^ WinterbachPatent- und Schutzansprüche1. Verfahren zum Herstellen von Solarzellen mit p-n-Dünnschicbt-Heteroübergang aus einer auf eine elektrisch leitenden Unterlage aufgedampften Cadmiumsulfid-Schicht und einer darauf chemisch erzeugten Kupfersulfid-Schicht, mit der ein elektrisch leitendes Gitter in Kontakt steht, dadurch gekennzeichnet, daß die ,Cadmiumsulfid-Schicht (6) und die Kupfersulfid-Schicht (7) auf einem als Unterteil (1) dienenden Bauteil (3) aufgebracht werden, der anschließend mit einem aus einem vorher mit einem Haftmittel (11) und dem leitenden Gitter (12) versehenen Deckglas (10) gebildeten Oberteil zu einer in sich geschlossenen, verkapselten Zelle zusammengefügt wird.2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Unterteil (1) eine Glasplatte (3) enthält, auf der vorzugsweise unter Verwendung eines Haftvermittlers (4) eine Unterlage (5) aus Silber oder Zink aufgebracht wird, auf die die Cadmiumsulfid-Schicht (6) aufgedampft wird.3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterlage (5) aus Silber oder Zink bei etwa 400°C aufgedampft wird.809886/0080ORIGINAL INSPECTED2732S334. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Cadmiumsulfid-Schicht (6) durch eine Quarzfritte (24) hindurch auf die Unterlage (5) aufgedampft wird.5. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Cadmiumsulfid-Schicht (6) vorzugsweise durch Ätzen vor dem Erzeugen der Kupfersulfid-Schicht (7) aufgerauht wird.6. Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 5» dadurch gekennzeichnet, daß auf die Schicht (7) aus Kupfersulfid eine Kupferschicht (8) aufgedampft wird, wonach das Unterteil (1) auf ca. 180°C aufgeheizt wird.7· Verfahren nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß auf das Deckglas (10) des Oberteils (2) ein Heißsiegelkleber (11) aufgetragen wird, an dem zunächst eine Kupferfolie gehalten wird, aus der anschließend ein Gitter (12) herausgeätzt wird, wonach Oberteil (2) und Unterteil (1) unter Vakuum mittels des Heißsiegelklebers (11) des Oberteils (2) heißversiegelt und verpreßt werden.8. Verfahren nach Anspruch 7? dadurch gekennzeichnet, daß der Heißsiegelkleber (11) flüssig aufgetragen und anschließend in Vakuum und ggf. danach in Atmosphäre getrocknet wird.9. Verfahren nach Anspruch 7» dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Zusammenfügen von Oberteil (2) und Unterteil (1) auf das Gitter (12) zum Erzielen eines sperrschichtfreien Kontakts eine dünne Goldschicht (13) galvanisch aufgetragen wird.10. Solarzelle nach wenigstens einem der Ansprüche 1 bis 9i dadurch gekennzeichnet, daß eine Grundplatte (3)» die vorzugsweise aus Glas besteht, mit einer elektrisch leitenden Unterlage (5)» einer Cadmiumsulfid-Schicht (6) und einer Kupfersulfid-Schicht-3-809886/0080(7) einen vorgefertigten Unterteil "bildet, der mit einem ein elektrisch leitendes Gitter (12) tragenden und ein Oberteil (2) bildenden Deckglas (10) zu einer verkapselten Zelle zusammengefügt ist.11. Solarzelle nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Deckglas (10) mit dem Gitter (12) und die Grundplatte (3) mit der Unterlage (5) derart seitlich zueinander versetzt sind, daß auf der einen Seite ein von der Unterlage (5) und auf der anderen Seite ein von dem Gitter (12) gebildeter Kontakt (9»14) freiliegen.12. Solarzelle nach Anspruch 10 oder 11, dadurch gekennzeichnet, daß als Oberteil ein großflächiges Deckglas (15) mit mehreren in einer Reihe angeordneten elektrisch leitenden Gittern vorgesehen ist, denen jeweils ein Unterteil (1) zugeordnet ist, die derart versetzt zu den Gittern angeordnet sind, daß die Unterlagen (5) einseitig mit dem dem benachbarten Unterteil zugeordneten Gitter in Kontakt stehen und daß an der einen Seite des Deckglases ein Rand des äußeren Gitters als Kontakt freiliegt, während auf der anderen Seite ein Rand der Unterlage (5) des äußeren Unterteils (1) als Kontakt freiliegt.13· Solarzelle nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß ein großflächiges Deckglas (15) mit mehreren Reihen von Gittern und entsprechend mit mehreren Reihen von Unterteilen (1) versehen ist.14. Solarzelle nach wenigstens einem der Ansprüche 10 bis 13» dadurch gekennzeichnet, daß die nicht im Bereich der freiliegenden Kontakte (9, 14) befindlichen Ränder des Deckglases (10,15) und der Grundplatte (3) dichtend miteinander verbunden sind,809886/0080
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2732933A DE2732933C2 (de) | 1977-07-21 | 1977-07-21 | Verfahren zum Herstellen von Dünnschicht-Solarzellen mit pn-Heteroübergang |
AU38108/78A AU519312B2 (en) | 1977-07-21 | 1978-07-18 | Encapsulated solar cells |
US05/926,433 US4283590A (en) | 1977-07-21 | 1978-07-20 | Method for production of solar cells and solar cells produced thereby |
EP78100452A EP0000715B1 (de) | 1977-07-21 | 1978-07-20 | Verfahren zur Herstellung von Cadmiumsulfid-Kupfersulfid-Solarzellen und nach diesem Verfahren hergestellte Solarzellen |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2732933A DE2732933C2 (de) | 1977-07-21 | 1977-07-21 | Verfahren zum Herstellen von Dünnschicht-Solarzellen mit pn-Heteroübergang |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2732933A1 true DE2732933A1 (de) | 1979-02-08 |
DE2732933C2 DE2732933C2 (de) | 1984-11-15 |
Family
ID=6014494
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2732933A Expired DE2732933C2 (de) | 1977-07-21 | 1977-07-21 | Verfahren zum Herstellen von Dünnschicht-Solarzellen mit pn-Heteroübergang |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4283590A (de) |
EP (1) | EP0000715B1 (de) |
AU (1) | AU519312B2 (de) |
DE (1) | DE2732933C2 (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2926754A1 (de) * | 1979-07-03 | 1981-01-15 | Licentia Gmbh | Solarzellen-anordnung |
DE3106215A1 (de) * | 1980-03-07 | 1982-01-21 | General Dynamics Corp., St. Louis, Mo. | Schottky-sperrschicht-photodetektor und verfahren zu dessen herstellung |
DE3328899A1 (de) * | 1983-08-10 | 1985-02-28 | Nukem Gmbh, 6450 Hanau | Verfahren zum herstellen von frontseitigem elektrisch leitendem kontakt fuer photovoltaische zellen |
EP0133698A2 (de) * | 1983-08-10 | 1985-03-06 | Nukem GmbH | Photovoltaische Zelle sowie Verfahren zum Herstellen dieser |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IL60680A (en) * | 1979-08-22 | 1983-07-31 | Ses Inc | Electrode for photovoltaic cell |
US4400577A (en) * | 1981-07-16 | 1983-08-23 | Spear Reginald G | Thin solar cells |
EP0091998A1 (de) * | 1982-03-08 | 1983-10-26 | Prutec Limited | Cadmium-Sulfid-Solarzellen |
DE3312053C2 (de) * | 1983-04-02 | 1985-03-28 | Nukem Gmbh, 6450 Hanau | Verfahren zum Verhindern von Kurz- oder Nebenschlüssen in einer großflächigen Dünnschicht-Solarzelle |
US4616403A (en) * | 1984-08-31 | 1986-10-14 | Texas Instruments Incorporated | Configuration of a metal insulator semiconductor with a processor based gate |
US4753683A (en) * | 1985-09-09 | 1988-06-28 | Hughes Aircraft Company | Gallium arsenide solar cell system |
US4673770A (en) * | 1985-10-21 | 1987-06-16 | Joseph Mandelkorn | Glass sealed silicon membrane solar cell |
IT1272665B (it) * | 1993-09-23 | 1997-06-26 | Eurosolare Spa | Procedimento per la preparazione di moduli fotovoltaici a base di silicio cristallino |
JP3516156B2 (ja) * | 1997-12-16 | 2004-04-05 | シャープ株式会社 | 太陽電池の製造方法および保護カバー用素材板 |
US5972732A (en) * | 1997-12-19 | 1999-10-26 | Sandia Corporation | Method of monolithic module assembly |
US7507903B2 (en) * | 1999-03-30 | 2009-03-24 | Daniel Luch | Substrate and collector grid structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
US8664030B2 (en) | 1999-03-30 | 2014-03-04 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
US8138413B2 (en) | 2006-04-13 | 2012-03-20 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
US20090111206A1 (en) | 1999-03-30 | 2009-04-30 | Daniel Luch | Collector grid, electrode structures and interrconnect structures for photovoltaic arrays and methods of manufacture |
US8076568B2 (en) | 2006-04-13 | 2011-12-13 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
US8222513B2 (en) | 2006-04-13 | 2012-07-17 | Daniel Luch | Collector grid, electrode structures and interconnect structures for photovoltaic arrays and methods of manufacture |
US8198696B2 (en) | 2000-02-04 | 2012-06-12 | Daniel Luch | Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
US7898053B2 (en) | 2000-02-04 | 2011-03-01 | Daniel Luch | Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
US7898054B2 (en) | 2000-02-04 | 2011-03-01 | Daniel Luch | Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays |
US8729385B2 (en) | 2006-04-13 | 2014-05-20 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
US9236512B2 (en) | 2006-04-13 | 2016-01-12 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
US8884155B2 (en) | 2006-04-13 | 2014-11-11 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
US8822810B2 (en) | 2006-04-13 | 2014-09-02 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
US9865758B2 (en) | 2006-04-13 | 2018-01-09 | Daniel Luch | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
US9006563B2 (en) | 2006-04-13 | 2015-04-14 | Solannex, Inc. | Collector grid and interconnect structures for photovoltaic arrays and modules |
WO2014019560A1 (de) | 2012-08-02 | 2014-02-06 | Dynamic Solar Systems Inc. | Verbesserte schichtsolarzelle |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3480473A (en) * | 1966-06-24 | 1969-11-25 | Kewanee Oil Co | Method of producing polycrystalline photovoltaic cells |
DE2112812A1 (de) * | 1971-03-17 | 1972-10-19 | Licentia Gmbh | Halbleiterbauelement |
DE2152895A1 (de) * | 1971-10-23 | 1973-04-26 | Licentia Gmbh | Duennschichtphotozelle |
US3811954A (en) * | 1971-09-28 | 1974-05-21 | Communications Satellite Corp | Fine geometry solar cell |
DE2511900A1 (de) * | 1974-03-21 | 1975-09-25 | Int Research & Dev Co Ltd | Verfahren zur herstellung eines oder mehrerer fotoelektrischer heterouebergaenge |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3346419A (en) * | 1963-11-29 | 1967-10-10 | James E Webb | Solar cell mounting |
FR1446911A (fr) * | 1964-09-18 | 1966-07-22 | Ass Elect Ind | Perfectionnements aux procédés de production d'une couche de sulfure de cadmium |
US3472690A (en) * | 1967-02-09 | 1969-10-14 | Kewanee Oil Co | Process of preparing a flexible rear wall photovoltaic cell |
FR1562163A (de) * | 1968-02-16 | 1969-04-04 | ||
JPS5014116Y2 (de) * | 1971-06-04 | 1975-05-01 | ||
US3888697A (en) * | 1971-10-23 | 1975-06-10 | Licentia Gmbh | Photocell |
US4083097A (en) * | 1976-11-30 | 1978-04-11 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Method of making encapsulated solar cell modules |
US4127424A (en) * | 1976-12-06 | 1978-11-28 | Ses, Incorporated | Photovoltaic cell array |
US4084985A (en) * | 1977-04-25 | 1978-04-18 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Method for producing solar energy panels by automation |
-
1977
- 1977-07-21 DE DE2732933A patent/DE2732933C2/de not_active Expired
-
1978
- 1978-07-18 AU AU38108/78A patent/AU519312B2/en not_active Expired
- 1978-07-20 EP EP78100452A patent/EP0000715B1/de not_active Expired
- 1978-07-20 US US05/926,433 patent/US4283590A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3480473A (en) * | 1966-06-24 | 1969-11-25 | Kewanee Oil Co | Method of producing polycrystalline photovoltaic cells |
DE2112812A1 (de) * | 1971-03-17 | 1972-10-19 | Licentia Gmbh | Halbleiterbauelement |
US3811954A (en) * | 1971-09-28 | 1974-05-21 | Communications Satellite Corp | Fine geometry solar cell |
DE2152895A1 (de) * | 1971-10-23 | 1973-04-26 | Licentia Gmbh | Duennschichtphotozelle |
DE2511900A1 (de) * | 1974-03-21 | 1975-09-25 | Int Research & Dev Co Ltd | Verfahren zur herstellung eines oder mehrerer fotoelektrischer heterouebergaenge |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
H. Matthöfer(Hrsg.): "Sonnenenergie", Umschau-Verlag Frankfurt, 1976, S. 238-249 |
H.Matthöfer(Herausg.): "Sonnenenergie", Umschau Verlag, Frankfurt 1976, S. 238-249 * |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2926754A1 (de) * | 1979-07-03 | 1981-01-15 | Licentia Gmbh | Solarzellen-anordnung |
DE3106215A1 (de) * | 1980-03-07 | 1982-01-21 | General Dynamics Corp., St. Louis, Mo. | Schottky-sperrschicht-photodetektor und verfahren zu dessen herstellung |
DE3153186C2 (de) * | 1980-03-07 | 1985-10-10 | General Dynamics Corp., St. Louis, Mo. | Verfahren zur Herstellung eines Schottky-Sperrschicht-Photodetektors |
DE3328899A1 (de) * | 1983-08-10 | 1985-02-28 | Nukem Gmbh, 6450 Hanau | Verfahren zum herstellen von frontseitigem elektrisch leitendem kontakt fuer photovoltaische zellen |
EP0133698A2 (de) * | 1983-08-10 | 1985-03-06 | Nukem GmbH | Photovoltaische Zelle sowie Verfahren zum Herstellen dieser |
EP0133698A3 (en) * | 1983-08-10 | 1985-11-06 | Nukem Gmbh | Photoelectric cell and method of producing it |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0000715A1 (de) | 1979-02-21 |
EP0000715B1 (de) | 1981-09-02 |
DE2732933C2 (de) | 1984-11-15 |
US4283590A (en) | 1981-08-11 |
AU519312B2 (en) | 1981-11-26 |
AU3810878A (en) | 1980-01-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2732933A1 (de) | Verfahren zum herstellen von solarzellen | |
DE2703831C2 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Thermobatterie | |
DE3525903C2 (de) | ||
DE4122845C2 (de) | Photovoltaische Halbleitereinrichtung und Herstellungsverfahren dafür | |
DE2023489A1 (de) | ||
DE2919114A1 (de) | Photovoltaische zellen in feldanordnung und verfahren zur herstellung derselben | |
DE1811389C3 (de) | Flächenhaftes Halbleiterbauelement | |
EP2151869A2 (de) | Halbleiter-Bauelement | |
DE102011104159A1 (de) | Verfahren zum elektrischen verbinden mehrerer solarzellen und photovoltaikmodul | |
DE2314731B2 (de) | Halbleiteranordnung mit höckerartigen Vorsprüngen auf Kontaktflecken und Verfahren zur Herstellung einer solchen Halbleiteranordnung | |
DE1951624A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Stapelkondensatoren | |
DE2730566C3 (de) | Halbleitervorrichtung mit einem pn-übergang und Verfahren zu ihrer Herstellung | |
DE2340142C3 (de) | Verfahren zur Massenproduktion von Halbleiteranordnungen mit hoher Durchbruchspannung | |
DE102023106644A1 (de) | Photoelektrischer wandler mit mehrschichtübergang und verfahren zur herstellung eines photoelektrischen wandlers mit mehrschichtübergang | |
DE2839038A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer reihenschaltungsanordnung von sperrschicht-photozellen und nach diesem verfahren hergestellte photozellenanordnung oder -batterie | |
DE2247845C2 (de) | Detektor für Infrarotstrahlung | |
DE1052572B (de) | Elektrodensystem, das einen halbleitenden Einkristall mit wenigstens zwei Teilen verschiedener Leitungsart enthaelt, z. B. Kristalldiode oder Transistor | |
DE102005033690A1 (de) | Dichtungsaufbau für Keramikheizung | |
DE4308497C2 (de) | Festoxidbrennstoffzelle mit einem dichten Substrat und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE1236081B (de) | Verfahren zur Herstellung von ohmschen Kontakten an Halbleiterbauelementen | |
DE102021104002A1 (de) | Flexibles Heizelement, Verfahren zur Herstellung eines derartigen Heizelements und Verwendung eines flexiblen Heizelements | |
DE102018204376B4 (de) | Siliziumcarbidvorrichtungen und Verfahren zur Herstellung derselben | |
DE2751393A1 (de) | Integrierte anordnung und verfahren zu ihrer herstellung | |
DE1564444C3 (de) | Halbleiteranordnung mit einem isolierenden Träger | |
DE19814780A1 (de) | Fotovoltaisches Bauelement |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OI | Miscellaneous see part 1 | ||
OD | Request for examination | ||
8172 | Supplementary division/partition in: |
Ref country code: DE Ref document number: 2760193 Format of ref document f/p: P |
|
Q171 | Divided out to: |
Ref country code: DE Ref document number: 2760193 |
|
8172 | Supplementary division/partition in: |
Ref country code: DE Ref document number: 2760214 Format of ref document f/p: P |
|
Q171 | Divided out to: |
Ref country code: DE Ref document number: 2760214 |
|
AH | Division in |
Ref country code: DE Ref document number: 2760193 Format of ref document f/p: P |
|
D2 | Grant after examination | ||
8381 | Inventor (new situation) |
Free format text: BILGER, GERHARD, DIPL.-ING., 7000 STUTTGART, DE HEWIG, GERT, DR.-ING., 7031 STEINENBRONN, DE PFISTERER, FRITZ, DIPL.-PHYS., 7128 LAUFFEN, DE SCHOCK, HANS-WERNER, DIPL.-ING., 7033 HERRENBERG, DE |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |