JPS62215242A - 強誘電性液晶電気光学装置 - Google Patents
強誘電性液晶電気光学装置Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は強誘電性液晶の自発分極及び負の誘電異方性を
利用して電気光学変換を行う装置に関する。
利用して電気光学変換を行う装置に関する。
本発明は強誘電性液晶の自発分極を利用して液晶分子を
第１の安定状態又は第２の安定状態に択一的に整列させ
かつ強誘電性液晶の負の誘電異方性を利用して各安定状
態を保持する電気光学変換装置において、各安定状態を
作り出す印加電圧を液晶分子の応答しないチョッピング
部分及び液晶分子の応答する直流パルス部分の結合とし
かつ第１の安定状態を作り出す印加電圧と第２の安定状
態を作り出す印加電圧間において、各々の直流パルス部
分が位相的に重ならないようにしたので、マトリクス電
極配列の電気光学装置を線順次駆動する際、一度の線順
次走査で同時に第１及び第２の安定状態を各々のマトリ
クス画素に書き込むことができる。
第１の安定状態又は第２の安定状態に択一的に整列させ
かつ強誘電性液晶の負の誘電異方性を利用して各安定状
態を保持する電気光学変換装置において、各安定状態を
作り出す印加電圧を液晶分子の応答しないチョッピング
部分及び液晶分子の応答する直流パルス部分の結合とし
かつ第１の安定状態を作り出す印加電圧と第２の安定状
態を作り出す印加電圧間において、各々の直流パルス部
分が位相的に重ならないようにしたので、マトリクス電
極配列の電気光学装置を線順次駆動する際、一度の線順
次走査で同時に第１及び第２の安定状態を各々のマトリ
クス画素に書き込むことができる。
従来から強誘電性液晶の自発分極及び負の誘電異方性を
利用した電気光学変換装置は知られていた。例えば特開
昭６０−１７６０９７号公報に開示されている。
利用した電気光学変換装置は知られていた。例えば特開
昭６０−１７６０９７号公報に開示されている。
第２図に従来の強誘電性液晶セル（以下単に液晶セルと
いう。）の斜視図を示す。１，１は一対の対向配置され
た透明ガラス基板である。２．２は基板１の内平面に配
設された一軸性水平配向膜であり例えばポリイミドのラ
ビング膜が用いられる。一対の配向膜のラビング方向は
略平行である。
いう。）の斜視図を示す。１，１は一対の対向配置され
た透明ガラス基板である。２．２は基板１の内平面に配
設された一軸性水平配向膜であり例えばポリイミドのラ
ビング膜が用いられる。一対の配向膜のラビング方向は
略平行である。
３は強誘電性液晶例えばカイラススメクチック液晶（以
下ＳｍＣ”という。）であって、液晶分子の長軸（以下
分子軸という。）に直交する方向に自発分極を有し又特
にここでは少なくとも一定の周波数以上で負の誘電異方
性Δεを有するものが選ばれる。Δさく０であるという
ことは、一定周波数領域の外部電場により分子軸と直交
する方向に誘起分極を生じるということである。ＳｍＣ
“３の分子は基板１，１間に挟持されかつ配向膜２，２
の影響により図に示すような水平配向をしかつ層を形成
する６４及び５はＳｍＣ”３薄膜を挟持しかつ駆動電圧
を印加するため対向配置された一対の電極である。
下ＳｍＣ”という。）であって、液晶分子の長軸（以下
分子軸という。）に直交する方向に自発分極を有し又特
にここでは少なくとも一定の周波数以上で負の誘電異方
性Δεを有するものが選ばれる。Δさく０であるという
ことは、一定周波数領域の外部電場により分子軸と直交
する方向に誘起分極を生じるということである。ＳｍＣ
“３の分子は基板１，１間に挟持されかつ配向膜２，２
の影響により図に示すような水平配向をしかつ層を形成
する６４及び５はＳｍＣ”３薄膜を挟持しかつ駆動電圧
を印加するため対向配置された一対の電極である。
第３図は液晶セルの従来の駆動波形図を示す。
正の極性を有する第１の直流パルスを電極４．５間に印
加する。ただし電極４を接地電位とする。
加する。ただし電極４を接地電位とする。
すると液晶分子の自発分極６が電極４に向かって垂直な
位置に整列するよう分子が配向する（第２図参照）。こ
れが第１の安定状態７であり、それは分子軸がＳｍＣ”
層の法線８に対して＋θ傾いている。次に交流パルスを
印加すると、負の誘電界３一 方性を有することから分子軸に直交する方向に誘電分極
が生じ、誘電トルクにより第１の安定状態が維持固定さ
れる。さらに負の極性を有する第２の直流パルスを電極
４．５間に印加すると、液晶分子は応答し、自発分極６
が垂直に電極５を向いた状態に両整列する。これが第２
の安定状態９であり、それは分子軸がＳｍＣ”層の法線
８に対して一〇傾いた位置である（第２図参照）。その
後交流パルスの印加により第２の安定状態が保持される
。すなわち正の直流パルスによって第１の安定状態が書
き込まれ、負の直流パルスによって第２の安定状態が書
き込まれ、かつ交流パルスによって安定状態が保持され
る。
位置に整列するよう分子が配向する（第２図参照）。こ
れが第１の安定状態７であり、それは分子軸がＳｍＣ”
層の法線８に対して＋θ傾いている。次に交流パルスを
印加すると、負の誘電界３一 方性を有することから分子軸に直交する方向に誘電分極
が生じ、誘電トルクにより第１の安定状態が維持固定さ
れる。さらに負の極性を有する第２の直流パルスを電極
４．５間に印加すると、液晶分子は応答し、自発分極６
が垂直に電極５を向いた状態に両整列する。これが第２
の安定状態９であり、それは分子軸がＳｍＣ”層の法線
８に対して一〇傾いた位置である（第２図参照）。その
後交流パルスの印加により第２の安定状態が保持される
。すなわち正の直流パルスによって第１の安定状態が書
き込まれ、負の直流パルスによって第２の安定状態が書
き込まれ、かつ交流パルスによって安定状態が保持され
る。
再び第２図に戻ると、ｉｏ、 ｔｏは偏光軸が互いに直
交する一対の偏光板であってＳｍＣ”薄膜３を挾持し、
複屈折を利用して第１の安定状態にある液晶ドメインと
第２の安定状態にある液晶ドメインを光学的に区別する
。例えば第１の安定状態７は光遮断状態（以下黒という
）第２の安定状態９は光透過状態（以下臼という）とし
て識別される。
交する一対の偏光板であってＳｍＣ”薄膜３を挾持し、
複屈折を利用して第１の安定状態にある液晶ドメインと
第２の安定状態にある液晶ドメインを光学的に区別する
。例えば第１の安定状態７は光遮断状態（以下黒という
）第２の安定状態９は光透過状態（以下臼という）とし
て識別される。
さて先に述べた先行文献には、前述した液晶セルの電極
配置を第４図に示すようなマトリクス構造にし走査電極
群４（以下セグメントという）及び信号電極群５ （以
下コモンという）を対向配置したものが開示されている
。しかしながら実際に線順次駆動を行うための駆動波形
や駆動回路については開示がない。第３図に示す波形に
よってマトリクス駆動を行うことは不可能である。
配置を第４図に示すようなマトリクス構造にし走査電極
群４（以下セグメントという）及び信号電極群５ （以
下コモンという）を対向配置したものが開示されている
。しかしながら実際に線順次駆動を行うための駆動波形
や駆動回路については開示がない。第３図に示す波形に
よってマトリクス駆動を行うことは不可能である。
本発明は、従来の液晶セルをマトリクス駆動するための
駆動回路を提供することを目的とし、特に１回の線順次
走査で同時に黒及び白を書き込む駆動回路の提供を目的
とする。
駆動回路を提供することを目的とし、特に１回の線順次
走査で同時に黒及び白を書き込む駆動回路の提供を目的
とする。
第１図により本発明を説明する。第１図（Ｃ）は液晶セ
ルのマトリクス電極構成図である。２本のセグメントＳ
＋、Ｓｚ及び２本のコモンＣ＋ 、 Ｃ２が４つのマト
リクス画素（以下ド・ノドという）Ｄｌ。
ルのマトリクス電極構成図である。２本のセグメントＳ
＋、Ｓｚ及び２本のコモンＣ＋ 、 Ｃ２が４つのマト
リクス画素（以下ド・ノドという）Ｄｌ。
Ｄ２ 、Ｄ３ 、Ｄ４を構成するように配置されてし）
る。液晶セルの他の構成については第２図及び第４図に
示す通りである。
る。液晶セルの他の構成については第２図及び第４図に
示す通りである。
第１図（八）に各ドツトに印加される波形を示す。なお
本例においては、線順次走査でコモンＣＩを選択しかつ
、コモンＣ３上のトソトＤ、とＤ２に同時に各々自と黒
を書き込む波形を示している。
本例においては、線順次走査でコモンＣＩを選択しかつ
、コモンＣ３上のトソトＤ、とＤ２に同時に各々自と黒
を書き込む波形を示している。
非選択コモンＣ２上のドツトＤｚ、Ｄｎについては、従
前の状態を保持する波形が印加される。
前の状態を保持する波形が印加される。
１”７＋’ＤＩ に対しては選択期間の・うち前半部で
はチョッピングされた正のパルスが又後半部では負の直
流パルスが印加される。ＳｍＣ”分子はチョッピングパ
ルスでは応答せず負の直流パルスで応答するのでドツト
Ｄ１は白（第２の安定状態）に書き込まれる。
はチョッピングされた正のパルスが又後半部では負の直
流パルスが印加される。ＳｍＣ”分子はチョッピングパ
ルスでは応答せず負の直流パルスで応答するのでドツト
Ｄ１は白（第２の安定状態）に書き込まれる。
ドツトＤ２に対しては選択期間のうち前半部では正の直
流パルスが印加され後半部では負のチョッピングパルス
が印加される。ＳｍＣ”分子は前半の正の直流パルスに
応答しドソ） Ｄ ２は黒（第１の安定状態）に書き込
まれる。後半のチョッピングパルスには応答しない。
流パルスが印加され後半部では負のチョッピングパルス
が印加される。ＳｍＣ”分子は前半の正の直流パルスに
応答しドソ） Ｄ ２は黒（第１の安定状態）に書き込
まれる。後半のチョッピングパルスには応答しない。
以」二述べたように選択期間を２分し時分割的に前半を
黒書込みに後半を白書込みに利用し、−・回の走査で同
時に白及び黒を書き込む。このときチョッピングされた
パルスによってはＳｍＣ”分子は応答しないという現象
を利用しているが、この説明は作用の項で行う。
黒書込みに後半を白書込みに利用し、−・回の走査で同
時に白及び黒を書き込む。このときチョッピングされた
パルスによってはＳｍＣ”分子は応答しないという現象
を利用しているが、この説明は作用の項で行う。
さて非選択Ｆノｔ□の１〕３及びり、には交流パルスが
加えられ、△ε〈０に恭づく誘電トルクによってずでに
り、及びＤ４に書き込まれている状態を保持する。
加えられ、△ε〈０に恭づく誘電トルクによってずでに
り、及びＤ４に書き込まれている状態を保持する。
以上に述べた走査を多数のコモン及びセグメントに対し
て線順次に行えば（すなわちコモンをスキャンすれば）
■フレームで画面の書き換えが可能である。
て線順次に行えば（すなわちコモンをスキャンすれば）
■フレームで画面の書き換えが可能である。
第１図（■３）は、第１図（Ａ）に示ず１−ソＩ−ＤＩ
〜Ｄ４に印加される駆動波形を作るため、セグメント及
びコモンに印加される波形を示したものである。ａはコ
モンＣ３に印加されるコモン非選択信号、ｂはコモンＣ
２に印加されるコモン非選択信号、ＣはセグメントＳｌ
に印加される白書込み信号、ｄはセグメントＳ２に印加
される黒書込み信号である。なおこれらコモン及びセグ
メン［・信号を作る具体的回路については実施例の項で
説明する。
〜Ｄ４に印加される駆動波形を作るため、セグメント及
びコモンに印加される波形を示したものである。ａはコ
モンＣ３に印加されるコモン非選択信号、ｂはコモンＣ
２に印加されるコモン非選択信号、ＣはセグメントＳｌ
に印加される白書込み信号、ｄはセグメントＳ２に印加
される黒書込み信号である。なおこれらコモン及びセグ
メン［・信号を作る具体的回路については実施例の項で
説明する。
チョッピングパルスではＳｍＣ“分子は応答せず直流パ
ルスで応答することを説明する。第５図は第２図及び第
４図に示す液晶セルのあるドツトに印加されるテストパ
ルスを示す。ａは選択期間中（３ｍ５ｅｃ）正の極性を
有する波高植土Ｖの直流パルスと負の極性を有する波高
値−■の直流パルスが連続するパルスである。表示状態
は黒から白に変化する。ｂは同じく選択期間中、前半で
波高値＋２ｖのチョッピングパルスを印加し、後半で波
高値〜２Ｖのチョッピングパルスを印加する波形である
。
ルスで応答することを説明する。第５図は第２図及び第
４図に示す液晶セルのあるドツトに印加されるテストパ
ルスを示す。ａは選択期間中（３ｍ５ｅｃ）正の極性を
有する波高植土Ｖの直流パルスと負の極性を有する波高
値−■の直流パルスが連続するパルスである。表示状態
は黒から白に変化する。ｂは同じく選択期間中、前半で
波高値＋２ｖのチョッピングパルスを印加し、後半で波
高値〜２Ｖのチョッピングパルスを印加する波形である
。
従ってチョッピングパルスの実効電力は交流パルスのそ
れに等しい。
れに等しい。
第６図は、第５図ａ及びｂの波形を、■を変化させなが
ら印加し各電圧レベルで、選択期間中黒から白に変化す
る際のコントラスＩ・比を調べたものである。直流パル
スａの場合およそＶ ＝ ３０Ｖ以上で大きなコントラ
スト比が得られる。すなわち閾値３０Ｖ以」二で、Ｓｍ
Ｃ”分子は第］の安定状態から第２の安定状態へと完全
にせん移する。
ら印加し各電圧レベルで、選択期間中黒から白に変化す
る際のコントラスＩ・比を調べたものである。直流パル
スａの場合およそＶ ＝ ３０Ｖ以上で大きなコントラ
スト比が得られる。すなわち閾値３０Ｖ以」二で、Ｓｍ
Ｃ”分子は第］の安定状態から第２の安定状態へと完全
にせん移する。
ところがチョッピングパルスｂの場合、ａと同じ実効電
力を有する振幅６０Ｖのパルスを印加しても、コントラ
ストの変化は少なく、ＳｍＣ”分子は第１の安定状態か
ら第２の安定状態へと完全にせん移しないことが判る。
力を有する振幅６０Ｖのパルスを印加しても、コントラ
ストの変化は少なく、ＳｍＣ”分子は第１の安定状態か
ら第２の安定状態へと完全にせん移しないことが判る。
これば次にように説明できる。ＳｍＣ”の分子の反転メ
カニズムに寄与する物性は、自発分極と誘電１−ルクに
よるものが考えられている。前者の自発分極によるトル
クはΔεの正負にかかわらず常に電界と自発分極方向が
平行になるように働く。しかし後者の誘電トルクにおい
ては、Δε〉０のＳｍＣ”液晶では、電界に対して分子
を平行に、Δε〈０のＳｍＣ”液晶では、電界に対して
分子を垂直にするように働く。すなわちΔさくＯの系で
は、自発分極によるトルク（第１の安定状態から第２の
安定状態に分子がせん移しようとする初期には分子が電
界と平行になる方向に動く）と誘電トルクとが逆向きに
働くことになる。したがって、Δε〈０の系では、Δε
〉０の系に比べて応答が遅くなると考えられる。この誘
電トルクは電界強度に比例するが、チョッピングパルス
と直流パルスでは、同じパルス幅でかつ実効電力が等し
くても、前者の方が電圧値が２倍あるために、強く働く
わけである。したがって、チョッピングパルスの応答は
直流パルスのそれに比べて遅くなり、第６図のようにパ
ルス幅を一定にして測定した場合には、第１の状態から
第２の状態にせん移しきれないために、コントラスト比
が小さいままとなる。
カニズムに寄与する物性は、自発分極と誘電１−ルクに
よるものが考えられている。前者の自発分極によるトル
クはΔεの正負にかかわらず常に電界と自発分極方向が
平行になるように働く。しかし後者の誘電トルクにおい
ては、Δε〉０のＳｍＣ”液晶では、電界に対して分子
を平行に、Δε〈０のＳｍＣ”液晶では、電界に対して
分子を垂直にするように働く。すなわちΔさくＯの系で
は、自発分極によるトルク（第１の安定状態から第２の
安定状態に分子がせん移しようとする初期には分子が電
界と平行になる方向に動く）と誘電トルクとが逆向きに
働くことになる。したがって、Δε〈０の系では、Δε
〉０の系に比べて応答が遅くなると考えられる。この誘
電トルクは電界強度に比例するが、チョッピングパルス
と直流パルスでは、同じパルス幅でかつ実効電力が等し
くても、前者の方が電圧値が２倍あるために、強く働く
わけである。したがって、チョッピングパルスの応答は
直流パルスのそれに比べて遅くなり、第６図のようにパ
ルス幅を一定にして測定した場合には、第１の状態から
第２の状態にせん移しきれないために、コントラスト比
が小さいままとなる。
なお使用したＳｍＣ”？＆晶はメルク社製の３２３４で
ありΔε−−２．４である。
ありΔε−−２．４である。
第７図は第１図（Ｂ）に示すコモン選択信号ａ及びコモ
ン非選択信号すを作るコモン駆動回路である。第１図（
Ｂ）から判るように必要な電圧レベルは＋Ｖ、及び−ｖ
ｌ、必要な交流化信号は、選択期間を前半と後半に２分
するための叶、及び安定状態保持に必要な高周波を作る
ための叶２である。
ン非選択信号すを作るコモン駆動回路である。第１図（
Ｂ）から判るように必要な電圧レベルは＋Ｖ、及び−ｖ
ｌ、必要な交流化信号は、選択期間を前半と後半に２分
するための叶、及び安定状態保持に必要な高周波を作る
ための叶２である。
（第９図タイムチャート参照）なおりＦ２はチョッピン
グにも用いられる。１１はシフトレジスタであって選択
期間を指定する信号Ｆ Ｌ Ｍ及びＦｌ−Ｍｔｌ［コモ
ンに線順次に分配するためのコモンシフトパルスＣＬ、
を入力する。シフトレジスタ１１の出力はゲート群１２
に接続している。ゲート群１２はＤＰ、及びＤＦ２を入
力し、その出力はトランスミッションゲート１３及び１
４を制御する。トランスミッションゲート１３の入力は
＋ｖ１電位であり、その出力は各コモンに印加される。
グにも用いられる。１１はシフトレジスタであって選択
期間を指定する信号Ｆ Ｌ Ｍ及びＦｌ−Ｍｔｌ［コモ
ンに線順次に分配するためのコモンシフトパルスＣＬ、
を入力する。シフトレジスタ１１の出力はゲート群１２
に接続している。ゲート群１２はＤＰ、及びＤＦ２を入
力し、その出力はトランスミッションゲート１３及び１
４を制御する。トランスミッションゲート１３の入力は
＋ｖ１電位であり、その出力は各コモンに印加される。
トランスミッションゲート１４の入力は〜Ｖ、電位であ
り、その出力は各コモンに印加される。今シフトレジス
タ１２の出力がＨＩ Ｇ Ｉ＋のとき、ゲート群１２は
叶。
り、その出力は各コモンに印加される。今シフトレジス
タ１２の出力がＨＩ Ｇ Ｉ＋のとき、ゲート群１２は
叶。
を受は入れトランスミッションゲート１３を前半導通さ
せトランスミッションゲート１４を後半導通させる。そ
の結果コモンＣ１には第１図（Ｂ）ａに示すコモン選択
信号を出力する。又シフトレジスタ１２の出力がＬＯＷ
のとき、ゲート群１２はＤＦ２を受は入れ、ＤＦ２に同
期した＋Ｌ＋−ｖ、間で振動する交流パルスをコモンＣ
２に出力する。これは第１図（Ｂ）のｂに示すコモン非
選択信号である。
せトランスミッションゲート１４を後半導通させる。そ
の結果コモンＣ１には第１図（Ｂ）ａに示すコモン選択
信号を出力する。又シフトレジスタ１２の出力がＬＯＷ
のとき、ゲート群１２はＤＦ２を受は入れ、ＤＦ２に同
期した＋Ｌ＋−ｖ、間で振動する交流パルスをコモンＣ
２に出力する。これは第１図（Ｂ）のｂに示すコモン非
選択信号である。
第８図は第１図（Ｂ）に示す、セグメントに印加される
白書込み信号Ｃ及び黒書込み信号ｄを作るセグメント駆
動回路である。第１図（Ｂ）から判るように必要な電圧
レベルは＋Ｌ、Ｏ，−Ｌの３つであって各々トランスミ
ッションゲート１５゜１６及び１７を介して、セグメン
トに供給される。
白書込み信号Ｃ及び黒書込み信号ｄを作るセグメント駆
動回路である。第１図（Ｂ）から判るように必要な電圧
レベルは＋Ｌ、Ｏ，−Ｌの３つであって各々トランスミ
ッションゲート１５゜１６及び１７を介して、セグメン
トに供給される。
各ゲートの０Ｎ−ＯＦＦを制御する交流化信号はＤＦ。
及び叶２である。
さて１８はシフトレジスタであり、シリアルビデオデー
タＤＡＴＡを高速クロックＣＬ２で読み取り記憶する。
タＤＡＴＡを高速クロックＣＬ２で読み取り記憶する。
１９はランチ回路であり、クロックＣＬ。
に同期して、シフトレジスタ１８でパラレル化されたビ
デオデータをランチし、線順次タイミングＣＬ、に従っ
て白又は黒の情報を出力する。２０はゲート群であり、
ラッチ回路１９の出力によって制御され、叶、及びＤＦ
２を入力し出力は各トランスミッションゲートのＯＮ、
ＯＦＦを制御する。前述したように各トランスミッショ
ンゲートの出力は、各セグメントに印加される。
デオデータをランチし、線順次タイミングＣＬ、に従っ
て白又は黒の情報を出力する。２０はゲート群であり、
ラッチ回路１９の出力によって制御され、叶、及びＤＦ
２を入力し出力は各トランスミッションゲートのＯＮ、
ＯＦＦを制御する。前述したように各トランスミッショ
ンゲートの出力は、各セグメントに印加される。
さてランチ回路１９の出力端子０１に現れたデータが白
のとき（すなわちＨＩＧＨのとき）ゲート群２０は選択
期間のうち前半はＤＦｚを受は入れトランスミッション
ゲート１５及び１７を交番的にＯＮ、ＯＦＦさせ＋Ｖ、
と−Ｖ１間で振動する高周波をセグメントＳ、に出力し
、後半はＤＦ、によりトランスミッションゲート１６を
ＯＮＬ、０レベル電位をセグメントＳ１に出力する。し
かしてＳ、には第１図（Ｂ）のＣに示す白書込み信号が
得られる。
のとき（すなわちＨＩＧＨのとき）ゲート群２０は選択
期間のうち前半はＤＦｚを受は入れトランスミッション
ゲート１５及び１７を交番的にＯＮ、ＯＦＦさせ＋Ｖ、
と−Ｖ１間で振動する高周波をセグメントＳ、に出力し
、後半はＤＦ、によりトランスミッションゲート１６を
ＯＮＬ、０レベル電位をセグメントＳ１に出力する。し
かしてＳ、には第１図（Ｂ）のＣに示す白書込み信号が
得られる。
又ラッチ回路１９の出力端子０２に現れたデータが黒の
とき（すなわちＬｏ−のとき）同様にして選択期間の前
半でセグメン）Ｓ２に０レベル電位を出力し後半で＋Ｌ
、−Ｌ間で振動する高周波を出力する。すなわち第１図
（Ｂ）のｄに示す黒書込み信号である。
とき（すなわちＬｏ−のとき）同様にして選択期間の前
半でセグメン）Ｓ２に０レベル電位を出力し後半で＋Ｌ
、−Ｌ間で振動する高周波を出力する。すなわち第１図
（Ｂ）のｄに示す黒書込み信号である。
〔発明の効果〕
以上に述べたように本発明によれば、ＳｍＣ”分子の自
発分極及び負の誘電異方性を利用して、白及び黒の二つ
の光学状態を書き込む電気光学装置においで、電極構成
を７トリクス型とし、かつ線順次駆動をするに際し、選
択期間を前半と後半で時分割し、前半で黒を書き込み後
半で白を書き込むようにしたので、１フレームで画面の
書き換えができ、高速動作が可能であり動画に向いてい
るという効果がある。
発分極及び負の誘電異方性を利用して、白及び黒の二つ
の光学状態を書き込む電気光学装置においで、電極構成
を７トリクス型とし、かつ線順次駆動をするに際し、選
択期間を前半と後半で時分割し、前半で黒を書き込み後
半で白を書き込むようにしたので、１フレームで画面の
書き換えができ、高速動作が可能であり動画に向いてい
るという効果がある。
第１図（Ａ）はマトリクストソトに印加される波形図、
第１図（Ｂ）はコモン及びセグメントに印加される波形
図、第１図（Ｃ）はマドＩＪクス電極構成図、第２図は
従来の液晶セルの斜視図、第３図は従来の液晶セルの動
作波形図、第４図は液晶セルの電極配置図、第５図は作
用を説明するためのテスト波形図、第６図は作用を説明
するためのコントラスト比−印加電圧特性図、第７図は
コモン駆動回路図、第８図はセグメント駆動回路図及び
第９回はコモン及びセグメント駆動回路用タイムチャー
Ｉ〜である。 ■、１− 基板 ２．２ 配向膜 ３−−一−−Ｓ ｍ Ｃ”薄膜 ４− ＝＝上セグメント極 ５−−コモン電極 １０．１０ − 偏光板 １１．１８−− シフトレジスタ １２．２０−−−−−ゲート群 １３、１４．１５．１６．１７−−−− ）ランスミソ
ションゲ−１〜１９−＝−ラッチ回路 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 、ＬＩ］Ｌｌ１１１１ 邦 響 コ干ン電不少及び°セグメント電不争１；ｔＴＩｊＪＤ
さ収ろジ皮形の図第 １ 図（Ｂ） −Ｌ＋ｌ ／７り６千＆力声伐゛尺月費米の液晶セル
を針子り図 第２図
第１図（Ｂ）はコモン及びセグメントに印加される波形
図、第１図（Ｃ）はマドＩＪクス電極構成図、第２図は
従来の液晶セルの斜視図、第３図は従来の液晶セルの動
作波形図、第４図は液晶セルの電極配置図、第５図は作
用を説明するためのテスト波形図、第６図は作用を説明
するためのコントラスト比−印加電圧特性図、第７図は
コモン駆動回路図、第８図はセグメント駆動回路図及び
第９回はコモン及びセグメント駆動回路用タイムチャー
Ｉ〜である。 ■、１− 基板 ２．２ 配向膜 ３−−一−−Ｓ ｍ Ｃ”薄膜 ４− ＝＝上セグメント極 ５−−コモン電極 １０．１０ − 偏光板 １１．１８−− シフトレジスタ １２．２０−−−−−ゲート群 １３、１４．１５．１６．１７−−−− ）ランスミソ
ションゲ−１〜１９−＝−ラッチ回路 以上 出願人 セイコー電子工業株式会社 、ＬＩ］Ｌｌ１１１１ 邦 響 コ干ン電不少及び°セグメント電不争１；ｔＴＩｊＪＤ
さ収ろジ皮形の図第 １ 図（Ｂ） −Ｌ＋ｌ ／７り６千＆力声伐゛尺月費米の液晶セル
を針子り図 第２図
Claims (2)
- （１）液晶分子の長軸に垂直な方向に自発分極を有しか
つ少なくとも高周波領域において負の誘電異方性を有す
る強誘電性液晶薄膜と、該薄膜を挟持し液晶分子配列の
均一なドメインを形成する配向膜と、該薄膜の厚み方向
に電圧を印加する一対の電極と、液晶分子を第１の安定
状態又は第２の安定状態に整列させるパルス及び安定状
態を保持する交流高周波を該電極に供給する駆動回路と
、液晶分子の第１及び第２の安定状態を光学的に区別す
る変換部材よりなる強誘電性液晶電気光学装置において
、該駆動回路が供給する液晶分子を第１の安定状態又は
第２の安定状態に整列させるパルスは、液晶分子の応答
しないチョッピングパルス及び液晶分子の応答する直流
パルスの結合よりなることを特徴とする強誘電性液晶電
気光学装置。 - （２）該一対の電極はマトリクス画素を構成する走査電
極群及び信号電極群からなり、該駆動回路は線順次駆動
を行い一本の走査電極上に存在する各々のマトリクス画
素に対して同時に第１の状態又は第２の状態を実現する
パルスを印加する特許請求の範囲第１項記載の強誘電性
液晶電気光学装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61058594A JP2849740B2 (ja) | 1986-03-17 | 1986-03-17 | 強誘電性液晶電気光学装置 |
| US07/020,694 US4793693A (en) | 1986-03-17 | 1987-03-02 | Ferro-electric liquid crystal electro-optical device having a drive voltage with DC and chopping components |
| DE3789982T DE3789982T2 (de) | 1986-03-17 | 1987-03-16 | Elektro-optische Vorrichtung mit ferroelektrischem Flüssigkristall. |
| EP87302232A EP0238287B1 (en) | 1986-03-17 | 1987-03-16 | Ferro-electric liquid crystal electro-optical device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61058594A JP2849740B2 (ja) | 1986-03-17 | 1986-03-17 | 強誘電性液晶電気光学装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62215242A true JPS62215242A (ja) | 1987-09-21 |
| JP2849740B2 JP2849740B2 (ja) | 1999-01-27 |
Family
ID=13088815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61058594A Expired - Fee Related JP2849740B2 (ja) | 1986-03-17 | 1986-03-17 | 強誘電性液晶電気光学装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4793693A (ja) |
| EP (1) | EP0238287B1 (ja) |
| JP (1) | JP2849740B2 (ja) |
| DE (1) | DE3789982T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02232623A (ja) * | 1989-03-07 | 1990-09-14 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶シャッタの駆動装置 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4915477A (en) * | 1987-10-12 | 1990-04-10 | Seiko Epson Corporation | Method for driving an electro-optical device wherein erasing data stored in each pixel by providing each scan line and data line with an erasing signal |
| EP0864911A3 (en) * | 1988-03-24 | 1999-11-03 | Denso Corporation | Ferroelectric liquid crystal electro-optic apparatus and manufacturing method thereof |
| EP0334628B1 (en) * | 1988-03-24 | 1994-06-22 | Nippondenso Co., Ltd. | Ferroelectric liquid crystal electrooptic apparatus and manufacturing method thereof |
| JP2640259B2 (ja) * | 1988-12-20 | 1997-08-13 | キヤノン株式会社 | 強誘電性液晶素子 |
| US5798814A (en) * | 1990-08-28 | 1998-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of driving a ferroelectric liquid crystal optical device |
| EP0599622B1 (en) * | 1992-11-25 | 1998-02-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | A driving circuit for driving a display apparatus and a method for the same |
| JP2806718B2 (ja) * | 1992-11-25 | 1998-09-30 | シャープ株式会社 | 表示装置の駆動方法及び駆動回路 |
| GB9309502D0 (en) * | 1993-05-08 | 1993-06-23 | Secr Defence | Addressing ferroelectric liquid crystal displays |
| US5933213A (en) * | 1995-09-26 | 1999-08-03 | Imation Corp. | Apparatus and method for imparting a succession of predetermined latent images on a strip of unexposed light sensitive film |
| GB9526270D0 (en) * | 1995-12-21 | 1996-02-21 | Secr Defence | Multiplex addressing of ferroelectric liquid crystal displays |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61246721A (ja) * | 1985-04-25 | 1986-11-04 | Asahi Glass Co Ltd | 液晶電気光学素子の駆動法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AU584867B2 (en) * | 1983-12-09 | 1989-06-08 | Seiko Instruments & Electronics Ltd. | A liquid crystal display device |
| US4701026A (en) * | 1984-06-11 | 1987-10-20 | Seiko Epson Kabushiki Kaisha | Method and circuits for driving a liquid crystal display device |
| US4707078A (en) * | 1985-04-26 | 1987-11-17 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Ferroelectric liquid crystal devices using field-stabilized states |
-
1986
- 1986-03-17 JP JP61058594A patent/JP2849740B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1987
- 1987-03-02 US US07/020,694 patent/US4793693A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-03-16 EP EP87302232A patent/EP0238287B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-03-16 DE DE3789982T patent/DE3789982T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61246721A (ja) * | 1985-04-25 | 1986-11-04 | Asahi Glass Co Ltd | 液晶電気光学素子の駆動法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02232623A (ja) * | 1989-03-07 | 1990-09-14 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶シャッタの駆動装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2849740B2 (ja) | 1999-01-27 |
| EP0238287A2 (en) | 1987-09-23 |
| DE3789982D1 (de) | 1994-07-14 |
| DE3789982T2 (de) | 1994-09-22 |
| EP0238287A3 (en) | 1989-11-29 |
| US4793693A (en) | 1988-12-27 |
| EP0238287B1 (en) | 1994-06-08 |
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Legal Events
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