JPS62204207A - 石英系平板光回路の製造方法 - Google Patents
石英系平板光回路の製造方法Info
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- JPS62204207A JPS62204207A JP4643186A JP4643186A JPS62204207A JP S62204207 A JPS62204207 A JP S62204207A JP 4643186 A JP4643186 A JP 4643186A JP 4643186 A JP4643186 A JP 4643186A JP S62204207 A JPS62204207 A JP S62204207A
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Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光通信システム等で使用される光分岐・光結
合素子等の平面光導波路の製造方法に関し、特に石英系
平板光回路の製法に係わる。
合素子等の平面光導波路の製造方法に関し、特に石英系
平板光回路の製法に係わる。
本発明に関係のある従来の技術として、例えば昭和５９
年電子通信学会総合全国大会講演要旨集（４−２８５員
）山田、安、筒内、小林、「８１０−２石英系平面光回
路の形成」に提案される方法がある。これは、石英ガラ
スもしくはＳｌ 基板上に、火炎を用いて光導波路用
多孔質ガラス薄膜を堆積させ、その後透明ガラス化する
方法である。
年電子通信学会総合全国大会講演要旨集（４−２８５員
）山田、安、筒内、小林、「８１０−２石英系平面光回
路の形成」に提案される方法がある。これは、石英ガラ
スもしくはＳｌ 基板上に、火炎を用いて光導波路用
多孔質ガラス薄膜を堆積させ、その後透明ガラス化する
方法である。
従来、上記のような公知技術においては、小さな素子用
基板上に、ガラス多孔質薄膜を厚さ５〜５０μｍ の範
囲で調整しながら堆積させていたので、各ロット内及び
各ロフト間での膜厚の安定性に問題があった。さらに、
多孔質薄膜内に異物や結晶相の混入があることも欠点で
あった。これは装置に由来する異物が多孔質薄膜内に混
入することや、多孔質のガラス相がクリストバライト相
になったことＫよると考えられる。
基板上に、ガラス多孔質薄膜を厚さ５〜５０μｍ の範
囲で調整しながら堆積させていたので、各ロット内及び
各ロフト間での膜厚の安定性に問題があった。さらに、
多孔質薄膜内に異物や結晶相の混入があることも欠点で
あった。これは装置に由来する異物が多孔質薄膜内に混
入することや、多孔質のガラス相がクリストバライト相
になったことＫよると考えられる。
本発明はこのような問題点を解消し、膜厚の安定性良く
、また異物結晶相の混入も防ぎうる、新規な石英系平面
光回路の製造方法を提案することを目的として、なされ
たものである。
、また異物結晶相の混入も防ぎうる、新規な石英系平面
光回路の製造方法を提案することを目的として、なされ
たものである。
ｃ問題点を解決するための手段〕
本発明は石英系平板光回路を作製する方法において、コ
ア部とクラッド部もしくは基板部を溶着したガラスブロ
ックを加熱延伸して所定の寸法と構造を有する平板光回
路用中間体を作製することを特徴とする石英系平板光回
路の製造方法である。
ア部とクラッド部もしくは基板部を溶着したガラスブロ
ックを加熱延伸して所定の寸法と構造を有する平板光回
路用中間体を作製することを特徴とする石英系平板光回
路の製造方法である。
すなわち、本発明はコア用ガラスブロックとクラッド用
゛もしくは基板用ブロックを融着して張ル合せ、これを
加熱炉内で延伸して平板光回路用中間体を得、該中間体
から所定の高精度の膜厚を有する光導波路を得る方法で
ある。
゛もしくは基板用ブロックを融着して張ル合せ、これを
加熱炉内で延伸して平板光回路用中間体を得、該中間体
から所定の高精度の膜厚を有する光導波路を得る方法で
ある。
以下、図を参照して、本発明を具体的に説明する。第１
図は本発明の１実施態様を示す図であって、第１図の（
ａ）は、例えばｅｅｏ２−８ｉＯ２ガラス等のコア用ガ
ラスブロック１（厚さＴ、；例えば２劾）を、例えばＦ
−８ｉＯ２ガラス等のクラッドブロック２（厚さ；例え
ば４酎）ではさみ、加熱溶着した全厚さＴ２；例えば１
ＯＷの平板光回路用母材３の説明図である。このような
加熱溶着は、例えば温度１８００〜２１００Ｃ程度に加
熱することで容易に実現できる。
図は本発明の１実施態様を示す図であって、第１図の（
ａ）は、例えばｅｅｏ２−８ｉＯ２ガラス等のコア用ガ
ラスブロック１（厚さＴ、；例えば２劾）を、例えばＦ
−８ｉＯ２ガラス等のクラッドブロック２（厚さ；例え
ば４酎）ではさみ、加熱溶着した全厚さＴ２；例えば１
ＯＷの平板光回路用母材３の説明図である。このような
加熱溶着は、例えば温度１８００〜２１００Ｃ程度に加
熱することで容易に実現できる。
次に第１図の（ｂ）に示すように（ａＪ工程で得た平板
光回路用母材５を加熱炉（電気Ｆ）４にて引き落しなが
ら延伸する。５はレーザー外径モニターであって、図示
した母材３の幅りは例えば４００Ｒであるが延伸後の平
板光回路中間体６の幅ｌは１０１１１１となっている。
光回路用母材５を加熱炉（電気Ｆ）４にて引き落しなが
ら延伸する。５はレーザー外径モニターであって、図示
した母材３の幅りは例えば４００Ｒであるが延伸後の平
板光回路中間体６の幅ｌは１０１１１１となっている。
第１図の（Ｃ）は第１図の（ｂ）の工程によ）得られた
平板光回路中間体６の説明図であって、図示の例ではコ
ア膜厚ｔ、； ５０μｍ１全厚さ１２（クラッドとコア
を合せた厚さ）；２５０μｍ １幅ｌ；１０寵、である
。
平板光回路中間体６の説明図であって、図示の例ではコ
ア膜厚ｔ、； ５０μｍ１全厚さ１２（クラッドとコア
を合せた厚さ）；２５０μｍ １幅ｌ；１０寵、である
。
この方法によシ平面光回路の中間体を作製すると、コア
膜厚の安定したものが大量に製造できる。例えば、母材
の厚みが２龍であれば、±−ｏｉｍ厚以内の精度で加工
することは充分可能であ）、この母材を延伸して得た中
間体のコア膜厚のバラツキを、４０μｍの場合で±２ｍ
μ、５μｍとする場合で±０．２５μｍ の範囲内とし
て作製することが可能となる。従って、大量かつ均一な
構造を有する平面光回路中間体の作製が容易に行える。
膜厚の安定したものが大量に製造できる。例えば、母材
の厚みが２龍であれば、±−ｏｉｍ厚以内の精度で加工
することは充分可能であ）、この母材を延伸して得た中
間体のコア膜厚のバラツキを、４０μｍの場合で±２ｍ
μ、５μｍとする場合で±０．２５μｍ の範囲内とし
て作製することが可能となる。従って、大量かつ均一な
構造を有する平面光回路中間体の作製が容易に行える。
クランド用ガラスブロックとして、弗素が比屈折率差で
−０，５Ｘ相当となる１含まれた石英系ガラスブロック
を２枚用意し、コア用ガラスブロックとしては、Ｇｅ
Ｏ２が比屈折率差で＋α５Ｘ相当となる１含まれた石英
系ガラスブロックを１枚用意した。これら３枚のブロッ
クを仕上シ精度±０．１ｘ１１以内で、コア用ブロック
は厚さ２ｔＦ＋、幅４００關、長さ１０００龍に、また
クラッド用ブロックは厚さ４１１１．幅４００寵、長さ
１００ ＯＮｘに作製した。コア用カラスブロックを２
枚のクランド用ガラスブロックではさみ。
−０，５Ｘ相当となる１含まれた石英系ガラスブロック
を２枚用意し、コア用ガラスブロックとしては、Ｇｅ
Ｏ２が比屈折率差で＋α５Ｘ相当となる１含まれた石英
系ガラスブロックを１枚用意した。これら３枚のブロッ
クを仕上シ精度±０．１ｘ１１以内で、コア用ブロック
は厚さ２ｔＦ＋、幅４００關、長さ１０００龍に、また
クラッド用ブロックは厚さ４１１１．幅４００寵、長さ
１００ ＯＮｘに作製した。コア用カラスブロックを２
枚のクランド用ガラスブロックではさみ。
真空加熱炉内で１４００Ｃに加熱溶着し、平面光回路用
ブロック母材を作製した〔第１図の（ａ）１゜核母材の
長さは１０００關、幅４００．．、厚み１０社であった
。
ブロック母材を作製した〔第１図の（ａ）１゜核母材の
長さは１０００關、幅４００．．、厚み１０社であった
。
駁母材を弗酸中に浸漬して表面の汚れを除去し、次いで
第１図の（ｂ）に示したように、電気ｖ４２て加熱しな
がら、該母材を延伸した。厚みの制御はレーザ外径モニ
ター５によシ行った。これによシ、２５０μｍ厚のもの
で、その中心部に５０μｍ 厚のコア部を有し、幅１Ｏ
Ｗ、長さ１０００ｗｎの平面光回路の中間体が２０本得
られた。
第１図の（ｂ）に示したように、電気ｖ４２て加熱しな
がら、該母材を延伸した。厚みの制御はレーザ外径モニ
ター５によシ行った。これによシ、２５０μｍ厚のもの
で、その中心部に５０μｍ 厚のコア部を有し、幅１Ｏ
Ｗ、長さ１０００ｗｎの平面光回路の中間体が２０本得
られた。
該中間体を２ｍ長さ毎に切断し、以下の方法で光分岐回
路を作製した。まず第２囮の体）工程に示すように、コ
ア部１′及びクラッド部１を有する中間６の表面にアモ
ルファスシリコンａ−８ｉＪｉ７を蒸着し、次いで（ｂ
Ｊ工程に示すように耐弗素性塗料層を分岐回路に対応す
るパターンに塗付形成した。その後ＣＢｒＦ、を用いて
α−８１層７をエツチングし〔第２図（Ｑ）工程〕、さ
らに０２Ｆ６と０２Ｈ４ガスを用いてガラス場のうち上
部クランド部２とコア部ダとをエツチングした〔第２図
の（（１）工程〕。次に阻Ｆ４と０２を原料ガスとしｃ
ｖｎ法によシ、ト阻０２ガラスからなる膜を側面部に形
成し、光分岐回路を得た〔第２図（θ）〕。
路を作製した。まず第２囮の体）工程に示すように、コ
ア部１′及びクラッド部１を有する中間６の表面にアモ
ルファスシリコンａ−８ｉＪｉ７を蒸着し、次いで（ｂ
Ｊ工程に示すように耐弗素性塗料層を分岐回路に対応す
るパターンに塗付形成した。その後ＣＢｒＦ、を用いて
α−８１層７をエツチングし〔第２図（Ｑ）工程〕、さ
らに０２Ｆ６と０２Ｈ４ガスを用いてガラス場のうち上
部クランド部２とコア部ダとをエツチングした〔第２図
の（（１）工程〕。次に阻Ｆ４と０２を原料ガスとしｃ
ｖｎ法によシ、ト阻０２ガラスからなる膜を側面部に形
成し、光分岐回路を得た〔第２図（θ）〕。
上記方法によシ光分岐回路を１００個試作したところ、
いずれにおいてもコア部の厚みは５０３ｍ±２μｍ以内
であシ、非常に安定していた。入力側及び２つの出力側
に４０μｍ のグレーディト型光ファイバを接続し、Ｈ
ｅ−ｙｅレーザで接続特性を調べたところ、いずれの回
路も接続損失は２ ＜ＩＢ であシ、非常に良好なもの
であった。このことから、本発明は均質かつ良好な光回
路を大量に製作可能な方法であることがわかる。
いずれにおいてもコア部の厚みは５０３ｍ±２μｍ以内
であシ、非常に安定していた。入力側及び２つの出力側
に４０μｍ のグレーディト型光ファイバを接続し、Ｈ
ｅ−ｙｅレーザで接続特性を調べたところ、いずれの回
路も接続損失は２ ＜ＩＢ であシ、非常に良好なもの
であった。このことから、本発明は均質かつ良好な光回
路を大量に製作可能な方法であることがわかる。
以上説明したように１本発明は大きなガラスブロックを
材料とし延伸技術を適用して光平板回路用中間体を作製
するので、光分岐用回路等に用いて接続特性の向上した
石英系平板光回路を、加工精度良〈、量産性に富んで製
造できるすぐれた方法であル、光回路用素子をよ）安価
に提供することを可能とする。
材料とし延伸技術を適用して光平板回路用中間体を作製
するので、光分岐用回路等に用いて接続特性の向上した
石英系平板光回路を、加工精度良〈、量産性に富んで製
造できるすぐれた方法であル、光回路用素子をよ）安価
に提供することを可能とする。
第１図および第２図は本発明の実施態様を説明する概略
の工程図であシ、 第１図の（ａｌ〜（Ｃ）は本発明の平板光回路用母材を
延伸して平板光回路用中間体を作製する工程を示す図、 第２図の（ａＪ〜（１３）は本発明の平板光回路用中間
体から光分岐回路を作製する工程を示す囚である。
の工程図であシ、 第１図の（ａｌ〜（Ｃ）は本発明の平板光回路用母材を
延伸して平板光回路用中間体を作製する工程を示す図、 第２図の（ａＪ〜（１３）は本発明の平板光回路用中間
体から光分岐回路を作製する工程を示す囚である。
Claims (1)
- 石英系平板光回路を作製する方法において、コア部とク
ラッド部もしくは基板部を溶着したガラスブロックを加
熱延伸して所定の寸法と構造を有する平板光回路用中間
体を作製することを特徴とする石英系平板光回路の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4643186A JPS62204207A (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | 石英系平板光回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4643186A JPS62204207A (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | 石英系平板光回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62204207A true JPS62204207A (ja) | 1987-09-08 |
Family
ID=12746960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4643186A Pending JPS62204207A (ja) | 1986-03-05 | 1986-03-05 | 石英系平板光回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62204207A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04502672A (ja) * | 1989-02-13 | 1992-05-14 | リトン システムズ，インコーポレーテッド | 集積光チップにファイバを耐久性良く取付ける方法ならびにその方法を用いた製品 |
| EP0490095A2 (en) * | 1990-12-10 | 1992-06-17 | Corning Incorporated | Manufacturing method for planar optical waveguides |
| JP4059929B2 (ja) * | 1997-07-07 | 2008-03-12 | 新第一塩ビ株式会社 | ペースト加工用塩化ビニル樹脂顆粒およびその製造方法 |
| WO2021108235A1 (en) * | 2019-11-30 | 2021-06-03 | Corning Incorporated | Optical waveguides and methods for producing |
-
1986
- 1986-03-05 JP JP4643186A patent/JPS62204207A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04502672A (ja) * | 1989-02-13 | 1992-05-14 | リトン システムズ，インコーポレーテッド | 集積光チップにファイバを耐久性良く取付ける方法ならびにその方法を用いた製品 |
| EP0490095A2 (en) * | 1990-12-10 | 1992-06-17 | Corning Incorporated | Manufacturing method for planar optical waveguides |
| AU650922B2 (en) * | 1990-12-10 | 1994-07-07 | Corning Incorporated | Manufacturing method for planar optical waveguides |
| JP4059929B2 (ja) * | 1997-07-07 | 2008-03-12 | 新第一塩ビ株式会社 | ペースト加工用塩化ビニル樹脂顆粒およびその製造方法 |
| WO2021108235A1 (en) * | 2019-11-30 | 2021-06-03 | Corning Incorporated | Optical waveguides and methods for producing |
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