JPS62203352A

JPS62203352A - はんだバンプの形成方法

Info

Publication number: JPS62203352A
Application number: JP61046606A
Authority: JP
Inventors: Michihiko Inaba; 道彦稲葉; Sumiyo Uzawa; 鵜沢　澄代; Nobuo Iwase; 岩瀬　暢男; Seiichi Hirata; 誠一平田
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1986-03-04
Filing date: 1986-03-04
Publication date: 1987-09-08
Anticipated expiration: 2010-03-29
Also published as: JPH0727904B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［ｆ！明の目的］（産業上の利用分野）本発明ははんだバンプの形成方法に関し、特に半導体工
業で使用されるものである。

〈従来の技術）半導体装置のボンディング技術はワイヤボンディング技
術と、ワイヤレスボンディング技術との２つに大別され
る。

＃Ｊ者はワイヤで半導体チップの電極とリードフレーム
のリード端子とを接続するものである。この技術は、接
続数が少ない場合には十分対応できるが、素子の高集積
化に伴い、Ｗｆｆｉの寸法が１００μＭ口以下となり、
かつ高密度となるにつれ、持に信頼性の点で問題が多く
なる。

これに対して、後者の方法は半導体チップの電極と、リ
ードフレームのリード端子又はガラス、セラミックス基
板上の電極とを一括してボンディングづるものであり、
素子のｉ集積化に対応して信頼性を確保するために実用
化がなされている。

このワイヤレスボンディング技術としては、例えばテー
プオートメ−ティラドボンディング方式ＣＴＡＢ方式）
、フリップチップ方式あるいはＣＣＢ方式等が知られて
おり、これらの方式では通常半導体チップの電帷上にバ
ンプを形成する。

このバンプとしては、従来から安価なＰｂ−８ｎはんだ
が検討されている。

従来、半導体チップの電（へ上に形成されるｐｂ−８ｎ
はんだからなるバンプは、第７図に示すようなものであ
る。第７図において、シリコン基板１上には潴化シリコ
ン膜等の絶縁膜２を介して八２又はＡＲ金合金からなる
電極３がパターニングされて形成され、全面に窒化シリ
コン膜等のパッシベーション膜４を被覆した後、電極３
上のパッシベーション膜４を選択的にエツチングして電
極３を露出させている。露出したＭ極３上にはＣｒ、Ｎ
　ｉ　、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｕ、ＡＱ等からなる下地金ｆｆ
１５が形成されている。更に、下地台底ｓ上にははんだ
バンプ６が形成されている。

前記下地金ｆｉ５ははんだとの接合性を改善づ−ろため
に設けられるものである。この目的のために下地金ｆｉ
５としては１層〜３層の全底層が設けられ、種々の組合
わせが検討されている。

ところで、はんだバンプ６は通常メッキ又は蒸着により
形成され、種々の方法が提案されているが、これらの方
法は以下に述べるようにいずれし欠点がある。

めっきによる方法では、例えば電極孔あけ工程が終了し
た後、電極上の自然酸化膜を反応性イオンエツチングに
より除去し、Ｔｉ極部が開孔しためっきレジストを被覆
し、電極上の下地金兄上にのみはんだめっきを行ない、
めっきレジスト及び下地金属の不要部分をエツチングす
るという工程がとられる。ところが、このような方法は
金バンプの形成の場合には問題がないが、はんだバンプ
の形成に適用しようとすると、はんだの耐薬品性がよく
ないため下地金属をエツチングする際、はんだもエツチ
ング液に浸されるという欠点がある。

したがって、Ｓｎ、Ｐｂを順次めっきし、下地金」のエ
ツチング機に加熱して合金化するという方法がとられる
。

また、蒸着による方法では、例えば′７Ｉｉ極孔あけ工
程が終了した後、電極上の自然酸化膜を反応性イオンエ
ツチングにより除去し、全面に１〜３苦の下地金属を蒸
着し、パターニングし、更に電極上の下地金属上のみが
開孔したレジストを′ａｙ！ｔ。

た後、はんだを蒸着し、レジスト除去とともに不要部分
のはんだを除去するという工程がとられる。

しかし、蒸着法を用いる場合、はんだ中のＰｂとＳｎと
の蒸気圧が異なるため、共晶組成をもつはんだバンプを
形成することが困難であるという欠点がある。

いずれにしても従来の方法は、下地金属を用い、しかも
電極部以外の部分にはんだがめつきあるいは蒸着されな
いようにマスクを形成しなければならない等、工程の煩
雑化につながる基本的な問題点がある。

このため、超音波を利用したはんだづけによりＡＱ′Ｍ
極上にバンプを形成する方法が提案されている（特開昭
５３−８９３６８）。しかし、この方法で用いられてい
るはんだはＳｎ、Ｚｎ、ｆｖｌｏ、Ｂｉ、Ｓｂを！！準
酸成分するため、Δ℃電（伽Ｌｘ外の部分にも付着して
しまうし、バンプの高さもυ（いという欠点がある。

（発明が解決しようとする問題点）本発明上記問題点を解消するためになされたものであり
、電極上に下地金属を設けることなく、直接はんだバン
プを形成することができ、工程を簡略化できる方法を提
供することを目的とするものである。

［発明の構成］（問題点を解決するための手段と作用）本発明のはんだ
バンプの形成方法は、基板を被覆する絶縁膜から電極を
露出させ、電罎部に硝酸、硫酸、塩酸、リン酸、オレイ
ン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、酪酸、レジン、炭
酸ソーダ、ホウフッ化亜鉛、ホウフッ化カドミウム、ヒ
ドラジンのうち少なくとも１種を含む溶液を接触させた
後、少なくともＮ極部に溶融はんだを接触させて該溶融
はんだに超音波を印加し、電極表面の自然酸化膜を破壊
するとともに電極との合金化により選択的にはんだを付
着させることを特徴どするものである。

本発明の作用を原理的に説明すると、以下のようになる
。すなわち、電罎部に接触した’ＰＪ　Ｈ！はんだに超
音波を印加すると、超音波エネルギーにより溶融はんだ
中に金属蒸気の気泡が発生する。この気泡は瞬時に成長
・消滅し、局部的に高温・高圧となる。この高圧の気泡
が破壊する時、電極表面に強い衝撃を与え、これにより
電極表面の自然醇化膜が破壊されるとともに、露出した
電極の新生面に選択的にはんだづけが行なわれる。この
ようにして電極上にはんだバンプが形成される。

ただし、八り電極表面の酸化膜が厚い場合に上記のよう
な手段を用いると、超音波の出力を上げなければならな
い。ところが、このように超音波の出力を上げると、パ
ッシベーション膜に穴が開いてしまうことがある。

そこで、はんだづけ操作前に電極部に酸化膜のエツチン
グ液を接触させて酸化膜を薄クシてあけば、はんだづけ
時に超音波の出力を上げる必要がなく、パッシベーショ
ン膜の破Ｉ！４を防止することができる。

本発明において、エツチング液としては、１Ｉ１１ｕ、
１ｉｉＩｌ酸、塩酸、リン酸を基調とする溶液、オレイ
ン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、醋酸、レジン、炭
酸ソーダ、ホウフッ化亜鉛、ホウフッ化カドミウム、ヒ
ドラジンを基調とする溶液が用いられる。

具体的には、以下のような組成のものを挙げることがで
きる。なお、以下において、物質名の後の数値は重量％
、無機酸についてカッコ内に表示されている数値は比重
又は濃度を示す。すなわち、ホウフッ化カドミウム１０
−ホウフッ化アンモニウム８−トリエタノールアミン８
２（Ｎｏ１）、ホウフッ化カドミウム１０−ホウフッ化
亜鉛３−ホウフッ化アンモニウム５−トリエタノールア
ミン８２（Ｎα２）、ホウフッ化亜ｔＡ１１０−ホウフ
ッ化アンモニウム８−トリエタノールアミン８２（Ｎ。

３）、ヒドラジン重フッ化水素酸塩（Ｎｏ、４）、トリ
エタノールアミン８３−フッ化ホウ酸１０−ホウフッ化
カドミウム７（ＮＯ５）、リン１９（１，７１）１〇−
蒸留水９０　（ＮＯ６）、メチルアルコール３２−塩酸
（１，１９）　３２−硝酸（１，４０）　３２−フッｌ
１１２（４０％）　４　（Ｎ（１７）　、　ｌｉｎＭ　
（１，８４）　５−蒸留水９５（ＮＯ，８）、オレイン
１１９０−パルミチン酸又はステアリン酸７−酪ｔｉＱ
３（Ｎα９）、オレイン酸９〇−酪Ｍ５−レジン又は炭
酸ソーダ５（Ｎα１０）等である。なお、ここではへ２
電極をｆｒＥ蝕させるおそれのあるハロゲン化物を含有
するフラックスは挙げていないが、へ２電極の腐蝕があ
まり問題にならない分野ではハロゲン化物を用いてもよ
い。

電（４部に酸化膜のエツチング液を接触させる方法とし
ては、基板をエツチング液に浸漬する、基板上にエツチ
ング液をスプレーする等の方法を用いることができる。

基板をエツチング液に浸漬する場合、温度、浸漬時間は
エツチング液に応じて変える必要があるが、通常室温下
で１０秒以下の時間だけ浸漬すればよい。更に、エツチ
ング速度を上げる場合には、エツチング液に超音波を印
加してもよい。

次に、はんだづけを実施するための具体的な手段として
は、基板をはんだ槽内の溶融はんだ中に浸漬し、超音波
振動子を挿入して溶融はんだに超音波を印加するか、又
は溶融はんだ漕自体を超音波振動させて溶融はんだに超
音波を印加してもよいし、超音波搬動できるはんだごて
を用い、雪面に溶融はんだを接触させると同時にｉ８虫
はんだに超音波を印加してもよい。

本発明方法は、基板が半導体基板であってもガラスある
いはセラミックス等の絶縁基板であっても回復に適用で
きる。これらの基板を上記のように溶融はんだに浸）へ
する場合、基板全体を浸漬してもよいし、部分的に浸漬
してもよい。また、電極以外のパッシベーション摸等の
絶縁摸にははんだが付着しないので、ポリイミド等で覆
う必要はないが、電極以外の金属が露出している１９合
には保護する必要がある。なお、半導体ウェハを溶融は
んだ中に浸漬する場合、ブレードダイシングを行なった
後であると、ダイシングラインに沿って割れて半導体チ
ップが分離することがあるので、これを防止するために
、ウェハの整面に高温用の粘着テープを貼付け、更に金
３ウガラス等に接着したり、ウェハの裏面を真空チャッ
ク等で吸着しておくことが望ましい。また、はんだバン
プを形成した後、ブレードダイシングを（１なってもよ
い。

また、半導体素子では通常電極としてＡＱ、又はＡｇを
主成分として＄１やＣＬＩを添加したものが用いられる
ことが多い。これらの材質からなる電極に対応して用い
られるは／νだはどのようなものでもよいが、通常はＰ
ｂ−８ｎ系のはんだあるいは八〇やＣｄ入りのはんだを
利用する。また、古くなった電極でははんだが付着しに
くいこともあるため、ｚｎを添加したは／Ｖだを用いて
もよい。

なお、一部の電極では、その表面が固い酸化膜で覆われ
ていることがあり、この場合には前処理としてオゾンを
ふきかけてもよい。

また、はんだづけ操作は、不活性ガスを流して非酸化性
雰囲気中で行なうことが望ましい。これは雰囲気ガスが
５％以上の酸素を含む場合、八λが酸化を起してはんだ
とのぬれが悪くなり、最悪の場合にはバンプ同士が接続
する不良が発生するためである。

本発明において、溶融はんだに印加する超賞波の周波数
は１０〜６０　ｋ　Ｈｚ程度でよく、好ましくは１５〜
４０　ｋ　ｌ−１ｚである。これは、周波数が低すぎる
と、上記のような作用が起りに＜＜、逆に高すぎると１
極等の剥離を起すおそれがあるためである。また、超音
波の出力は２〜５００　Ｗ程度でよいが、好ましくは１
０〜３００Ｗである。

一方、溶融はんだの温度は２３０〜３５０　’Ｃ程度、
処理時間は０．１〜１０秒程度である。これは温度が高
く処理時間が長いと電１りの構成元素であるＡｇの溶解
が起り、逆に温度が低く処理時間が短いと八２とはんだ
との合金化が行なわれなくなるためである。好ましくは
、溶融はんだ温度２４０〜３２０”Ｃ程度、辺埋時間０
．５〜５秒程度がよい。

なお、ガラス又はセラミックス基板はシリコン又は化合
物半導体基板と比較して割れにくいため、超音波の周波
数、出力、溶融はんだの温度等を高くすることができる
。また、はんだ成分によって液体となる温度が異なるた
め、はんだ成分に合わせた温度を選ぶことがよい。

以上のようにしてはｌνだバンプが形成された基板はワ
イヤレスボンディング技術で実装される。

例えば、ＴＡＢ方式では、は／Ｖだバンプが形成された
半導体基板とリードフレーム（テープ）とを位置合わせ
して熱圧着する。この場合、リードフレームを構成する
１体金属はＣｕ、Ｆｅ、Ａｆｆｉ、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ａ
１．Ｊ、ＡＱ、Ｓｎ等が用いられる。これらの金属をめ
っきしたものでもよい。ただし、リードフレーム側がＦ
ｅＮ＋合金の場合にはフラックスを使用する。また、八
２の場合にははんだを同様な方法で付着させておくこと
が望ましい。この場合、リード間の間隔が狭い時には、
基板の場合と同描に油や界面活性剤を付着させることが
効果的である。また、フリップチップ方式やＣＣＢ方式
でははんだバンプが形成された半導体チップとはんだバ
ンプが形成されたガラス又はセラミックス基板のバンプ
同士をｐＱ着する。

以上のように本発明によれば、下地金属を使用すること
なく、またパッシベーション摸を破壊することなく、電
極上に直接はんだバンプを形成することができるので、
工程を簡略化して大幅な時間短縮を達成できる。また、
後のワイヤレスボンディング工程も容易に行なうことが
できる。

（実施例）以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。

実施ＦＩＡ１通常のウェハプロセスにより配線・電極の形成を（１な
った後、全面にパッシベーション膜を１ｔｊ積し、更に
コンタクトパッド用の開孔部を形成したシリコンウェハ
１１を用意した。前記配線・電極はスパッタリング装置
により形成された膜厚的１ｐｔのＡ２−２％５１−２％
ＣＬＪからなり、またパッシベーション膜としては窒化
シリコン膜が用いられている。そして、このシリコンウ
ェハ１１に形成された各チップには３０譚口の電極（コ
ンタクｌ−パッド）がそれぞれ２００個形成されている
。なお、このシリコンウェハ１１についてはブレードダ
イシングを行なっていない。

このシリコンウェハ１１をＮ２ガスで封入したブローボ
ックス内に入れた後、その内部で以下のようにエツチン
グ液への浸漬及び超音波はんだづけの両方を行なった。

これはエツチング後、ウェハを空気から遮断することに
よってＡｆｌ電撞の酸化を防止するためである。

まず、このシリコンウェハ１１を上述したＮｏ　１のエ
ツチング′ａ、（ホウフッ化カドミウム１０−ホウフッ
化アンモニウム８−１−リエタノールアミン８２）に浸
漬した。

次に、第１図に示すような超音波はんだづけ装置を用い
て、このシリコンウェハ１１の電極上にはんだバンプを
形成した。第１図において、はんだ槽２１内にははんだ
の還流路２２が形成され、溶融はんだ２３が収容されて
いる。この溶融はんだ２３は図示しないモータにより回
転される撹拌棒２４により還流路２２内を通って液面よ
り上に噴出して還流する。前記シリコンウェハ１１は天
面に高温用の両面接着テープを貼付し、更に図示しない
ガラス板に接着した状態で縦にして、噴出している溶融
はんだ２３に浸漬される。そして、シリコンウェハ１１
近傍の溶融はんだ２３中に超音波振動子２５を挿入して
ｍＦｍはんだ２３に超育波を印加する。

なお、はんだとしては９５Ｐｂ−８ｎはんだを使用し、
はんだ槽温度を３２０℃に維持した。また、超音波振動
子２５により溶融はんだ２３に周波数２０ｋＨｚ、出力
８０Ｗのｍ＠波を印加し、シリコンウェハ１１の浸漬「
５間は１秒間とした。

このはんだづけ操作中、周囲に窒素ガスを１０ｆｆｉ／
分の流量で流し、電極の構成元素であるアルミニウム及
びはんだ中のスズの酸化を防止した。

この操作により第２図に示すように、はんだバンプが形
成された。すなわち、浸漬前にはシリコン基板３１上に
は酸化膜３２を介して＠極３３が形成され、全面を被覆
するパッシベーション膜３４から電幡３３が露出してい
るが、浸漬後にこの？！ｉ極３極上３上ｌυだバンプ３
５が直接接合して山型に形成された。このハンプ高さは
２５岬であった。なお、電極３３とはんだバンプ３５と
の接合面にはＡｇとＳｎとの合金層が薄く生成していた
。

次いで、シリコンウェハ１１をブレードダイシングして
個々のチップに分離した。これと別に銅リードフレーム
が形成され、その表面に金めつきが施されたＴＡＢ方式
のテープを用意した。そして、チップのバンプとテープ
のリード端子とを位置合わせして２７０℃で両者を熱融
着した。このインナーリードボンディング工程でも全く
問題は生じなかった。

実施例２実施例１と同様なシリコンウェハ１１を用意した。この
場合、配線・電（盃としては八２−１％３ｉが用いられ
、シリコンウェハ１１に形成された各チップには４０ｐ
ｍ口の電極（コンタクト・パッド）がそれぞれ１６３個
形成されている。なお、このシリコン「ウェハ１１は素
子形成後、かなりの期間を経ており、電ｔ’ｔｉ表面が
固い酸１ヒ膜で覆われていることが予想された。また、
一部に雪掻以外の金属が露出しているので、ポリイミド
で電極以外の金属をマスクした。

まず、このシリコンウェハ１１表面に上述したＮＯ３の
エツチング液（リン酸（１，７１）　１０−蒸留水９０
）をスプレーした。

次に、第３図に示すような超音波は／Ｖだづけ装置を用
いて、このシリコンウェハ１１の１ｉ上にはんだバンプ
を形成した。第３図において、は／υだ槽４１内にはは
／υだのｊ！流路４２が形成され、溶融はんだ４３が収
容されている。この溶融はんだ４３は図示しないモータ
により回転される撹拌棒４４により１重流路４２内を通
ってはんだ槽４１中央部で液面より上に噴出して還流す
る。前記シリコンウェハ１１は裏面をバキュームチャッ
クにより吸着された状態で、雪原が形成されている表面
の全面が噴出した溶融はんだ４３の液面に浸漬される。

そして、はんだ漕４１の底面から超音波振動子４５を挿
入し、シリコンウェハ１１近傍の溶融はんだ４３に超音
波を印加する。

なお、はんだとしては八９を２％含むｐｂ−８ｎの共晶
はんだを使用し、はんだ槽温度を２６０　’Ｃｌ、：維
持した。また、超音波振動子４５により溶融はんだ４３
に周波数３０ｋＨ２、出力５０〜■の超音波を印加し、
シリコンウェハ１１の浸漬時間は３秒間とした。このは
んた゛づけ操作中、周囲にＡｒガスを２０ｊ２／分の流
用で流した。

この操作により第２図に示すようなバンプ１５さ１５ｕ
ｎのはんだバンプか形成された。更に、超音波を印加し
ない一般のけんだ槽内に２秒間浸漬してバンプ高さを２
５−とした。

次いで、シリコンウェハ１１をブレードダイシングして
個々のチップに分離した後、ＴＡＢ方式のテープとの間
で実膿閏１と同様にインナーリードボンディングを行な
ったが、全く問題は生じなかった。

実施例３実施例１と同様なシリコンウェハ１１を用意した。この
場合、配線・電極としてはＡ２−１％Ｓｉが用いられ、
シリコンウェハ１１に形成された各チップには５００　
ａｎ口の電極（コンタク１ヘパツド）がそれぞれ２個形
成されている。

まず、このシリコンウェハ１１の７１４４上に上述した
Ｎα９のエツチング液（オレイン酸９０−パルミチン酸
７−酪酸３）を滴下した。この滴下した液中にこてのタ
イプの超音波のホーンを挿入し、２０ｋＨｚ、２０Ｗで
５秒間超音波を印加した。

次に、第４図に示すような超音波を印加することができ
るはんだごて５１を用い、シリコンウェハ１１の電極上
に溶融はんだ５２を虚下するとともに、超音波を印加し
てはんだバンプを形成した。

なお、はんだとしてはＰｂ−８ｎの共晶はんだを使用し
、はんだ温度を２４０　’Ｃに維持した。また、溶融は
んだ５２には周波＠４０ｋＨｚ、出力３０Ｗの超音波を
印加し、はんだづけ時間は５秒間とした。また、この場
合には、はｌυだづけ面積が大きいため、周囲に不活性
ガスを流す必要がなかった。

この操作により第２図に示すような、バンプ高さ１００
ｕａのはんだバンプ３５が形成された。

次いで、シリコンウェハ１１をブレードダイシングして
個々のチップに分離した後、ＴＡＢ方式のテープとの間
で実膿例１と同様にインナーリードボンディングをｉテ
なったが、全く問題は生じなかった。

なお、本弁明において用いられる超音波はんだづけ装置
は、上記実Ｉ１１！例１〜３で用いたものに限らず、例
えば第５図に示すようなものでもよい。

第５図図示の超音波はんだづけ装置は、はんだ櫓６１自
体が超音波撮動し、溶融はんだ６２に超音波を印加する
ものである。

また、上記実施例１〜３では、本発明をＴＡＢ方式のワ
イヤレスボンディングに適用した場合について説明した
が、これに限らず本発明はフリップチップ方式あるいは
ＣＣＢ方式等他のワイヤレスボンディングにも同様に適
用できる。この場合、まず第６図（ａ）に示すようにシ
リコン基板３１上に絶縁膜を介して電極３３を形成し、
全面をパッシベーション膜３４で被覆した後、電極３３
上に開花部を設けたものと、第６図（１））に示すよう
なガラスあるいはセラミックス基板７１上に電極７２を
形成し、全面を絶縁膜７３で被覆した後、電ｉ〜７２上
に開花部を設けたもののそれぞれについて、実施例１〜
３で説明したような方法で電（５３３，７２上にはんだ
バンプ３５を形成する。次に、第６図（Ｃ）に示すよう
に、両者のはんだパンツ３５同士を熱融着することによ
り接合する。

更に、上記実施例１〜３では、本発明をＡ２を主成分と
してＳｉ、Ｃｕ４９の添加物を含む電極上でのはんだバ
ンプ形成について説明したが、本発明は！　４Ｍがタン
グステン、モリブデン等の金属又はこれらの金属のシリ
サイドであっても同様に適用できる。

［発明の効果］以上詳述した如く本発明のはんだバンプの形成方法によ
れば、パッシベーション膜の破壊を１Ｇくことなく、極
めて簡便な工程でＮ極上にはんだバンプを直接形成する
ことができ、ワイヤレスボンディング技（ｆｉの導入を
容易にし、素子の微細化に対応してボンディングの信頼
性の高い半導体装はを製造できる等産業上極めて顕著な
効果を奏するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例１におけるはんだバンプの形成
方法を示す説明図、第２図は本発明方法によりはんだバ
ンプが形成されたシリコンウェハの断面図、第３図は本
発明の実施例２におけるはんだバンプの形成方法を示す
説明図、第４図は本発明の実施例３におけるはんだバン
プの形成方法を示す説明図、第５図は本発明の池の実施
例におけるはんだバンプの形成方法を示す説明図、第６
図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の他の実施例におけるワイヤ
レスボンディングの工程を示す断面図、第７図は従来の
はんだバンプが形成されたシリコンウェハの断面図であ
る。１１・・・シリコンウェハ、２１・・・はんだ槽、２２
・・・還流路、２３・・・忍融はんだ、２４・・・撹拌
棒、２５・・・ｍ音波徨動子、３］・・・シリコン基板
、３２・・・絶縁膜、３３・・・電極、３４・・・パッ
シベーション膜、３５・・・は／Ｖだバンプ、４１・・
・はんだ槽、４２・・・還流路、４４・・・撹拌棒、４
５・・・超音波Ｓ動子、５１・・・はんだごて、５２・
・・溶融はんだ、６１・・・はんだ槽、６２・・・溶融
はんだ、７１・・・ガラス又はセラミックス基板、７２
・・・電極、７３・・・絶縁膜。出願人代理人　弁理士　鈴江武彦第１図第２図第５図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板を被覆する絶縁膜から電極を露出させ、電極
部に硝酸、硫酸、塩酸、リン酸、オレイン酸、パルミチ
ン酸、ステアリン酸、酪酸、レジン、炭酸ソーダ、ホウ
フッ化亜鉛、ホウフッ化カドミウム、ヒドラジンのうち
少なくとも１種を含む溶液を接触させた後、少なくとも
電極部に溶融はんだを接触させて該溶融はんだに超音波
を印加し、電極表面の自然酸化膜を破壊するとともに電
極との合金化により選択的にはんだを付着させることを
特徴とするはんだバンプの形成方法。
（２）基板の電極部に溶液を接触させて溶液に超音波を
印加することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
はんだバンプの形成方法。
（３）基板を溶融はんだ槽に浸漬することを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のはんだバンプの形成方法。
（４）基板が半導体基板又はガラスもしくはセラミック
ス基板であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載のはんだバンプの形成方法。
（５）電極がアルミニウムを主成分とし、はんだがＳｎ
を含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のは
んだバンプの形成方法。
（６）非酸化性雰囲気中で処理することを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のはんだバンプの形成方法。