JPH04502672A

JPH04502672A - 集積光チップにファイバを耐久性良く取付ける方法ならびにその方法を用いた製品

Info

Publication number: JPH04502672A
Application number: JP1511734A
Authority: JP
Inventors: パブラス，ジョージ　エー．
Original assignee: リトン　システムズ，インコーポレーテッド
Priority date: 1989-02-13
Filing date: 1989-07-14
Publication date: 1992-05-14
Also published as: EP0457761B1; EP0457761A1; US4976506A; KR910700477A; DE68920333T2; KR940001045B1; DE68920333D1; WO1990009606A1

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】集積光チップにファイバを耐久性良く取付ける方法ならびにその方法を用いた製品ｌ■五１遣１・免胛Ω豆！本発明は一般に光フアイバデバイスとその技術に関し、詳しくは集積光チップにファイバを取付番プる方法ならびにその方法によって生じたデバイスに関する。

２．１１皮■五１ｊ “ピッグティル−と呼ばれる短い光ファイバは集積光チ・シブに接着され、チップ上のデバイスの接続に役立たせている。いったん取付けられると、ピッグティルによってファイバ間のスプライスを行うことができる。

光ファイバを集積光チップに接着する従来の方法はエポキシ樹脂あるいは金属間溶着を用いている。後者の例としては“光ファイバのマイクロ溶着−と称する１９８７年１月２３日付の米国特許出願第００６１６４号に開示された方法がある。この出願は本発明の譲受人に譲渡されており、ここに参照として引用する６工ボキン接着はエポキシの特性によって制約されがちであり（例えば、所望の動作温度範囲での光透過特性および機械的特性の変化）、セットアツプが遅い、そして自動製造環境での使用が困難である。金属間溶着の過去の方法は構造的に非対称な接着構成を有し、このためオプティカルスプライスにとって望ましくない程大きな熱感度を有してしまう、非対称接着では、近傍の異なった材料間の熱膨張係数の不均衡がファイバに熱的に誘起されたストレスを生じさせる。バッチ処理に適しかつ対称であって熱的に不感な接合を行う方法が見つかれば、光フアイバ取付は技術に偉人な進歩をもたらす。

及肛Ω鷹Ｉ集積光チップに光ファイバを耐久性良く取付ける方法は、光回路のあるチップ基板の第１の主面に第１の板を取付け、チップの第２の主面から材料を除去してチップの厚みをファイバの直径より小さくするとともに、導波モードの微弱な場がチップ外では無視しつる程度に小さな値を有するのに充分な光学的厚みとし、厚みを減らしたチップの第２の主面に第２の板を取付け、第１および第２の板への取付けに適した材料でファイバの端部にジャケットをつ（す、ファイバの端面をチップに配置してファイバを光学的に適切にチップの端面の所望位置に結合し、そしてファイバ端面のジャケットを複数の個所で第１と第２の板に対称的に取付ける工程より成る。

あるいは、チップの厚みを減らすことなく一枚の板をチップの第１の主面に取付けて、ファイバ端面のジャケットを複数の個所で一枚の板とチップとに対称的に取付けることもできる。この実施例では一枚の板の材料はチップ基板の材料と同じでなければならない、この実施例の変形として、一枚の板とチップ基板をジャケットを持たないファイバの曲周面への取付けに適した材料より構成し、ファイバを直接複数の個所で一枚の板と基板とに対称的に取付けることができる。

光ファイバと集積光チップのこのような接続は耐久性があり、熱的に不感で、バッチ製造工程に適している６すなわち、複数のチップより成るウェハを第１と第２の板の間にサンドイッチ状に挟み、あるいは−板の上部板で強化することができ、その後で個々のチップに分割してここに開示する方法によって光ファイバを取付ける。

サンドイッチ状にする二枚の板あるいは一枚の強化板の取付は技術は、接着材、アノディック接合およびし〜ザ溶着を含んでいる。光ファイバのジャケットは、ファイバの一端をジャケット材料より成る同軸スリーブ内に滑り込ませるか、あるいはファイバの端部をジャケット材料より成る同軸層でコーティングすることによってつくられる。適切なコーティング手順は、電気メッキ、非電着性堆積、蒸着、および液状コーテイング材の塗布を含んでいる。

集積光チップの厚みを減らす実施例では、チップから材料を除去するには研磨で行なうことができる。この研磨工程中のチップ厚のモニタには電気・音響技術等の種々の方法が可能である。

区瓦立呈工皇１朋本発明の数々の特徴と利点は、添付の図面を参照した以下の詳細説明より明らかとなる。

第１図は一般にファイバオプティックジャイロスコープに使用されるＹ回路を有し、ピッグティルされる集積光チップの上面図、第２図は第１図のチップの端面図、第３図は本発明によるエポキシ樹脂を用いて取付けた第１の板を有する集積光チップの端面図、第４図は本発明によるアノディック接着技術を用いて取付けた第１の板を有する集積光チップの端面図、第５図はチップ材料除去のための研磨後に扱を取付けたチップの端面図、第６図はチップの厚みを減らした後に第２の板を取付けた集積光チップの端面図、第７図は本発明によるジャケットを有した光ファイバの端面第８図はジャケット材料より成るスリーブ内に光ファイバの端面を挿入するのを示す側断面図、第９図は本発明によるサンドイッチ構造の集積光チップの端面に取付けたジャケット付光ファイバの側面図、第１０図は第９図矢視の断面図、第１１図は本発明による強化集積光チップに取付けたジャケット付光ファイバの側面図、第１２図は第１１図矢視の断面図、第１３図はサンドイッチ構造の集積光チップの端面図、そして第１４図は強化集積オプティックスウェハの端面図である。

叱１旦肛衷胤■工盈朋第１図は基板上にオプティカル７回路４を有した。ピッグティルされる集積光（１０）チップ２の上面図である。Ｙオプティカル回路４はファイバオプティックジャイロスコープで一般に使用されるタイプのものである。標準回路はチップ２の不使用部分に置かれる音響変換器６を有している、変換器６は、広い帯域（、数１００ＭＨｚからｌ　ＧＨｚ）にわたって音波をチップ２の基板に放出するように設計した電極パターンを有している。このような電極パターンは、従来のホトリソグラフィ技術や真空堆積技術によってチップの基板上に堆積される。チップ２の端面１１でのＹ回路４の両枝間の間隔８は典型的には２００〜４００マイクロメ一タ程度である。

第２図は第１図の右側から見たＩＯチップ２の端面図である。光導波路端面１２と１４はチップ２の端面１１でＹ回路４の２本の枝に終端している。第１図と第２図において、中心間距離８は約３５０マイクロメータ、チップ２の高さ１６は約ＩＩＩＩＩｍ、そしてチップ２の幅１８は約３ｍｍである。

光ファイバを集積光チップ２に耐久性良く取付ける方法の第１のステップは、第３図に示すように、適当なガラス、セラミックあるいは金属の板２０をチップ２の上面に端面１１と実質的に同一面で取付けることである。エポキシ接着材やアノディック技術等の種々の接着技術を用いることができる。エポキシ接着材を用いた板２０のチップ２の上面への接着を第３図に示している。ここで参照番号２２は板２０とチップ２との間の薄い接着層を示す、第４図は板２０とチップ２とを接合するのにアノディック接着技術を使用する様子を示している。アノディック接着では、適当な誘電体バッファ層２４がチップ２の上面に堆積される。誘電体膜２４は典型的には約５０００オングストロームの厚さである０次に金属板と誘電体膜２４とに圧力を加えて両者を結合し、同時に電界をかけることによって膜内に金属原子を移動させることができる。

本発明のプロセスの次のステップは、底面２６から材料を除去することによってチップ２の厚さを減らすことである。−例としての方法は底面２６を研磨することである。最終的な厚さは、ファイバ直径よりも薄いことが必要であるが、導波からの“リーケージ”が無視できる導波モードを含むに充分な光学的厚みであることが必要である。換言すれば、導波モードの微弱な場は、チップ２の底面２６外部で無視できる強さであることが必要である。ここで“無視できる−とは光損失が特定のアプリケーションで許容できることを意味する。

第５図は約ｌＯマイクロメータの最終的厚みに減らされたチップ２８と板との組合せを示した端面図である。チップ２８の減少した厚みは、プロセスの最初に堆積した変換器の音響共振周波数を決定するか、あるいは他のいくつかの技術によって測定できる。

第６図に示すように、次に第１の板２０と同じ寸法の金属、ガラスあるいはセラミックの第２の板２９を、第１の板２０を取付けるのに用いたと同じ技術を用いて、厚みを減らしたＩＯチップ２８の底面に取付ける。その結果書られるサンドイッチ構造のチップ３０によって、光ファイバの取付は準備が完了する。

サンドイッチ構造のチップ３０に取付ける前に、光ファイバ３２を以下のようにして準備する。チップ取付けに準備されたファイバの端面図である第７図に示すように、ファイバ３２の外表面をレーザ溶着するか、Ｅ−ビーム溶着するか、さもなければ厚さを減らしたチップ２８のサンドイッチ構造を形成する板２０と２９に取付けられる材料でコーティングする必要がある。金属、ガラスあるいはセラミ・ンクのジャケット３４は種々の方法でファイバ上に形成できる。ジャケット３４はファイバ３２の端面と同一面とするか、あるいはクリップ状構造で端面より突出していてもよい。第７図に示すファイバは、偏向維持（Ｐ１４１ファイバの一種〔（偏向維持単一モード用）コーニングＰＲ３ＭＩであるが、一般にこの技術ではどのタイプのファイバも使用できる。

金属ジャケットの場合、コーティングするジャケット３４は、蒸気搬送プロセス（例えば蒸着）、電気メッキ、非電着性プロセス、あるいは金属の同軸スリーブをファイバにはめ込むことによってつくることができる。同軸スリーブ構成では、ガラス、プラスチックあるいはセラミック等の他の材料でも可能である。第８図はジャケット材料でつくられたスリーブに光ファイバの端部を挿入するのを示した側断面図である。

第９図の側面図に示すように、ジャケットを有したファイバの端面をサンドイッチ構造のチップ３０の狭まい端面近くに位置させて、導波１２からの光がうま（ファイバのコア３６に対して伝達できるようにする０次に、ファイバ３２のジャケット３４の端を各々頂部の板２０と底部の板２９の狭い端面４４と４６に結合（例えば溶着）させる、溶着はチップ２８の各表面に平行なファイバ３２の中心を横切る面に対して対称的に行なう、溶着点の対称的パターンの一例を第１Ｏ図の断面図に示す、複数の対称的な溶着点によってファイバ３２はチップ２８に耐久性良く取付けられ、周囲温度が変化してもファイバ３２あるいはチップ２８のいづれにも熱的ストレスが生じない。

上述した技術は、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯｓ）砒化ガリウム（ＧａＡｓ）およびリン酸チタンボタジウム（ＫＴＰＩ等でつくられた単結晶集積光チップにファイバを取付けるのに適している０本発明による別な技術によれば、ファイバ（ジャケット付あるいはジャケットなし）をガラス基板に取付けるのにも用いることができる。この技術のプロセスでは、第３図に示すように上部の板のみが必要となる。底部の板を取付けた時のように、基板の底面を研磨するステップは不要である。

第１１図は上部の板２０で強化した基板２と、取付けのために基板２と＠２０の横に配置した光ファイバ３２（ジャケット付あるいはジャケットなし）とを示す側面図である。第１２図の断面図において、ファイバコア３６ａと３６ｂの中心を横切る基板２の頂面に平行な面に対称な位置の複数の溶着点４８によって、光フアイバジャケット３４ａと３４ｂが上部の板２０と基板２に取付けられた場合が示されている。この別な技術ではファイバ３２ａと３２ｂとは、もしそれらの面周面が上部の板２０とチップ基板２に直接取付けられる材料でできているならば、ジャケットは不要である。

上述した方法でＩＯチップとコーティングしたあるいはコーティングされていない光ファイバとの間の安定した熱的に耐久性のある対称的な取付けがなされる。

ファイバおよび導波路は、リブ導波路を含むいかようなタイプでもよい、リブ導波路あるいは電極付きチップの場合、チップの上面に層を置き、その後上部の板の取付けに平坦な表面を確保するためにこれを研磨してもよい。

本発明のプロセスは、チップとウェハに対して実行できる。複数の集積光チップより成るウェハを前述したように上部の板に取付け、厚みを減らし、次に底部の板に取付けることができる１次に、厚みを減らしたウェハを個々のＩＯチップに切断して上述したように光ファイバを取付ける。

第１３図は個々のチップに分割する前のサンドイッチ構造のウェハ５０の側面図である。ガラス基板上の複数のＩＯチップより成るウェハは、第１４図に示すように厚みを減らすことなく上部の一枚の板に取付けられる０強化されたウェハ５２は、次に、上述した方法によって光ファイバを取付けることのできる複数の個々のＩＯチップに切断される。このようなウェハの処理方法は製造ラインでの組立に適している。

本発明による耐久性の良い取付けならびに熱的に不感である接続は単結晶アモルファスＩＯ基板に適している。上部と底部の板に用いる材料の選択範囲は広く（ガラス、セラミック、および金属）、板と基板に用いる材料の選択によって接着技術が選ばれる。接着方法はチップあるいはウェハに適用できるので、チップ− ファイバデバイスの組立が容易に高い生産率で行なえる。上述した技術によって、多数のファイバを集積光チップの単一端面に迅速に取付けることができる。多数のファイバを互いに近接した位置に配置することができ、この特徴は光フアイバジャイロスコープの製造にとってきわめて重要である。

本発明の上述した実施例は発明の原理の例示として示したもので、本発明の教示によって可能な実施例がこれだけであるとは意図していない、むしろ本発明は上述した実施例だけでなく、以下の請求の範囲内の他の実施例をも包含するべきものと考慮されたい。

ＦＩＧ、４ＦＩＧ、５ＦＩＧ、６ＦＩＧ、１３ＦＩＧ、１４補正書の写しく翻訳文）提出書（特許法第１８４条の７第１項）平成２年１０月１２日

Claims

【特許請求の範囲】

１．集積光チップに光ファイバを取付ける方法であって、（ａ）端面で終端する光路を有する前記チップの基板の第１の表面に第１の板の第１の表面を第１の板の端面が前記チップの前記端面にまで実質的に延在するように取付け、（ｂ）前記第１の表面と反対側の前記チップの第２の表面から材料を除去して前記ファイバの直径よりも薄い厚みの前記チップを残し、（ｃ）前記チップの第２の表面に第２の板の第１の表面を、第２の板の端面が前記チップの前記端面にまで実質的に延在するように取付け、（ｄ）前記第１と第２の板の両者への取付けに適した材料によって前記ファイバの少なくとも一部に同軸のジャケットを形成し、（ｅ）前記ファイバの端面をファイバが前記光路に対して適切に光の伝達を行えるように前記チップの前記端面近くに配置し、そして（ｆ）前記ステップ（ｄ）で前記ファイバの前記端面に形成されたジャケットを複数の対称的な位置で前記第１と第２の板の端面に取付けるステップとより成ることを特徴とする光ファイバの取付け方法。
２．前記ステップ（ｆ）での位置は、前記チップの第１および第２の表面に平行な前記チップの中心面に対して対称的に配列されていることを特徴とする請求の範囲第１項の方法。
３．前記ステップ（ａ）での取付けは接着剤で行なわれることを特徴とする請求の範囲第１項の方法。
４．前記ステップ（ｃ）での取付けは接着剤を用いて行なわれることを特徴とする請求の範囲第１項の方法。
５．前記ステップ（ａ）での取付けはアノディック接着で行なわれることを特徴とする請求の範囲第１項の方法。
６．前記ステップ（ｃ）での取付けはアノディック接着で行なわれることを特徴とする請求の範囲第１項の方法。
７．前記ステップ（ｂ）での前記チップの第２の表面からの材料の除去は研磨によって行なわれることを特徴とする請求の範囲第１項の方法。
８．前記ステップ（ｄ）でのジャケットの形成は、前記材料からなる両端開口の同軸スリーブに前記ファイバの端を滑り込ませることによって形成することを特徴とする請求の範囲第１項の方法。
９．前記ステップ（ｄ）でのジャケットの形成は、前記材料からなる同軸層で前記ファイバをコーティングさせることによることを特徴とする請求の範囲第１項の方法。
１０．前記コーティングは電気メッキプロセスによって行なわれることを特徴とする請求の範囲第９項の方法。
１１．前記コーティングは非電着堆積プロセスによって行なわれることを特徴とする請求の範囲第９項の方法。
１２．前記コーティングは蒸着プロセスによって行なわれることを特徴とする請求の範囲第９項の方法。
１３．前記コーティングは前記材料を液体として塗布することによって行なわれることを特徴とする請求の範囲第９項の方法。
１４．前記ステップ（ｄ）でのジャケットの形成は前記ファイバの前記端面よりわずかに延出するジャケットとして残すことを特徴とする請求の範囲第１項の方法。
１５．前記ステップ（ｆ）での取付けは電子ビーム溶着によって行なわれることを特徴とする請求の範囲第１項の方法。
１６．前記ステップ（ｄ）での前記材料は金属性であり、前記ステップ（ｆ）での取付けはレーザ溶着によって行なわれることを特徴とする請求の範囲第１項の方法。
１７．前記ステップ（ｄ）での前記材料はガラスであり、前記ステップ（ｆ）での取付けはレーザ溶着によって行なわれることを特徴とする請求の範囲第１項の方法。
１８．前記ステップ（ｂ）での厚みは電気音響的にモニタされることを特徴とする請求の範囲第１項の方法。
１９．前記チップは、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）、およびリン酸チタンボタジウム（ＫＴＰ）から成る群より選ばれた単結晶材料であることを特徴とする請求の範囲第１項の方法。
２０．前記チップはガラスより成ることを特徴とする請求の範囲第１項の方法。
２１．前記ステップ（ｂ）の後での前記チップの厚みは導波モードの微弱な場が前記チップの外部で無視できる程小さくなるのに充分な光学的厚みに対応していることを特徴とする請求の範囲第１項の方法。
２２．少なくとも１本の光ファイバを集積光チップに取付ける方法であって、（ａ）端面で終端する光路を有する前記チップの基板の第１の表面に、前記基板と同一の材料より成る板の第１の表面をその端面が前記チップの前記端面にまで実質的に延在するように取付け、（ｂ）前記板と前記チップの基板の両者への取付けに適した第２の材料によって前記ファイバの少なくとも一部に同軸のジャケットを形成し、（ｃ）前記ファイバの端面をファイバが前記光路に対して適切に光の伝達を行なえるように前記チップの前記端面近くに配置し、そして（ｄ）前記ファイバの前記端面に形成されたジャケットを複数の対称的な位置で前記基板と前記板の端面に取付けるステップより成ることを特徴とする光ファイバの取付け方法。
２３．前記ステップ（ｄ）での位置は、前記チップの第１の表面が実質的に横たわる面に対して対称的に配列されていることを特徴とする請求の範囲第２２項の方法。
２４．前記ステップ（ａ）での取付けは接着剤で行なわれることを特徴とする請求の範囲第２２項の方法。
２５．前記ステップ（ａ）での取付けはアノディック接着で行なわれることを特徴とする請求の範囲第２２項の方法。
２６．前記基板はガラスより成り、前記第２の材料もガラスより成ることを特徴とする請求の範囲第２２項の方法。
２７．前記ステップ（ｄ）での取付けはレーザ溶着で行なわれることを特徴とする請求の範囲第２２項の方法。
２８．前記ステップ（ｂ）でのジャケットの形成は、前記第２の材料から成る両端開口の同軸スリーブに、前記ファイバの前記端面が同軸スリーブの端に実質的に延在するように、前記ファイバの端を滑り込ませることによって形成されることを特徴とする請求の範囲第２２項の方法。
２９．前記ステップ（ｂ）でのジャケットの形成は、前記第２の材料から成る両端開口の同軸スリーブに、前記ファイバの端が同軸スリーブの端に対してほぼ同一面であり前記スリーブが前記ファイバの前記端より突出するように、前記ファイバの端を滑り込ませることによって形成されることを特徴とする請求の範囲第２２項の方法。
３０．前記ステップ（ｂ）でのジャケットの形成は前記ファイバを前記第２の材料でコーティングすることによって形成されることを特徴とする請求の範囲第２２項の方法。
３１．前記コーティングは前記第２の材料を液体として塗布することによって行なわれることを特徴とする請求の範囲第３０項の方法。
３２．前記コーティングは前記第２の材料を蒸気搬送プロセスによって堆積することによって行なわれることを特徴とする請求の範囲第３０項の方法。
３３．前記ステップ（ｂ）を省略し、前記ステップ（ｄ）において、前記少なくとも１本のファイバの前記端面のジャケットなしの曲周面を前記板と前記基板に取付けることを特徴とする請求の範囲第２２項の方法。
３４．集積光チップに複数の光ファイバを製造上容易に取付ける方法であって、（ａ）基板の第１の表面に複数の集積光チップを有するウエハの前記第１の表面に、第１の板の周端が前記ウエハの基板の周端と実質的に同一平面となるように、前記第１の板の第１の表面を取付け、（ｂ）前記第１の表面と反対側の前記基板の第２の表面から材料を除去して前記複数の光ファイバの１本の光ファイバの直径よりも薄い厚みの基板を残し、（ｃ）前記ウエハの第２の表面に第２の板の第１の表面を、第２の板の周端が前記基板の周端と実質的に同一平面となるように取付け、（ｄ）前記ステップ（ｃ）で形成されたサンドイッチ構造のウエハを複数の個々のサンドイッチ構造集積光チップに分割し、（ｅ）個々のサンドイッチ構造チップの一部として残る前記第１および第２の板の部分への取付けに適した材料で前記複数のファイバの各々の少なくとも一部に同軸ジャケットを形成し、（ｆ）前記ファイバの端面を、ファイバが前記サンドイッチ構造チップの端面に終端する光路に対して適切に光の伝達を行えるよう前記各サンドイッチ構造チップの端面近くに配置し、そして（ｇ）前記複数のサンドイッチ構造チップの各端面に配置された複数の光ファイバの各端面に前記ステップ（ｅ）で形成された複数のジャケットの各々を、複数の対称的な位置で前記第１と第２の板の前記残存する部分に取付けるステップとより成ることを特徴とする光ファイバの取付け方法。
３５．前記ステップ（ｇ）での位置は、前記チップの第１と第２の表面に平行な各サンドイッチ構造チップの中心面に対して対称的に配列されている請求の範囲第３４項の方法。
３６．前記ステップ（ａ）の取付けは接着剤を用いることを特徴とする請求の範囲第３４項の方法。
３７．前記ステップ（ｃ）での取付けは接着剤を用いることを特徴とする請求の範囲第３４項の方法。
３８．前記ステップ（ａ）での取付けはアノディック接着より成ることを特徴とする請求の範囲第３４項の方法。
３９．前記ステップ（ｃ）での取付けはアノディック接着より成ることを特徴とする請求の範囲第３４項の方法。
４０．前記ステップ（ｂ）での前記ウエハ基板の前記第２の主面からの材料の除去は研磨によって行なわれることを特徴とする請求の範囲第３４項の方法。
４１．前記ステップ（ｂ）の後での前記チップの厚みは導波モードの微弱な場が前記チップの外部で無視できる程小さくなるのに充分な光学的厚みに対応していることを特徴とする請求の範囲第３４項の方法。
４２．集積光チップに複数の光ファイバを製造上容易に取付ける方法であって、（ａ）基板の第１の表面に複数の集積光チップを有するウエハの前記第１の表面に、前記ウエハの基板と同一の材料より成る板の周端が前記ウエハ基板の周端と実質的に同一平面となるように、前記板の第１の表面を取付け、（ｂ）前記ステップ（ａ）で形成された強化ウエハを複数の個々の強化集積光チップに分割し、（ｃ）前記基板ならびに個々の強化チップの一部として残る前記板の部分への取付けに適した材料で前記複数のファイバの各々の少なくとも一部に同軸ジャケットを形成し、（ｄ）前記ファイバの端面を、ファイバが前記強化チップの端面に終端する光路に対して適切に光の伝達を行なえるよう前記各強化チップの端面近くに配置し、そして（ｅ）前記複数の強化チップの各端面に配置された複数のファイバの各階面に前記ステップ（ｅ）で形成された複数のジャケットの各々を、複数の対称的な位置で前記基板と前記板の前記残存部分に取付けるステップとより成ることを特徴とする光ファイバの取付け方法。
４３．前記ステップ（ｅ）での位置は、前記チップの第１および第２の表面に平行な各強化チップの中心面に対して対称的に配置されることを特徴とする請求の範囲第４２項の方法。
４４．前記ステップ（ａ）での取付けは接着剤を用いることより成ることを特徴とする請求の範囲第４２項の方法。
４５．前記ステップ（ａ）での取付けはアノディック接着より成ることを特徴とする請求の範囲第４２項の方法。
４６．前記基板はガラスより成り、前記第２の材料もガラスより成ることを特徴とする請求の範囲第４２項の方法。
４７．前記ステップ（ｅ）での取付けはレーザ溶着より成ることを特徴とする請求の範囲第４２項の方法。
４８．集積光チップと、この集積光チップは第１の表面に少なくとも１個の導波路を有した基板と、前記チップの第１の表面に取付けられた第１の表面を有した第１の板と、前記第１の表面と反対側の第２の表面に取付けられた第１の表面を有した第２の板とを有し、第１および第２の板は前記各導波路から／への光が前記チップに出力／入力するチップの各端面に対して実質的に延在する端面を有し、そして、前記チップの端面のひとつにおいて前記導波路の近くに配置され、光が前記導波路に対して適切に伝達される端面を有した少なくとも１本の光ファイバとより成り、この光ファイバは、複数の対称的な位置で前記第１と第２の板に取付けられる、前記ファイバの端面近くの少なくとも一部に形成された同軸ジャケットを有することを特徴とする光デバイス。
４９．前記位置は、前記チップの前記第１と第２の面に平行なチップの中心面に対して対称的に配置されていることを特徴とする請求の範囲第４８項のデバイス。
５０．集積光チップと、この集積光チップは第１の表面に少なくとも１個の導波路を有した基板と、前記チップの第１の表面に取付けられた第１の表面を有する第１の板とを有し、前記第１の板の端面は前記導波路が終端する前記チップの端面に実質的に延在し、そして前記チップの端面のひとつにおいて前記少なくとも１個の導波路の各々の位置近くに配列され、光が前記導波路に対して適切に伝達される端面を有した少なくとも１本の光ファイバとより成り、この光ファイバは、複数の対称的な位置で前記第１の板と前記基板に取付けられる、前記ファイバの端面近くの少なくとも一部に形成された同軸ジャケットを有することを特徴とする光デバイス。
５１．前記位置は、前記チップの第１の表面が実質的に横たわる面に対して対称的に配列されていることを特徴とする請求の範囲第５０項のデバイス。
５２．集積光チップと、この集積光チップは第１の表面に少なくとも１個の導波路を有した基板と、前記チップの第１の表面に取付けられた第１の表面を有する板とを有し、前記板の端面は前記率波路が終端する前記チップの端面に実質的に延在し、そして前記チップの端面において前記導波路の位置近くに配列され、光が前記導波路に対して適切に伝達される端面を有した少なくとも１本の光ファイバとより成り、この光ファイバは複数の位置で前記板と前記基板とに取付けられる外コア材料を有していることを特徴とする光デバイス。
５３．前記位置は、前記チップの第１の表面が実質的に横たわる面に対して対称的に配置されていることを特徴とする請求の範囲第５２項のデバイス。
５４．基板の第１の表面の複数の集積光チップを有し、光ファイバが個々のチップに取付けられる前の中間生成物としてつくられたサンドイッチ構造のウエハであって、前記基板の第１の表面は第１の板の第１の表面に取付けられ、第１の表面と反対側の第２の表面は第２の板の第１の表面に取付けられ、前記基板の厚みは取付けられる光ファイバの直径よりも小さいことを特徴とするサンドイッチ構造ウエハ。
５５．前記基板は、導波モードの微弱な場が前記チップの外部で無視できる程小さいのに充分な光学的厚みを有していることを特徴とする請求の範囲第５４項のウエハ。
５６．基板の第１の表面の複数の集積光チップを有し、光ファイバが個々のチップに取付けられる前の中間生成物としてつくられた強化ウエハであって、前記基板の第１の表面は板の第１の表面に取付けられ、前記板は前記基板と同一の材料より成ることを特徴とする強化ウエハ。
５７．端面近くの少なくとも一部に同軸ジャケットを有した光ファイバと、第１と第２の対向表面に取付けられた第１と第２の板を有したサンドイッチ構造集積光チップとの間の接続であって、前記ジャケットの端面と、前記第１および第２の各々の端面との間に複数の局部的接合を形成したことを特徴とする接続。
５８．前記接合は、前記チップの第１の表面が実質的に横たわる面に対して対称的に位置していることを特徴とする請求の範囲第５７項の接続。
５９．端面近くの少なくとも一部に同軸ジャケットを有した光ファイバと、第１の表面が板の第１の表面に取付けられた基板を有する強化集積光チップとの間の接続であって、前記ジャケットの端と、前記基板と前記板の各々の端面との間に複数の局部的接合を形成したことを特徴とする接続。
６０．前記接合は、前記基板の第１の表面が実質的に横たわる面に対して対称的に位置していることを特徴とする請求の範囲第５９項の接続。
６１．光ファイバと、第１の表面が板の第１の表面に取付けられた基板を有する集積光チップとの間の接続であって、前記ファイバの端に形成された外部コア材料と、前記板と前記基板の各々第１と第２の端面との間に複数の局部的接合を形成したことを特徴とする接続。
６２．前記接合は、前記基板の第１の表面が実質的に横たわる面に対して対称的に位置していることを特徴とする請求の範囲第６１項の接続。