JPS6279426A - 液晶電気光学素子の駆動法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、強誘電性液晶を用いた２マトリクス表示装置
及びプリンター用光シヤツター等に用いる液晶電気光学
素子の駆動法に関するものである。

［従来の技術］ 強誘電性を用いた電気光学素子は、その応答が従来の液
晶を用いた電気光学素子に比較して１０〜１０００倍速
く、高速光シャッター装置への応用が期待され、また電
界に対して双安定性をもたせることも可能であることに
より、大型かつ高密度の表示装置への応用が期待されて
いる。

複数の走査電極群を有する支持体と複数の信号電極群の
間に、強誘電性液晶を挟持し、その双安定性を利用した
電気光学素子用の駆動法に関しては、既にいくつかの提
案がなされている。（例えば、特開昭８０−３３５３５
）しかしながら、強誘電性液晶は双安定な２つの状態に
おいて一方から他方へ移る際のエメルギー障壁が非常に
小さく、ｌＪ確なしきい値特性は得られにくい。すなわ
ち、その画素の走査電極が選択されない場合に、他の画
素を書き込む際の信号電極の電圧が印加される、いわゆ
るクロストーク電圧によって１本来保持されるべき状態
から他方の状態へ変化してしまう現象がみられる。この
現象は、走査電極の数が多くなるほどｍ著に現われてく
るので、走査電極の数をあまり多くはできず、素子の大
型化、高密度化の妨げとなっている。

また・Ｊ、　Ｐ、　Ｌｅ　Ｐｅ５ａｎｔ等によって液晶
に負の誘電率異方性を利用して双安定性を高められると
いう報告（Ｅｕｒｏｄｉｓｐｌａｙ（１９８４年）予稿
集ｐ、２１７）がなされているが、そのクロストーク電
圧に対する影響は明らかでなく、また実際の駆動法も明
らかでない。

また、従来の強誘電性液晶電気光学素子の駆動法は一画
素に印加される電界の積分値をとると、その直ｍ成分が
Ｏでなく表示パターンによって大きく異なることにより
、次の問題点を生じる。第１に、電極及び液晶材料が直
流電界によって酸化もしくは還元されることで、信頼性
が低下することである。

第２には、液晶分子を一方向に配向させるための配向制
御膜が絶縁膜である場合、その表面に液晶中のイオン等
荷電粒子が吸着されるため、液晶層に実効的に印加され
る電圧が直流電界によって次第に異ってくることで、そ
のしきい値特性に大きな変化をもたらす問題点があるこ
とがわかった。

この直ｆｌｔ成分をなくす駆動法としては、　１９８５
ＳＩＤテノセイコ一電子社の発表（ＳＩＤ　８５　［１
１ＧＥＳＴｐ、１３１）があるが、この駆動法では、非
選択状態におけるクロストーモ されるべき光強度が影響を受け、点灯状態、非点灯状ｊ
息における七分なコントラストがとれないという問題が
ある。

［発明の解決しようとする問題点］ 従来の強誘電性液晶を用いた素子の駆動法には、クロス
トーク電圧に対し、充分な双安定性があり、かつ直流電
界成分を持たず、信頼性の観点から好ましい駆動法はな
く、素子の大型化高密度はできないという問題点があっ
た。

［問題点を解決するための手段］ 本発明は、前述の問題点を解決すべくなされたもので、
走査電極群の設けられた基板と、信号電極群の設けられ
た基板との間に、電界の極性に依存した双安定状態を示
す強誘電性液晶が挟持された液晶電気光学素子の駆動法
において、該走査電極群の一つを順次選択して書き込み
操作を行うに際し、２回の走査で１周期の古き込みを構
成し、１つの該走査電極に１回目の選択時には、選択時
間Ｔ１の内、前期にＶＯ＋Ｖ０＋Ｖ１の電圧を、後期に
Ｖｏ　−Ｖ０＋Ｖ１の電圧を印加し、２回１１の選択時
には、前期にＶＯ−Ｖ０＋Ｖ１の電圧を、後期にｖｏ　
＋　Ｖ０＋Ｖ１の電圧を印加し、非選択時には１回目、
２回目の走査時とも一定の電圧ＶＤに周期Ｔ７（Ｔ７＜
ＴＩ）振幅±Ｖ２の高周波信号を重畳した波形を印加し
、該信号電極には１回目、２回１−１の走査時とも、第
１の状態には１選択時間Ｔ１の内、前期にｖｏ　−Ｖ３
の電圧を印加し、後期にｖｏ　＋　Ｖ３の電圧を印加す
るとともに、第２の状態には選択時間〒１の内、前期に
ｖｏ　＋　Ｖ３の電圧を印加し、後期にｖｏ　−Ｖ３の
電圧を印加することを特徴とする液晶電気光学素子の駆
動法を提供するものである。

第１図は、本発明で駆動する強誘電性液晶電気光学素子
の断面図である。２枚の透明基板（１ａ）、（ｌｂ）の
表面に、それぞれ透明な導電膜（２ａ）、（２ｂ）と配
向制御膜（３ｄ）、（３ｂ）を形成する。導電膜（２ａ
）、（２ｂ）は、基板間に保持された液晶層（４）に電
界を印加するための電極であり、夫々走査電極群と信号
電極群を構成し、電気光学的応答を生じさせる目的で設
けられているもので、１１１７０：ｌか、５ｎａ２等か
らなり、所定のパター　ンに形成されている。

配向ｆｌｌ［Ｉ（３ａ）、　（３ｂ）は、液晶全水平配
向すせるものであり、代表的なものとしては、有機高分
子膜、特にポリイミド系高分子膜を形成し、布で一定方
向にラビングしたものが好ましいが、その他、ポリアミ
ド系高分子膜、ポリイシドアミド系高分子膜、ポリパラ
キシリレン等の高分子膜をラビングしたもの及びＳ　ｉ
０２等の斜め蒸着膜も有効でありまたオーバーコート膜
を形成せずに、直接、導電ｇ（２ａ）、（２ｂ）をラビ
ングして配向制御膜を形成してもよい。

このような配向処理を行ったのち、該基板が平行、かつ
一定の間隔で保持されるように、スペーサー、例えば、
有機ビーズ、アルミナ粒子をはさみ、シール剤（５）で
周囲を固定し、セルとする。この際、２枚の基板の配向
制御方向は、お互いに平行になるようにする。

その後１強誘電性液晶ｉ成物をコレステリック相、ある
いは等吉相まで加熱し、セルに注入した後、封止する。

セルの外側に２枚の偏光板（８ａ）、　（８１））をそ
の偏光板がお互いに直交し、かつ基板の配向制御方向と
一定角度をなすように配置する。この角度は、液晶材料
、装置の動作温度、駆動方法等によって変わり最もコン
トラスト特性等のよい角度を選べばよく、また場合によ
っては２枚の偏光板の偏光軸を直交から僅かにずらして
配置する場合もある。

基板（ｌｂ）側に光１ｒＡ（７）を置き１反対側へ光が
透過するようにする。なお１反射型で用いる場合には、
偏光板（６ｂ）の外側に反射板を設ければよい。

第２図は、導電膜（２ａ）及び（２ｂ）のパターン例を
示し、ドツトマトリックス表示素子等に使われるもので
ある。一方の基板には、横方向の縞状の走査電極群Ｃ（
−Ｃｎがパターニゲされ、他方の基板には、縦方向の輪
状の信号電極群Ｓ１〜Ｓ■がパターニングされている。

２組の電極群の交差点Ａｌｌ”Ａｍｎが画素となる。走
査電極群のうち一つの走査電極群Ｃｉを後述の方法で選
択を行ない、その際に信号電極群Ｓ１〜Ｓ■に印加する
信号によって、画素Ａｉｌ〜Ａｉ量を書き込み、その後
Ｃｉ＋ｔを選択し、これを繰り返すことで全画素のどき
込みを行う。

第３ｒｉ！４は、導電膜（２ａ）及び（２ｂ）　（Ｆ）
他のパターン例を示しプリンターヘッド用光シヤツター
素子として使われる。この例では１／４デユーテイで駆
動される場合のパターン例を示している。

Ａ＋＋　〜Ａ４■は開口部を示し、これ以外の部分は遮
光膜を形成し用いる。

本発明の駆動法で用いる強誘電性液晶としては、電界の
極性に依存した双安定性を示す液晶相をもつ液晶が使用
できるが、応答性の点でカイラルスメクチックＣ相（８
膳Ｃ１相）の液晶が好ま−しい。

また５本発明に用いられる液晶としては、後述の作用の
項で説明するように、負の誘電率異方性をもつ液晶が好
ましい、Ａ体重な例としては、ｐ−デシルオキシベンジ
リデン−ｐ−アミノ−２−メチルブチル−α−シアノー
シンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣＣ）等がある。また、材
料単体ではなくいくつかの材料を混合して特性を実現し
てもよく、例えば、表１に示すような混合物が用いられ
る。負の誘電率異方性（強誘電性液晶の分子長軸の誘電
率と分子短軸の誘電率の差が負）を大さくすることは、
駆動電圧な丁げるのに有利であり、それにはＣＭ、ｌ、
ＣＩ基、Ｆ基を横方向にもつ材料を少なくとも１種類混
合して用いることが好ましい。

表　　１ 転移温度 ５１．０℃　　８９．１”Ｃ８９，４９８，３℃Ｃｒ　
　　−Ｓａｃ”　　−Ｓ鳳Ａ−Ｏｈ−１ろＨ３ また、本発明で用いる液晶としては、強誘電性を示す液
晶相より高温の温度範囲においてスメクチック相（Ｓ腸
Ａ相）をもつ液晶が双安定性の対称性の点で好ましい０
等方相（■相）あるいはネマチック相（Ｍｅ相）あるい
はコレステリック相（Ｏｈ相）より、　ＳｍＡ相を経由
せずに直接Ｓ腸Ｃ享相等の強誘電性液晶相へ変化する液
晶を用いた場合、通常配向制御の方向に対して液晶分子
層の方向が異なる２種類の配向状態をとる。

この２種類の配向状態が混在するとコントラストの低下
をまねくため、■相あるいはＭｅ相あるいはＯｈ相より
５ＩＩＣ１相等の強誘電性液晶相へ冷却する際に、一方
向の極性をもつ直流′電界を印加し、２種類の配向状態
のうち１種類のみに配向させる等の１段をとることが必
要となる。このようにして作成した素子においてはその
安定性において第１の安定状態と第２の安定状態のうち
、冷却する際に印加する電界の極性と一致する安定状態
のほうがより安定となってしまい。

双安定性の低下につながる。これに対し、　ＳｍＡ相を
もつ液晶においては、液晶分子層の方向が１種類しかな
く、電界印加等の手段が必要なく、従って双安定性が電
圧に対して対称的になり双安定性がよい。

また、本発明で用いる液晶としては１強誘電性を示す液
晶相より高温の温度範囲でＯｈ相をもつことが配向の均
一性の点で好ましい、この液晶の配向の作成法について
は、特願昭５９−２７４０７３号の方法を用いることで
極めて良好な配向に素子が作成できる。

強誘゛ｉ［性液晶組成物としてＳａｃ”相をもち、それ
より高い温度においてＯｈ相をもち、かっＯｈ相におけ
るらせんピッチの長さくｐ）が基板（ｌａ）と（１ｂ）
間の距離（ｄ）の４倍以上長い液晶を用いる。またＯｈ
相とＳｍＧ”相の間に５ＩＩＡ相をもっことが、配向の
均一性の点で望ましい、このような液晶としては、光学
活性物質、スメクチック液晶化合物、ネマチック液晶化
合物を適当な割合で混合することで得られ、必要に応じ
て非液晶添加物を加える場合もある。特に、Ｏｈ相にお
けるピンチを長くするには、左らせんを生じさせる光学
活性物質と、右らせんを生じさせる光学活性物質を、ら
せんを生じさせる力の大きさに応じて混合するのが有効
である。

通常、Ｏｈ相におけるらせんピッチの長さは温度ととも
に変化する。均一な配向を得るには。

コレステリックースメクチンク相転移点の直−Ｌでｐ＞
４ｄの条件を満たすことが必要である。

しかし、この条件を満たす温Ｉｆ！囲が転移点のご〈近
傍に限られる場合は、温度降Ｆ速度が速い場合において
は、らせん構造がほどけずにスメクチック相へ転移して
しまう、この場合には均一な配向が得られないので、ら
せん構造がほどけるまでｐ＞４ｄを満たす温度に保持す
るか、温度降′Ｆ速度を遅くする必要がある。この理由
かららせんビッナｐが基板間距離ｄの４倍以りになる温
度範囲は、コレステリック−スメクチック相転移点より
５℃以上の範囲にわたることが好ましく、さらにｃｈ相
全全温度範囲わたることがより好ましい。

なお、ここでいうｃｈ相はネマチック液晶に光学活性物
質を添加して固有のピッチを持つようにされたネマチ７
り液晶によるＨｅ相も含むのもである。

次に本発明の駆動方法を具体例に従って説明する。第４
図（ａ）、（ｂ）および第５図は本９．ｒＪＪの好まし
い具体例の１つであり、それぞれ横軸が時間を、縦軸が
電圧を表す。

第４図（ａ）、（ｈ）はそれぞれ１回目および２回目の
走査時に、各走査電極、信号電極に印加される電圧およ
び液晶電気光学素子に直接印加される電圧波形を示した
ものである。また第５図は、実際に点灯状態（第１の状
態）、非点灯状７ｇ　（第２の状態）に印加される電圧
波形の時間的な変化の具体例を示したものである。

第４図（ａ）、（ｂ）において、　ＴＩは１つの走査電
極が選択される時間を示し、通常数十層ｓｅｃ位とされ
ればよいが、液晶材料の今後の開発により、より短くす
ることも可能で液晶材料が点灯状態と非点灯状態のいず
れかに変化しうる時間より長ければよい、また非選択信
号にｍｆｆ１する振幅が±Ｖ２の高周波信号の周期Ｔ２
は、Ｔ１に比べで短く１強誘電性液晶が反転するのに要
する時間に比べて、十分に短いことが好ましい、実際に
は、’ｈ／Ｔ＋が　１１５以ドにすることが好ましく１
具体的にはＩＫＨｚ　−ＩＱＯＫＨｚ位の高周波パルス
が使用されればよい、また、第４図においては方形波を
用いているが、正弦波、三角波であってもよい。

この例においては１選択時間Ｔ１を２分して前期を１／
２　ＴＩ、後期を１／２　ＴＩとじている。これは、半
分にしなく　１／３　Ｔｌと２／３　Ｔ２のようにする
こともでき、この場合短時間では直流成分が残るという
欠点があるが、長期的には点灯状態（第１の状態）と非
点灯状態（第２の状態）があられれるため、ある程度交
流化する傾向があり、又、ｖｋ期の期間を液晶の状態が
変化するのに十分なだけとし、前期はそれよりも短い期
間とすることにより、選択時間を短くできるため走査時
間を短縮できるメリットがある。もっとも選択時間をｔ
ｍ期と後期とに二分し、夫々１／２　ＴＩの時間とする
ことにより完全に直流成分を除去でき、安定な動作が可
能となるため好ましい。

第４図（ａ）に示すように、１回目の走査の選択時には
点灯セグメントには±（ｖｌ＋ｖ３）の電圧が加わり、
非点灯セグメントには±（Ｖｌ−ｖ３）の電圧が加わる
。また非選択時には、信号電圧に高周波電圧が重畳した
電圧が印加される。一方２回目の走査の選択時には第４
図（ｂ）に示すように１点灯セグメントには＋（Ｖｌ−
Ｖ３）の電圧が加わり、非点灯セグメントには壬（Ｖｌ
＋Ｖ３）の電圧が加わる。また非選択時には１回目の走
査時と同様信号電圧の高周波電圧が重畳した電圧が印加
される。具体的には点灯状態、非点灯状態に応じて第５
図のような電圧波形が印加される。

第４図では、非選択時に重畳する高周波電圧を１回目、
２回目の走査時とも時間Ｔ１の間は同相の連続した波形
としたが、第６図のように１回目と２回目の走査で位相
を変えてもよいし、第７図のように時間Ｔ１の前半と後
半で位相を変えてもよいし、第８図のように時間Ｔ１を
ｎ分割してｌ／ｎ　ＴＩごとに位相を変えてもよい。

本発明では走査電極に印加される選択信号の電圧Ｖｔと
信号電極に印加される点灯信号のｖ３とは、−選択期間
Ｔ１において士（Ｖ１＋Ｖ３）の電圧で液晶の状態が変
化し、±（Ｖｌ−Ｖ３）の電圧では液晶の状態が変化し
ないような電圧が選択されればよく、走査電極の非選択
時への影響を考慮して、Ｖｌ　：　Ｖ３＝　２：１〜８
：１程度に設定されればよい。

又、走査電極に印加される非選択信号の電圧ｖ２は信号
電極の選択時及び非選択時に印加される電圧ｖ３と組み
合された場合に、その画素の液晶の状態が変化しない電
圧と周波数とされればよく、液晶によって適宜設定すれ
ばよい。

［作用］ 最初に本発明の駆動波形による液晶電気光学素子の動作
について説明する。まず点灯状態（第１の状態）にする
には、１回し０＋Ｖ１の走査時に第４図（ａ）に示すよ
うに、選択時には振幅が±（Ｖ＋　＋　Ｖ３）の大きな
交流信号が印加される。

この大きなプラス、マイナスの信号により強誘電性液晶
分子の配列方向がその都度変化するが１時間的に後のマ
イナス信号の方向に並んだ後、非選択波形が印加される
。ここで非選択波形信号が重畳されているため、後で原
理は詳しく述べるが、強誘電性液晶分子の配列方向の変
化はおきないためマイナス信号の方向に並んだままで保
持される０次に２回目の走査時には第４図（ｂ）に示す
ように選択時に振幅が：ｌ：（１／＋−Ｖ３）の小さな
交流化信号が印加される。この短時間の小さなマイナス
、プラスの信号では強誘電性液晶分子の配列方向が十分
に変化しえず、またすぐに高周波を含んだ非選択波形が
印加されるため、強誘電性液晶は市の状態に保持される
。

一方非点灯状態（第２の状態）にするには。

１回目の走査時に第４図（ａ）に示すように選択時に振
幅が士（Ｖ＋−Ｖ：ｌ）の小さな交流化信号が印加され
る。前述したように、この小さな信′−）では強誘電性
液晶分子は十分に′上界に追従できず、またすぐに高周
波信号を含んだ非選択波形が印加されるため、前の状態
を保持する０次に２回目の走査時には第４図（ｂ）に示
すように選択時に振幅が乎（ＶＩ＋Ｖ３）の大きな交流
が印加される。そして前述したように強誘電性液晶分子
は今度は時間的に後のプラス信号の方向に並んだ後、高
周波を含んだ非選択信号により保持される。

なお、上記説明では、第１の状態を点灯状態、第２の状
態を非点灯状態としたが、これは偏光膜により逆にする
こともできる。

次に強誘電性液晶分子の動さについて、第９図に従って
さらに詳しく説明する。

強：Ａ電性液晶は、液晶分子（４１）が層構造をなし、
その分子長軸方向は層重直線方向に対し。

ある一定角度だけ傾いている。この分子に直角でかつ層
平面（４２）に含まれる方向に自発分極（４３）をもつ
。

この液晶分子の方向を外部からの゛電界によって変える
効果として２つの作用が考えられる。

一つは自発分極と電界の結合作用であり、この作用にお
いては電界の極性に対し自発分極の向きをそろえようと
するように分子の向きが変る。すなわち正の電界方向と
負の電界方向では、分子の層垂線からの傾く方向が逆に
なる。

第９図に示すようにＥ０＋Ｖ１の電界極性に対しては、
（ａ）のように配列し、Ｅ２の電界極性に対しては（ｂ
）のように配列しようとする。

もう一つの作用は、誘電率異方性と電界との結合作用で
ある。この作用においては、分子の配列方向は電界の極
性には依存せず、方向のみによって決まる。液晶分子が
負の誘電異方性をもつ場合は、Ｅ３の電界方向に対して
（ａ）か（ｂ）いずれかの配夕ｑ状態をとろうとする。

本発明の駆動法の特徴の一つは、この２つの作用を使い
、双安定性を増すことにある。

強誘電性液晶が、自発分極を反転させ、第９図の（ａ）
から（ｂ）へ、あるいは（ｂ）から（ａ）・＼配列を変
えるのに要する時間よりも長い時間のパルス幅をもつ方
形波電界、即ち低周波電界を印加・した場合、電圧の極
性に応じて配列を変化させる。しかし、このパルス幅を
短くしてゆく、すなわち方形波電圧の周波数を次第に七
げてゆき、自発分極の反転に要する時間よりそのパルス
幅が充分短い高周波電界を印加した場合には、もはや分
子は反転することができず、その場合には誘電率異方性
と電界の作用のみとなり、（ａ）もしくは（ｂ’）の配
列状態を保ったままとなる。

次に、高周波電界の振幅をｖ２とし、これに振幅ｖ３の
低周波電界を重畳して印加した場合を考える。ｖｌがｖ
２に対しである程度小さい場合には、低周波電界の反転
信号が液晶層に印加されても、高周波電界による分子の
おさえっけが大きいため１分子配列の変化は生じない、
すなわち分子が配列状態を第９図Ｃａ）から（ｂ）へ、
あるいは（ｂ）から（ａ）へ変えるのには、（Ｃ）ある
いは（ｂ）の配列状態を経由する必要があり、高周波電
界を印加することは、＋Ｊ’＋［十人方性の効果を利用
して（ｃ）、　（ｄ）のエネルギーを高くすることで、
反転の際、必要なエネルギー障壁を高くすることになる
。これによって、クロストーク電圧に対しては充分な安
定性を得ることができる。また書き込み時には、高周波
電界の振幅をある駆足レベルより下げ、好ましくはゼロ
にすることで、低周波電界の極性によって、高速で８き
込むことが容易にできる。

［実施例］ 液晶としてＳ履Ｃ８相の上にＳｍＡ相、ａｈ相を有する
カイラルスメクチック液晶組成物を用い、走査電極を８
本設けた液晶セルを形成し、走査電極ニＴ＋＝　４０Ｏ
μｓ、Ｔ７＝　４０μｓ、　Ｖｇ＝ＯＶ、　Ｖ＋＝　１
５Ｖ。

Ｖ７＝１４Ｖの電圧を印加し、信号電極に丁＋　＝　４
００μｓ、１ｈ＝５Ｖの電圧を印加した。第１Ｏ図（ａ
）に点灯セグメントに印加する駆動波形とそれに対応し
た液晶電気光学素子の光強度ＣＩ）の変化を、第１０図
（ｂ）に、非点灯セグメントにおけるそれらを示す、一
方第１１図（ａ）　、　（ｂ）に従来例による、点灯セ
グメント、非点灯セグメントにおける駆動波形および光
強度変化を示す、第１０図、第１１１．Ｎを比べること
により、明らかに本発明による駆動法により、点灯状態
、非点灯状態の差が明確になっていることがわかる。実
際、点灯状態、非点灯状態における平均的な光強度比を
コントラスト（ＯＲ）と定義すると、第１１図の従来例
ではＣＲ＝　２．３に対し、第１Ｏ図の本発明ではＣＲ
＝８．１と飛躍的な向上が見られた。

［発明の効果］ 本発明は、クロストーク電圧に対して充分な双安定性を
もち、液晶電気光学素子の大型化、高密度化を可能とし
た効果をもつ。

また、本発明は直ｔｆｔ電界成分を液晶に印加しないこ
とにより、液晶及び電極の劣化を妨げる効果をもつ、ま
た、このことにより、配向膜として絶縁膜を使用できる
。あるいは液晶と電極の間に他の絶縁膜を形成すること
も可能であり、これにより液晶セル内での電極間の短絡
防止に効゛果をもつ。

また、本発明はセル基板間の距離を厚くしたセルにおい
ても充分な双安定性をもたせることができるため、液晶
セル作成上の困難さを軽減でき、かつ液晶セル内の対向
する電極間での短絡の発生を少なくする効果も認められ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明で駆動する素子の断面図であり、第２
図、第３図は、本発明の駆動法の好ましい適用例の電極
パターンの例の平面図である。第４図（ａ）、（ｂ）及
び第５図は、本発明による駆動波形図であり、第４図（
ａ）は１回目の走査時に印加する波形を、第４図（ｂ）
は２回目の走査時に印加する波形を、また第５図は、点
灯状態、比点灯状態に印加する波形の時間的な変化の具
体例の波形を示した図である。第６図、第７図及び第８
図は、非走査電極に重畳する高周波信号の応用例を示し
たものである。 第９図は、本発明の駆動法の原理の説明図である。 第１θ図は本発明の実施例の駆動法による。液晶電気光
学末子の光強度変化を示した図であり、第１１図は従来
例によるそれらを示した図である。 ｌａ、　ｌｂ：透明基板 ２ａ、２ｂ：導電膜 ３ａ、　３ｂ二配向制御膜 ４　　：液晶層 ６ａ、６ｂ：偏光板 一−＝−−巨 □り−′暑二 第　１　図 第　２　図 信号重重り軒 方、方ｚ　　５ａ−−−−−３□ 第　５　ロ 信号並＆群 第　６　図 １固目の声３に…１　　　　　　　　　　　　　　　ど
明目の丈Δ１昭１第　７　図　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　呑１　Ｂ　昏弓第４図（ａ〕１回目
の危奮時 第４図（ｂ１２００目のＬ食時 第ｑ　図 （Ｃ）　　　　　　　　　　　　　　　。ｄ。 弔　１０　　図 第　１１　　図

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）走査電極群の設けられた基板と、信号電極群の設
   けられた基板との間に、電界の極性に依存した双安定状
   態を示す強誘電性液晶が挟持された液晶電気光学素子の
   駆動法におい て、該走査電極群の一つを順次選択して書き込み操作を
   行うに際し、２回の走査で１周期の書き込みを構成し、
   １つの該走査電極に１回目の選択時には、選択時間Ｔ＿
   １の内、前期にＶ＿０＋Ｖ＿１の電圧を、後期にＶ＿０
   −Ｖ＿１の電圧を印加し、２回目の選択時には、前期に
   Ｖ＿０−Ｖ＿１の電圧を、後期にＶ＿０＋Ｖ＿１の電圧
   を印加し、非選択時には１回目、２回目の走査時とも一
   定の電圧Ｖ＿０に周期Ｔ＿２（Ｔ＿２＜Ｔ＿１）振幅±
   Ｖ＿２の高周波信号を重畳した波形を印加し、該信号電
   極には１回目、２回目の走査時とも、第１の状態には、
   選択時間Ｔ＿１の内、前期にＶ＿０−Ｖ＿３の電圧を印
   加し、後期にＶ＿０＋Ｖ＿３の電圧を印加するとともに
   、第２の状態には選択時間Ｔ＿１の内、前期にＶ＿０＋
   Ｖ＿３の電圧を印加し、後期にＶ＿０−Ｖ＿３の電圧を
   印加することを特徴とする液晶電気光学素子の駆動法。
2. （２）選択時間Ｔ＿１の内、前期が１／２Ｔ＿１の時間
   であり、後期が１／２Ｔ＿１の時間である特許請求の範
   囲第１項記載の液晶電気光学素子の駆動法。
3. （３）前記高周波信号の周期Ｔ＿２が、前期強誘電性液
   晶がその自発分極を反転するのに要する時間に比して充
   分に短く、かつ前記走査電極の１本の選択時間Ｔ＿１の
   １／５以下である特許請求の範囲第１項記載の液晶電気
   光学素子の駆動法。
4. （４）前記強誘電性液晶の分子長軸の誘電率と分子短軸
   の誘電率の差が負である特許請求の範囲第１項記載の液
   晶電気光学素子の駆動法。
5. （５）前記強誘電性液晶がカイラルスメクチックＣ相で
   あることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載の液晶
   電気光学素子の駆動法。
6. （６）前記強誘電性液晶がスメクチックＡ相をもつこと
   を特徴とする特許請求の範囲第５項記載の液晶電気光学
   素子の駆動法。
7. （７）前記強誘電性液晶がコレステリック相をもつこと
   を特徴とする特許請求の範囲第５項記載の液晶電気光学
   素子の駆動法。