JPS61246721A - 液晶電気光学素子の駆動法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、強誘電性液晶を用いた、マトリクス表示装置
及びプリンター用光シヤツター等に用いる液晶電気光学
素子の駆動法に関するものである。

［従来の技術］ 強誘電性を用いた電気光学素子は、その応答が従来の液
晶を用いた電気光学素子に比較して１０〜１０００倍速
く、高速光シャッター装置への応用が期待され、また電
界にｌて双安定性をもたせることも可ｆ彪であることに
より、大型かつ高密度の表示装置への応用が期待されて
いる。

複数の走査電極群を有する支持体と複数の信号電極群の
間に、強誘電性液晶を挟持し、その双安定性を利用した
電気光学素子用の駆動法に関しては、既にいくつかの提
案がなされている。（例えば、特開昭８０−３３５３５
）しかしながら１強誘電性液晶は双安定な２つの状態に
おいて一方から他方へ移る際のエメルギー障壁が非常に
小さく、明確なしきい漬物性は得られにくい、すなわち
、その画素の走査電極が選択されない場合に、他の画素
を書き込む際の信号電極の電圧が印加される、いわゆる
クロストーク電圧によって、本来保持されるべき状態か
ら他方の状態へ変化してしまう現象がみられる。この現
象は、走査電極の数が多くなるほど顕著に現われてくる
ので、走査電極の数をあまり多くはできず、素子の大型
化、高密度化の妨げとなっている。

また、　Ｊ、　Ｐ、　Ｌｅ　Ｐｅ５ａｎｔ等によって［
Ｊ＋に負の誘電率異方性を利用して双安定性を高められ
るという報告（Ｅｕｒｏｄｉｓｐｌａｙ（１９８４年）
予稿集ｐ、２１７）がなされているが、そのクロストー
ク電圧に対する影響は明らかでなく、また実際の駆動法
も明らかでない。

また、従来の強誘電性液晶電気光学素子の駆動法は一画
素に印加される電界の積分値をとると、その直流成分が
０でなく表示パターンによって大きく異なることにより
、次の問題点を生じる。第１に、電極及び液晶材料が直
流電界によって醸化もしくは還元されることで、信頼性
が低下することである。

第２には、液晶分子を一方向に配向させるための配向制
御膜が絶縁膜である場合、その表面に液晶中のイオン等
荷電粒子が吸着されるため、液晶層に実効的に印加され
る電圧が直流電界によって次第に異ってくることで、そ
のしきい漬物性に大きな変化をもたらす問題点があるこ
とがわかった。

［発廚の解決しようとする問題点］ 従来の強誘電性液晶を用いた素子の駆動法には、クロス
トーク電圧に対し、充分な双安定性があり、かつ直流電
界成分を持たず、信頼性の観点から好ましい駆動法はな
く、素子の大型化高密度はできないという問題点があっ
た。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は、前述の問題点を解決すべくなされたもので走
査電極群の設けられた基板と、信号電極群の設けられた
基板との間に、電界の極性に依存した双安定状態を示す
強誘電性液晶が挟持された液晶電気光学素子の駆動法に
おいて、該走査電極群の一つを順次選択して書き込み操
作を行うに際し、１つの該走査電極に１選択される時間
の内一定時間は一定の電位が印加され、また選択されな
い時間は前記選択される時間に印加される一定の印加時
間よりも短いパルス幅を持ち、かつ前記一定の電位に対
し振幅が対称である高周波電界が印加されるとともに、
該信号電極に対しては、前記選択される時間に対応しで
し前記選択される時間よりも短いパルス幅を持ち、前記
一定の電位に対して対称の電位を持ち、かつ該信号電極
が第１の状態に選択される場合と、該信号電極が第２の
状態に選択させる場合とで異なる位相を有するパルスを
印加することを特徴とする液晶電気光学素子の駆動法を
提供するものである。

第１図は１本発明で駆動する強誘電性液晶電気光学素子
の断面図である。２枚の透明基板（１ａ）、（ｌｂ）の
表面に、それぞれ透明な導電膜（２ａ）、（２ｂ）と配
向制御膜（３ａ）、（３ｂ）を形成する。導電膜（２ａ
）、（２ｂ）は、基板間に保持された液晶層（４）に電
界を印加するための電極であり、夫々走査電極群と信号
電極群を構成し、電気光学的応答を生じさせる目的で設
けられているもので、　Ｉｎ２Ｏ３か、５ｎ０２等から
なり、所定のパターンに形成されている。

配向制御膜（３ａ）、（３ｂ）は、液晶を水平配向させ
るものであり１代表的なものとしては、有機高分子膜、
特にポリイミド系高分子膜を形成し、布で一定方向に鉦
Δソゲしたものが好ましいが、その他、ポリアミド系高
分子膜、ポリイシドアミド系高分子膜、ポリパラキシリ
レン等の高分子膜をラビングしたもの及びＳ　ｉＯｚ等
の斜め蒸着膜も有効でありまたオーバーコート膜を形成
せずに、直接、導電膜（２ａ）、（２ｂ）をラビングし
て配向制御膜を形成してもよい。

このような配向処理を行ったのち、該基板が平行、かつ
一定の間隔で保持されるように、スペーサー、例えば、
有機ビーズ、アルミナ粒子をはさみ、シール剤（５）で
周囲を固定し、セルとする。この際、２枚の基板の配向
制御方向は、お互いに平行になるようにする。

その後１強誘電性液晶組成物をコレステリック相、ある
いは等吉相まで加熱し、セルに注入した後、封止する。

セルの外側に２枚の偏光板（８ａ）、（６ｂ）をその偏
光板がお互いに直交し、かつ基板の配向制御方向と一定
角度をなすように配置する。この角度は、液晶材料、装
置の動作温度、駆動方法等によって変わり最もコントラ
スト特性等のよい角度を選べｉｆ　、Ｊ、　＜、また場
合によっては２枚の偏光板の偏光軸を直交から僅かにず
らして配置する場合もある。

基板（１ｂ）側に光源（７）を置き１反対側へ光が透過
するようにする。なお、反射型で用いる場合には、偏光
板（６ｂ）の外側に反射板を設ければよい。

第２図は、導電膜（２ａ）及び（２ｂ）のパターン例を
示し、ドツトマトリックス表示素子等に使われるもので
ある。一方の基板には、横方向の縞状の走査電極群ＣＨ
＝Ｃｎがバターニゲされ、他方の基板には、縦方向の縞
状の信号電極群８１〜Ｓｓがパターニングされている。

２組の電極群の交差点ＡＩｌ〜Ａ■ｎが画素となる。走
査電極群のうち一つの走査電極群Ｃｉを後述の方法で選
択を行ない、その際に信号電極群Ｓ１〜Ｓｓに印加する
信号によって１画素Ａｉｌ〜Ａｉｍを書き込み、その後
Ｃｉ＋１を選択し、これを繰り返すことで全画素の書き
込みを行う。

第３図は、導電膜（２ａ）及び（２ｂ）の他のパターン
例を示しプリンターヘッド用光シャッターニ遺子として
使われる。この例では１／４デユーテイで駆動される場
合のパターン例を示している。

ＡＩｌ　〜Ａ４層は開口部を示し、これ以外の部分は遮
光膜を形成し用いる。

本発明の駆動法で用いる強誘電性液晶としては、電界の
極性に依存した双安定性を示す液晶相をもつ液晶が使用
できるが、応答性の点でカイラルスメクチックＣ相（Ｓ
＋ｓＣ”相）の液晶が好ましい。

また、本発明に用いられる液晶としては、後述の作用の
項で説明するように、負の誘電率異方性をもつ液晶が好
ましい、具体的な例としては、ｐ−へキシルオキシベン
ジリデン−ｐ′−アミノ−２−クロロ−α−プロピルシ
ンナメート（ＨＯＢＡＣＰＣ）　、　ｐ−デシルオキシ
ベンジリデン−ｐ−アミノ−２−メチルブチル−α−シ
アノ−シンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣＣ）等がある。ま
た、材料担体ではなくいくつかの材料を混合して特性を
実現してもよく、例えば、表１に示すような混合物が用
いられる。負の誘電率異方性を大きくすることは、駆動
電圧を下げるのに有利であり、それには０Ｍ基、　ＣＩ
基、Ｆ基を横方向にもつ材料を少なくとも１種類混合し
て用いることが好ましい。

表　　　１ 構造式　　　　　　　　濃度（貿ｔＸ）転移温度 また、木発項１ｄ用いる液晶としては、強誘電性を示す
液晶相より高温の温度範囲においてスメクチック相（Ｓ
ｍＡ相）をもつ液晶が双安定性の対称性の点で好ましい
０等方相（■相）あるいはネマチック相（Ｎｅ相）ある
いはコレステリック相（Ｃｈ相）より、Ｓ■Ａ相を経由
せずに直接ＳｌＣ本相等の強誘電性液晶相へ変化する液
晶を用いた場合、通常配向制御の方向に対して液晶分子
層の方向が異なる２種類の配向状態をとる。

この２種類の配向状態が混在するとコントラストの低下
をまねくため、■相あるいはＮｅ相あるいはｃｈ相より
Ｓａｃ”相等の強誘電性液晶相へ冷却する際に、一方向
の極性をもつ直流電界を印加し、２種類の配向状態のう
ち１種類のみに配向させる等の手段をとることが必要と
なる。このようにして作成した素子においてはその安定
性において第１の安定状態と第２の安定状態のうち、冷
却する際に印加する電界の極性と一致する安定状態のほ
うがより安定となってしまい、双安定性の低下につなが
る。これに対し、ＳｍＡ相をもつ液晶においてｔｙコー
晶分子層の方向が１種類しかなく、電界印加等の手段が
必要なく、従って双安定性が電圧に対して対称的になり
双安定性がよい。

また、本発明で用いる液晶としては１強誘電性を示す液
晶相より高温の温度範囲でｃｈ相をもつことが配向の均
一性の点で好ましい、この液晶の配向の作成法について
は、特願昭５９−２７４０７３号の方法を用いることで
極めて良好な配向に素子が作成できる。

強誘電性液晶組成物としてＳ■０１相をもち、それより
高い温度においてＣｈ相をもち、かつｃｈ相におけるら
せんピッチの長さくｐ）が基板（１ａ）と（ｔｂ）間の
距離（ｄ）の４倍以上長い液晶を用いる。またａｈ相と
Ｓ鵬Ｃｍ相の間に”ＳｍＡ相をもつことが、配向の均一
性の点で望ましい、このような液晶としては、光学活性
物質、スメクチック液晶化合物、ネマチック液晶化合物
を適当な割合で混合することで得られ、必要に応じて非
液晶添加物を加える場合もある。特に、ｃｂ相における
ピッチを長くするには、左らせん−を生じさせる光学活
性物質と、右らせんを生じさせる光学活性物質を、らせ
んを生じさせる力の大きさに応じて混合するのが有効で
ある。

通常、ｃｈ相におけるらせんピッチの長さは温度ととも
に変化する。均一な配向を得るには、コレステリック−
スメクチック相転移点の直上でｐ＞４ｄの条件を満たす
ことが必要である。

しかし、この条件を満たす温度範囲が転移点のごく近傍
に限られる場合は、温度降下速度が速い場合においては
、らせん構造がほどけずにスメクチック相へ転移してし
まう、この場合には均一な配向が得られないので、らせ
ん構造がほどけるまでｐ＞４ｄを満たす温度に保持する
か、温度降下速度を遅くする必要がある。この理由から
らせんピッチｐが基板間距離ｄの４倍以上になる温度範
囲は、コレステリック−スメクチック相転移点より５℃
以上の範囲にわたることが好ましく、ざらにＣｈ相全全
温度範囲わたることがより好ましい。

なお、ここでいうｃｈ相はネマチック液晶に光学活性物
質を添加して固有のピッチを持つようにされたネマチッ
ク液晶によるＮｅ相も含むのもである。

本発明の駆動方法を具体例に従って説明する。第４図は
本発明の具体例の一つであり、それぞれ横軸が時間を、
縦軸が電圧を表す。

第４図（ａ）は走査電極に選択される時間に印加される
電圧波形であるｅ　Ｔｌは、一つの走査電極が選択され
る時間を示し、通常数十腸ｓｅｃ位とされればよいが、
液晶材料の今後の開発により、より短くすることも可能
で液晶材料が第１の状態と第２の状態のいずれかに変化
しうる時間より長ければよい、その間走査電極は一定の
電位Ｖｏに保たれる。

第４図（ｂ）は、走査電極の選択されない時間に印加さ
れる駆動波形である。ｖｏに対して対称な電圧ｖｏ　＋
　Ｖｌとｖｏ　−ＶｌがＴ３の時間で交互に切り変る高
周波電界であり、そのパルス幅Ｔ３はＴＩに比べて短く
、強誘電性液晶が反転するのに要する時聞犀比べて、充
分に短いことが好ましい。

なお、この図では、図の作成上Ｔ３／Ｔｌが１７１２に
書いであるが、１／２０以下することが双安定性向上の
ために好ましく、さらには１／１００以下にすることが
好ましい、具体的にはＩＫＨｚ　−１００ＫＨｚ位の高
周波パルスが使用されればよい、また、第１図において
は方形波を用いているが、正弦波、三角波であってもよ
い。

第４図（Ｃ）、及び（ｄ）は信号電極に印加する信号電
圧を表わす、後の作用の項で原理は詳しく述べるように
、走査電極に（ｂ）の振幅Ｖｌの高周波電界が印加され
ている時は、（Ｃ）及び（ｄ）の信号によって強誘電性
液晶分子の配列方向の変化はおきない、これに対して走
査電極が選択され、第４図（ａ）のように高周波電界が
印加されない場合は、信号電極によって液晶層に印加さ
れる電界の極性によって液晶分子の配列方向は２つの安
定状態のいずれかをとる。（ｃ）、　（ｄ）はＴ１に対
し１／２のパルス幅をもち、走査電極の電位Ｖｏの対し
対称な電位Ｖ１＋　Ｖ２　、　Ｖｏ　−Ｖ２をとる。こ
こで走査電極がＶｏ、信号電極がＶｏ　−ｖ２の電位を
とる場合、すなわち液晶層に印加される電界（信号電極
の電位−走査電極の電位）がｖ２の場合に液晶層は第１
の状態をとり、走査電極がＶＯ１信号電極がＶＯ＋　Ｖ
２をとる場合、すなわち液晶層に印加される電界が−ｖ
２の場合、液晶層は第２の状態をとるようにｖ２を設定
する。走査電極が選択されている場合、（ｃ）の信号が
印加されると液晶層は第２の状態をＴ１の前半でとり、
第１の状態を後半でとり、そのまま動作電極に高周波電
界が印加されることで第１の状態に保持される、また（
ｄ）の信号が印加された時間は逆に、第１の状態から第
２の状態のまま保持される。

第４図の（ａ）〜（ｂ）は、その電位のＴＩにおける平
均値はいずれもＶＯとなっている。従って、液晶層に印
加される電界の平均値は０となり直流成分はもたない。

この例のように（ｃ）　、　（ｄ）がＴＩに対して１／
２のパルス幅を持つことが一般に好ましいが、第１の状
態への変化と第２の状態への変化に要する時間に差があ
る場合等は１／２以外とされることもある。

第５図は、本発明のより好ましい具体例である。第５図
（ａ）〜（ｄ）の示すものは、第４図（ａ）〜（ｄ）と
同様である。

第５図（ａ）において、ＶＯに保たれる時間〒２はＴ１
の１／２であり、かつＴ２以外の丁１には、パルス幅が
Ｔ３であり電位がＶｏに対して対称なＶｏ　＋　ｖ、　
。

Ｖｏ　−ｖ、をとる（ｂ）と同様の高周波電界を印加す
る。

走査電極に（ａ）を印加し、信号電極に（０）を印加し
た場合、第４図の例では、第２の状態に一度反転したの
ち、第１の状態に変り、保持されたが、第５図の具体例
では、第１の状態にする信号のみ印加されるため安定性
がます、また、この例では、画素の安定状態が切り変る
場合−回の選択時間Ｔ１においてすべて反転する必要は
なく、数回選択されて画素の状態が切り換わる、いわゆ
る累積応答効果をもたせることも−」 可能であり、高速化も可能な好ま−し」駆動法である。

第６図に他の好ましい具体例を示す、第５図（ａ）にお
いては、　ＴＩの前半にＴ２をおいたが、第６図（ａ）
では、〒１の後半にＴ２をおいている。これにより、第
１の状態及び第２の状態を得るために印加される信号電
極の波形は、第５図の例の（ｃ）、　（ｄ）とは逆の波
形となっている。

本発明で７２は、通常ＴＩの１／２で、強誘電性液晶が
第１の状態又は第２の状態に変化するのに充分な時間よ
り長くされればよく１通常１〜１００ｍ５ｅｃ位とされ
るが、高速応答の材料開発により、より短く１例えば１
層Ｓｅｃ以下にされることもありうる。

Ｔ３は前述の如く、強誘電性液晶が反転に要する時間に
比べて充分に短いものであり、丁３／ＴＩはｌ／２０以
下が好ましく、特に１／１００以下にすることが好まし
い、具体的にはＴ３−５〜５００　ＪＬ　３１１０位の
高周波パルスが使用されればよい。

また、本発明においてｖｌは強誘電性液晶が状態変化を
生じるのに必要とする電圧以上の電−壬であり、具体的
には０．５〜ＩＯＶ程度、ｖｌはこれを充分に打ち消す
だけの電圧であり１通常ｖ１の２〜５０倍程度とされれ
ばよく、液晶に悪影響を及ぼさない範囲内で選択されれ
ばよい。

［作用］ 本発明の駆動法の原理を第７図に従って説明する。

強誘電性液晶は、液晶分子（４１）が層構造をなし、そ
の分子長軸方向は層重直線方向に対し、ある一定角度だ
け傾いている。この分子に直角でかつ層平面（４２）に
含まれる方向に自発分極（４３）をもつ。

この液晶分子の方向を外部からの電界によって変える効
果として２つの作用が考えられる。

一つは自発分極と電界の結合作用であり、この作用にお
いては電界の極性に対し自発分極の向きをそろえようと
するように分子の向きが変る。すなわち正の電界方向と
負の電界方向では、分子の層垂線からの傾く方向が逆に
なる。

第７３ｇ示すようにＥｌの電界極性に対しては、（ａ）
のように配列し、Ｅ２の電界極性に対しては（ｂ）のよ
うに配列しようとする。

もう一つの作用は、誘電率異方性と電界との結合作用で
ある。この作用においては、分子の配列方向は電界の極
性には依存せず、方向のみによって決まる。液晶分子が
負の誘電異方性をもつ場合は、Ｅ３の電界方向に対して
（ａ）か（ｈ）いずれかの配列状態をとろうとする。

本発明の駆動法の特徴の一つは、この２つの作用を使い
、双安定性を増すことにある。

強誘電性液晶が、自発分極を反転させ、第７図の（ａ）
から（ｂ）へ、あるいは（ｂ）から（ａ）へ配列を変え
るのに要する時間よりも長い時間のパルス幅をもつ方形
波電界／細ち低周波電界を印加した場合、電圧の極性に
応じて配列を変化させる。しかし、このパルス幅を短く
してゆく、すなわち方形波電圧の周波数を次第に上げて
ゆき、自発分極の反転に要する時間よりそのパルス幅が
充分短い高周波電界を印加した場合には、もはや分子は
反転することができず、その場合には誘電率異方性と電
界の作用のみとなり、（ａ）もしくは（ｈ）の配列状態
を保ったままとなる。

次に、高周波電界の振幅をｖｌとし、これに振幅ｖ２の
低周波電界を重畳して印加した場合を考える。　Ｖ２が
Ｖ】に対して充分に小さい場合には、低周波電界の反転
信号が液晶層に印加されても、高周波電界による分子の
おさえっけが大きいため１分子配列の変化は生じない、
すなわち分子が配列状態を第７図（ａ）から（ｂ）へ、
あるいは（ｂ）から（ａ）へ変えるのには、（Ｃ）ある
いは（ｂ）の配列状態を経由する必要があり、高周波電
界を印加することは、誘電率異方性の効果を利用して（
ｃ）、　（ｄ）のエネルギーを高くすることで、反転の
際、必要なエネルギー障壁を高くすることになる。これ
によって、クロストーク電圧に対しては充分な安定性を
得ることができる。また書き込み時には、高周波電界の
振幅をある一定レベルより下げ、好ましくはゼロにする
ことで、低周波電界へ痴性によって、高速で書き込むこ
とが容易にできる。

［実施例］ 液晶としてＳｍＧ”相の上に８層Ａ相、ｃｈ相を有する
カイラルスメクチック液晶組成物を用い、走査電極を８
本設けた液晶セルを形成し、走査電極に７１＝　５０ｍ
５ｅｃ、τ３＝　５０ｇ５ｅｃ　、　Ｖｏ＝　ＧＶ　、
　Ｖ２＝２ｖの電圧を印加し、信号電極にデユーティ１
／２（７）　ＴＩ　＝　５０ｍ５ｅｃ、　Ｖ＋　＝　２
０Ｖ　（１）電圧を印加シタ、波形は第４図乃至第６図
の３種類で行なったところ、いずれも第１の状態と第２
の状態に変化し、駆動できた。

［発明の効果］ 本発明は、クロストーク電圧に対して充分な双安定性を
もち、液晶電気光学素子の大型化、高密度化を可能とし
た効果をもつ。

また、本発明は直流電界成分を液晶に印加しないことに
より、液晶及び電極の劣化を妨げる効果をもつ、また、
このことにより、配向膜として絶縁膜を使用できる、あ
るいは液晶と電極の間に他の絶縁膜を形成することも可
能であり、これにより液晶セル内での電極間の短絡防止
に効果をもつ。

また、本発明はセル基板間の距離を厚くしたセルにおい
ても充分な双安定性をもたせることができるため、液晶
セル作成上の困難さを軽減でき、かつ液晶セル内の対向
する電極間での短絡の発生を少なくする効果も認められ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は１本発明で駆動する素子の断面図であり、第２
図、第３図は１本発明の駆動法の好ましい適用例の電極
パターンの例の平面図である。 第４図、第５図、第６図は、本発明の具体例の信号波形
図であり、それぞれ（ａ）は選択された走査電極に印加
する波形、（ｂ）は選択されない走査電極に印加する波
形、（Ｃ）は第１の状態にする信号電極へ印加する波形
、（ｄ）は第２の状態にする信号電極へ印加する波形を
表す。 第７図は、本発明の駆動法の原理の説明図である。 １ａ、１ｂ：透明基板 ２ａ、２ｂ＝導電膜 ３ａ、３ｂ：配向制御膜 ４　　：液晶層 ８ａ、　８ｂ：偏光板 １１図 第　２　図 椙号電極群 ：３ｔ　　Ｓｚ　　Ｓｓ　−−−−−−Ｓ□第３　図 信号電場群 第　４　図 め　５　図 寮　６　口 第７図 （Ｃ）ｃｄ） 手続補正書 昭和５９年５月２１日 特許庁長官滋賀常置　　　　　　昭和６０年５月２１日
差出１、事件の表示 昭和６０年特許願第８７３９６号 ２、発明の名称 液晶電気光学素子の駆動法 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住　所　　東京都千代田区丸の内二丁目１番２号名称　
（００４）旭硝子株式会社 ５、補正命令の日付　　自発補正 Ｂ、補正により増加する発明の数　　　　なし？、補正
の対象 ｊ補正の内容 （１）明細書第１Ｏ頁第１４行乃至第１Ｂ行の「ｐ−へ
キシルオキシ・・・・・・・・・・・・（舶ＨＡ（ＰＣ
：）　、　Ｊを削除する。 （２）明細書第１７頁第１５行の「材料担体」を「材料
単体」に訂正する。 （３）明細書第１７頁第１５行のｒ（ａ）　〜（ｂ）　
Ｊをｒ（ａ）　〜（ｄ）　Ｊに訂正する。 以上

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）走査電極群の設けられた基板と、信号電極群の設
   けられた基板との間に、電界の極性に依存した双安定状
   態を示す強誘電性液晶が挟持された液晶電気光学素子の
   駆動法におい て、該走査電極群の一つを順次選択して書き込み操作を
   行うに際し、１つの該走査電極 に、選択される時間の内一定時間は一定の電位が印加さ
   れ、また選択されない時間は前記選択される時間に印加
   される一定の印加時間よりも短いパルス幅を持ち、かつ
   前記一定の電位に対し振幅が対称である高周波電界が印
   加されるとともに、該信号電極に対しては、前記選択さ
   れる時間に対応して、前記選択される時間よりも短いパ
   ルス幅を持ち、前記一定の電位に対して対称の電位を持
   ち、かつ該信号電極が第１の状態に選択される場合と、
   該信号電極が第２の状態に選択させる場合とで異なる位
   相を有するパルスを印加することを特徴とする液晶電気
   光学素子の駆動法。
2. （２）前記一定の電位が印加される時間が、選択される
   時間の１／２である特許請求の範囲第１項記載の液晶電
   気光学素子の駆動法。
3. （３）前記高周波電界のパルス幅が、前記強誘電性液晶
   がその自発分極を反転するのに要する時間に比して充分
   に短く、かつ前記選択される時間の長さの１／２０以下
   である特許請求の範囲第１項記載の液晶電気光学素子の
   駆動法。
4. （４）選択される時間であって、一定の電位が印加され
   る時間以外の時間には、前記選択されない走査電極に印
   加する高周波電界と同じ電界を印加する特許請求の範囲
   第１項乃至第３項のいずれか一項記載の液晶電気光学素
   子の駆動法。
5. （５）前記強誘電性液晶が負の誘電率異方性をもつこと
   を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶電気光学
   素子の駆動法。
6. （６）前記強誘電性液晶がカイラルスメクチックＣ相で
   あることを特徴とする特許請求の範囲第５項記載の液晶
   電気光学素子の駆動法。
7. （７）前記強誘電性液晶がスメクチックＡ相をもつこと
   を特徴とする特許請求の範囲第６項記載の液晶電気光学
   素子の駆動法。
8. （８）前記強誘電性液晶がコレステリック相をもつこと
   を特徴とする特許請求の範囲第６項記載の液晶電気光学
   素子の駆動法。