FR2884921A1 - Detecteur capacitif d'humidite et procede de fabrication de celui-ci - Google Patents

Abstract

Détecteur capacitif d'humidité, comprenant : un élément de détection (11) d'humidité ; un substrat (1) ; et un film isolant (3). L'élément de détection (11) d'humidité comporte une paire d'électrodes (11a, 11b) en forme de peignes et un film (4r) sensible à l'humidité. Les électrodes (11a, 11b) en forme de peignes sont entourées par un seuil (3, 11r) constitué par une partie du film isolant (3). Le film isolant (3) sur les électrodes (11a, 11b) en forme de peignes a une première hauteur. La partie du film isolant (3) couvrant le seuil (3, 11r) a une seconde hauteur plus grande que la première hauteur. Le film (4r) sensible à l'humidité a une hauteur égale ou inférieure à la seconde hauteur et est disposé à l'intérieur du seuil (3, 11r). Le seuil (3, 11r) comporte en outre un premier motif annulaire (11r) réalisé dans la même matière que les électrodes (1la, 11b) en forme de peignes.

Description

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DETECTEUR CAPACITIF D'HUMIDITE ET PROCEDE DE

FABRICATION DE CELUI-CI

La présente invention est relative à un détecteur capacitif d'humidité et à un procédé de fabrication d'un détecteur capacitif d'humidité.

Un détecteur capacitif d'humidité et un procédé de fabrication de détecteur capacitif d'humidité sont décrits, par exemple, dans JP-A-243 690, qui correspond au brevet des EUA n 6 580 600-B2 et à la publication de demande de brevet des EUA n 2002/0 114 125-Al. Le détecteur comprend un élément de détection d'humidité dont la capacité varie avec l'humidité. Le détecteur 90 est représenté sur la Fig. 4. Le détecteur 90 comprend une partie 30 sensible à l'humidité et une partie formant circuit 40, qui sont disposées sur une même face d'un substrat semiconducteur 1.

La partie 30 sensible à l'humidité est composée d'une paire d'électrodes 91a, 91b, d'un film 2 d'oxyde de silicium, d'un film 3 de nitrure de silicium et d'un film 4 sensible à l'humidité. Le film 2 d'oxyde de silicium est formé sur le substrat 1. Les électrodes 91a, 91b sont en regard l'une de l'autre, sont disposées sur le film 2 d'oxyde de silicium et sont séparées l'une de l'autre. Le film 3 de nitrure de silicium et le film 4 sensible à l'humidité sont formés de manière à couvrir les électrodes 91a, 91b. Le film 4 sensible à l'humidité est en matière dont la constante diélectrique varie en fonction de la variation de l'humidité dans l'atmosphère. Ainsi, la capacité entre les électrodes 91a, 91b dans la partie 30 sensible à l'humidité varie en fonction de la variation de l'humidité dans l'atmosphère entourant le détecteur 90.

La partie formant circuit 40 commande et excite, c'est-à-dire met sous tension, l'élément de détection d'humidité 10 dans la partie 30 sensible à l'humidité. La partie formant circuit 40 comprend une partie à capacité de référence 42 et une partie formant transistor CMOS 41. La partie à capacité de référence 42 produit une capacité de référence et la partie formant transistor CMOS 41 comprend un transistor CMOS ou analogue. Le changement de capacité entre les électrodes 91a, 91b dans la partie 30 sensible à l'humidité est comparé avec la capacité de référence de la partie 42 à capacité de référence, de façon qu'un résultat de la comparaison soit traité dans la partie formant transistor CMOS 41. Ainsi, le détecteur 90 mesure le changement de capacité entre les électrodes 91a, 91b en fonction du changement d'humidité, l'humidité atmosphérique étant ainsi détectée.

2884921 2 Le film 4 sensible à l'humidité dans le détecteur 90 ci-dessus est fabriqué par un procédé de sérigraphie. Ainsi, le coût de la fabrication du détecteur 90 devient faible. Cependant, le film 4 sensible à l'humidité formée par le procédé de sérigraphie pose les problèmes ciaprès.

La matière servant à réaliser le film 4 sensible à l'humidité est tout d'abord mélangée sous la forme d'une pâte. Ensuite, la pâte est imprimée par le procédé de sérigraphie. Cependant, le film 4 sensible à l'humidité formé par le procédé de sérigraphie présente des variations de viscosité dans chaque partie et des variations de pression d'impression dans chaque partie. Ainsi, il peut se produire un phénomène de selle, illustré sur la Fig. 6. Le phénomène de selle est tel que l'épaisseur au centre du film 4 sensible à l'humidité est différente de l'épaisseur sur le pourtour du film 4 sensible à l'humidité après l'impression du film 4 sensible à l'humidité. Lorsque le phénomène de selle survient dans le film 4 sensible à l'humidité dans l'élément de détection 10, les caractéristiques de détecteur 90 risquent d'être modifiées. Ainsi, la précision de détection de l'humidité est amoindrie.

Compte tenu du problème décrit ci-dessus, la présente invention vise à réaliser un détecteur capacitif d'humidité ayant une grande précision de détection. La présente invention vise aussi à réaliser un procédé pour fabriquer un détecteur capacitif d'humidité ayant une grande précision de détection.

Un détecteur capacitif d'humidité comprend: un élément de détection d'humidité, dont la capacité peut changer en fonction de l'humidité, de telle sorte que l'élément de détection d'humidité détecte l'humidité ; un substrat, sur lequel est disposé l'élément de détection d'humidité ; et un film isolant disposé sur le substrat. L'élément de détection d'humidité comprend une paire d'électrodes en forme de peignes et un film sensible à l'humidité. Les électrodes en forme de peignes sont imbriquées l'une dans l'autre de façon que les électrodes en forme de peignes soient en regard l'une de l'autre. Les électrodes en forme de peignes sont disposées sur le substrat. Le film sensible à l'humidité couvre les électrodes en forme de peignes à travers le film isolant. Le film sensible à l'humidité a une constante diélectrique qui peut changer en fonction de l'humidité. Les électrodes en forme de peignes sont entourées par un seuil (ou digue), qui est constitué par une partie du film isolant. Le film isolant disposé sur les électrodes en forme de peignes a une première hauteur au-dessus du substrat. La partie du film isolant disposé sur le seuil a une seconde hauteur au-dessus du substrat, la seconde hauteur étant plus grande que la première hauteur. Le film sensible à l'humidité a une hauteur égale ou inférieure à la seconde 2884921 3 hauteur. Le film sensible à l'humidité est disposé à l'intérieur du seuil. Le seuil comporte en outre un premier motif annulaire, de telle sorte que le premier motif annulaire entoure l'électrode en forme de peigne et le film sensible à l'humidité, le premier motif annulaire étant de la même matière que l'électrode en forme de peigne.

Dans le détecteur ci-dessus, le film sensible à l'humidité, d'une épaisseur homogène, est facilement formé en versant la matière du film sensible à l'humidité à l'intérieur du seuil. On empêche ainsi le phénomène de selle de survenir dans le film sensible à l'humidité. Ainsi, l'épaisseur du film sensible à l'humidité devient uniforme et, par conséquent, on améliore la précision de la détection faite par le détecteur. Par ailleurs, le premier motif annulaire est de la même matière que l'électrode en forme de peigne. Ainsi, le coût de fabrication du détecteur est supprimé, ce qui réduit le coût total du détecteur.

Selon une autre possibilité, le premier motif annulaire peut avoir une épaisseur sensiblement égale à l'épaisseur de l'électrode en forme de peigne. Selon une autre possibilité, le détecteur comporte en outre un condensateur de référence ayant une capacité de référence. La capacité de référence dépend que de l'humidité, elle dépend moins de l'humidité que l'élément de détection. Le condensateur de référence comporte au moins une électrode en silicium polycristallin. Le seuil comporte en outre un deuxième motif annulaire de façon que le deuxième motif annulaire entoure l'électrode en forme de peigne et le film sensible à l'humidité. Le deuxième motif annulaire est en silicium polycristallin. Par ailleurs, le deuxième motif annulaire peut avoir une épaisseur sensiblement égale à l'épaisseur de l'électrode en silicium polycristallin du condensateur de référence. Selon une autre possibilité, le condensateur de référence comporte en outre une seconde électrode en silicium polycristallin. Le seuil comporte en outre un troisième motif annulaire de façon que le troisième motif annulaire entoure l'électrode en forme de peigne et le film sensible à l'humidité. Le troisième motif annulaire est en silicium polycristallin. Par ailleurs, le troisième motif annulaire peut avoir une épaisseur sensiblement égale à l'épaisseur de la seconde électrode en silicium polycristallin du condensateur de référence.

En outre, un détecteur capacitif d'humidité comprend: un élément de détection d'humidité, dont la capacité peut changer en fonction de l'humidité de façon que l'élément de détection d'humidité détecte l'humidité ; un substrat, sur lequel est disposé l'élément de détection d'humidité ; et un film isolant disposé sur le substrat.

L'élément de détection d'humidité comporte une paire d'électrodes en forme de 2884921 4 peignes et un film sensible à l'humidité. Les électrodes en forme de peignes sont imbriquées l'une dans l'autre de façon que les électrodes en forme de peignes soient en regard l'une de l'autre. Les électrodes en forme de peignes sont disposées sur le substrat. Le film sensible à l'humidité couvre les électrodes en forme de peignes à travers le film isolant. Le film sensible à l'humidité a une constante diélectrique qui peut changer en fonction de l'humidité. Les électrodes en forme de peignes sont entourées par un seuil. Le film isolant disposé sur les électrodes en forme de peignes a une première hauteur au-dessus du substrat. Le seuil a une seconde hauteur au-dessus du substrat, la seconde hauteur étant plus grande que la première hauteur. Le film sensible à l'humidité a une hauteur égale ou inférieure à la seconde hauteur. Le film sensible à l'humidité est disposé à l'intérieur du seuil.

Dans le détecteur ci-dessus, le seuil peut globalement être constitué de n'importe quelle matière. Par ailleurs, le film sensible à l'humidité, d'une épaisseur homogène, est facilement formé en versant la matière du film sensible à l'humidité à l'intérieur du seuil. Ainsi, on empêche le phénomène de selle de survenir dans le film sensible à l'humidité. Ainsi, l'épaisseur du film sensible à l'humidité devient uniforme et, par conséquent, on améliore la précision de la détection faite par le détecteur.

Selon une autre possibilité, le détecteur peut en outre comporter une partie formant circuit servant à commander l'élément de détection d'humidité. Le substrat est en matériau semiconducteur. La partie formant circuit est disposée sur le substrat, à l'écart de l'élément de détection d'humidité. Le seuil comporte un motif annulaire de façon que le motif annulaire entoure l'électrode en forme de peigne et le film sensible à l'humidité. Le motif annulaire est réalisé dans la même matière qu'une électrode ou un câblage dans la partie formant circuit. En outre, le motif annulaire peut avoir une épaisseur sensiblement égale à l'épaisseur de l'électrode ou du câblage dans la partie formant circuit.

Par ailleurs, un procédé de fabrication d'un détecteur capacitif d'humidité comprend les étapes consistant à : former sur un substrat un élément de détection d'humidité, la capacité de l'élément de détection d'humidité pouvant changer en fonction de l'humidité, de façon que l'élément de détection d'humidité détecte l'humidité, l'élément de détection d'humidité comprenant une paire d'électrodes en forme de peignes et un film sensible à l'humidité, les électrodes en forme de peignes étant imbriquées l'une dans l'autre de façon que les électrodes en forme de peignes soient en regard l'une de l'autre, les électrodes en forme de peignes étant disposées sur le substrat, le film sensible à l'humidité couvrant les électrodes en forme de 2884921 5 peignes à travers un film isolant, le film isolant étant disposé sur le substrat, et le film sensible à l'humidité ayant une constante diélectrique qui peut changer en fonction de l'humidité ; et former un seuil constitué par une partie du film isolant, les électrodes en forme de peignes étant entourées par le seuil, le film isolant disposé sur les électrodes en forme de peignes ayant une première hauteur au-dessus du substrat et la partie du film isolant disposée sur le seuil ayant une seconde hauteur au- dessus du substrat, la seconde hauteur étant plus grande que la première hauteur. L'étape de formation de l'élément sensible à l'humidité comporte les étapes consistant à : former sur le substrat les électrodes en forme de peignes; et verser la matière du film sensible à l'humidité à l'intérieur du seuil de façon que le film sensible à l'humidité ait une hauteur égale ou inférieure à la seconde hauteur. Le seuil comporte en outre un premier motif annulaire de façon que le premier motif entoure l'électrode en forme de peigne. Le premier motif annulaire est réalisé dans la même matière que l'électrode en forme de peigne. Lors de l'étape de formation des électrodes en forme de peignes, le premier motif annulaire est formé conjointement avec les électrodes en forme de peignes.

Le procédé ci-dessus réalise le détecteur de la manière suivante. Le film sensible à l'humidité, d'une épaisseur homogène, est facilement formé en versant la matière du film sensible à l'humidité à l'intérieur du seuil. On évite ainsi que le phénomène de selle ne survienne dans le film sensible à l'humidité. Ainsi, l'épaisseur du film sensible à l'humidité devient uniforme et, par conséquent, on améliore la précision de la détection faite par le détecteur. Par ailleurs, le premier motif annulaire est réalisé dans la même matière que l'électrode en forme de peigne. De la sorte, le coût de fabrication du détecteur est supprimé, si bien que le coût total du détecteur est réduit.

Selon une autre possibilité, le procédé peut comprendre en outre l'étape consistant à : former sur le substrat un condensateur de référence ayant une capacité de référence. La capacité de référence dépend peu de l'humidité, cette dépendance étant inférieure à celle de l'élément sensible à l'humidité. Le condensateur de référence comprend au moins une électrode en silicium polycristallin. Le seuil comporte en outre un deuxième motif annulaire de façon que le deuxième motif annulaire entoure l'électrode en forme de peigne. Le deuxième motif annulaire est réalisé en silicium polycristallin. L'étape de formation du condensateur de référence comporte l'étape consistant à former l'électrode en silicium polycristallin dans le condensateur de référence. Lors de l'étape de formation de l'électrode en silicium 2884921 6 polycristallin du condensateur de référence, le deuxième motif annulaire est formé conjointement avec l'électrode en silicium polycristallin.

Selon une autre possibilité, le condensateur de référence peut comporter en outre une seconde électrode en silicium polycristallin. Le seuil comporte en outre un troisième motif annulaire de façon que le troisième motif annulaire entoure l'électrode en forme de peigne. Le troisième motif annulaire est réalisé en silicium polycristallin. L'étape de formation du condensateur de référence comporte en outre l'étape de formation de la seconde électrode en silicium polycristallin dans le condensateur de référence. Lors de l'étape de formation de la seconde électrode en silicium polycristallin du condensateur de référence, le troisième motif annulaire est formé conjointement avec la seconde électrode en silicium polycristallin.

Par ailleurs, un procédé de fabrication de détecteur capacitif d'humidité comprend les étapes consistant à : former sur un substrat un élément de détection d'humidité dont la capacité peut changer en fonction de l'humidité, de sorte que l'élément de détection d'humidité détecte l'humidité, l'élément de détection d'humidité comportant une paire d'électrodes en forme de peignes et un film sensible à l'humidité, les électrodes en forme de peignes étant imbriquées l'une dans l'autre de façon que les électrodes en forme de peignes soient en regard l'une de l'autre, les électrodes en forme de peignes étant disposées sur le substrat, le film sensible à l'humidité couvrant les électrodes en forme de peignes à travers un film isolant, le film isolant étant disposé sur le substrat et le film sensible à l'humidité ayant une constante diélectrique pouvant changer en fonction de l'humidité ; et former un seuil de telle manière que le seuil entoure les électrodes en forme de peignes, le film isolant disposé sur les électrodes en forme de peignes ayant une première hauteur au- dessus du substrat et le seuil ayant une seconde hauteur au-dessus du substrat, la seconde hauteur étant plus grande que la première hauteur. L'étape de formation de l'élément de détection d'humidité comporte les étapes consistant à : former sur le substrat les électrodes en forme de peignes; et verser la matière du film sensible à l'humidité à l'intérieur du seuil de façon que le film sensible à l'humidité ait une hauteur égale ou inférieure à la seconde hauteur.

Le procédé ci-dessus réalise le détecteur de la manière suivante. Dans le détecteur, le seuil peut globalement être réalisé en n'importe quelle matière. Par ailleurs, le film sensible à l'humidité, d'une épaisseur homogène, est facilement formé en versant la matière du film sensible à l'humidité à l'intérieur du seuil. On évite ainsi que le phénomène de selle ne survienne dans le film sensible à l'humidité. Ainsi, 2884921 7 l'épaisseur du film sensible à l'humidité devient uniforme et, par conséquent, on améliore la précision de la détection faite par le détecteur.

Selon une autre possibilité, le procédé peut comprendre en outre l'étape consistant à : créer sur le substrat une partie formant circuit à l'écart de l'élément de détection d'humidité. La partie formant circuit commande l'élément de détection d'humidité. Le substrat est en matériau semiconducteur. Le seuil comporte un motif annulaire de façon que le motif annulaire entoure les électrodes en forme de peignes. Le motif annulaire est réalisé dans la même matière qu'une électrode ou un câblage de la partie formant circuit. L'étape de formation de la partie formant circuit comporte l'étape consistant à former l'électrode ou le câblage dans la partie formant circuit. Lors de l'étape de formation de l'électrode ou du câblage dans la partie formant circuit, le motif annulaire est formé conjointement avec l'électrode ou le câblage.

L'invention sera mieux comprise à l'étude de la description détaillée d'un 15 mode de réalisation pris à titre d'exemple non limitatif et illustré par les dessins annexés sur lesquels: La Fig. 1A est une vue partielle en coupe représentant une partie principale d'un détecteur capacitif d'humidité selon une forme préférée de réalisation de la présente invention, la Fig. lB est une vue de dessus représentant le détecteur capacitif d'humidité et la Fig. 1C est une vue en coupe partiellement agrandie représentant une partie IC du détecteur de la Fig. lA; La Fig. 2A est une vue partielle en coupe représentant une partie principale d'un détecteur capacitif d'humidité selon une variante de la forme préférée de réalisation de la présente invention, et la Fig. 2B est une vue en coupe partiellement agrandie représentant une partie IIB du détecteur de la Fig. 2A; La Fig. 3 est une vue en coupe partiellement agrandie représentant une partie d'un détecteur capacitif d'humidité selon une autre variante de la forme préférée de réalisation de la présente invention; La Fig. 4 est une vue partielle en coupe représentant une partie principale 30 d'un détecteur capacitif d'humidité selon une technique antérieure; La Fig. 5A est une vue partielle en coupe représentant une partie principale d'un détecteur capacitif d'humidité à comparer avec la forme de réalisation préférée, la Fig. 5B est une vue de dessus représentant le détecteur capacitif d'humidité et la Fig. 5C est une vue en coupe représentant le détecteur, prise suivant la ligne VC-VC de la Fig. 5B; et 2884921 8 La Fig. 6 est une vue schématique en coupe représentant un film sensible à l'humidité formé par un procédé de sérigraphie, selon la technique antérieure.

L'inventeur a préalablement étudié un détecteur capacitif d'humidité. Les figures 5A à 5C représentent le détecteur capacitif 100 d'humidité à comparer avec une forme préférée de réalisation de la présente invention. Le détecteur 100 comprend la partie 30 sensible à l'humidité qui comporte un élément de détection 10 d'humidité et la partie formant circuit 40, qui sont formés sur la même face du substrat 1. Le substrat 1 est en silicium. La partie formant circuit 40, qui sert à exciter l'élément de détection 10 d'humidité, comporte la partie 42 à capacité de référence ayant un condensateur de référence 20 et la partie formant transistor CMOS 41. La forme de l'électrode de la partie 30 sensible à l'humidité sur la Fig. 5A est différente de celle de la Fig. 4.

L'élément de détection 10 d'humidité comprend une paire d'électrodes 11 a, llb en forme de peignes, qui est disposée dans le même plan du substrat 1. Par ailleurs, une dent de peigne de l'une des électrodes Il a, llb en forme de peignes est séparément en regard d'une dent de peigne de l'autre des électrodes lla, llb en forme de peignes, afin que les dents de peignes des électrodes lla, llb soient imbriquées les unes dans les autres. Ainsi, l'élément de détection 10 d'humidité est un élément capacitif du type à électrodes en dents de peigne. L'électrode l la, llb en forme de peigne est réalisée en matière de câblage, par exemple en aluminium. L'électrode 1 la, 1 lb en forme de peigne est formée sur le film 2 d'oxyde de silicium. La capacité de l'élément de détection 10 d'humidité comportant les électrodes 11a, llb en forme de peignes de la Fig. 5B est plus grande que celle de l'élément de détection d'humidité ayant une paire d'électrodes 91a, 91b de la Fig. 4. Par ailleurs, le procédé de fabrication de l'élément de détection 10 d'humidité du type à électrodes en forme de peignes est plus simple que celui de l'élément de détection d'humidité du type à plaques parallèles, dans lequel les deux électrodes 91a, 91b se présentent sous la forme de plaques parallèles. Par conséquent, l'élément de détection 10 d'humidité du type à électrodes en forme de peignes peut être fabriqué d'une manière fiable par un procédé classique à semiconducteurs. Par ailleurs, le coût de la fabrication de l'élément de détection 10 d'humidité du type à électrodes en forme de peignes devient plus bas, si bien que le coût total du détecteur 100 devient faible.

Le film 4 sensible à l'humidité est formé sur les électrodes lla, llb en 35 forme de peignes à travers le film 3 de nitrure de silicium sous la forme d'un film de 2884921 9 protection isolant afin que les électrodes en forme de peignes 11a, 1 lb soient couvertes par le film 4 sensible à l'humidité. La constante diélectrique du film 4 sensible à l'humidité peut changer en fonction de l'humidité. Le film 4 sensible à l'humidité est réalisé en résine de polyimide et la permittivité relative du film 4 sensible à l'humidité est de 3 à 4. Ici, l'eau, c'est-à-dire H2O, a une permittivité relative de 80. Ainsi, lorsque l'eau, c'est-à-dire une molécule de H2O, adhère au film 4 sensible à l'humidité, la constante diélectrique du film 4 sensible à l'humidité augmente. Ainsi, la capacité de l'élément de détection 10 s'accroît. Par conséquent, l'élément de détection 10 détecte l'humidité d'après le changement de capacité de l'élément 10 conformément au changement de la constante diélectrique du film 4 sensible à l'humidité, qui peut changer en fonction de l'humidité de l'atmosphère environnant l'élément 10.

Le condensateur de référence 20 dans le détecteur 100 représenté sur la Fig. 5A comporte le film 2 d'oxyde de silicium comme diélectrique, une couche de diffusion 21 du type N et une couche 22 en silicium polycristallin. La couche de diffusion 21 du type N et la couche 22 de silicium polycristallin sont formées sur le substrat semiconducteur 1 et servent d'électrode de façon que le condensateur 20 se présente sous la forme d'un élément capacitif du type à plaques parallèles. En particulier, le film 2 d'oxyde de silicium est intercalé entre la couche de diffusion 21 du type N et la couche 22 de silicium polycristallin, qui constituent deux électrodes du condensateur de référence 20. Le condensateur de référence 20 n'a pas de film 4 sensible à l'humidité et, par conséquent, la capacité de référence du condensateur de référence 20 ne change pas même si l'humidité de l'atmosphère environnant la partie 42 à capacité de référence change.

Le changement de capacité de l'élément de détection 10 en fonction du changement de l'humidité atmosphérique est comparé avec la capacité de référence du condensateur de référence 20. Ensuite, un résultat de comparaison est traité dans la partie formant transistor CMOS 41 de façon que le détecteur détecte l'humidité de l'atmosphère environnant l'élément de détection 10.

Le film 4 sensible à l'humidité dans le détecteur 100 ci-dessus est fabriqué par un procédé de sérigraphie. Ainsi, le coût de la fabrication du détecteur 100 devient bas. Cependant, le film 4 sensible à l'humidité, formé par le procédé de sérigraphie, présente les problèmes ci-après.

La matière servant à réaliser le film 4 sensible à l'humidité est tout d'abord 35 mélangée sous la forme d'une pâte ayant une viscosité d'environ 50 Pa's. Ensuite, la 2884921 10 pâte est imprimée par le procédé de sérigraphie. Cependant, le film 4 sensible à l'humidité formé par le procédé de sérigraphie présente une variation de viscosité dans chaque partie et une variation de pression d'impression dans chaque partie. Ainsi, le phénomène de selle risque de ce produire. Si le phénomène de selle survient dans le film 4 sensible à l'humidité dans l'élément de détection 10, les caractéristiques du détecteur 100 risquent d'être modifiées. Ainsi, la précision de la détection de l'humidité est amoindrie.

Compte tenu du problème ci-dessus, un détecteur capacitif 101 d'humidité selon une forme préférée de réalisation de la présente invention représentée sur les figures 1A à 1c est proposé. Le détecteur 101 comprend un élément de détection 11 d'humidité dont la capacité peut changer en fonction de l'humidité de l'atmosphère environnant l'élément de détection 11. Le détecteur 101 comprend une partie 30 sensible à l'humidité et une partie formant circuit 40. La partie 30 sensible à l'humidité comporte l'élément de détection 11. La partie formant circuit 40 excite et commande l'élément de détection 11. La partie formant circuit 40 comporte une partie formant transistor CMOS 41 et une partie 42 à capacité de référence. La partie 30 sensible à l'humidité et la partie formant circuit 40 sont disposées sur une même face d'un substrat semiconducteur 1. La partie 42 à capacité de référence comporte un condensateur de référence 20.

La structure de la partie 30 sensible à l'humidité dans le détecteur 101 de la Fig. lA est différente de celle du détecteur 100 de la Fig. 5A. L'élément de détection 1l d'humidité dans le détecteur 101 est un élément capacitif en forme de peigne. L'élément 11 comporte une parie d'électrodes lla, 1 lb en forme de peignes et un film 4r sensible à l'humidité, qui sont disposés sur un substrat semiconducteur 1. Les électrodes 11 a, 1 lb sont séparées l'une de l'autre et sont en regard l'une de l'autre de façon que les dents de peignes des électrodes lla, llb soient imbriquées les unes dans les autres. Le film 4r sensible à l'humidité est formé sur le substrat 1 à travers le film 3 de nitrure de silicium servant de film isolant 3 afin de couvrir les électrodes 11 a, 11 b. La constante diélectrique du film 4 sensible à l'humidité peut changer en fonction de l'humidité. Les électrodes 1 la, 1 lb sont en matière de câblage telle que l'aluminium et sont disposées sur un film 2 d'oxyde de silicium. Le filmisolant 3 est constitué par un film de nitrure de silicium et le film 4 sensible à l'humidité est en résine polyimide.

Sur la Fig. 1C, H1 représente la hauteur de la surface du film isolant 3 par rapport à la surface du substrat 1. En particulier, la hauteur Hl est définie comme 2884921 11 étant la hauteur d'une partie du film isolant 3 disposée sur les électrodes l la, 1 lb. H2 représente la hauteur de la surface du film isolant 3 par rapport à la surface du substrat 1. En particulier, la hauteur H2 est définie comme étant la hauteur d'une autre partie du film isolant 3 disposé suivant un trait mixte, qui définit une zone IB représentée sur la Fig. 1B. La zone IB entoure les électrodes 1 la, 1 lb. La hauteur H2 est établie de manière à être plus grande que la hauteur Hl. Le film 4r sensible à l'humidité est formé à l'intérieur de la zone IB de telle manière que la hauteur du film 4r sensible à l'humidité soit égale ou inférieure à la hauteur H2.

Ainsi, le film isolant 3 constitue une structure de seuil (ou digue). Le seuil est constitué par la partie du film isolant 3, deux motifs annulaires 1 l r, 22r et une partie du film 2 d'oxyde de silicium. Par conséquent, lorsque le film 4r sensible à l'humidité est formé, le substrat est placé sur une table horizontale servant de table de référence afin que la matière du film 4r sensible à l'humidité, à faible viscosité, soit versée en quantité prédéterminée à l'intérieur de la zone IB. Ainsi, le film 4r sensible à l'humidité, d'une épaisseur constante, est formé sur le substrat 1, c'est-à-dire que l'épaisseur du film 4r sensible à l'humidité devient homogène.

Ici, de préférence, la viscosité de la matière du film 4r sensible à l'humidité est égale ou inférieure à 10 PaÉs. Dans ce cas, après que la matière du film 4r sensible à l'humidité a été versée à l'intérieur de la zone IB, le solvant présent dans la pâte de la matière du film 4r sensible à l'humidité est éliminé en plaçant le substrat 1r sur la table horizontale de façon que l'épaisseur constante du film 4r sensible à l'humidité soit facilement obtenue.

Dans le film 4r sensible à l'humidité formé suivant le procédé de coulée ci-dessus, on empêche que le phénomène de selle ne survienne dans le film 4r. De la sorte, l'épaisseur du film 4r sensible à l'humidité qui couvre les électrodes lla, llb devient uniforme, c'est-à-dire homogène. On améliore ainsi la précision de la détection faite par le détecteur 101.

Dans le détecteur 101, pour former la structure de seuil, le détecteur 101 comporte deux motifs annulaires 22r, 11r. Les motifs annulaires 11r, 22r sont disposés sur le substrat de manière à entourer les électrodes Il a, 1lb. En particulier, les motifs annulaires 11r, 22r sont disposés suivant le trait mixte de IB. Le motif annulaire 22r est constitué par un film de silicium polycristallin, à savoir la même matière qu'une électrode 22, c'est-à-dire la couche de silicium polycristallin du condensateur de référence 20. L'électrode 22 du condensateur de référence 20 est l'une des électrodes du condensateur 20. Ainsi, le motif annulaire 22r est formé en 2884921 12 même temps que l'électrode 22 du condensateur de référence 20. Le motif annulaire 11 r est en aluminium ou analogue, c'est-à-dire la même matière que les électrodes 1 1 a, 1 lb en forme de peignes. Ainsi, le motif annulaire l 1 r est formé en même temps que l'électrode I la, 1 lb en forme de peignes. En particulier, l'étape de formation du motif annulaire 22r est la même que l'étape de formation de l'électrode 22 du condensateur de référence 20 et l'étape de formation du motif annulaire l lr est la même que l'étape de formation de l'électrode Il a, 1 lb en forme de peigne.

Du fait de la formation du motif annulaire llr, l'épaisseur d'une partie du film isolant 3 disposée sur les électrodes l la, l lb est établie de manière à être égale à l'épaisseur d'une autre partie du film isolant 3 disposée sur le motif annulaire l lr. En particulier, en raison de la formation du motif annulaire 11r, il est facile d'accroître la hauteur H2 du film isolant 3 disposé suivant le trait mixte indiqué par IB sur la Fig. IB. Par ailleurs, du fait de la formation du motif annulaire 22r, la hauteur H2 du film isolant 3 suivant le trait mixte IB est établie de manière à être plus grande que la hauteur H1 du film isolant 3 sur l'électrode l la, 1 lb en forme de peigne dans une mesure égale à l'épaisseur du motif annulaire 22r. Ici, l'épaisseur du motif annulaire 22r est la même que celle de l'électrode 22 du condensateur de référence 20. Ainsi, une nouvelle étape supplémentaire pour former les motifs annulaires l lr, 22r n'est pas nécessaire puisque les motifs annulaires I lr, 22r peuvent être formés respectivement conjointement avec les électrodes 11a, llb en forme de peignes et avec l'électrode 22 du condensateur de référence 20. En particulier, les motifs annulaires l lr, 22r peuvent être formés simplement en changeant de masque dans le cas de la formation respective des électrodes Il a, l lb en forme de peignes et de l'électrode 22 du condensateur de référence. Ainsi, le coût de la fabrication du détecteur 101 est réduit.

En général, dans le cas où un détecteur capacitif d'humidité comporte une partie formant circuit comme dans le cas du détecteur 101 représenté sur la Fig. lA, un gel protecteur servant à protéger la partie formant circuit est appliqué sur la partie formant circuit. Dans le détecteur 101, le gel protecteur est empêché de s'introduire à l'intérieur de la zone IB, car le film isolant 3 disposé suivant le trait mixte IB a la hauteur suffisante H2, ce qui empêche le gel de se répandre sur le film 4r sensible à l'humidité. Ainsi, le seuil empêche le gel d'entrer à l'intérieur de la zone IB.

(Variantes) Les figures 2A et 2B représentent un autre détecteur capacitif 102 35 d'humidité selon une variante de la forme de réalisation préférée. Le détecteur 102 2884921 13 comprend le condensateur de référence 23 dans la partie à capacité de référence 42 et l'élément 12 de détection d'humidité dans la partie 30 sensible à l'humidité. Bien que le condensateur de référence 20 représenté sur la Fig. 1A comporte comme électrode inférieure la couche de diffusion 21 de type N et comme électrode supérieure la couche 22 de silicium polycristallin, le condensateur de référence 23 représenté sur la Fig. 2A comporte comme électrodes supérieure et inférieure deux couches 24, 25 de silicium polycristallin. La partie 30 sensible à l'humidité comporte, comme représenté sur la Fig. 2B, trois motifs annulaires l lr, 24r, 25r. La matière du motif annulaire 1 lr est la même que celle des électrodes Il a, 1 lb en forme de peignes dans un élément de détection 1 l d'humidité. La matière des motifs annulaires 24r, 25r est la même que celle des électrodes supérieure et inférieure 24, 25 dans le condensateur de référence 23. Les trois motifs annulaires 11r, 24r, 25r et le film isolant 3 constituent la zone IB, c'est-à-dire le seuil. Le motif annulaire 24r, constitué par un film de silicium polycristallin, est formé conjointement avec l'électrode inférieure 24 du condensateur de référence 23, et le motif annulaire 25r constitué par un film de silicium polycristallin est formé conjointement avec l'électrode supérieure 25 du condensateur de référence 23. Le motif annulaire l lr est formé conjointement avec les électrodes 1 1 a, l l b en forme de peignes. En particulier, les étapes de formation des motifs annulaires 24r, 25r sont respectivement les mêmes que les étapes de formation des électrodes 24, 25 du condensateur de référence 23, et l'étape de formation du motif annulaire 1 lr est la même que l'étape de formation de l'électrode Il a, 1 lb en forme de peigne.

Du fait de la formation de deux motifs annulaires 24r, 25r, la hauteur H3 du film isolant 3 disposé suivant le trait mixte indiqué par IB sur la Fig. 2B devient plus grande que la hauteur H2 de la Fig. 1C. Ainsi, l'épaisseur du film 4r sensible à l'humidité dans la zone IB peut être maîtrisée avec un grand degré de liberté dans la conception.

Bien que les motifs annulaires 22r, 24r, 25r soient formés en même temps que les électrodes 22, 24, 25 du condensateur de référence 20, 23, les motifs annulaires 22r, 24r, 25r peuvent être formés en même temps que d'autres électrodes et/ou d'autres câblages de la partie formant circuit 40. En particulier, lorsque la partie formant circuit 40 est formée sur le substrat 1 à l'écart de l'élément de détection 11, 12 d'humidité, les motifs annulaires 22r, 24r, 25r peuvent être réalisés dans la même matière que les autres électrodes et/ou les autres câblages de la partie formant circuit 40. Ainsi, les étapes de formation des motifs annulaires 22r, 24r, 25r sont les mêmes 2884921 14 que les étapes de formation des autres électrodes et/ou des autres câblages de la partie formant circuit 40. Ainsi, le coût de la fabrication du détecteur 101, 102 est réduit.

La Fig. 3 représente encore un autre détecteur capacitif d'humidité selon une deuxième variante de la forme de réalisation préférée. Le détecteur comprend un élément de détection 13 d'humidité. L'élément de détection 13 d'humidité comporte la structure de seuil constituée par un motif annulaire 5. En particulier, la hauteur H4 du motif annulaire 5 disposé suivant le trait mixte indiqué par IB sur la Fig. 3B est établie de manière à être plus grande que la hauteur H1 du film isolant 3 disposé sur l'électrode l la, 1 lb en forme de peignes dans une mesure égale à l'épaisseur du motif annulaire 5. Le film 4r sensible à l'humidité est formé dans la zone 1B de telle manière que la hauteur du film 4r sensible à l'humidité soit plus petite que la hauteur H4 du motif annulaire 5.

Ainsi, du fait de l'utilisation du motif annulaire 5 réalisé en n'importe quelle matière, la hauteur H4 du motif annulaire 5 devient plus grande que la hauteur H1 du film isolant 3, si bien que la structure de seuil est formée. De la sorte, le film 4r sensible à l'humidité ayant l'épaisseur constante dans la zone IB peut être formé, c'est-à-dire que l'épaisseur du film 4r sensible à l'humidité devient homogène. Le film 4r sensible à l'humidité peut être formé par le procédé de coulée de façon à empêcher que le phénomène de selle ne survienne dans le film 4r. De la sorte, l'épaisseur du film 4r sensible à l'humidité qui couvre les électrodes l la, l lb devient uniforme. On améliore ainsi la précision de la détection faite par le détecteur 101.

Bien que la partie 30 sensible à l'humidité et la partie formant circuit 40 soient formées sur le même substrat 1, un détecteur capacitif d'humidité ayant un élément sensible à l'humidité formé uniquement sur un substrat peut comporter la structure de seuil.

Bien que l'invention ait été décrite en référence aux modes de réalisation décrits ci-dessus, il sera compris que l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation et structures décrits ci-dessus. L'invention est prévue pour couvrir les divers modifications et arrangements équivalents. De plus, d'autres combinaisons ou configurations, y compris plus, moins ou un seul élément, rentrent également dans l'esprit et la portée de l'invention.

Claims (19)

Revendications

1. Détecteur capacitif d'humidité, comprenant: un élément de détection (11, 12) d'humidité dont la capacité peut changer en fonction de l'humidité, de telle sorte que l'élément de détection (11, 12) d'humidité détecte l'humidité ; un substrat (1) sur lequel est disposé l'élément de détection (11, 12) d'humidité ; et un film isolant (3) disposé sur le substrat (1), caractérisé en ce que l'élément de détection (11, 12) d'humidité comporte une paire d'électrodes (l la, 1 lb) en forme de peignes et un film (4r) sensible à l'humidité, les électrodes (Il a, 1lb) en forme de peignes sont imbriquées l'une dans l'autre de façon que les électrodes (lla, llb) en forme de peignes soient en regard l'une de l'autre, les électrodes (Il a, llb) en forme de peignes sont disposées sur le substrat (1), le film (4r) sensible à l'humidité couvre les électrodes (1la, llb) en forme de peignes à travers le film isolant (3), le film (4r) sensible à l'humidité a une constante diélectrique qui peut changer en fonction de l'humidité, les électrodes (Il a, 1 lb) en forme de peignes sont entourées par un seuil (3, 1 lr, 22r, 24r, 25r), lequel est constitué par une partie du film isolant (3), le film isolant (3) disposé sur les électrodes (1 la, llb) en forme de peignes a une première hauteur au-dessus du substrat (1), la partie du film isolant (3) disposée sur le seuil (3, 1 lr, 22r, 24r, 25r) a une seconde hauteur au-dessus du substrat (1), la seconde hauteur étant plus grande que la première hauteur, le film (4r) sensible à l'humidité a une hauteur égale ou inférieure à la 30 seconde hauteur, le film (4r) sensible à l'humidité est disposé à l'intérieur du seuil (3, l lr, 22r, 24r, 25r) et le seuil (3, 11r, 22r, 24r, 25r) comporte en outre un premier motif annulaire (11r) de telle sorte que le premier motif annulaire (11r) entoure les 35 électrodes (lla, 1 lb) en forme de peigne et le film (4r) sensible à l'humidité, le 2884921 16 premier motif annulaire (1 lr) étant réalisé dans la même matière que les électrodes (l la, l lb) en forme de peignes.

2. Détecteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le premier motif annulaire (1lr) a une épaisseur sensiblement égale à l'épaisseur des électrodes (l la, 1 lb) en forme de peignes.

3. Détecteur selon la revendication lou 2, comprenant en outre: un condensateur de référence (20) à capacité de référence, caractérisé en ce que la capacité de référence dépend peu de l'humidité, cette dépendance étant inférieure à celle de l'élément (1l, 12) de détection d'humidité, le condensateur de référence (20) comporte au moins une électrode (22, 24, 25) en silicium polycristallin, le seuil (3, 1lr, 22r, 24r, 25r) comporte en outre un deuxième motif annulaire (22r, 24r, 25r) de telle sorte que le deuxième motif annulaire (22r, 24r, 25r) entoure les électrodes (11a, 11 b) en forme de peignes et le film (4r) sensible à l'humidité, et le deuxième motif annulaire (22r, 24r, 2:5r) est en silicium polycristallin.

4. Détecteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que le deuxième motif annulaire (22r, 24r, 25r) a une épaisseur sensiblement égale à l'épaisseur de l'électrode (22, 24, 25) en silicium polycristallin du condensateur de référence (20).

5. Détecteur selon la revendication 3 ou 4, caractérisé en ce que le condensateur de référence (20) comporte en outre une seconde électrode (25) en silicium polycristallin, le seuil (3, 11r, 24r, 25r) comporte en outre un troisième motif annulaire (25r) de telle sorte que le troisième motif annulaire (25r) entoure les électrodes (1 la, 1 lb) en forme de peignes et le film (4r) sensible à l'humidité, et le troisième motif annulaire (25r) est en silicium polycristallin.

6. Détecteur selon la revendication 5, caractérisé en ce que le troisième motif annulaire (25r) a une épaisseur sensiblement égale à l'épaisseur de la seconde électrode (24, 25) en silicium polycristallin du condensateur de référence (20).

7. Détecteur capacitif d'humidité, comprenant: 2884921 17 un élément de détection (11, 12, 13) d'humidité dont la capacité peut changer en fonction de l'humidité, de telle sorte que l'élément de détection (11, 12, 13) d'humidité détecte l'humidité ; un substrat (1) sur lequel est disposé l'élément de détection (11, 12, 13) d'humidité ; et un film isolant (3) disposé sur le substrat (1), caractérisé en ce que l'élément de détection (11, 12, 13) d'humidité comporte une paire d'électrodes (1 la, 1 lb) en forme de peignes et un film (4r) sensible à l'humidité, les électrodes (Il a, 1 lb) en forme de peignes sont imbriquées l'une dans l'autre de façon que les électrodes (11 a, 1 lb) en forme de peignes soient en regard l'une de l'autre, les électrodes (l la, 1 lb) en forme de peignes sont disposées sur le substrat (1), le film (4r) sensible à l'humidité couvre les électrodes (11 a, 1 lb) en forme de peignes à travers le film isolant (3), le film (4r) sensible à l'humidité a une constante diélectrique qui peut changer en fonction de l'humidité, les électrodes (Il a, 1 lb) en forme de peignes sont entourées par un seuil (3, 5, 1 lr, 22r, 24r, 25r), le film isolant (3) disposé sur les électrodes (1la, 1 lb) en forme de peignes a une première hauteur au- dessus du substrat (1), le seuil (3, 5, l lr, 22r, 24r, 25r) a une seconde hauteur au-dessus du substrat (1), la seconde hauteur étant plus grande que la première hauteur, le film (4r) sensible à l'humidité a une hauteur égale ou inférieure à la seconde hauteur, et le film (4r) sensible à l'humidité est disposé à l'intérieur du seuil (3, 5, l lr, 22r, 24r, 25r).

8. Détecteur selon la revendication 7, comprenant en outre: une partie formant circuit (40) pour commander l'élément de détection (11, 12, 13) d'humidité, caractérisé en ce que le substrat (1) est en matériau semiconducteur, la partie formant circuit (40) est disposée sur le substrat (1) à l'écart de l'élément de détection (11, 12, 13) d'humidité, 2884921 18 le seuil (3, 5, l lr, 22r, 24r, 25r) comporte un motif annulaire (5, l lr, 22r, 24r, 25r) de telle sorte que le motif annulaire (5) entoure les électrodes (1 la, 1 lb) en forme de peignes et le film (4r) sensible à l'humidité, et le motif annulaire (5, 11r, 22r, 24r, 25r) est réalisé dans la même matière qu'une électrode ou un câblage de la partie formant circuit (40).

9. Détecteur selon la revendication 8, caractérisé en ce que le motif annulaire (5, 11 r, 22r, 24r, 25r) a une épaisseur sensiblement égale à l'épaisseur de l'électrode ou du câblage de la partie formant circuit (40) .

10. Procédé de fabrication d'un détecteur capacitif d'humidité, comprenant les étapes consistant à : former un élément de détection (11, 12) d'humidité sur un substrat (1), une capacité de l'élément de détection (11, 12) d'humidité pouvant changer en fonction de l'humidité de telle sorte que l'élément de détection (11, 12) d'humidité détecte l'humidité, l'élément de détection (11, 12) d'humidité comportant une paire d'électrodes (11 a, 11 b) en forme de peignes et un film (4r) sensible à l'humidité, des électrodes (l la, 1 lb) en forme de peignes étant imbriquées l'une dans l'autre de façon que les électrodes (11 a, 11 b) en forme de peignes soient en regard l'une de l'autre, les électrodes (11 a, llb) en forme de peignes étant disposées sur le substrat (1), le film (4r) sensible à l'humidité couvrant les électrodes (lla, llb) en forme de peignes à travers un film isolant (3), le film isolant (3) étant disposé sur le substrat (1) et le film (4r) sensible à l'humidité ayant une constante diélectrique qui peut changer en fonction de l'humidité ; et former un seuil (3, l lr, 22r, 24r, 25r) constitué par une partie du film isolant (3), les électrodes (Il a, 1 lb) en forme de peignes étant entourées par le seuil (3, 11r, 22r, 24r, 25r), le film isolant (3) disposé sur les électrodes (lla, llb) en forme de peignes ayant une première hauteur au-dessus du substrat (1), et la partie du film isolant (3) disposée sur le seuil (3,11r, 22r, 24r, 25r) ayant une seconde hauteur au-dessus du substrat (1), la seconde hauteur étant plus grande que la première hauteur, caractérisé en ce que l'étape de formation de l'élément de détection (11, 12) d'humidité comprend les étapes consistant à : former les électrodes (lla, 11b) en forme de peignes sur le substrat (1) ; et 2884921 19 verser la matière du film (4r) sensible à l'humidité à l'intérieur du seuil (3, l lr, 22r, 24r, 25r) de façon que le film (4r) sensible à l'humidité ait une hauteur égale ou inférieure à la seconde hauteur, le seuil (3, llr, 22r, 24r, 25r) comporte en outre un premier motif 5 annulaire (11r) de telle sorte que le premier motif annulaire (11r) entoure les électrodes (11 a, 1 lb) en forme de peignes, le premier motif annulaire (1lr) est réalisé dans la même matière que les électrodes (11 a, 1 lb) en forme de peignes, et lors de l'étape de formation des électrodes (lla, llb) en forme de 10 peignes, le premier motif annulaire (1 lr) est formé conjointement avec les électrodes (Il a, Il b) en forme de peignes.

11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que le premier motif annulaire (1lr) a une épaisseur sensiblement égale à l'épaisseur des électrodes (Il a, l lb) en forme de peignes.

12. Procédé selon la revendication 10 ou 11, caractérisé en ce que la matière du film (4r) sensible à l'humidité a une viscosité égale ou inférieure à 10 Pa's.

13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 à 12, comprenant en outre l'étape consistant à : former sur le substrat (1) un condensateur de référence (20) à capacité de référence, caractérisé en ce que la capacité de référence dépend peu de l'humidité, la dépendance étant inférieure à celle de l'élément de détection (11, 12) d'humidité, le condensateur de référence (20) comporte au moins une électrode 25 (22, 24, 25) en silicium polycristallin, le seuil (3,11r, 22r, 24r, 25r) comporte en outre un deuxième motif annulaire (22r, 24r, 25r) de telle sorte que le deuxième motif annulaire (22r, 24r, 25r) entoure les électrodes (1 la, 1 lb) en forme de peignes, le deuxième motif annulaire (22r, 24r, 25r) est en silicium 30 polycristallin, l'étape de formation du condensateur de référence comporte l'étape consistant à former l'électrode (22, 24, 25) en silicium polycristallin dans le condensateur de référence (20) et, lors de l'étape de formation de l'électrode (22., 24, 25) en silicium 35 polycristallin du condensateur de référence (20), le deuxième motif annulaire (22r, 2884921 20 24r, 25r) est formé conjointement avec l'électrode (22, 24, 25) en silicium polycristallin.

14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que le deuxième motif annulaire (22r, 24r, 25r) a une épaisseur sensiblement égale à l'épaisseur de l'électrode (22, 24, 25) en silicium polycristallin du condensateur de référence (20).

15. Procédé selon la revendication 13 ou 14, caractérisé en ce que le condensateur de référence (20) comporte en outre une seconde électrode (25) en silicium polycristallin, le seuil (3, llr, 22r, 24r, 25r) comporte en outre un troisième motif annulaire (25r) de telle sorte que le troisième motif annulaire (25r) entoure les électrodes (l la, Il b) en forme de peignes, le troisième motif annulaire (25r) est en silicium polycristallin, l'étape de formation du condensateur de référence (20) comporte en outre l'étape consistant à former la seconde électrode (25) en silicium polycristallin, dans le condensateur de référence (20), et lors de l'étape de formation de la seconde électrode (24, 25) en silicium polycristallin du condensateur de référence (20), le troisième motif annulaire (25r) est formé conjointement avec la seconde électrode (25) en silicium polycristallin.

16. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que le troisième motif annulaire (25r) a une épaisseur sensiblement égale à l'épaisseur de la seconde électrode (25) en silicium polycristallin du condensateur de référence (20).

17. Procédé de fabrication d'un détecteur capacitif d'humidité, comprenant les étapes consistant à : former sur un substrat (1) un élément de détection (11, 12, 13) d'humidité dont la capacité peut changer en fonction de l'humidité de telle sorte que l'élément de détection (11, 12, 13) d'humidité détecte l'humidité, l'élément de détection (11, 12, 13) d'humidité comportant une paire d'électrodes (11a, llb) en forme de peignes et un film (4r) sensible à l'humidité, les électrodes (l la, 1 lb) en forme de peignes étant imbriquées l'une dans l'autre de façon que les électrodes (Il a, l lb) en forme de peigne soient en regard l'une de l'autre, les électrodes (l la, l lb) en forme de peignes étant disposées sur le substrat (1), le film (4r) sensible à l'humidité couvrant les électrodes (1l a, 1 1 b) en forme de peignes à travers un film 2884921 21 isolant (3), le film isolant (3) étant disposé sur le substrat (1), et le film (4r) sensible à l'humidité ayant une constante diélectrique qui peut changer en fonction de l'humidité ; et former un seuil (3, 5, llr, 22r, 24r, 25r) de telle sorte que le seuil (3, 5, llr, 22r, 24r, 25r) entoure les électrodes (Il a, 1 lb) en forme de peignes, le film isolant (3) disposé sur les électrodes (lla, 1 lb) en forme de peignes ayant une première hauteur au-dessus du substrat (1), et le seuil (3, 5, llr, 22r, 24r, 25r) ayant une seconde hauteur au-dessus du substrat (1), la seconde hauteur étant plus grande que la première hauteur, caractérisé en ce que l'étape de formation de l'élément de détection (11, 12, 13) d'humidité comporte les étapes consistant à : former les électrodes (l la, llb) en forme de peignes sur le substrat (1); et verser la matière du film (4r) sensible à l'humidité à l'intérieur du seuil (3, 5, llr, 22r, 24r, 25r) de telle sorte que le film (4r) sensible à l'humidité ait une hauteur égale ou inférieure à la seconde hauteur.

18. Procédé selon la revendication 17, comprenant en outre l'étape consistant à : former sur le substrat (1) une partie formant circuit (40) à l'écart de l'élément de détection (1l, 12, 13) d'humidité, caractérisé en ce que la partie formant circuit (40) commande l'élément de détection (11, 12, 13) d'humidité, le substrat (1) est en matériau semiconducteur, le seuil (3, 5, llr, 22r, 24r, 25r) comporte un motif annulaire (5, llr, 22r, 24r, 25r) de telle sorte que le motif annulaire (5, llr, 22r, 24r, 25r) entoure les électrodes (11 a, 1 lb) en forme de peignes, le motif annulaire (5, 11r, 22r, 24r, 25r) est réalisé dans la même matière qu'une électrode ou un câblage dans la partie formant circuit (40), l'étape de formation de la partie formant circuit (40) comporte l'étape consistant à former l'électrode ou le câblage dans la partie formant circuit (40), et lors de l'étape de formation de l'électrode ou du câblage dans la partie formant circuit (40), le motif annulaire (5, llr, 22r, 24r, 25r) est formé conjointement avec l'électrode ou le câblage.

19. Procédé selon la revendication 18, caractérisé en ce que 2884921 22 le motif annulaire (5, 11 r, 22r, 24r, 25r) a une épaisseur sensiblement égale à l'épaisseur de l'électrode ou du câblage dans la partie formant circuit (40).