FR2570902A1 - Dispositif a onde acoustique de surface - Google Patents
Dispositif a onde acoustique de surface Download PDFInfo
- Publication number
- FR2570902A1 FR2570902A1 FR8514000A FR8514000A FR2570902A1 FR 2570902 A1 FR2570902 A1 FR 2570902A1 FR 8514000 A FR8514000 A FR 8514000A FR 8514000 A FR8514000 A FR 8514000A FR 2570902 A1 FR2570902 A1 FR 2570902A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- electrodes
- bias voltage
- gate electrodes
- piezoelectric film
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 5
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 13
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011195 cermet Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
- H03H9/6403—Programmable filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/02566—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of semiconductor substrates
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
L'INVENTION CONCERNE UN DISPOSITIF A ONDE ACOUSTIQUE DE SURFACE. SELON L'INVENTION, IL COMPREND UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR 1, UN FILM PIEZOELECTRIQUE 2 FORME SUR UNE SURFACE DUDIT SUBSTRAT, DEUX TRANSDUCTEURS D'ENTREE DE SIGNAUX 4A-4B FORMES AUX DEUX EXTREMITES DU FILM PIEZOELECTRIQUE, UN CERTAIN NOMBRE D'ELECTRODES DE PORTE DE SORTIE 5 FORMEES SUR LEDIT FILM PIEZOELECTRIQUE ET ENTRE LES TRANSDUCTEURS, UN MOYEN 7 D'APPLICATION DE TENSION DE POLARISATION POUR APPLIQUER LES TENSIONS UNIQUES DE POLARISATION AUX ELECTRODES RESPECTIVES DE PORTE DE SORTIE; ET UN MOYEN D'EXTRACTION DE SIGNAUX DE SORTIE 8. L'INVENTION S'APPLIQUE NOTAMMENT AU TRAITEMENT DE SIGNAUX.
Description
1i 2570902 La présente invention se rapporte à un dispositif à onde
acoustique de surface monolithique comprenant un substrat semiconducteur et un film piézoélectrique qui y est formé, et plus particulièrement à un convolutionneur ou corrélateur basé sur cette structure. Des convolutionneurs ou corrélateurs à onde acoustique de surface sont connus en tant que dispositif à petite échelle utilisent une onde acoustique de surface pour le traitement du signal. Ils sont généralement répartis en un type ayant des structures monolithiques et un autre type ayant des structures non monolithiques. Les structures monolithiques sont plus avantageuses pour la fabrication et l'efficacité de ces dispositifs. Dans un convolutionneur ou corrélateur à onde acoustique de surface monolithique comprenant un substrat semiconducteur et un film piézoélectrique, sa fonction de traitement de signaux est provoquée par une interaction non linéaire entre une onde acoustique de surface et une région de
charge spatiale le long d'une surface du semiconducteur.
Une structure qui a été conventionnellement proposée pour utiliser ce phénomène est montrée sur les figures 9 et 10 o un film isolant 3 est formé sur une surface d'un substrat semiconducteur i et un film piézoélectrique 2 est formé sur le film isolant 3. Sur le film piézoélectrique 2 et à proximité de ses deux extrémités sont formés des transducteurs d'entrée 4a-4b pour l'introduction d'un signal et une électrode de porte 5 pour la sortie du signal traité. La figure 9 montre également une électrode de fond 6 qui est prévue le long de l'autre surface du substrat semiconducteur 1. La figure 10 montre de plus une source de polarisation en courant continu variable 7, un condensateur de blocage du courant continu, des circuits
2 257090
d'adaptation 9a-9b-9c, des sources de signaux lOa-10b, et une résistance de charge externe d'o est extrait un
signal de sortie.
Avec cet agencement, une interaction non linéaire a lieu juste en dessous de l'électrode de porte 5 (cette région est appelée "région d'interaction" dans ce texte) et une sortie est captée d'un point entre l'électrode de porte 5 et l'électrode de fond 6. La grandeur de l'interaction dépend de la caractéristique capacité-tension (C-V) dans la région d'interaction le long de la surface du substrat semiconducteur 1 et varie fortement avec la tension de polarisation en courant continu appliquée entre l'électrode de porte 5 et l'électrode de fond 6 connectée à la masse. Par conséquent, il était très usuel, dans l'art antérieur, d'appliquer uniformément,à toute la région d'interaction, une seule tension de polarisation rendant maximale la
sortie totale de l'électrode de porte.
Cependant, comme la caractéristique C - V de la région d'interaction n'est pas uniforme mais varie avec l'emplacement, une polarisation uniforme ne peut être la meilleure valeur de tension pour certains emplacements ayant des caractéristiques C-V différentes, et ne peut produire la fonction optimale du dispositif. Cela est particulièrement grave dans un dispositif ayant une région allongée d'interaction pour une meilleure capacité de
traitement de signaux.
La présente invention a par conséquent pour objet un dispositif à onde acoustique de surface monolithique permettant d'appliquer différentes tensions uniques et optimales de polarisation en courant continu à des emplacements individuels avec différentes caractéristiques C-V dans la région d'interaction afin de rendre optimale l'efficacité totale résultante du
dispositif.
3 2570902
Selon l'invention, on prévoit un dispositif à onde acoustique de surface comprenant: un substrat semiconducteur; un film piézoélectrique formé sur une surface dudit substrat; deux transducteurs d'entrée de signaux formés aux deux extrémités dudit film piézoélectrique pour l'introduction d'un signal; un certain nombre d'électrodes de porte de sortie prévues sur ledit film piézoélectrique et entre lesdits transducteurs d'entrée;
un moyen d'application d'une tension de polari-
sation pour appliquer des tensions uniques de polarisation aux électrodes respectives de porte de sortie; et un moyen d'extraction de signaux de sortie pour extraire les signaux de sortie desdites électrodes
respectives de porte de sortie.
L'invention sera mieux comprise, et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci
apparaîtront plus clairement au cours de la description
explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant plusieurs modes de réalisation de l'invention, et dans lesquels: la figure 1 est une vue en plan d'un dispositif à onde acoustique de surface selon l'invention comprenant certains éléments de circuit s'y rapportant; la-figure 2 est une vue en plan illustrant un second mode de réalisation de l'invention; la figure 3 est une vue en plan montrant un troisième mode de réalisation de l'invention; la figure 4 est une vue en coupe transversale du dispositif de la figure 3; la figure 5 est une vue en plan d'un quatrième mode de réalisation de l'invention;
4 2570902
la figure 6 est une vue fragmentaire en plan illustrant une autre forme de la couche de résistance dans le mode de réalisation de la figure 5; la figure 7 est une vue fragmentaire et en plan illustrant un autre mode de réalisation de l'invention; la figure 8 est une vue en coupe transversale du dispositif de la figure 7; la figure 9 est une vue en coupe transversale d'un dispositif à onde acoustique de surface selon l'art antérieur; et la figure 10 est une vue en plan du dispositif de la figure 9 et de certains éléments de circuit s'y rapportant. La figure 1 est une vue en plan d'un dispositif à onde acoustique de surface selon l'invention. Les organes ou éléments identiques à ceux de l'art antérieur de la figure 10 sont identifiés par les mêmes chiffres de référence que sur cette figure. L'électrode de porte 5, la source de polarisation 7 en courant continu et le condensateur 8 de blocage du courant continu de l'art antérieur (figure 10) sont divisés ou ramifiés en certains segments ou lignes montrés respectivement en 5'-5', 7'-7' et 8'-8'. Ces électrodes de porte 5'-5' sont alignées dans une direction reliant les transducteurs d'entrée 4a et 4b à proximité des deux extrémités du dispositif. Chaque électrode de porte 5' est connectée à une source 7' de polarisation continue qui est indépendamment contr8lée ou ajustée pour donner à cette électrode de porte 5' la tension optimale de polarisation la mieux adaptée à la caractéristique C-V à l'emplacement de la région d'interaction juste en dessous de l'électrode de porte associée 5'. Les emplacements individuels sous les électrodes respectives de porte 5'-5' traitent un signal
2570902
et produisent leur propre résultat que l'on fait passer à travers les condensateurs 8' pour les rassembler en une sortie. La surface monolithique selon l'invention est basée sur une structure multicouche comprenant le substrat semiconducteur 1 et le film piézoélectrique 2. Pour un meilleur fonctionnement et une meilleure caractéristique de température ou pour faciliter l'incorporation dans un circuit intégré, les structures préférées sont certaines combinaisons d'oxyde d'aluminium A1203 (saphir monocristallin), de silicium monocristallin Si, de bioxyde de silicium SiO2 et d'un film piézoélectrique d'oxyde de zinc ZnO ou de nitrure d'aluminium AiN, comme ZnO/SiO2/Si,
ZnO/SiO2/Si/A1203, AiN/Si ou AlN/Si/A1203.
La figure 2 est une vue en plan d'un dispositif à onde acoustique de surface qui est un second mode de réalisation de l'invention o le circuit d'adaptation 9c et la résistance de charge externe 11 du mode de réalisation de la figure 1 sont divisés ou ramifiés en certains segments ou lignes montrés en 9'c-9'c et 11'-11', correspondant aux électrodes individuelles de porte 5'-5', aux sources de polarisation continue 7'-7' et aux condensateurs de blocage du courant continu 8'-8'. Par conséquent, un résultat du traitement de signaux par un groupe associé à une électrode de porte 5' peut être extrait ou détecté en tant que sortie indépendamment et
séparément des autres résultats des autres groupes.
La figure 3 est une vue en plan d'un troisième mode de réalisation de l'invention, et la figure 4 est une
vue en coupe transversale du dispositif de la figure 3.
Sur les deux figures, les mêmes chiffres de référence que ceux du premier mode de réalisation de la figure 1
désignent des éléments ou organes identiques.
Le troisième mode de réalisation emploie une forme spécifique de condensateurs de blocage du courant continu. Plus particulièrement, un film diélectrique 12 d'une épaisseur prédéterminée est formé sur les électrodes de porte 5'-5', et un certain nombre d'électrodes d'extraction de signaux 13'-13' sont formées sur le film diélectrique 12 en des emplacements opposés par rapport aux électrodes de porte 5'-5'. L'électrode de porte 5' et l'électrode d'extraction de signaux 13' sont isolées afin de bloquer l'écoulement du courant continu et par conséquent de former un condensateur de blocage du courant continu. De manière apparente, l'application de différentes tensions de polarisation aux emplacements de la région d'interaction sous les électrodes de porte '-5', des traitements séparés dans lesdits emplacements respectifs et l'extraction d'une sortie résultante dans le troisième mode de réalisation s'effectuent sensiblement de
la même manière que dans le premier mode de réalisation.
La figure 5 est une vue en plan montrant qu'un quatrième mode de réalisation de l'invention o les mêmes chiffres de référence utilisés sur les figures 9-10 désignent des éléments ou pièces identiques. Sur le mOême plan que les électrodes de porte 5'-5' sont formées une borne de tension constante 14 et une borne à la terre 15 qui sont connectées par une couche de résistance 16 avec une résistivité de feuille appropriée. La couche de résistance 16 est de préférence une couche de dép8t de vapeur sous vide de nichrome ou de cermet (Cr-SiO), une couche de pulvérisation de nitrure de tantale (Ta2N) ou analogue qui sont facilement fabriquées et ont une résistivité de feuille appropriée. A travers la couche de résistance 16 sont formées des prises de tension de polarisation 17 à un intervalle approprié. La tension de polarisation à chaque électrode de porte 5' est choisie de manière appropriée en connectant l'électrode 5' à l'une des prises 17 qui lui procure une tension souhaitée lors de l'application d'une tension constante à la borne de tension constante 12 et qui peut encore être ajustée par finition de la couche de résistance 16 par un faisceau laser ou d'une électrode. Ainsi, chaque électrode de porte ' reçoit une tension de polarisation qui est la plus préférable pour la caractéristique C-V de l'emplacement
dans la région d'interaction juste en dessous d'elle.
Chaque résultat de chaque traitement de signaux dans chaque emplacement est émis par le condensateur associé de
blocage du courant continu 8'.
La figure 6 montre une couche de résistance 18 faite d'un film d'antimoine, de bismuth, de tantale ou autre métal qui remplace la couche de résistance 16 de la
figure 2.
La figure 7 est une vue en plan d'un autre mode de réalisation utilisant une couche de résistance formée dans le substrat semiconducteur 1, et la figure 8 est une vue en coupe transversale faite suivant la ligne IV-IV de la figure 7. Avant que le film isolant 3 ne soit formé sur le substrat semiconducteur 1, des impuretés sont introduites dans une région du substrat 1 entourée par une ligne en pointillé sur la figure 7 jusqu'à une concentration prédéterminée en impuretés, et forment une région 19 à forte concentration d'impuretés qui sert de couche de résistance. Après avoir formé le film isolant 3 sur le substrat 1 et la région 19, le film isolant 3 est sélectivement retiré par attaque pour former des fenêtres qui exposent des parties sélectives de la région à forte concentration en impuretés 19, et des électrodes sont formées dans les fenêtres. L'une des électrodes extrêmes sert de borne de tension constante 14 et l'autre des
électrodes extrême est utilisée comme borne à la masse.
8 2570909
Les autres électrodes entre les deux électrodes extrêmes 14 et 15 sont utilisées comme prises de tension de
polarisation 17.
Comme on l'a décrit ci-dessus, comme le convolutionneur ou corrélateur à onde acoustique de surface monolithique selon la présente invention emploie des électrodes divisées de porte de sortie, la tension de polarisation aux électrodes de porte peut être ajustée emplacement par emplacement afin de donner à chaque électrode de porte 5' une valeur unique de tension de polarisation qui est la mieux adaptée à la caractéristique C-V de la région d'interaction située Juste en dessous de l'électrode de porte 5'. Par conséquent, l'efficacité résultante de tout le dispositif est considérablement
améliorée.
Claims (5)
1.- Dispositif à onde acoustique de surface, caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat semiconducteur (1); un film piézoélectrique (2) formé sur une surface dudit substrat; deux transducteurs d'entrée de signaux (4a-4b) prévus aux deux extrémités dudit film piézoélectrique pour y introduire un signal; un certain nombre d'électrodes de porte de sortie(5') formées sur ledit film piézoélectrique et entre lesdits transducteurs d'entrée;
un moyen d'application de tension de polari-
sation (7') pour appliquer des tensions uniques de pola-
risation aux électrodes respectives de porte de sortie; et un moyen d'extraction de signaux de sortie pour extraire les signaux de sortie desdites électrodes de
porte de sortie respectives.
2.- Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le moyen d'extraction de signaux de sortie comprend un film diélectrique (12) formé sur lesdites électrodes de porte de sortie et des électrodes d'extraction de signaux (13') formées sur ledit film diélectrique en des emplacements opposés auxdites
électrodes de porte.
3.- Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le moyen précité d'application d'une tension de polarisation emploie un certain nombre de sourcesde tension de polarisation variable (7'), chacune
étant connectée à chaque électrode de porte de sortie.
4.- Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le moyen précité d'application de tension de polarisation (7') comprend une source de tension de polarisation et une couche de résistance (16) prévue en un emplacement choisi sur ledit film piézoélectrique, ladite source de tension de polarisation étant connectée à ladite couche de résistance, et ladite couche de résistance étant connectée en un certain nombre de parties, aux électrodes respectives de porte de sortie pour leur appliquer lesdites tensions uniques de polarisation.
5.- Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le moyen précité d'application de tension de polarisation comprend une source de tension de polarisation et une couche de résistance (19) noyée dans le substrat semiconducteur précité, ladite source de tension de polarisation étant connectée à ladite couche de résistance et ladite couche de résistance étant connectée en un certain nombre de parties aux électrodes respectives de porte de sortie pour leur appliquer les tensions
uniques de polarisation.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19898584A JPS6177413A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 表面弾性波装置 |
| JP19898684A JPS6177414A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 表面弾性波装置 |
| JP19898784A JPS6177415A (ja) | 1984-09-21 | 1984-09-21 | 表面弾性波装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2570902A1 true FR2570902A1 (fr) | 1986-03-28 |
| FR2570902B1 FR2570902B1 (fr) | 1991-02-01 |
Family
ID=27327579
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR858514000A Expired - Lifetime FR2570902B1 (fr) | 1984-09-21 | 1985-09-20 | Dispositif a onde acoustique de surface |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4745378A (fr) |
| DE (1) | DE3533611A1 (fr) |
| FR (1) | FR2570902B1 (fr) |
| GB (2) | GB2166616B (fr) |
| SE (1) | SE462132B (fr) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2603144A1 (fr) * | 1986-08-22 | 1988-02-26 | Clarion Co Ltd | Circuit de polarisation optimale pour un convertisseur |
| EP0579871A1 (fr) * | 1992-07-24 | 1994-01-26 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Convolutionneur d'ondes acoustiques de surface |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4841470A (en) * | 1985-06-25 | 1989-06-20 | Clarion, Co., Ltd. | Surface acoustic wave device for differential phase shift keying convolving |
| US4882715A (en) * | 1987-03-16 | 1989-11-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Surface acoustic wave convolver with dielectric film of high non-linear effect |
| JPS63260313A (ja) * | 1987-04-17 | 1988-10-27 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波コンボルバ |
| US5214338A (en) * | 1988-11-21 | 1993-05-25 | United Technologies Corporation | Energy coupler for a surface acoustic wave (SAW) resonator |
| JPH0777359B2 (ja) * | 1989-05-18 | 1995-08-16 | クラリオン株式会社 | 弾性表面波コンボルバの相関処理装置 |
| US5016255A (en) * | 1989-08-07 | 1991-05-14 | Omnipoint Data Company, Incorporated | Asymmetric spread spectrum correlator |
| US5499265A (en) * | 1989-08-07 | 1996-03-12 | Omnipoint Data Company, Incorporated | Spread spectrum correlator |
| US5022047A (en) * | 1989-08-07 | 1991-06-04 | Omnipoint Data Corporation | Spread spectrum correlator |
| WO1992002094A1 (fr) * | 1990-07-23 | 1992-02-06 | Omnipoint Corporation | Procede et appareil de detection de phase utilisant un correlateur d'ondes acoustiques de surface |
| US5081642A (en) * | 1990-08-06 | 1992-01-14 | Omnipoint Data Company, Incorporated | Reciprocal saw correlator method and apparatus |
| WO1992007434A1 (fr) * | 1990-10-23 | 1992-04-30 | Omnipoint Corporation | Procede et dispositif servant a etablir des communications a spectre disperse |
| JPH04271611A (ja) * | 1991-02-27 | 1992-09-28 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波コンボルバ装置 |
| US5153476A (en) * | 1991-03-11 | 1992-10-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Acoustic vibrator with variable sensitivity to external acceleration |
| US5402413A (en) * | 1991-04-08 | 1995-03-28 | Omnipoint Corporation | Three-cell wireless communication system |
| DE69232943T2 (de) * | 1991-05-13 | 2003-08-28 | Xircom Wireless, Inc. | Sender/empfänger mit zwei betriebsarten |
| US5285469A (en) * | 1991-06-03 | 1994-02-08 | Omnipoint Data Corporation | Spread spectrum wireless telephone system |
| US5265267A (en) * | 1991-08-29 | 1993-11-23 | Motorola, Inc. | Integrated circuit including a surface acoustic wave transformer and a balanced mixer |
| WO1993012597A1 (fr) * | 1991-12-16 | 1993-06-24 | Omnipoint Corporation | Systeme de publication de donnes a etalement de spectre |
| CA2069369C (fr) * | 1992-05-25 | 1995-12-05 | Robert C. Peach | Batterie de filtrage a ondes acoustiques de surface |
| US5365207A (en) * | 1992-12-31 | 1994-11-15 | Motorola, Inc. | Multi-bandwidth saw filter |
| US5355389A (en) * | 1993-01-13 | 1994-10-11 | Omnipoint Corporation | Reciprocal mode saw correlator method and apparatus |
| US5881100A (en) * | 1994-09-09 | 1999-03-09 | Omnipoint Corporation | Method and apparatus for coherent correlation of a spread spectrum signal |
| US5692007A (en) * | 1994-09-09 | 1997-11-25 | Omnipoint Corporation | Method and apparatus for differential phase encoding and decoding in spread-spectrum communication systems with continuous-phase modulation |
| US5754585A (en) * | 1994-09-09 | 1998-05-19 | Omnipoint Corporation | Method and apparatus for serial noncoherent correlation of a spread spectrum signal |
| US5832028A (en) * | 1994-09-09 | 1998-11-03 | Omnipoint Corporation | Method and apparatus for coherent serial correlation of a spread spectrum signal |
| US5856998A (en) * | 1994-09-09 | 1999-01-05 | Omnipoint Corporation | Method and apparatus for correlating a continuous phase modulated spread spectrum signal |
| US5754584A (en) * | 1994-09-09 | 1998-05-19 | Omnipoint Corporation | Non-coherent spread-spectrum continuous-phase modulation communication system |
| US5953370A (en) * | 1994-09-09 | 1999-09-14 | Omnipoint Corporation | Apparatus for receiving and correlating a spread spectrum signal |
| US5629956A (en) * | 1994-09-09 | 1997-05-13 | Omnipoint Corporation | Method and apparatus for reception and noncoherent serial correlation of a continuous phase modulated signal |
| US5659574A (en) * | 1994-09-09 | 1997-08-19 | Omnipoint Corporation | Multi-bit correlation of continuous phase modulated signals |
| US5648982A (en) * | 1994-09-09 | 1997-07-15 | Omnipoint Corporation | Spread spectrum transmitter |
| US5963586A (en) * | 1994-09-09 | 1999-10-05 | Omnipoint Corporation | Method and apparatus for parallel noncoherent correlation of a spread spectrum signal |
| US5757847A (en) * | 1994-09-09 | 1998-05-26 | Omnipoint Corporation | Method and apparatus for decoding a phase encoded signal |
| US5610940A (en) * | 1994-09-09 | 1997-03-11 | Omnipoint Corporation | Method and apparatus for noncoherent reception and correlation of a continous phase modulated signal |
| US5680414A (en) * | 1994-09-09 | 1997-10-21 | Omnipoint Corporation | Synchronization apparatus and method for spread spectrum receiver |
| US5627856A (en) * | 1994-09-09 | 1997-05-06 | Omnipoint Corporation | Method and apparatus for receiving and despreading a continuous phase-modulated spread spectrum signal using self-synchronizing correlators |
| US5784403A (en) * | 1995-02-03 | 1998-07-21 | Omnipoint Corporation | Spread spectrum correlation using saw device |
| JPH10284762A (ja) | 1995-02-16 | 1998-10-23 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 表面弾性波を増幅するための積層構造及び増幅器 |
| US5870670A (en) * | 1996-09-23 | 1999-02-09 | Motorola, Inc. | Integrated image reject mixer |
| US7603909B2 (en) * | 2006-10-03 | 2009-10-20 | Oes, Inc. | Piezoelectric polymer sensor device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3982113A (en) * | 1974-11-05 | 1976-09-21 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Acoustoelectric wave semiconductor signal processing apparatus with storage of weighting factor |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2278201A1 (fr) * | 1974-07-09 | 1976-02-06 | Thomson Csf | Correlateur analogique a ondes elastiques de surface |
| US4194171A (en) * | 1978-07-07 | 1980-03-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Zinc oxide on silicon device for parallel in, serial out, discrete fourier transform |
| US4207546A (en) * | 1978-12-07 | 1980-06-10 | United Technologies Corporation | Phase and amplitude programmable internal mixing SAW signal processor |
| US4328473A (en) * | 1980-11-03 | 1982-05-04 | United Technologies Corporation | Isolated gate, programmable internal mixing saw signal processor |
| JPS5879779A (ja) * | 1981-11-06 | 1983-05-13 | Clarion Co Ltd | 弾性表面波コンボルバ |
-
1985
- 1985-09-19 GB GB8523150A patent/GB2166616B/en not_active Expired
- 1985-09-20 DE DE19853533611 patent/DE3533611A1/de not_active Ceased
- 1985-09-20 SE SE8504350A patent/SE462132B/xx not_active IP Right Cessation
- 1985-09-20 FR FR858514000A patent/FR2570902B1/fr not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-09-18 US US07/099,688 patent/US4745378A/en not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-09-23 GB GB8822450A patent/GB2208769B/en not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3982113A (en) * | 1974-11-05 | 1976-09-21 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Acoustoelectric wave semiconductor signal processing apparatus with storage of weighting factor |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2603144A1 (fr) * | 1986-08-22 | 1988-02-26 | Clarion Co Ltd | Circuit de polarisation optimale pour un convertisseur |
| EP0579871A1 (fr) * | 1992-07-24 | 1994-01-26 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Convolutionneur d'ondes acoustiques de surface |
| US5336957A (en) * | 1992-07-24 | 1994-08-09 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Surface acoustic wave convolver |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SE462132B (sv) | 1990-05-07 |
| GB8822450D0 (en) | 1988-10-26 |
| SE8504350D0 (sv) | 1985-09-20 |
| GB2208769B (en) | 1989-07-26 |
| GB2166616B (en) | 1989-07-19 |
| DE3533611A1 (de) | 1986-04-03 |
| US4745378A (en) | 1988-05-17 |
| GB8523150D0 (en) | 1985-10-23 |
| GB2208769A (en) | 1989-04-12 |
| FR2570902B1 (fr) | 1991-02-01 |
| GB2166616A (en) | 1986-05-08 |
| SE8504350L (sv) | 1986-03-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2570902A1 (fr) | Dispositif a onde acoustique de surface | |
| FR2534089A1 (fr) | Dispositif a onde acoustique de surface | |
| FR2590078A1 (fr) | Dispositif a onde acoustique de surface | |
| FR2509927A1 (fr) | Element a onde elastique de surface | |
| FR2496991A1 (fr) | Condensateur variable | |
| FR2535893A1 (fr) | Procede de fabrication d'un composant passif a radio frequence et condensateur fabrique par ce procede | |
| US4439912A (en) | Infrared detector and method of making same | |
| FR2474256A1 (fr) | Procede d'ajustement de dispositifs a ondes acoustiques de surface | |
| US4859629A (en) | Method of fabricating a semiconductor beam lead device | |
| FR2587563A1 (fr) | Dispositif a onde acoustique de surface | |
| EP0010014A1 (fr) | Filtre à transfert de charges et filtre à capacités commutées comportant un multiplicateur de tension à capacités commutées | |
| EP0150140A2 (fr) | Circuit de polarisation d'un transistor à effet de champ | |
| FR2495333A1 (fr) | Procede de realisation d'un capteur de champ magnetique sous forme d'une couche mince | |
| EP0246945B1 (fr) | Ecran de visualisation électrooptique, et procédé de réalisation | |
| FR2852165A1 (fr) | Procede de realisation d'un microresonateur piezolectrique accordable | |
| FR2730853A1 (fr) | Procede pour polariser une feuille de materiau ferroelectrique de grande surface | |
| FR2472881A1 (fr) | Dispositif parametrique a onde acoustique de surface | |
| FR2884921A1 (fr) | Detecteur capacitif d'humidite et procede de fabrication de celui-ci | |
| US4733290A (en) | Semiconductor device and method of fabrication | |
| FR2473811A1 (fr) | Dispositif a onde acoustique de surface | |
| FR2496992A1 (fr) | Condensateur variable | |
| EP0142823A2 (fr) | Dispositif de contrôle de l'épaisseur d'une couche mince | |
| FR2516308A1 (fr) | Plateau d'attaque radiofrequence, notamment pour l'attaque par pulverisation cathodique de tranches semi-conductrices | |
| EP0908944B1 (fr) | Caractérisation électrique d'une couche isolante recouvrant un substrat conducteur ou semiconducteur | |
| FR2511545A1 (fr) | Dispositif semi-conducteur comportant un dispositif a couplage de charges a quatre phases |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |