FR2477779A1 - Detecteur photovoltaique au sulfure de cadmium et au platine, a barriere du schottky et son procede de fabrication - Google Patents
Detecteur photovoltaique au sulfure de cadmium et au platine, a barriere du schottky et son procede de fabrication Download PDFInfo
- Publication number
- FR2477779A1 FR2477779A1 FR8103476A FR8103476A FR2477779A1 FR 2477779 A1 FR2477779 A1 FR 2477779A1 FR 8103476 A FR8103476 A FR 8103476A FR 8103476 A FR8103476 A FR 8103476A FR 2477779 A1 FR2477779 A1 FR 2477779A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- layer
- contact
- window
- substrate
- barrier
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 7
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 18
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 title description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 79
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 57
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 53
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims abstract description 41
- CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N cadmium sulfide Chemical compound [Cd]=S CJOBVZJTOIVNNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 163
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 31
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 21
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 18
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 18
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 13
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 10
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 8
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 5
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 claims description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000002411 adverse Effects 0.000 claims description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004821 Contact adhesive Substances 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 21
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 9
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 4
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000010802 sludge Substances 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001465805 Nymphalidae Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRLJSGOEGLARCA-UHFFFAOYSA-N cadmium sulfide Chemical compound [S-2].[Cd+2] FRLJSGOEGLARCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000010981 drying operation Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000013100 final test Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000002211 ultraviolet spectrum Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/07—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the Schottky type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/108—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the Schottky type
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
CE DETECTEUR COMPREND UN SUBSTRAT 30 EN SULFURE DE CADMIUM PRESENTANT UNE SURFACE SUPERIEURE ET UNE SURFACE INFERIEURE, UNE STRUCTURE DE PROTECTION 32 CONTRE LE RAYONNEMENT INFRAROUGE RECOUVRANT CETTE SURFACE SUPERIEURE ET AYANT UN CONTOUR TEL QU'ELLE COMPREND UNE PREMIERE FENETRE CENTRALE, UNE COUCHE ISOLANTE 34 RECOUVRANT LA STRUCTURE 32 ET COMPORTANT UNE SECONDE FENETRE CENTRALE ET UNE FENETRE LATERALE, UNE COUCHE 36 DE METALLISATION A BARRIERE DE SCHOTTKY LOGEE DANS CETTE SECONDE FENETRE CENTRALE, DES MOYENS DISPOSES AU-DESSUS DE LA SURFACE SUPERIEURE DU SUBSTRAT 30 ET CONSTITUANT UN CONTACT DE BARRIERE 40 QUI TRAVERSE LADITE SECONDE FENETRE CENTRALE ET DES MOYENS DISPOSES AU-DESSUS DE LA SURFACE SUPERIEURE DU SUBSTRAT 30, ET CONSTITUANT UN CONTACT OHMIQUE 38 QUI TRAVERSE LA FENETRE LATERALE. APPLICATION AUX INSTALLATIONS DE GUIDAGE OPTIQUE POUR MISSILES.
Description
La présente invention se rapporte à des détecteurs de radiations à semi-
conducteurs et à leur procédé de fabrication et elle vise plus particulièrement un détecteur photovoltaique au sulfure de cadmium et au platine, à
barrière de Schottky et son procédé de fabrication.
Il existe une forte demande pour les installations optiques de techniques avancées, par exemple les installations de guidage optique de missiles de recherche, pour des détecteurs de radiations à semi-conducteurs, possédant un rendement
élevé et ayant un temps de réponse faible. Dans ces instal-
lations, un tel détecteur doit avoir une forte réponse jusqu'au voisinage de l'ultraviolet (UV) mais il doit être
pratiquement insensible aux radiations du spectre visible.
On a déjà proposé des photodiodes au silicium pour de
telles applications, mais de telles photodiodes ont l'incon-
vénient d'être sensibles au spectre visible sur une étendue d'environ 8000 A, et il faut donc les utiliser en association avec des moyens de filtrage optique servant à éliminer les
radiations visibles. En outre, ces ensembles détecteur-
filtre possèdent un rendement relativement faible, par
exemple de 30 % ou même moins.
On a déjà utilisé des détecteurs de radiations à semi-
conducteurs au sulfure de cadmium, mais les propriétés bien connues des détecteurs au sulfure de cadmium indiquent qu'ils sont utiles surtout dans la gamme des radiations visibles et qu'ils sont relativement insensibles au rayonnement ultraviolet. Il convient de réaliser un détecteur de radiations à semi-conducteurs qui soit sensible à l'ultraviolet proche, et auxradiations visibles de faible longueur d'onde, mais transparent à l'infrarouge. Cela est particulièrement vrai si l'on peut fabriquer un détecteur possédant un fort rendement et présentant une zone optiquement active relativement petite, de manière à pouvoir être utilisée en assochtion avec des dispositifs optiques de résolution élevée. De bonnes propriétés de transmission du rayonnement infrarouge (IR) permettent d'utiliser le détecteur en association avec un détecteur à infrarouge, de manière à former un transducteur coaxial pouvant être utilisé en association avec des dispositifs
optiques non filtrés de résolution élevée.
Au cours de ces dernières années, on a proposé comme détecteurs de radiations des diodes au sulfure de cadmium, à barrière de Schottky. En gros, une diode à barrière de Schottky est une diode de jonction dans laquelle la jonction se fait entre un matériau semi-conducteur et un contact
métallique, au lieu de se faire entre des matériaux semi-
conducteurs dissemblables ou du type à porteurs, comme dans le cas d'une diode ordinaire PN. Dans la technique antérieure, on décrit un détecteur photovoltaïque au sulfure de cadmium et au platine à barrière de Schottky possédant un contact ohmique et un contact de barrière disposés de part et d'autre du substrat en sulfure de cadmium. Ce détecteur connu possède un rendement élevé dans le spectre ultraviolet, et de bonnes
propriétés de transmission dans l'infrarouge.
Le détecteur perfectionné selon l'invention se prête mieux que les détecteurs de la technique antérieure à la
fabrication en série et à des opérations de montage en série.
Au lieu d'avoir un contact ohmique et un contact de barrière situés respectivement sur l'une et l'autre face du dispositif, le détecteur selon l'invention a ses deux contacts sur la
face avant. Les couches isolantes organiques en résine photo-
sensible sont remplacées par une couche isolante dure en un matériau inorganique. De plus, la métallisation avec du cuivre et avec de l'indium est remplacée par une métallisation avec de l'or, du titane, du nichrome ou autres métaux. Ces perfectionnements facilitent la fixation des fils métalliques par application de procédés de fixation rapide, qui sont plus sûrs et qui diminuent le temps et l'effort nécessaires pour former des contacts électriques sur le dispositif. Enoutre, la sûreté globale de fonctionnement du dispositif se trouve augmentée. Ce procédé de fabrication conduit à une couche compensée à la surface du substrat en sulfure de cadmium, cette couche protégeant le dispositif lorsqu'il est soumis
à des tensions électriques trop élevées.
De façon précise, l'invention a pour objet un détecteur photovoltaïque à barrière de Schottky convenant à la détection de rayonnementsultraviolet et infrarouge, caractérisé par le fait qu'il comprend: un substrat en sulfure de cadmium présentant une surface supérieure et une surface inférieure; une structure de protection contre le rayonnement infrarouge, recouvrant la surface supérieure de ce substrat et comprenant une couche en un matériau qui est pratiquement opaque au rayonnement infrarouge, cette structure de protection ayant un contour tel qu'il contient une première fenêtre centrale; une couche isolante recouvrant cette structure de protection contre les rayonnements infrarouges et percée d'une seconde fenêtre centrale et d'une fenêtre latérale, cette seconde fenêtre centrale étant en coïncidence avec la première fenêtre centrale mais un peu plus petite que celle-ci; une couche de métallisation à barrière de Schottky disposée dans la seconde fenêtre centrale et recouvrant en totalité la partie du substrat qui y est logée, cette couche de métallisation à barrière de Schottky étant suffisamment mince pour être pratiquement transparente aux rayonnements ultraviolet et infrarouge; des moyens disposés au-dessus de la surface supérieure du substrat, ces moyens constituant un contact de barrière traversant la seconde fenêtre centrale et laissant à nu la majeure partie.de la couche de métallisation à barrière de Schottky;et des moyens disposés au-dessus de la surface supérieure de ce substrat et constituant un
contact ohmique qui traverse la fenêtre latérale.
L'invention a également pour objet un procédé de fabri-
cation d'un détecteur photovoltaïque à barrière de Schottky
tel que défini aux revendications 1 à 5, ce procédé étant
caractérisé par le fait qu'il consiste à découper une
plaquette dans un lingot de sulfure de cadmium mono-
cristallin, cette plaquette présentant une surface supérieure et une surface inférieure planes et parallèles entre elles, qui sont perpendiculaires à l'axe C du cristal hexagonal, du sulfure de cadmium î à roder, polir et décaper à l'acide la surface supérieure de cette plaquette afin d'obtenir un substrat présentant une surface supérieure lisse et une surface inférieure; à déposer et façonner une structure de protection contre le rayonnement infrarouge, à la surface supérieure du substrat, y compris une couche en un matériau pratiquement opaque au rayonnement infrarouge, cette structure de protection contenant une première fenêtre centrale;à déposer et façonner une couche isolante au- dessus de la structure de protection contre le rayonnement infrarouge, cette couche isolante étant percée d'une seconde fenêtre centrale et d'une fenêtre latérale, cette seconde fenêtre centrale étant en coïncidence avec la première fenêtre centrale mais étant un peu plus petite que celle-ci; à déposer et façonner une couche de métallisation à barrière de Schottky à l'intérieur de la seconde fenêtre centrale de manière qu'elle recouvre complètement la partie du substrat qui y est logée, cette couche de métallisation à barrière de Schottky étant suffisamment mince pour être pratiquement transparente aux rayonnements ultraviolet et infrarouge; et à déposer et façonner un contact de barrière et un contact ohmique dépassant au-dessus de la surface supérieure du substrat et traversant respectivement la seconde fenêtre centrale et la fenêtre latérale, le contact de barrière laissant à nu la majeure partie de la couche de métallisation
à barrière de Schottky.
Selon une forme de réalisation de l'invention, on commence par former une structure de protection contre le rayonnement infrarouge sur la surface supérieure d'un substrat au sulfure
de cadmium non endommagé et poli. Cette structure est consti-
tuée de préférence par une couche d'or (d'une épaisseur O d'environ 1500 A) opaque au rayonnement infrarouge, intercalée entre deux couches minces de titane, d'une épaisseur d'environ o 300 A. Ces couches de titane jouent le rôle d'éléments de liaison. On donne à cette structure de protection contre le rayonnement infrarouge la forme approximative d'un motif carré, en laissant à nu une petite partie centrale du substrat, qui constitue la zone optiquement active. Une couche rdlativement épaisse de dioxyde de silicium (d'une épaisseur go de préférence d'environ 5000 A) recouvre la structure de protection contre le rayonnement infrarouge de manière
à empêcher la diminution des couches ultérieures qui s'y -
déposent. On perce à l'acide, dans la- couche isolante en dioxyde de silicium, deux fenêtres dont l'une coïncide avec la zone centrale optiquement active du substrat et dont l'autre est située sur le côté de cette zone qui recevra plus tard
le contact ohmique.
La métallisation par barrière de Schottky consiste de préférence en une couche très mince de platine déposée directement sur le substrat et qui remplit complètement la fenêtre centrale percée dans la couche en dioxyde de silicium. Une couche limite, de préférence en un métal tel que le tungstène, le nichrome ou l'or, recouvre
le pourtour de la couche en platine et empêche la métallisa-
tion du contact de barrière de nuire aux propriétés de
la barrière de Schottky.
La métallisation du contact de barrière consiste avantageusement en une couche adhésive en titane et une couche d'or. On augmente l'épaisseur de la couche d'or jusqu'à ce qu'elle atteigne environ 30000 A, par dépôt électrolytique. On forme le contact ohmique en même temps que le contact de barrière. La seconde fenêtre, percée dans la couche au dioxyde de silicium en même temps que la fenêtre centrale, permet à la métallisation du contact ohmique d'atteindre la structure de protection contre le rayonnement infrarouge. Cette structure de protection contre le rayonnement infrarouge forme, à son tour, un contact ohmique avec le substrat en sulfure de cadmium, en raison de sa couche adhésive inférieure en titane. On soude des fils conducteurs en or sur les surfaces supérieures des parties en or du contact ohmique et du contact de barrière, par
thermo-compression ou aux ultrasons.
D'autres caractéristiques et avantages de l'invention
ressortiront de la description qui va suivre, faite en regard
des dessins annexés et donnant, à titre explicatif mais
nullement limitatif, diverses formes de réalisation.
Sur ces dessins, les figures 1 à 9 constituent une série de coupes transversales verticales représentant les divers stades de la fabrication d'un détecteur à rayonnement ultraviolet,
selon une première forme de réalisation de l'invention.
Les figures 10A et 10B sont respectivement une coupe verticale et une vue en plan de dessus du détecteur à
rayonnement ultraviolet des figures 1 à 9, une fois terminé.
Ces figures montrent également le mode de fixation des fils conducteurs en or sur le contact de barrière et sur le
contact ohmique.
La figure il est une coupe verticale d'un détecteur à rayonnements ultraviolet et infrarouge, formé de plusieurs couches, correspondant à une seconde forme de réalisation
de l'invention.
Les figures 12 à 19 représentent une série de coupes verticales qui, avec les figures 1 et 2, représentent les divers stades de la fabrication d'un détecteur à ultraviolets
correspondant à une troisième forme de réalisation de l'in-
vention; et la figure 20 est une coupe verticale du détecteur à
ultraviolets des figures 1, 2 et 12 à 19, une fois terminé.
Cette figure montre les fils conducteurs en or attachés
au contact ohmique et au contact de barrière.
Comme on vient de le signaler, les figures 1 à 9 et 10A et lOB représentent une première forme de réalisation de l'invention, aux divers stades de sa fabrication. Sur la figure 1, la surface supérieure est riche en cadmium tandis que la surface inférieure est riche en soufre, et la flèche indique la direction de l'axe C. La forme générale du détecteur selon l'invention est particulièrement bien visible sur la figure lOB. Ce détecteur comprend une pièce plate et carrée constituée par un substrat 30 au sulfure de cadmium sur lequel est déposée directement une petite structure
32 de forme carrée de protection contre le rayonnement infra-
rouge, et dont le pourtour extérieur est représenté en trait interrompu. Une couche isolante 34 en dioxyde de silicium
recouvre cette structure de protection contre les infrarouges.
Une couche métallique mince 36 à barrière de Schottky est déposée directement sur ce substrat en sulfure de cadmium dans une zone centrale optiquement active entourée par la
structure isolée de protection contre le rayonnement infra-
rouge. Un contact ohmique et un contact de barrière 38 et'40 touchent respectivement la structure de protection contre les infrarouges et une bague 42a formant couche limite (figure IOA) recouvrant le pourtour de la couche 36 à travers des fenêtres distinctes percées dans la couche isolante en dioxyde de silicium. Comme représenté sur les figures 10A et 10B, le contact de barrière 40 est de forme pratiquement cylindrique. Ce contact de barrière pénètre dans la fenêtre centrale de la couche isolante, en laissant à nu la majeure partie de la couche de Schottky 36. Deux éléments plats 44
partent de points diamétralement opposés de cette bague.
Des conducteurs 46 et 48 en or sont fixés respectivement au contact ohmique 38 et au contact de barrière 40, le conducteur 48 étant fixé à l'un des éléments plats 44 du
contact de barrière.
Il convient de se rappeler que le détecteur représenté
sur les figures 10i et 10B est un dispositif micro-
électronique. A titre d'exemple, la couche isolante 34 peut mesurer 0,965 mm sur un côté et la partie à nu de la couche métallique 36 à barrière de Schottky peut avoir un diamètre de 0,101 mm. Dans les diverses figures, on n'a pas respecté les dimensions relatives des diverses couches de manière à faciliter la compréhension de la structure des formes de réalisation représentées. De plus, sur les figures 2 à 9 et 12 à 19, on a omis, pour plus de clarté, de représenter
en élévation les diverses couches dans la fenêtre centrale.
En se reportant aux figures 1 à 9 et 10A, on décrira de façon détaillée la structure monolithique de la première forme de réalisation ainsi que son procédé de fabrication. On comprend aisément que l'on peut fabriquer simultanément
toute une série de détecteurs sur une même plaquette semi-
conductrice, suivant une dispositin convenable par exemple suivant une matrice de 5 x 5. On découpe une plaquette d'épaisseur convenable, par exemple 1 mm, dans un lingot de sulfure de cadmium monocristallin par exemple du type vendu par la Société Eagle-Picher ou la Société Cleveland Crystals Company. Un tel matériau est défini comme étant du type N et possédant une résistivité de 1 à 20 ohms-cm, et comme possédant une concentration de barrière de 1015 à
1016 cm3 et une mobilité de transport d'au moins 200 cm2 -
-1 -1
v sec. La meilleure direction pour découper la plaquette est une direction telle que l'axe (c) du cristal hexagonal soit perpendiculaire à la surface de la plaquette, comme représenté sur la figure 1. Cette plaquette constitue le substrat 30 en sulfure de cadmium du détecteur. Dans ce qui suit, la référence 30 sera utilisée indifféremment pour désigner la plaquette et le substrat. On attaque cette plaquette dans une solution d'acide chlorhydrique pour identifier ses faces d'orientation positive et d'orientation négative, à savoir respectivement la face riche en soufre
et la face riche en cadmium (figure 1).
La plaquette 30 est posée sur un support et on la rode pour lui donner l'épaisseur voulue, épaisseur comprise par exemple entre environ 0,5 et 0, 75 mm. On peut, sans nuire aux propriétés photovoltaïques du détecteur, faire varier considérablement l'épaisseur du substrat 30 en sulfure de cadmium, c'est-à-dire l'épaisseur de la plaquette, au-delà de cette gamme de valeurs. Pour effectuer le rodage, on peut monter la plaquette sur un support de rodage, et la placer sur une plaque rotative de rodage en acier, d'un type connu. On peut appliquer toutes les 30 secondes, une boue de rodage par exemple de la poudre d'aluminium à grains de 5 microns, dans de l'huile MICRO OIL nol. On peut roder la plaquette sur ses deux faces de manière à obtenir des surfaces bien parallèles entre elles, et on poursuit l'opération de rodage
jusqu'à obtention de l'épaisseur désirée.
Après l'opération de rodage, on polit la plaquette à l'aide d'un tissu de polissage en feutre appliqué sur une roue en rotation. Le début du polissage s'effectue à l'aide d'un composé de polissage en poudre de diamant à grains de 1 micron, et il est suivi d'un polissage final à l'aide d'un composé de polissage à grains de 1/4 de micron. De préférence, on nettoie le support utilisé pour l'opération de polissage entre les opérations successives de polissage, de façon à empêcher toute contamination par l'abrasif qui vient d'être utilisé. On comprend aisément que les diverses couches du détecteur ne sont déposées que sur sa surface supérieure. Il n'y a donc pas lieu de procéder à un rodage et un polissage
de la surface inférieure.
La dernière opération de préparation de la plaquette consiste à utiliser un produit de polissage acide qui retire de la surface supérieure de la plaquette le sulfure de cadmium non cristallin et donne à cette surface un aspect lisse et un polissage spéculaire sans aucun défaut. On utilise une roue munie de flasques pour retenir la solution de polissage acide, dont l'ingrédient actif est de l'acide nitrique ou de l'acide chlorhydrique. Après ce polissage acide, on rince la plaquette, on la nettoie et on la sèche. La plaquette 30 étant ainsi terminée, on la monte sur un support, qui est de façon plus précise, une plaque de verre de 25 mm x 25 mm x 0,81 mm, en vue de faciliter la manipulation. On pose cette plaque de verre qui porte la plaquette, dans un appareil de dépôt sous vide de type
classique. Dans la description qui va suivre, l'étude sera
centrée sur la formation d'un unique détecteur à la partie supérieure de la plaquette en sulfure de cadmium, mais il est bien entendu qu'en réalité, toute une série de tels détecteurs sont confectionnés simultanément en divers endroits de la
partie supérieure de la plaquette.
Dans l'appareil de dépôt sous vide, on dépose plusieurs couches de matériau à la partie supérieure du substrat 30 de sulfure de cadmium, afin de constituer la structure 32 de protection contre le rayonnement infrarouge (figure 2). Les températures de dépôt peuvent être comprises entre environ
C et environ 2750C, selon le type de métal que l'on dépose.
On forme la structure de protection contre le rayonnement infrarouge, sur la surface supérieure du substrat en sulfure de cadmium, cette surface supérieure étant la face riche en cadmium de la plaquette. De préférence, la structure de protection contre le rayonnement infrarouge est constituée par une couche 50 en or opaque au rayonnement infrarouge,
et intercalée entre deux couches minces 52 d'un métal adhésif.
Cette couche d'or peut avoir une épaisseur comprise entre
O O
environ 500 A et environ 10000 A. De préférence, si la couche 50 est en or, son épaisseur doit être d'environ 1500 A. Le métal adhésif est de préférence du titane mais on peut utiliser également de l'aluminium, du magnésium, du zirconium,
de 1'nafnium, ou des alliages combinant ces divers métaux.
De préférence, la couche d'or est intercalée entre deux couches relativement minces de titane qui peuvent avoir chacune une épaisseur comprise entre environ 50 A et environ
O O
5000 A, et mieux une épaisseur de 300 A. On fait appel à des procédés photo-lithographiques classiques, de façon que les trois couches mCétLalliques qui constituent la structure de protection contre le rayonnement infrarouge aient toutes la même forme carrée et comprennent une fenêtre centrale ronde 54 (figure 2) qui constituera la zone optiquement active par laquelle peuvent passer les
rayons infrarouges.
Après avoir façonné la structure de protection contre le rayonnement infrarouge, on installe la plaquette sur un loappareil de pulvérisation cathodique et l'on dépose une couche de dioxyde de silicium de façon à former la couche isolante 34 (figure 3). Comme appareil de pulvérisation cathodique, on peut utiliser l'appareil fabriqué par la Société Balzer's
High Vacuum Company. La couche isolante en dioxyde de sili-
cium recouvre la structure de protection contre le rayon-
nement infrarouge et son épaisseur peut être comprise entre go environ 500 et environ 20000 A, et mieux, égale à environ
5000 A
On fait appel à des procédés photo-lithographiques
classiques pour réaliser le motif à couche isolante désiré.
La couche isolante 34 (figure 10B) est, en gros, de forme carrée, et elle est percée d'une première et d'une seconde fenêtres. La première fenêtre 56 (figure 3) correspond, par sa position et par sa forme d'ensemble, à la première fenêtre 54 (figure 2) percée dans la structure 32 de protection contre le rayonnement infrarouge, mais elle est un peu plus petite que celle-ci. En d'autres termes, la seconde fenêtre centrale 56 coïncide avec la première fenêtre centrale 54 mais elle
est un peu plus petite. Ces deux fenêtres sont de forme ronde.
On remarquera que, sur les figures 2 et 3, la couche isolante 34 chevauche les bords intérieurs de la structure de protection contre le rayonnement infrarouge, qui délimitent la fenêtre 54 et que cette couche isolante vient au contact du substrat en sulfure de cadmium. La seconde fenêtre 58 (figure 3) percée dans la couche isolante 34 est située à une certaine distance de la première fenêtre et elle contient le contact
ohmique 38 (figure 10B) comme on l'expliquera plus loin.
En attaquant la couche isolante 34 à l'acide pour percer la fenêtre 58, on retire une petite fraction de celle des
couches 52 qui est la couche supérieure.
La pulvérisation cathodique endommage la surface supérieure du substrat en sulfure de cadmium, ce qui peut avoir comme conséquence fâcheuse, de nuire au fonctionnement du détecteur. On supprime les dégâts en soumettant la
plaquette à une opération de recuit à la température appro-
priée, pendant une durée donnée, par exemple, pendant 15
minutes, à une température d'environ 2750C.
Après l'opération de recuit, on utilise une mince 1o couche photosensible comme cache 60 (figure 4) pour la métallisation de la barrière de Schottky. Ce cache recouvre la plaquette à l'exception de la fenêtre centrale 56 et de l'épaulement intérieur 62 de la couche isolante 34. Pour
constituer ce cache, on peut déposer une couche photo-
sensible sur toute la surface de la plaquette. Puis on masque cette couche dans les zones o le produit photo-sensible doit subsister et on soumet la partie centrales de la lumière ultraviolette. Le produit photo- sensible ainsi exposé est ensuite développé et chassé par dissolution chimique
en laissant ainsi à nu la fenêtre centrale 56 et l'épaule-
ment 62.
Après formation du cache, on installe la plaquette dans un appareil à vide de type classique, dans lequel deux couches de métallisation se déposent sur toute la surface de la plaquette (non représentée) par évaporation par
faisceau d'électrons. On dissout ensuite le cache photo-
sensible 60 en projetant un jet d'acétone à la surface de la plaquette. Cela a pour effet également d'enlever les deux couches de métallisation, sauf dansla fenêtre centrale du cache photo-sensible, comme représenté sur la figure 5. Sur cette figure, celle de ces deux couches de métallisation qui est la plus basse, et dont une partie repose directement à la partie supérieure du substrat 30, est la couche de métallisation 36 à barrière de Schottky. Celle de ces deux couches qui est en haut, est la couche limite 42. Il est important que toute la zone à nu du substrat dans la fenêtre 56 (figure 4) soit recouverte par la couche 36. C'est pourquoi on donne au cache une forme telle qu'il laisse à nu la fenêtre 56 ainsi que l'épaulement 62. Cela a pour conséquence la formation de deux couches 36' et 42' en forme d'anneau (figure 5) à la partie supérieure de l'épaulement 62. Comme expliqué plus loin, on enlève à l'acide la partie centrale de la couche limite 42 et son pourtour (42a sur la figure 9) subsiste de manière à empêcher la métallisation de la barrière de contact de nuire aux propriétés de la barrière de Schottky formée à la jonction entre la couche
métallique 36 et le substrat 30 en sulfure de cadmium.
Cette couche métallique 36 à barrière de Schottky peut être en platine, en or, en iridium ou en des alliages combinant ces divers métaux. Toutefois, la couche 36 est de
préférence enplatine.
Cette couche 36 doit être suffisamment mince pour être
pratiquement transparente à la fois au rayonnement ultra-
violet et au rayonnement infrarouge.
A titre d'exemple, si la couche 36 est en platine, on peutlui donner une épaisseur comprise entre environ 5 o a et environ 50 A, et mieux de 15 A. On règle l'épaisseur O du platine à 5 A près, en utilisant un profilomètre Talystep I. La couche limite 42 peut être en or, en tungstène, en nichrome, en iridium, en rhénium, en palladium-, en rhodium ou en des alliages associant ces divers métaux. De préférence, la couche 42 est en or et son épaisseur est comprise entre environ 100 et environ 300 A. En tout cas, la couche 36 et
la couche 42 ne peuvent pas être du même métal.
Puis on installe de nouveau la plaquette 30 dans l'appareil à vide o on la porte à la température voulue, comprise entre environ 200C et environ 2350C, selon le type de métallisation à contact ohmique et à contact de barrière quel'on utilisera. De préférence, on porte la plaquette à une température d'environ 1750C. Puis, on dépose sur toute la surface de la plaquette, une couche adhésive de contact 66 d'une épaisseur comprise entre environ 50 A et environ 5000 A, et mieux de 300 A (figure 6). De préférence, cette couche adhésive de contact est en titane, mais on peut
également utiliser du nichrome, du chrome ou du tungstène.
Tandis que la plaquette est encore dans l'appareil à vide, on dépose une couche de métallisation par contact 68 (figure
6) sur la couche adhésive de contact qui vient d'être déposée.
Cette couche de métallisation peut être en or ou en aluminium.
De préférence, cette couche de métallisation 68 est en or et son épaisseur est comprise entre environ 1000 et environ o
2000 A.
On retire la plaquette de l'appareil à vide, et on lui
applique sur toute sa surface une couche de produit photo-
sensible (non représentée). On forme une image inversée dans cette couche photo-sensible, de manière que l'on puisse déposer électrolytiquement deuxtampons de contact 70 et 72 (figure 7) sur la plaquette pour compléter respectivement le contact ohmique 38 et le contact de barrière 40, comme représenté. Le tampon 70 remplit complètement la fenêtre latérale 52 et il possède des faces qui sont raccordées à deuxparties
en gradins 68a et 68b de la couche de métallisation 68.
Le tampon 72 comporte une partie cylindrique inférieure logée dans la fenêtre centrale 36, cette partie cylindrique présentant des surfaces qui sont reliées à deux parties en
gradins 68c, 68d de la couche 68.
Les tampons 70 et72 sont en un métal du même type
que celui de la couche de métallisation de contact 68.
De préférence, ces tampons sont faits avec de l'or que l'on dépose par dépôt électrolytique jusqu'à ce que l'épaisseur totale du tampon 70 et de la partie 68a ou du tampon 72 et de la partie 68c, soit égale à environ 50000 A. Après ce dépôt électrolytique, on retire le produit photosensible et on enlève à l'acide, comme représenté sur la figure 8, les parties de la couche de métallisation 66 par contact qui ne se trouvent pas sous les tampons 70 et 72. Puis, les parties de la couche adhésive qui ne se trouvent pas sous les tampons 70 et 72 sont enlevées à l'acide, comme représenté sur la figure 9. Cette opération laisse le contact ohmique 38 et le contact-de barrière 40 isolés l'un de l'autre. En considérant les figures 8 et 9, dans leur ensemble, on peut donc constater que le contact ohmique complet 38 est constitué par les parties de couche 66a et 66b, 68a et 68b et par le tampon 70. De même, le contact de barrière 40 complet est constitué par les parties de couche 66c, 66d, 68c et 68d et par le tampon 72. Enfin, on enlève à l'acide,la partie de la couche limite 42 (figure 8) qui ne se trouve pas au-dessous du tampon 72 de manière à mettre à nu la couche métallique 36 à barrière de Schottky, comme représenté sur la figure 9. La bague restante 42a de la couche limite (figure 9) recouvre le pourtour de la couche de Schottky 36. Elle empêche la partie 66c de la couche adhésive, qui est avantageusement en titane, de nuire aux propriétés de la barrière de Schottky formée entre la couche 36 et le substrat 30 en sulfure de cadmium. La bague 42 de la couche limite n'est pas absolument indispensable et on peut la supprimer dans les cas o la couche adhésive 66 est en un métal qui ne peut pas former un contact du type ohmique entre la couche 66c et la couche métallique 36 à
barrière de Schottky.
Puis on installe la plaquette retournée sur un support en vue du rodage, la surface inférieure non traitée de cette plaquette étant tournée vers le haut. Il est indispensable d'empêcher les diverses couches de matériaux qui se sont déposées à la surface supérieure de la plaquette d'être endommagées. A cette fin, on applique une certaine quantité de cire sur le support pour empêcher le détecteur de venir au contact des parties métalliques du support de rodage. On rode la face inférieure de la plaquette jusqu'à ce qu'elle ait l'épaisseur voulue, par exemple 0,152 mm, et l'on polit la surface inférieure comme indiqué plus haut, en même temps
que l'on rode et que l'on polit la surface supérieure.
On comprendra aisément que les opérations de rodage et de polissage de la surface inférieure ne sont nécessaires que si l'on doit déposer des couches sur cette surface, par exemple pour la formation de contacts ohmiques sur les faces inférieures du substrat en sulfure de cadmium ou dans les cas o le dispositif est destiné à être utilisé dans un détecteur
à plusieurs couches.
De plus,l'épaisseur définitive du substrat n'a pas une valeur imposée rigoureusement. Cette épaisseur définitive n'est limitée que par le fait que l'on désire que le détecteur, une fois terminé, se présente sous la forme d'une plaquette
relativement plate.
Après que l'on a rodé et poli la surface inférieure de la plaquette, on démonte cette dernière de son support, on la nettoie et on la sèche. Des opérations convenables de nettoyage et de séchage sont décrites dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n0 4 000 502. On vérifie si le détecteur ne présente pas de retassures dans la structure 32 de protection contre le rayonnement infrarouge. La présence de telles retassures est fâcheuse étant donné qu'elles permettent à des radiations extérieures de traverser le substrat en sulfure de cadmium en des endroits autres que la fenêtre
centrale 56. De telles retassures gênent le bon fonction-
nement d'un détecteur à infrarouges installé au-dessus du substrat en sulfure de cadmium, lorsque le détecteur selon l'invention est utilisé dans un ensemble à plusieurs couches
à ultraviolets et à infrarouges.
On installe la plaquette sur un socle et on la découpe en plusieurs détecteurs à l'aide d'une scie et d'une boue abrasive. On peut avantageusement utiliser une scie fabriquée par la Société South Bay Technology. Une telle scie conthnt une lame d'un diamètre d'environ 0,125 mm. La boue abrasive peut consister en une poudre d'alumine à grains de 5 microns
dans du glycérol ët de l'eau.
Enfin, on fixe les fils conducteurs 46 et 48 en or (figure 10A) respectivement au contact ohmique 36 et au
contact de barrière 40, par thermo-compression ou aux ultrasons.
On trouve facilement sur le marché des appareils pour effectuer une telle fixation des fils conducteurs à grande vitesse, et une telle fixation à grande vitesse se trouve facilitée par le fait que le contact ohmique et le contact de barrière se trouvent tous deux du même côté du substrat. Il n'y a pas besoin d'appliquer de la résine époxy conductrice pour fixer des fils conducteurs à leurscontacts respectifs. La fixation par thermocompression provoque la formation de lobes 74 en forme de champignon aux extrémités des fils métalliques qui sont fermement fixés aux tampons en or 70 et 72, à supposer
que l'on ait utilisé de l'or pour la métallisation de contact.
La figure 10A représente en élévation, les couches 42a, 66c,
68c qui entourent la fenêtre centrale 56.
Le procédé que l'on vient de décrire et selon lequel se forment les diverses couches du détecteur résulte dans la formation d'une couche compensée 76 (figure 10A) près de la surface supérieure du substrat 30. Sa limite inférieure plane
est indiquée par la ligne en trait mixte sur la figure 10A.
Cette couche de compensation constitue une zone d'avalanche qui protège le détecteur dans les cas o il est soumis à une tension électrique trop forte. Cela peut se produire lorsque de l'électricité statique se décharge d'une personne vers le dispositif, par l'intermédiaire de contacts comme des sondes par exemple. Un détecteur non protégé peut présenter une différence de potentiel de plusieurs centaines de volts entre les deux faces de la couche isolante 34. Une telle différence de potentiel peut provoquer, dans la couche isolante, un claquage diélectrique qui risque d'endommager le détecteur de façon définitive. La couche compensée 76 permet au champ électrique à l'intérieur du substrat en sulfure de cadmium de se former plus vite que dans la couche isolante. Lorsque le champ électrique dans le substrat en sulfure de cadmium dépasse une certaine valeur de seuil, il se forme, par effet d'avalanche, un trajet conducteur à l'intérieur du substrat semi-conducteur. Lorsque la différence de potentiel s'annule, lecourant cesse de passer et le détecteur n'est pas endommagé
de façon définitive.
La figure 11 représente une seconde forme de réalisation de l'invention, consistant en un détecteur à ultraviolets -25 et à infrarouges, à plusieurs couches. La partie supérieure
de ce détecteur est identique à la première forme de réali-
sation du détecteur à rayonnement ultraviolet de la figure A et de la figure 10B, que l'on vient de décrire. La partie inférieure de ce détecteur est un détecteur à rayons infrarouges 78 constitué par une diode photovoltaïque à jonction P-N. On peut avantageusement utiliser une diode
comportant des semi-conducteurs enantimoniure d'indium.
De préférence, le détecteur 78 à infrarouges est installé
tout près de la surface inférieure du détecteur à ultra-
violets. En d'autres termes, les matériaux semi-conducteurs P-N qui constituent le détecteur à infrarouges ne sont pas liés directement à la surface inférieure du substrat en sulfure de cadmium du détecteur à ultraviolets. La structure 32 de protection contre le rayonnement infrarouge du détecteur à ultraviolets s'étend de préférence au-delà des bords latéraux du détecteur 78 à infrarouges, de telle sorte que ce dernier ne reçoit le rayonnement infrarouge que par la fenêtre
centrale 56 du détecteur à ultraviolets.
On sait que le dioxyde de silicium assure mal la fixa- tion en ce qui concerne certaines surfaces en sulfure de cadmium. La troisième forme de réalisation de l'invention,
représentée sur les figures 12 à 20, remédie à cet inconvé-
nient et garantit de la sorte le fonctionnement sûr de la couche isolante. Sur les figures 1 à 20, les éléments homologues sont désignés par les mêmes numéros de référence, sauf indication contraire. Les premiers stades du procédé de réalisation de la troisième forme de réalisation sont les mêmes que ceux qui ont été exposés à propos des figures 1 et 2. Après que l'on a formé la structure 32 de protection contre le rayonnement infrarouge, on installe la plaquette dans un appareil de pulvérisation cathodique o elle subit un chauffage préalable et on dépose une première couche relativement mince (80)de dioxyde de silicium (figure 12) d'une épaisseur d'environ 1000 A, de manière qu'elle recouvre
toute la surface de la plaquette.
On façonne ensuite cette couche par des procédés photo-
lithographiques de manière à former la première fenêtre 58 que l'on a déjà décrite à propos de la première forme de réalisation. Ici encore, les dégâts provoqués dans le substrat
en sulfure de cadmium à la suite de la pulvérisation catho-
dique peuvent être éliminés si l'on soumet la plaquette à un recuit pendant environ 15 minutes à une température d'environ
2750C.
Après cette opération de recuit, on dépose et l'on façonne la couche métallique 36 à barrière de Schottky et la couche limite de métallisation 42, comme représenté sur les figures 13 et 14, les stades du procédé étant identiques
à ceux qui ont été décrits à propos des figures 4 et 5.
Puis on installe de nouveau la plaquette dans l'appareil de pulvérisation cathodique et l'on dépose, à la partie supérieure de la première couche 80 en dioxyde de silicium, une seconde couche 82, relativement épaisse, de dioxyde de silicium (figure 15) d'une épaisseur d'environ 4000 A. Ici encore, on fait appel à des procédés photo-lithographiques pour façonner la seconde couche isolante 82 en vue de former la première fenêtre 56 et la seconde fenêtre 58. Mais, dans le cas présent, on façonne la seconde couche en dioxyde de silicium de manière à obtenir une fenêtre 56' dans la zone active un peu plus petite que la fenêtre qui a été percée
à l'acide dans la première couche 80 en dioxyde de silicium.
Une unique opération d'attaque à l'acide enlève à la fois des parties des couches isolantes 80 et 82 et de celle des couches 52 qui est la plus haute, de manière à former
la fenêtre 58.
On dépose la couche adhésive 66 et la couche 68 de métallisation à la partie supérieure de la plaquette (figure 16) de la même manière que ce qui a été expliqué
à propos de la figure 6 pour la premièze forme de réalisation.
On forme les tampons de contact 70 et 72 par dépôt électro-
lytique, comme représenté sur la figure 17. Et, d'une manière analogue à ce qui a été fait à propos de la première forme de réalisation, les parties des couches 66 et 68 qui ne se trouvent pas sous les tampons de contact 70 et 72 sont retirées à l'acide, l'une après l'autre, comme indiqué sur les figures 16 et 19. Cela a pour effet d'isoler le contact
ohmique 38 et le contact de barrière 40 l'un de l'autre.
Et, comme indiqué sur la figure 19, la partie à nu de la couche limite 42 est retirée à l'acide dans la fenêtre centrale
56, en laissant l'anneau 42a de la couche limite.
Enfin, comme représenté sur la figure 20, on fixe les fils métalliques conducteurs 46 et 48 en or, respectivement sur le contact ohmique 38 et sur le contact de barrière 40, par thermo-compression ou aux ultrasons comme cela a été
pratiqué à propos de la première forme de réalisation.
Le traitement de la surface inférieure de la plaquette, le sciage de cette plaquette en plusieurs détecteurs distincts,
et l'essai final de chacun de ces détecteurs, peuvent s'effec-
tuer de la manière qui a été expliquée à propos de la
première forme de réalisation.
Claims (11)
1. Détecteur photovoltaïque à barrière de Schottky convenant à la détection de rayonnement ultra-violet et infrarouge, caractérisé par le fait qu'il comprend: un substrat 30 en sulfure de cadmium présentant une surface supérieure et une surface inférieure, une structure 32 de protection contre le rayonnement infrarouge recouvrant la surface supérieure de ce substrat 30 et comprenant une couche en un matériau qui est pratiquement opaque au rayonnement infrarouge, cette structure de protection 32 ayant un contour tel qu'il contient une première fenêtre centrale, une couche isolante 34 recouvrant cette structure 32 de protection contre les rayonnements infrarouges et percée d'une seconde fenêtre centrale et d'une fenêtre latérale, cette seconde fenêtre centrale étant en coïncidence avec la première fenêtre centrale mais un peu plus petite que celle-ci, une couche 36 de métallisation à barrière de Schottky disposée dans la seconde fenêtre centrale et recouvrant en totalité la partie du substrat 30 qui y est logée, cette couche de métallisation 36 à barrière de Schottky étant suffisamment mince pour être pratiquement transparente auxrayonnements ultravidet et infrarouge, des moyens disposés au-dessus de la surface supérieure du substrat 30 ces moyens constituant un contact de barrière 40 traversant la seconde fenêtre centrale et laissant à nu la majeure partie de la couche 36 de métallisation à barrière de Schottky et des moyens disposés au-dessus de la surface supérieure de ce substrat 30 et constituant un contact ohmique
38 qui traverse la fenêtre latérale.
2. Détecteur selon la revendication 1, caractérisé par
le fait qu'il comprend en outre une couche limite 42 inter-
calée entre le contact de barrière 40 et la couche 36 de métallisation à barrière de Schottky, cette couche limite étant en un matériau qui empêche le contact de barrière de nuire aux propriétés de la barrière de Schottky constituée par la jonction du substrat 30 et de la couche de métallisation
36 à barrière de Schottky.
3. Détecteur selon l'une quelconque des revendications
1 et 2, caractérisé par le fait qu'il comprend deux fils conducteurs 48 et 46 en or, dont chacun présente une extrémité fixée par thermocompression, respectivement
au contact de barrière 40 et au contact ohmique 38.
4. Détecteur selon l'une quelconque des revendications
1 à 3, caractérisé par le fait qu'il comprend un détecteur 78 de rayonnement infrarouge, disposé tout contre la surface inférieure du substrat 30, juste au-dessous de la première et de la seconde fenêtres centrales, la structure de protection contre les rayonnements infrarouges, s'étendant au-delà des
bords latéraux de ce détecteur 78.
5. Détecteur selon l'une quelconque des revendications
1 à 4, caractérisé par le fait qu'il comprend une couche compensée 76 située dans le substrat 30 au voisinage de sa surface supérieure et constituant une zone d'avalanche qui protège le détecteur lorsque ce dernier est soumis à une
tension électrique trop forte.
6. Procédé de fabrication d'un détecteur photovoltaique à barrière de Schottky, caractérisé par le fait qu'il consiste à découper une plaquette 30 dans un lingot de sulfure de cadmium monocristallincette plaquette présentant une surface supérieure et une surface inférieure planes et parallèles entre elles, qui sont perpendiculaires à l'axe C du cristal hexagonal de sulfure de cadmium; à roder, polir et attaquer à l'acide la surface supérieure de cette plaquette 30 afin d'obtenir un substrat présentant une surface supérieure lisse et une surface inférieure; à déposer et façonner une structure 32 de protection contre le rayonnement infrarouge, à la surface supérieure du substrat, y compris une couche en un matériau pratiquement opaque au rayonnement infrarouge, cette structure de protection contenant une première fenêtre centrale; à déposer et façonner une couche isolante au-dessus de la structure de protection contre le rayonnement infrarouge, cette couche isolante étant percée d'une seconde fenêtre centrale et d'une fenêtre latérale, cette seconde fenêtre centraleétant en coïncidence avec la première fenêtre centrale mais étant un peu plus petite que celle-ci; à déposer et façonner une couche de métallisation 36 à barrière de Schottky à l'intérieur de la seconde fenêtre centrale de manière qu'elle recouvre complètement la partie du substrat 2 1 qui y est logée, cette couche de métallisation 36 à barrière de Schottky étant suffisamment mince pour être pratiquement transparente auxrayonnementsultraviolet et infrarouge; et à déposer et façonner un contact de barrière et un contact ohmique dépassant au-dessus de la surface supérieure du substrat et traversant respectivement la seconde fenêtre centrale et la fenêtre latérale, le contact de barrière laissant à nu la majeure partie de la couche de
métallisation 36 à barrière de Schottky.
7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé par le fait qu'il comporte également l'opération qui consiste à déposer et à façonner une couche limite entre le contact de barrière et la couche de métallisation à barrière de Schottky, avant le dépôt et le façonnage du contact de barrière, ladite couche limite empêchant le contact de barrière de nuire aux propriétés de la barrière de Schottky formée par la jonction de la surface supérieure du substrat et de la couche de métallisation à barrière de Schottky, ladite couche limite étant en l'un des matériaux suivants: or, tungstène,
nichrome, iridium, rhénium, palladium et rhodium.
8. Procédé selon l'une quelconque des revendications
6 et 7, caractérisé par le fait que l'opération de dépôt et de façonnage d'une couche isolante consiste à déposer et façonner une première couche de dioxyde de silicium au-dessus de la structure de protection contre le rayonnement infrarouge, cette première couche de dioxyde de silicium présentant une première fenêtre qui coïncide avec la première fenêtre mais qui est un peu plus petite que celle-ci; à déposer une seconde couche isolante en dioxyde de silicium au-dessus de la première couche de dioxyde de silicium, et à former une seconde fenêtre dans ladite seconde couche isolante, cette seconde fenêtre étant en coïncidence avec ladite première fenêtre mais étant un peu plus petite que celle-ci, lesditespremière et seconde fenêtres constituant, dansleur ensemble, ladite seconde fenêtre centrale et à former ladite fenêtre latérale traversant la première et la seconde couches isolantes, jusqu'à la couche de la structure de protection contre le rayonnement infrarouge qui est en un matériau
pratiquement opaque au rayonnement infrarouge.
9. Procédé selon l'une quelconque des revendications
6 à 8, caractérisé par le fait qu'il comprend, en outre, l'opération qui consiste à fixer, par thermocompression, les extrémités de deux fils conducteurs en or respectivement
au contact de barrière et au contact ohmique.
10. Procédé selon l'une quelconque des revendications
6 à 9, caractérisé par le fait que le stade opératoire qui consiste à déposer et à façonner la structure de protection contre le rayonnement infrarouge comprend la formation d'une couche d'or intercalée entre une première et une seconde couches de titane, chacune de ces deux couches de titane ayant une épaisseur comprise entre environ 50 et or 5000 A, et ladite couche d'or ayant une épaisseur comprise entre environ 500 et 10000 A.
11. Procédé selon l'une quelconque des revendications
6 à 10, caractérisé par le fait que le stade opératoire de dépôt et de façonnage du contact barrière et du contact ohmique consiste, en premier lieu, à déposer une couche adhésive de contact en titane d'une épaisseur comprise entre environ 50 et 5000 A, en second lieu, à déposer une couche de métallisation de contact en or, d'une épaisseur comprise entre environ 1000 et 2000 A, et en troisième lieu, à déposer électrolytiquement un tampon de contact de barrière et un tampon de contact ohmique en or sur la couche de métallisation de contact de manière que ces tampons de contact dépassent
au-dessus de la couche isolante.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/128,325 US4319258A (en) | 1980-03-07 | 1980-03-07 | Schottky barrier photovoltaic detector |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2477779A1 true FR2477779A1 (fr) | 1981-09-11 |
| FR2477779B1 FR2477779B1 (fr) | 1986-04-25 |
Family
ID=22434786
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8103476A Expired FR2477779B1 (fr) | 1980-03-07 | 1981-02-20 | Detecteur photovoltaique au sulfure de cadmium et au platine, a barriere du schottky et son procede de fabrication |
Country Status (18)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4319258A (fr) |
| JP (2) | JPS56135983A (fr) |
| KR (1) | KR840001796B1 (fr) |
| AU (1) | AU519933B2 (fr) |
| BE (1) | BE887599A (fr) |
| CA (1) | CA1159133A (fr) |
| CH (1) | CH641913A5 (fr) |
| DE (2) | DE3153186C2 (fr) |
| DK (1) | DK157584C (fr) |
| ES (1) | ES8206849A1 (fr) |
| FR (1) | FR2477779B1 (fr) |
| IL (1) | IL62119A (fr) |
| IT (1) | IT1170735B (fr) |
| MY (1) | MY8500875A (fr) |
| NL (1) | NL189790C (fr) |
| NO (1) | NO159627C (fr) |
| PT (1) | PT72551B (fr) |
| SE (1) | SE459055B (fr) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4533933A (en) * | 1982-12-07 | 1985-08-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Schottky barrier infrared detector and process |
| JPS59161083A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-11 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | フオト・ダイオ−ド |
| FR2557371B1 (fr) * | 1983-12-27 | 1987-01-16 | Thomson Csf | Dispositif photosensible comportant entre les detecteurs des zones opaques au rayonnement a detecter, et procede de fabrication |
| JPS60253958A (ja) * | 1984-05-31 | 1985-12-14 | Sharp Corp | センサ |
| US4942442A (en) * | 1986-04-11 | 1990-07-17 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Device including a radiation sensor |
| US4789645A (en) * | 1987-04-20 | 1988-12-06 | Eaton Corporation | Method for fabrication of monolithic integrated circuits |
| JPS63183128U (fr) * | 1987-05-18 | 1988-11-25 | ||
| DE3876869D1 (de) * | 1987-06-22 | 1993-02-04 | Landis & Gyr Betriebs Ag | Photodetektor fuer ultraviolett und verfahren zur herstellung. |
| JPH02149632U (fr) * | 1989-05-22 | 1990-12-20 | ||
| US4990988A (en) * | 1989-06-09 | 1991-02-05 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Laterally stacked Schottky diodes for infrared sensor applications |
| US5557148A (en) * | 1993-03-30 | 1996-09-17 | Tribotech | Hermetically sealed semiconductor device |
| US5406122A (en) * | 1993-10-27 | 1995-04-11 | Hughes Aircraft Company | Microelectronic circuit structure including conductor bridges encapsulated in inorganic dielectric passivation layer |
| KR100211070B1 (ko) * | 1994-08-19 | 1999-07-15 | 아끼구사 나오유끼 | 반도체 장치 및 그 제조방법 |
| DE102005027220A1 (de) * | 2005-06-13 | 2006-12-14 | Siemens Ag | Festkörperdetektor zur Aufnahme von Röntgenabbildungen |
| US9929192B1 (en) * | 2016-09-28 | 2018-03-27 | Raytheon Company | Ultraviolet (UV) schottky diode detector having single crystal UV radiation detector material bonded directly to a support structure with proper c-axis orientation |
| US9985058B2 (en) | 2016-09-28 | 2018-05-29 | Raytheon Company | Dual band ultraviolet (UV) and infrared radiation detector |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3806779A (en) * | 1969-10-02 | 1974-04-23 | Omron Tateisi Electronics Co | Semiconductor device and method of making same |
| US3969751A (en) * | 1974-12-18 | 1976-07-13 | Rca Corporation | Light shield for a semiconductor device comprising blackened photoresist |
| US3980915A (en) * | 1974-02-27 | 1976-09-14 | Texas Instruments Incorporated | Metal-semiconductor diode infrared detector having semi-transparent electrode |
| US4000502A (en) * | 1973-11-05 | 1976-12-28 | General Dynamics Corporation | Solid state radiation detector and process |
| US4001858A (en) * | 1974-08-28 | 1977-01-04 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Simultaneous molecular beam deposition of monocrystalline and polycrystalline iii(a)-v(a) compounds to produce semiconductor devices |
| US4034396A (en) * | 1974-05-24 | 1977-07-05 | Nippon Electric Company, Ltd. | Light sensor having good sensitivity to visible light |
| US4035197A (en) * | 1976-03-30 | 1977-07-12 | Eastman Kodak Company | Barrier type photovoltaic cells with enhanced open-circuit voltage, and process of manufacture |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2688564A (en) * | 1950-11-22 | 1954-09-07 | Rca Corp | Method of forming cadmium sulfide photoconductive cells |
| US2820841A (en) * | 1956-05-10 | 1958-01-21 | Clevite Corp | Photovoltaic cells and methods of fabricating same |
| US2844640A (en) * | 1956-05-11 | 1958-07-22 | Donald C Reynolds | Cadmium sulfide barrier layer cell |
| DE1223472B (de) * | 1957-10-07 | 1966-08-25 | Lab Fuer Strahlungstechnik G M | Lichtempfindlicher Gleichrichter |
| NL280579A (fr) * | 1961-07-10 | |||
| BE630443A (fr) * | 1962-04-03 | |||
| US3386894A (en) * | 1964-09-28 | 1968-06-04 | Northern Electric Co | Formation of metallic contacts |
| US3571915A (en) * | 1967-02-17 | 1971-03-23 | Clevite Corp | Method of making an integrated solar cell array |
| US3577631A (en) * | 1967-05-16 | 1971-05-04 | Texas Instruments Inc | Process for fabricating infrared detector arrays and resulting article of manufacture |
| US3560812A (en) * | 1968-07-05 | 1971-02-02 | Gen Electric | High selectively electromagnetic radiation detecting devices |
| US3597270A (en) * | 1968-08-15 | 1971-08-03 | Trw Inc | Inverted solid state diode |
| NL7007171A (fr) * | 1970-05-16 | 1971-11-18 | ||
| DE2112812C2 (de) * | 1971-03-17 | 1984-02-09 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Halbleiterbauelement mit gitterförmiger Metallelektrode und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US3888697A (en) * | 1971-10-23 | 1975-06-10 | Licentia Gmbh | Photocell |
| GB1384028A (en) * | 1972-08-21 | 1974-02-12 | Hughes Aircraft Co | Method of making a semiconductor device |
| DE2445548A1 (de) * | 1974-09-24 | 1976-04-01 | Baldwin Co D H | Photoelement |
| US4016643A (en) * | 1974-10-29 | 1977-04-12 | Raytheon Company | Overlay metallization field effect transistor |
| DE2732933C2 (de) * | 1977-07-21 | 1984-11-15 | Bloss, Werner H., Prof. Dr.-Ing., 7065 Winterbach | Verfahren zum Herstellen von Dünnschicht-Solarzellen mit pn-Heteroübergang |
| JPS6244825A (ja) * | 1985-08-22 | 1987-02-26 | Nec Corp | 端末装置 |
-
1980
- 1980-03-07 US US06/128,325 patent/US4319258A/en not_active Expired - Lifetime
-
1981
- 1981-02-04 CA CA000370052A patent/CA1159133A/fr not_active Expired
- 1981-02-09 SE SE8100885A patent/SE459055B/sv not_active IP Right Cessation
- 1981-02-12 IL IL62119A patent/IL62119A/xx not_active IP Right Cessation
- 1981-02-17 AU AU67374/81A patent/AU519933B2/en not_active Ceased
- 1981-02-19 CH CH111581A patent/CH641913A5/fr not_active IP Right Cessation
- 1981-02-19 DE DE3153186A patent/DE3153186C2/de not_active Expired
- 1981-02-19 KR KR1019810000528A patent/KR840001796B1/ko active
- 1981-02-19 NO NO810570A patent/NO159627C/no unknown
- 1981-02-19 IT IT47840/81A patent/IT1170735B/it active
- 1981-02-19 DE DE3106215A patent/DE3106215C2/de not_active Expired
- 1981-02-20 DK DK077181A patent/DK157584C/da active
- 1981-02-20 NL NLAANVRAGE8100868,A patent/NL189790C/xx not_active IP Right Cessation
- 1981-02-20 FR FR8103476A patent/FR2477779B1/fr not_active Expired
- 1981-02-20 ES ES499645A patent/ES8206849A1/es not_active Expired
- 1981-02-20 PT PT72551A patent/PT72551B/pt active IP Right Revival
- 1981-02-20 BE BE1/10145A patent/BE887599A/fr not_active IP Right Cessation
- 1981-03-03 JP JP3043581A patent/JPS56135983A/ja active Granted
-
1985
- 1985-12-30 MY MY875/85A patent/MY8500875A/xx unknown
-
1986
- 1986-12-25 JP JP61315933A patent/JPS62216276A/ja active Granted
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3806779A (en) * | 1969-10-02 | 1974-04-23 | Omron Tateisi Electronics Co | Semiconductor device and method of making same |
| US4000502A (en) * | 1973-11-05 | 1976-12-28 | General Dynamics Corporation | Solid state radiation detector and process |
| US3980915A (en) * | 1974-02-27 | 1976-09-14 | Texas Instruments Incorporated | Metal-semiconductor diode infrared detector having semi-transparent electrode |
| US4034396A (en) * | 1974-05-24 | 1977-07-05 | Nippon Electric Company, Ltd. | Light sensor having good sensitivity to visible light |
| US4001858A (en) * | 1974-08-28 | 1977-01-04 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Simultaneous molecular beam deposition of monocrystalline and polycrystalline iii(a)-v(a) compounds to produce semiconductor devices |
| US3969751A (en) * | 1974-12-18 | 1976-07-13 | Rca Corporation | Light shield for a semiconductor device comprising blackened photoresist |
| US4035197A (en) * | 1976-03-30 | 1977-07-12 | Eastman Kodak Company | Barrier type photovoltaic cells with enhanced open-circuit voltage, and process of manufacture |
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2477779A1 (fr) | Detecteur photovoltaique au sulfure de cadmium et au platine, a barriere du schottky et son procede de fabrication | |
| EP0148687B1 (fr) | Dispositif photosensible comportant entre les détecteurs des zones opaques au rayonnement à détecter, et procédé de fabrication | |
| EP3239670A1 (fr) | Procede de realisation d'un dispositif de detection de rayonnement electromagnetique comportant une couche en un materiau getter | |
| FR2625310A1 (fr) | Detecteur d'humidite sur une surface, notamment sur un pare-brise de vehicule | |
| FR2570902A1 (fr) | Dispositif a onde acoustique de surface | |
| US8900907B2 (en) | Method for manufacturing an electromagnetic radiation detector and detector obtained by a growth substrate removal method | |
| FR2782164A1 (fr) | Detecteur de gaz optique a infrarouge | |
| US4355456A (en) | Process of fabricating a Schottky barrier photovoltaic detector | |
| WO2019186053A1 (fr) | Procede de fabrication d'un substrat pour dispositif radiofrequence | |
| FR3050831A1 (fr) | Dispositif d'imagerie multispectrale | |
| FR2950734A1 (fr) | Procede de collage et de transfert d'une couche | |
| JP2009070950A (ja) | 紫外線センサ | |
| CH676889A5 (fr) | ||
| FR2941302A1 (fr) | Procede de test sur le substrat support d'un substrat de type "semi-conducteur sur isolant". | |
| Norkus et al. | Process technologies for high-resolution infrared detectors based on LiTaO3 | |
| US20180090525A1 (en) | Dual band ultraviolet (uv) and infrared radiation detector | |
| FR2967819A1 (fr) | Reseau plan focal encapsule sur tranche | |
| EP4309216A1 (fr) | Procédé de transfert d'une couche d'une hétérostructure | |
| JP2009224400A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| FR2464563A1 (fr) | Dispositif photodetecteur a semi-conducteur et procede de fabrication, et analyseur d'image comportant un tel dispositif | |
| EP0287458A1 (fr) | Photodiode HgCdTe à réponse rapide | |
| FR2687834A1 (fr) | Condensateur plan ajustable. | |
| EP1597562A1 (fr) | DISPOSITIF DE SUPPORT D’ELEMENTS CHROMOPHORES | |
| EP0042326A1 (fr) | Photodétecteur rapide de grande surface sensible dans la gamme 0,8 - 1,1 micro-m. | |
| EP2190020B1 (fr) | Procédé d'amincissement d'un bloc reporté sur un substrat |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TP | Transmission of property | ||
| ST | Notification of lapse |