JPS6220524A - 光学機器成形材料 - Google Patents
光学機器成形材料Info
- Publication number
- JPS6220524A JPS6220524A JP60159965A JP15996585A JPS6220524A JP S6220524 A JPS6220524 A JP S6220524A JP 60159965 A JP60159965 A JP 60159965A JP 15996585 A JP15996585 A JP 15996585A JP S6220524 A JPS6220524 A JP S6220524A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polycarbonate
- weight
- aromatic polycarbonate
- modified
- styrene copolymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光学機器成形材料に関するものである。詳し
くは透明性に優れ光学的な歪みの小さい成形物を製造す
る材料に関する。
くは透明性に優れ光学的な歪みの小さい成形物を製造す
る材料に関する。
光学的用途に使用する成形物、例えは、板状、シート状
の成形物は透明であると共に光学的歪みの小さいもので
ある事が必要とされる。特にディジタル信号を利用して
光情報材料として供する場合、例えばディジタルオーデ
ィオディスク、ディジタルビデオディスク、更には情報
書き込み、消去を目的とした光ディスクにおいてはその
要求が極めて厳格であり、光学的歪みについては実成形
品において、複屈折にして3×10−”以下が要求され
る。通常かかる形状のものを成形するには簡便な処法と
して射出成形法が採用されるのであるが、光学的歪みを
少なくすの熱劣化に伴なう種々のトラブルを生起し充分
な解決JICはなっていない。
の成形物は透明であると共に光学的歪みの小さいもので
ある事が必要とされる。特にディジタル信号を利用して
光情報材料として供する場合、例えばディジタルオーデ
ィオディスク、ディジタルビデオディスク、更には情報
書き込み、消去を目的とした光ディスクにおいてはその
要求が極めて厳格であり、光学的歪みについては実成形
品において、複屈折にして3×10−”以下が要求され
る。通常かかる形状のものを成形するには簡便な処法と
して射出成形法が採用されるのであるが、光学的歪みを
少なくすの熱劣化に伴なう種々のトラブルを生起し充分
な解決JICはなっていない。
本発明者等は透明性に優れ、光学的歪みの小さい、成形
物を製造する方法について鋭意検討を重ねた結果、特定
の変性ポリカーボネートを材料として用いることによシ
、本発明の目的を達成し得る事を見い出し本発明を完成
するに興ったものである。
物を製造する方法について鋭意検討を重ねた結果、特定
の変性ポリカーボネートを材料として用いることによシ
、本発明の目的を達成し得る事を見い出し本発明を完成
するに興ったものである。
即ち、本発明の要旨とする所はスチレン系化合物を主体
とし、N−置換マレイミド類から退学的に結合させてな
る変性ポリカーボネートであって、スチレン系共重合体
連鎖の含有量がl〜30重近:係である変性芳香族ポリ
カーボネートよりなる光学機器成形材料に存する。
とし、N−置換マレイミド類から退学的に結合させてな
る変性ポリカーボネートであって、スチレン系共重合体
連鎖の含有量がl〜30重近:係である変性芳香族ポリ
カーボネートよりなる光学機器成形材料に存する。
以下本発明の詳細な説明する。
本発明の成形材料に惧される変性ポリカーボネートはス
チレン系化合物を主体とするスチレン系共重合体連鎖を
芳香族ポリカーボネートに化学的に結合させて合成され
るものであり、且つスチレン系共重合体連鎖内に共重合
成分としてN−mmマレイミドより選択される一種以上
を含むものである。しかしながら、実質的に上記化学的
結合にあずからぬ芳香族ポリカーボネートないしスチレ
ン系重合体を、上記の合成法上の副生成物として又は任
意に後から、それぞれ20重量91!IJJ下の組成と
する範囲で共存させることは、本発明の目的を満たす上
でなんら支障とはならない。
チレン系化合物を主体とするスチレン系共重合体連鎖を
芳香族ポリカーボネートに化学的に結合させて合成され
るものであり、且つスチレン系共重合体連鎖内に共重合
成分としてN−mmマレイミドより選択される一種以上
を含むものである。しかしながら、実質的に上記化学的
結合にあずからぬ芳香族ポリカーボネートないしスチレ
ン系重合体を、上記の合成法上の副生成物として又は任
意に後から、それぞれ20重量91!IJJ下の組成と
する範囲で共存させることは、本発明の目的を満たす上
でなんら支障とはならない。
か\る変性ポリカーボネートを製造する手法は極々ある
が、代表的な手法としてポリカーボネート合成時に共重
合し得る官能基を有するスチレン系重合体の存在下で芳
香族ポリカーボネートを合成する手法を挙ける事が出来
る。
が、代表的な手法としてポリカーボネート合成時に共重
合し得る官能基を有するスチレン系重合体の存在下で芳
香族ポリカーボネートを合成する手法を挙ける事が出来
る。
この様な官能基としては、フェノール性水酸基カルボキ
シル基、アルコール性水酸基、カルボン酸クロライド基
、l−一級のアミン基等を挙げる事が出来るが、中でも
フェノール性水酸基が得られる変性ポリカーボネートの
熱安定性の点で最も好ましい。
シル基、アルコール性水酸基、カルボン酸クロライド基
、l−一級のアミン基等を挙げる事が出来るが、中でも
フェノール性水酸基が得られる変性ポリカーボネートの
熱安定性の点で最も好ましい。
か\るスチレン系樹脂の合成法としては、スチレンとか
\る官能基を有する不飽和単量体と重合等の手法を用い
て共重合する方法を挙げる事が出来る。
\る官能基を有する不飽和単量体と重合等の手法を用い
て共重合する方法を挙げる事が出来る。
この際、樹脂中の官能基の濃度は!;X 10″″1〜
10θxio−”当量/g、樹脂の範囲にあることが好
ましい。即ち!x10″″@未満であるとポリカーボネ
ート重合時に形成される変性ポリカーボネートの生成が
十分でなく、本発明の目的にそぐわず、又100X /
θ″″6を超えると架橋反応を生起させることとなり操
作の点で支障をきたす。又、種々の官能基の中で、フェ
ノール性水酸基が最も好ましいが、か\る目的の為には
フェノール性水酸基を有する不飽オロ単i#、体、例え
ばアリルフェノール、メタアリルフェノール、インプロ
ペニルフェノール、p−ビニルフェノール、N−(p−
ヒドロキシフェニル)マレイミド等ヲ挙げる事が出来る
。又、これらの単量体をアセトキシ化して用い、重合後
、元のフェノール性水酸基に戻しても良い。
10θxio−”当量/g、樹脂の範囲にあることが好
ましい。即ち!x10″″@未満であるとポリカーボネ
ート重合時に形成される変性ポリカーボネートの生成が
十分でなく、本発明の目的にそぐわず、又100X /
θ″″6を超えると架橋反応を生起させることとなり操
作の点で支障をきたす。又、種々の官能基の中で、フェ
ノール性水酸基が最も好ましいが、か\る目的の為には
フェノール性水酸基を有する不飽オロ単i#、体、例え
ばアリルフェノール、メタアリルフェノール、インプロ
ペニルフェノール、p−ビニルフェノール、N−(p−
ヒドロキシフェニル)マレイミド等ヲ挙げる事が出来る
。又、これらの単量体をアセトキシ化して用い、重合後
、元のフェノール性水酸基に戻しても良い。
又、こ\でいう芳香族ポリカーボネートとは芳香族ジオ
ールとホスゲンをアルカリ水fi4KK−塩化メチレン
系で反応させる界面法、塩化メチレン等の有機溶剤及び
ピリジンを用いた系で反応させるピリジン法及び芳香族
ジオールとジカーボネート化合物とを溶融減圧下で反応
させる溶融法等の方法で製造されるものであシ、又本発
明法における変性芳香族ポリカーボネートとはか\るポ
リカーボネート製造時に前述のポリスチレン系重合体を
共存させる事により製造する事が出来るが、中でも界面
法が得られる成形材料としての品質面よりみて最も好ま
しい。その際用いられる芳香族ジオールとしては例えば
ビス−〔lI−ヒドロキシフェニルラメタン、/、/−
ビスー(q′−ヒドロキシフェニル)エタン、/、/−
ヒス−(v′−ヒドロキシフェニル)フロパン、コ、コ
ービス−(p−ヒドロキシフェニル)プロパン(以下ビ
スフェノールAという。)、コ、2−ビス−(弘′−ヒ
ドロキシフェニル)ブタン、λ、ココ−ス−(弘′−ヒ
ドロキシフェニル〕ペンタン、−、ニービス−(tI/
−ヒドロキシフェニル)イソペンタン、コツニービス−
(弘′−ヒドロキシフェニル)ヘキサン、コ、2−ビス
−(り′−ヒドロキシフェニル)インヘキサン、p、p
’−ジヒドロキシトリフェニルメタン、+、u’−ジヒ
ドロキシテトラフェニルメタン、l、/−ビス−(q/
−ヒドロキシフェニルコシクロヘキサン、λ、ココ−ス
ー(lI/−ヒドロキシ−3′−メチルフェニル)プロ
パン、コ、コービス−(q′−ヒドロキシ、1.s’−
ジメチルフェニル)プロパン、ジヒドロキシジフェニル
エーテル、ジヒドロキシジフェニルスルフィドといった
ビスフェノール類又ハハイドロキノン、レゾルシン、0
−メチルレゾルシン、0−クシルレゾルシンといったコ
価の7工ノール化合物から選択される一種以上を挙げる
事が出来るが特に好ましい芳香族ジオールとしてはビス
フェノールAが挙げられる。
ールとホスゲンをアルカリ水fi4KK−塩化メチレン
系で反応させる界面法、塩化メチレン等の有機溶剤及び
ピリジンを用いた系で反応させるピリジン法及び芳香族
ジオールとジカーボネート化合物とを溶融減圧下で反応
させる溶融法等の方法で製造されるものであシ、又本発
明法における変性芳香族ポリカーボネートとはか\るポ
リカーボネート製造時に前述のポリスチレン系重合体を
共存させる事により製造する事が出来るが、中でも界面
法が得られる成形材料としての品質面よりみて最も好ま
しい。その際用いられる芳香族ジオールとしては例えば
ビス−〔lI−ヒドロキシフェニルラメタン、/、/−
ビスー(q′−ヒドロキシフェニル)エタン、/、/−
ヒス−(v′−ヒドロキシフェニル)フロパン、コ、コ
ービス−(p−ヒドロキシフェニル)プロパン(以下ビ
スフェノールAという。)、コ、2−ビス−(弘′−ヒ
ドロキシフェニル)ブタン、λ、ココ−ス−(弘′−ヒ
ドロキシフェニル〕ペンタン、−、ニービス−(tI/
−ヒドロキシフェニル)イソペンタン、コツニービス−
(弘′−ヒドロキシフェニル)ヘキサン、コ、2−ビス
−(り′−ヒドロキシフェニル)インヘキサン、p、p
’−ジヒドロキシトリフェニルメタン、+、u’−ジヒ
ドロキシテトラフェニルメタン、l、/−ビス−(q/
−ヒドロキシフェニルコシクロヘキサン、λ、ココ−ス
ー(lI/−ヒドロキシ−3′−メチルフェニル)プロ
パン、コ、コービス−(q′−ヒドロキシ、1.s’−
ジメチルフェニル)プロパン、ジヒドロキシジフェニル
エーテル、ジヒドロキシジフェニルスルフィドといった
ビスフェノール類又ハハイドロキノン、レゾルシン、0
−メチルレゾルシン、0−クシルレゾルシンといったコ
価の7工ノール化合物から選択される一種以上を挙げる
事が出来るが特に好ましい芳香族ジオールとしてはビス
フェノールAが挙げられる。
又、本発明におけるスチレン系共重合体とは前述のポリ
カーボネートと共重合可能な官能基を有するスチレンを
主体とする共重合体であるが更に共重合成分としてN−
置換マレイミド類から選択される一種以上を含み、又か
\るマレイミド類は/〜50重量%含まれる事が望まし
い。
カーボネートと共重合可能な官能基を有するスチレンを
主体とする共重合体であるが更に共重合成分としてN−
置換マレイミド類から選択される一種以上を含み、又か
\るマレイミド類は/〜50重量%含まれる事が望まし
い。
か\るマレイミド類としてはN−メチルマレイミド、N
7nブチルマレイミド、N−へキシルマレイミド、N−
ターシャリ−ブチルマレイミド、N−7クロヘキシルマ
レイミドの様なN −脂肪族マレイミド、N−脂環族マ
レイミドの他に、N−フェニルマレイミド、N−pメチ
ルフェニルマレイミド、N−ベンジルマレイミド等のN
−芳香族マレイミド等を挙げる事が出来、それらの−N
i以上を用いる事が出来る。
7nブチルマレイミド、N−へキシルマレイミド、N−
ターシャリ−ブチルマレイミド、N−7クロヘキシルマ
レイミドの様なN −脂肪族マレイミド、N−脂環族マ
レイミドの他に、N−フェニルマレイミド、N−pメチ
ルフェニルマレイミド、N−ベンジルマレイミド等のN
−芳香族マレイミド等を挙げる事が出来、それらの−N
i以上を用いる事が出来る。
又、更にこれら不飽和化合物以外にこれらと共重合可能
な不飽和化合物、例えばアクリロニトリル、メタクリロ
ニトリル、メチルメタアクリレート、メチルアクリレー
ト、酢酸ビニルといった化合物を3重量係未満の範囲で
共重合したものであっても良い。
な不飽和化合物、例えばアクリロニトリル、メタクリロ
ニトリル、メチルメタアクリレート、メチルアクリレー
ト、酢酸ビニルといった化合物を3重量係未満の範囲で
共重合したものであっても良い。
又、得られるスチレン系共重合体の分子量は数平均分子
量にしてtio、ooo−、too、oooの間のもの
である事が好ましく、tto、ooo未満であると得ら
れる成形材料の光学的均質性を保持する事が難かしく2
00,000を超えると変性ポリカーボネートを得る上
で反応上支障を生じることとなり好ましくない。又、ス
チレン系共重合体中のN−置換マレイミドのダ°は/〜
30を窟゛チが好ましい。即ち/重i%に満たざるとス
チレン共重合体部分の熱安定性の低下を招きSO重f%
を超えると熱安定性低下に伴なう成形物の着色の著しい
増加をひきおこす事となシ好ましくない。又、変性ポリ
カーボネート中のか\るスチレン系共重合体部分の量は
7〜30重景係の範囲にある事が好ましい。即ち1重′
M%に満たざると光学的歪みの小さい成形材料を供する
事が出来ず、又30重ff14を超えると成形物の着色
の増加及び熱安定性不良による成形品の不透明化、機械
的物性の低下、特に耐衝撃性の低下が顕著となり成形材
料として好ましくない。
量にしてtio、ooo−、too、oooの間のもの
である事が好ましく、tto、ooo未満であると得ら
れる成形材料の光学的均質性を保持する事が難かしく2
00,000を超えると変性ポリカーボネートを得る上
で反応上支障を生じることとなり好ましくない。又、ス
チレン系共重合体中のN−置換マレイミドのダ°は/〜
30を窟゛チが好ましい。即ち/重i%に満たざるとス
チレン共重合体部分の熱安定性の低下を招きSO重f%
を超えると熱安定性低下に伴なう成形物の着色の著しい
増加をひきおこす事となシ好ましくない。又、変性ポリ
カーボネート中のか\るスチレン系共重合体部分の量は
7〜30重景係の範囲にある事が好ましい。即ち1重′
M%に満たざると光学的歪みの小さい成形材料を供する
事が出来ず、又30重ff14を超えると成形物の着色
の増加及び熱安定性不良による成形品の不透明化、機械
的物性の低下、特に耐衝撃性の低下が顕著となり成形材
料として好ましくない。
本発明の変性ポリカーボネートはか\る諸条件を満たし
た上で更に平均分子量にして/2000から30000
のものが好ましい。こ\でいう平均分子量とは、ポリマ
ーの4.09/lの塩化メチレン溶液を用い20 ’(
:、で測定されるηspから下記l〕及びコ)式により
求められる値である。
た上で更に平均分子量にして/2000から30000
のものが好ましい。こ\でいう平均分子量とは、ポリマ
ーの4.09/lの塩化メチレン溶液を用い20 ’(
:、で測定されるηspから下記l〕及びコ)式により
求められる値である。
1sp10=〔l〕(/+に′ηBp ) −***
m−7)〔η) =KMα 0.・s*6*am+
+@****a 2)上式中C;ポリマー濃度(11/
l)、Cη〕;極限粘度K 、0.2r、に;へコ、
yxio″″I 、α; o、g JM;平均分子量 である。
m−7)〔η) =KMα 0.・s*6*am+
+@****a 2)上式中C;ポリマー濃度(11/
l)、Cη〕;極限粘度K 、0.2r、に;へコ、
yxio″″I 、α; o、g JM;平均分子量 である。
即ち、上記平均分子量は/ 2,000未満であると機
械的物性の面で好ましくなく、又、? 0.000を超
えると光学的歪みの少さい成形材料を供する上での支障
となる。
械的物性の面で好ましくなく、又、? 0.000を超
えると光学的歪みの少さい成形材料を供する上での支障
となる。
本発明の成形材料に供されるか\る変性ポリカーボネー
ト?成形するに6だって、亜リン酸エステル類を当該樹
脂に対し0.07重コ重坩チ添加する事は樹脂の分解に
よる着色、透明性の低下を抑制する上で好ましい。この
場合に用いられる亜リン酸エステル類としては、トリブ
チルホスファイト、トリス(−一エチルヘキシル)ホス
ファイト、トリデシルホスファイト、トリスフェニルホ
スファイト、トリクレジルホスフアイト、−二チルーへ
キシルジフェニルホスファイト、デシルジフェニルホス
ファイト、トリシクロヘキシルホスファイト、ジステア
リルペンタエリスリチルジホスファイト等をあげる事混
合する方法としては、トライブレンドする方法、押し出
し機でペレット化する際に溶融混合する方法、あるいは
その際亜リン酸エステル濃度の高いマスターベレットを
つくす、未添加ベレットとトライブレンドする方法等を
挙げる事が出来る。
ト?成形するに6だって、亜リン酸エステル類を当該樹
脂に対し0.07重コ重坩チ添加する事は樹脂の分解に
よる着色、透明性の低下を抑制する上で好ましい。この
場合に用いられる亜リン酸エステル類としては、トリブ
チルホスファイト、トリス(−一エチルヘキシル)ホス
ファイト、トリデシルホスファイト、トリスフェニルホ
スファイト、トリクレジルホスフアイト、−二チルーへ
キシルジフェニルホスファイト、デシルジフェニルホス
ファイト、トリシクロヘキシルホスファイト、ジステア
リルペンタエリスリチルジホスファイト等をあげる事混
合する方法としては、トライブレンドする方法、押し出
し機でペレット化する際に溶融混合する方法、あるいは
その際亜リン酸エステル濃度の高いマスターベレットを
つくす、未添加ベレットとトライブレンドする方法等を
挙げる事が出来る。
本発明の材料は通常射出成形によシ成形され、光デイス
ク基板等の光学機器とされるが、その成形条件としては
、通常、溶融樹脂温度を一21rO〜350℃とし、金
型表面温度をK O,/ j 0℃として溶融樹脂の固
化速度をゆるやかにし、成形品表面のスキン層の発生を
少なくするのが望ましい。
ク基板等の光学機器とされるが、その成形条件としては
、通常、溶融樹脂温度を一21rO〜350℃とし、金
型表面温度をK O,/ j 0℃として溶融樹脂の固
化速度をゆるやかにし、成形品表面のスキン層の発生を
少なくするのが望ましい。
参考例−/ ポリカーボネートオリゴマーの製造例
水酸化ナトリウム水溶液にビスフェノールAを溶解して
調製したビスフェノールAナトリウム塩の/4.6%の
水溶液ioo重鍵部、p−ターシャリ−ブチルフェノー
ル0.43重封部、塩化メチレン弘O重甘部、ホスファ
イト部からなる混合物を定量的にパイプリアクターへ供
給し界面重合を行なった。反応混合物を分液しポリカー
ボネートオリゴマー−含有する塩化メチレン溶液のみ捕
集した。
調製したビスフェノールAナトリウム塩の/4.6%の
水溶液ioo重鍵部、p−ターシャリ−ブチルフェノー
ル0.43重封部、塩化メチレン弘O重甘部、ホスファ
イト部からなる混合物を定量的にパイプリアクターへ供
給し界面重合を行なった。反応混合物を分液しポリカー
ボネートオリゴマー−含有する塩化メチレン溶液のみ捕
集した。
得られたオリゴマーの塩化メチレン溶液を分析結果は次
の通シであった。
の通シであった。
オリゴマー濃度′) ハ、!重量係末端クロり
ホーメート基濃度” /、、)規定末端フェノ
ール性水酸基濃度3)0. 、?規定/)蒸発乾固させ
て測定 コン アニリンと反応させて得られるアニリン塩酸塩?
:O0λ規定水酸化す) IJウム水溶液で中和滴定 3)四塩化チタン、酢酸溶液に溶解させた時の発色をS
ダA nmで比色定貸 この様にして得られたオリゴマー溶液をオリゴマー溶液
−Aと以降略称する。
ホーメート基濃度” /、、)規定末端フェノ
ール性水酸基濃度3)0. 、?規定/)蒸発乾固させ
て測定 コン アニリンと反応させて得られるアニリン塩酸塩?
:O0λ規定水酸化す) IJウム水溶液で中和滴定 3)四塩化チタン、酢酸溶液に溶解させた時の発色をS
ダA nmで比色定貸 この様にして得られたオリゴマー溶液をオリゴマー溶液
−Aと以降略称する。
参考例−一 ポリカーボネートの製造例ポリカーボネー
トオリゴマー溶液−A/AO重量部、p−ターシャリ−
ブチルフェノール0.7重量部からなる混合物に塩化メ
チレンi、y。
トオリゴマー溶液−A/AO重量部、p−ターシャリ−
ブチルフェノール0.7重量部からなる混合物に塩化メ
チレンi、y。
重量部を加え攪拌機つき反応器に仕込みSSOrpmで
攪拌した。
攪拌した。
更Klt、、6e4のビスフェノールAナトリウム塩水
溶液10重量部、λj係氷水酸化ナトリウムニー 水溶液ざ重量部、2%)!J、$チルアミン水溶液水溶
液1炸甘成る水溶液を加える。
溶液10重量部、λj係氷水酸化ナトリウムニー 水溶液ざ重量部、2%)!J、$チルアミン水溶液水溶
液1炸甘成る水溶液を加える。
約へ!r hr 界面重合を行ない反応混合物を分液
し、ポリカーボネート樹脂を含む塩化メチレン溶液を水
、塩酸水浴液ついで水を用いて洗浄し、最終的には塩化
メチレンな蒸発させて樹脂を取シ出した。
し、ポリカーボネート樹脂を含む塩化メチレン溶液を水
、塩酸水浴液ついで水を用いて洗浄し、最終的には塩化
メチレンな蒸発させて樹脂を取シ出した。
この樹脂の平均分子量は20100であった。
この樹脂をポリカーボネート■とする。
参考例−3ポリカーボネートの製造例
P−ターシャリーブチルフェノールなへJ重量部に変更
する以外参考例−2と同様の処決によシボリカーボネー
トを製造した。
する以外参考例−2と同様の処決によシボリカーボネー
トを製造した。
この樹脂の平均分子量は/lIりθOであった。
この樹脂をポリカーボネート■とする。
参考例−ダ スチレン系共重合体の製造法N−フェニル
マレイミドSO重量部をメチルエチルケトンコ00@f
;3一部に溶解させる。これを溶液Aと略称する。
マレイミドSO重量部をメチルエチルケトンコ00@f
;3一部に溶解させる。これを溶液Aと略称する。
ベンゾイルパーオキサイドへ1重址部をメチルエチルケ
トンioo重量部に溶解させる。これを溶液Bと略称す
る。
トンioo重量部に溶解させる。これを溶液Bと略称す
る。
スチレン−200重M部にメターインプロペニルフェノ
ール八3重量部を溶解させる。これを溶液Oと略称する
。
ール八3重量部を溶解させる。これを溶液Oと略称する
。
滴下ロート及び攪拌器つきのフラスコに溶液Oを仕込み
、N、シール状態で内温をpro℃に昇貌させ、以降こ
の温度で滴下ロートを通して溶液A及びBを約j hr
にわたって連続供給する。
、N、シール状態で内温をpro℃に昇貌させ、以降こ
の温度で滴下ロートを通して溶液A及びBを約j hr
にわたって連続供給する。
連続供給完了後戻に約−hr %同温度で重合反応を
継続させる。
継続させる。
滴下開始よps時間後反応物をメタノ−・ルにおとし析
出させ、メタノール洗浄、C過をくりかえし、乾燥し共
重合体粉末を得る。収率は6コチであり、共重合体の性
状は次の通りである。
出させ、メタノール洗浄、C過をくりかえし、乾燥し共
重合体粉末を得る。収率は6コチであり、共重合体の性
状は次の通りである。
l)数平均分子黛 7 A、000 (G、P、Oによ
る)、2)共重合体中のN−フェニルマレイミド組成3
S重量1(元素分析による) 3) フェノール性水酸基濃度o、5xio−’tt当
蛍/Iがツマ−(四塩化チタン−酢酸溶液に溶解させた
時の発色を41t Onmで比色定量し次。ンこの重合
体をスチレン系共重合体lと略称する。
る)、2)共重合体中のN−フェニルマレイミド組成3
S重量1(元素分析による) 3) フェノール性水酸基濃度o、5xio−’tt当
蛍/Iがツマ−(四塩化チタン−酢酸溶液に溶解させた
時の発色を41t Onmで比色定量し次。ンこの重合
体をスチレン系共重合体lと略称する。
参考例−5スチレン系共重合体の製造法メチレフ200
重量部、メターイソゾロベニルフェノール/重量部を攪
拌器つきフラスコに仕込みN、シールする。更に触媒と
してパーへキサJM(日本油脂部)1に一重量部仕込み
昇温を開始する。内温qo℃〜lコO℃の範囲で’I
hr攪攪拌型重合反応行ない、メタノール/メチルエチ
ルケトン混合溶媒中に反応物をおとし析出させ、メタノ
ール洗浄、濾過をくシかえし、乾燥し共重合体粉末を得
る。収率は7Sチであり共重合体の性状は次の通りであ
る。
重量部、メターイソゾロベニルフェノール/重量部を攪
拌器つきフラスコに仕込みN、シールする。更に触媒と
してパーへキサJM(日本油脂部)1に一重量部仕込み
昇温を開始する。内温qo℃〜lコO℃の範囲で’I
hr攪攪拌型重合反応行ない、メタノール/メチルエチ
ルケトン混合溶媒中に反応物をおとし析出させ、メタノ
ール洗浄、濾過をくシかえし、乾燥し共重合体粉末を得
る。収率は7Sチであり共重合体の性状は次の通りであ
る。
/)数平均分子f17k //9,000(GPCによ
る)コ〕 フェノール性水酸基濃度 Q、llX10″″4g当量/Iポリマーこの共重合体
をスチレン系共重合体nと略称する。
る)コ〕 フェノール性水酸基濃度 Q、llX10″″4g当量/Iポリマーこの共重合体
をスチレン系共重合体nと略称する。
参考例−6変性ポリカーボネート製造法オリゴマー溶液
Al30重音部、変性スチレン系共重合体1jia量部
、塩化メチレン/10it部、パラ−ターシャリブチル
フェノールo、g重量部からなる混合物を攪拌機つきの
反応器に仕込みj ! Orpmで攪拌する。更に/1
4チビスフェノールAナトリウム水溶液90重量部コ3
係苛性ソーダ水溶液S重量部、コ係トリエチルアミン水
溶液1重量部からなる水溶液な加え約/ hr 界面重
合を行ない、反応混合物を分液し、ポリカーボネート樹
脂を含む塩化メチレン溶液を塩酸水溶液、ついで水を用
いて洗浄し最終的に塩化メチレンを蒸発させて樹脂を取
シ出した。
Al30重音部、変性スチレン系共重合体1jia量部
、塩化メチレン/10it部、パラ−ターシャリブチル
フェノールo、g重量部からなる混合物を攪拌機つきの
反応器に仕込みj ! Orpmで攪拌する。更に/1
4チビスフェノールAナトリウム水溶液90重量部コ3
係苛性ソーダ水溶液S重量部、コ係トリエチルアミン水
溶液1重量部からなる水溶液な加え約/ hr 界面重
合を行ない、反応混合物を分液し、ポリカーボネート樹
脂を含む塩化メチレン溶液を塩酸水溶液、ついで水を用
いて洗浄し最終的に塩化メチレンを蒸発させて樹脂を取
シ出した。
この様にして得られた変性ポリカーボネートの平均分子
量は/’1300であった。この樹脂を変性ポリカーボ
ネート■と略称する。
量は/’1300であった。この樹脂を変性ポリカーボ
ネート■と略称する。
参考例−り 変性ポリカーボネート製造法変性スチレン
系共重合体13重量部、及びパ2−ターシャリーブチ/
I/フェノール0.2重世部の他は変性ポリカーボネー
ト1と同様の仕込み及び重合法で変性ポリカーボネート
を得た。この樹脂の平均分子量は1atooであった。
系共重合体13重量部、及びパ2−ターシャリーブチ/
I/フェノール0.2重世部の他は変性ポリカーボネー
ト1と同様の仕込み及び重合法で変性ポリカーボネート
を得た。この樹脂の平均分子量は1atooであった。
この樹脂を変性ポリカーボネートnと略称する。
参考例−g 変性ポリカーボネート製造法変性スチレン
系共重合体I10亀に部及びパラ−ターシャリ−ブチル
フェノール1./1hs一部の他は変性ポリカーボネー
トIと同様の仕込み及び重合法で変性ポリカーボネート
を得fc 。
系共重合体I10亀に部及びパラ−ターシャリ−ブチル
フェノール1./1hs一部の他は変性ポリカーボネー
トIと同様の仕込み及び重合法で変性ポリカーボネート
を得fc 。
この樹脂の平均分子量はlSコQθであった。この樹脂
を、変性ポリカーボネート皿と略称する。
を、変性ポリカーボネート皿と略称する。
参考例−9変性ポリカーボネート製造法オリゴマー溶液
A1.30重値部、変性スチレン系共重合体I Jl、
7重量部、塩化メチレ重量部0重童部、ハラ−ターシャ
リ−ブチルフェノール0.6重量部から成る混合物を攪
拌機つきの反応器に仕込み、J j Orpmで攪拌す
る。更にλS係苛性ソーダ水溶液3g電鍵部、脱塩水3
0重量部、−%)リエチルアミン水溶液O0を重量部か
らなる水溶液を加え約/ hr 界面重合を行ない、
反応混合物を分液し、ポリカーボネート樹脂を含む塩化
メチレン溶液を塩酸水溶液、ついで水を用いて洗浄し、
最終的に塩化メチレンを蒸発させて樹脂を取シ出した。
A1.30重値部、変性スチレン系共重合体I Jl、
7重量部、塩化メチレ重量部0重童部、ハラ−ターシャ
リ−ブチルフェノール0.6重量部から成る混合物を攪
拌機つきの反応器に仕込み、J j Orpmで攪拌す
る。更にλS係苛性ソーダ水溶液3g電鍵部、脱塩水3
0重量部、−%)リエチルアミン水溶液O0を重量部か
らなる水溶液を加え約/ hr 界面重合を行ない、
反応混合物を分液し、ポリカーボネート樹脂を含む塩化
メチレン溶液を塩酸水溶液、ついで水を用いて洗浄し、
最終的に塩化メチレンを蒸発させて樹脂を取シ出した。
この様にして得られた変性ポリカーボネートの平均分子
量はIQ!00でめった。この樹脂ヶ変性ポリカーボネ
ートIVと略称する。
量はIQ!00でめった。この樹脂ヶ変性ポリカーボネ
ートIVと略称する。
参考例−IO変性ポリカーボネート製造法変性スチレン
系共重合体1/7重社部及びパラターシャリープチルフ
ェノールへ3重量部の他は変性ポリカーボネート■と同
様の仕込み及び重合法で変性ポリカーボネートを得た。
系共重合体1/7重社部及びパラターシャリープチルフ
ェノールへ3重量部の他は変性ポリカーボネート■と同
様の仕込み及び重合法で変性ポリカーボネートを得た。
この樹脂の平均分子量は/l、gooであった。
この樹脂を変性ボリカーボネー)Vと略称する。
実施例7〜3、比較例/〜q
下記の表に示される各樹脂に一エチルヘキシ−7に示さ
れる成形条件で厚さ八−順、直径lθαの円板を成形し
た。
れる成形条件で厚さ八−順、直径lθαの円板を成形し
た。
複屈折については円板中心よシコ、θα及びダ、−t(
m位置での複屈折(以降ニ11 ΔfJ4.Bと略称す
る。〕で評価した。複屈折は日本光学工業株式会社製の
偏光顕微鏡によシ測定した。
m位置での複屈折(以降ニ11 ΔfJ4.Bと略称す
る。〕で評価した。複屈折は日本光学工業株式会社製の
偏光顕微鏡によシ測定した。
本発明によれば透明性に優れ、光学的歪みの小さい成形
物が得られ、光学的用途、例えばディジタルオーディオ
ディスク、ディジタルビデオディスク、光ディスク等を
成形する材料として大変好適に用い得る。
物が得られ、光学的用途、例えばディジタルオーディオ
ディスク、ディジタルビデオディスク、光ディスク等を
成形する材料として大変好適に用い得る。
出 願 人 三菱化成工業株式会社
代 理 人 弁理士 長谷用 −
(ほか1名)
Claims (1)
- (1)スチレン系化合物を主体とし、N置換マレイミド
類から選択される一種以上を共重合成分とするスチレン
系共重合体連鎖を芳香族ポリカーボネートに化学的に結
合させてなる変性ポリカーボネートであつて、スチレン
系共重合体連鎖の含有量が1〜30重量%である変性芳
香族ポリカーボネートよりなる、光学機器成形材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60159965A JPS6220524A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 光学機器成形材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60159965A JPS6220524A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 光学機器成形材料 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6220524A true JPS6220524A (ja) | 1987-01-29 |
Family
ID=15705037
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60159965A Pending JPS6220524A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 光学機器成形材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6220524A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5046795A (en) * | 1987-12-23 | 1991-09-10 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Apparatus for producing a distortion-free two-dimensional image of a scanned object |
-
1985
- 1985-07-19 JP JP60159965A patent/JPS6220524A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5046795A (en) * | 1987-12-23 | 1991-09-10 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Apparatus for producing a distortion-free two-dimensional image of a scanned object |
US5067782A (en) * | 1987-12-23 | 1991-11-26 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Apparatus for producing a distortion-free two-dimensional image of a scanned object |
US5107364A (en) * | 1987-12-23 | 1992-04-21 | Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Apparatus for producing a distortion-free two-dimensional image of a scanned object |
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