JPS62202833A - 石英系ガラス光フアイバ母材の製造方法 - Google Patents
石英系ガラス光フアイバ母材の製造方法Info
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- JPS62202833A JPS62202833A JP4493786A JP4493786A JPS62202833A JP S62202833 A JPS62202833 A JP S62202833A JP 4493786 A JP4493786 A JP 4493786A JP 4493786 A JP4493786 A JP 4493786A JP S62202833 A JPS62202833 A JP S62202833A
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- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
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- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
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-
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- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
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- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/50—Multiple burner arrangements
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、石英系ガラス光ファイバ母材の製造方法に関
する。
する。
[従来の技術〕
石英系ガラス光ファイバ母材は、石英ガラスからなるコ
アとその周囲に屈折率がコアよりも小さい石英系ガラス
のクラッドから形成されている。
アとその周囲に屈折率がコアよりも小さい石英系ガラス
のクラッドから形成されている。
クラッドの屈折率を下げるために従来よりクラッドには
、フッ素あるいはホウ素がドープされている。
、フッ素あるいはホウ素がドープされている。
[発明が解決しようとする問題点コ
石英ガラスからなるコアの外周に外付は法により石英ガ
ラスの中にフッ素のみがドープされるドーパントガスを
用いてクラッドを形成するばあい、フッ素はほとんどド
ープされず、屈折率の低下はほとんど望めない。
ラスの中にフッ素のみがドープされるドーパントガスを
用いてクラッドを形成するばあい、フッ素はほとんどド
ープされず、屈折率の低下はほとんど望めない。
また、石英ガラス中にホウ素のみがドープされるドーパ
ントガスを用いてクラッドを形成するばあいは、フッ素
とは異なり、かなりの量をドープすることができるが、
その屈折率の低下効果はフッ素をドープしたばあいの約
1710程度であるため、多量のホウ素をドープする必
要がある。しかしながら、多量のホウ素をドープしよう
とするとガラススートが発泡し、均一なスートが形成さ
れない。したがってホウ素のドープ量にも限りがある。
ントガスを用いてクラッドを形成するばあいは、フッ素
とは異なり、かなりの量をドープすることができるが、
その屈折率の低下効果はフッ素をドープしたばあいの約
1710程度であるため、多量のホウ素をドープする必
要がある。しかしながら、多量のホウ素をドープしよう
とするとガラススートが発泡し、均一なスートが形成さ
れない。したがってホウ素のドープ量にも限りがある。
そこで上記のような欠点を解消しうるドーパントガスと
してBF3が用いられている。ドーパントガスとしてB
F3を用いたばあい、フッ素はホウ素との共併効果によ
り、クラッドとしての石英ガラス中にドープされやすく
、より一層クラッドの屈折率を低下せしめ、またコアで
ある石英ガラスとの熱膨張係数の差を小さくすることが
できる。
してBF3が用いられている。ドーパントガスとしてB
F3を用いたばあい、フッ素はホウ素との共併効果によ
り、クラッドとしての石英ガラス中にドープされやすく
、より一層クラッドの屈折率を低下せしめ、またコアで
ある石英ガラスとの熱膨張係数の差を小さくすることが
できる。
しかしながら、外付は法によってBF3をドーパントソ
ースガスとしてクラッドを石英ガラスコア上に形成させ
たばあい、石英ガラスの屈折率とクラッドの屈折率の差
は、たかだか0.4%程度であり、さらに低屈折率を有
するクラッドが望まれている。
ースガスとしてクラッドを石英ガラスコア上に形成させ
たばあい、石英ガラスの屈折率とクラッドの屈折率の差
は、たかだか0.4%程度であり、さらに低屈折率を有
するクラッドが望まれている。
また石英ガラスコア上に外付は法でドーパントガスとし
てBF3を用い、フッ素とホウ素がドープされた石英ガ
ラスクラッドを形成しようとするとコアとスートの焼結
時における密着性がわるく、光フアイバ母材の作製が困
難である。
てBF3を用い、フッ素とホウ素がドープされた石英ガ
ラスクラッドを形成しようとするとコアとスートの焼結
時における密着性がわるく、光フアイバ母材の作製が困
難である。
そこで本発明者らは、上記問題点に鑑みて鋭意研究を重
ねた結果、かかる問題点を解決しつる光フアイバ母材の
製造方法を見出し、本発明を完成するに至った。
ねた結果、かかる問題点を解決しつる光フアイバ母材の
製造方法を見出し、本発明を完成するに至った。
[問題点を解決するための手段]
すなわち、本発明はコアの外周にSiO2のスートを設
け、さらにその外周にフッ素とホウ素がドープされたS
iO2のスートを設けたのち、フッ素含有焼結ガス中で
焼結することを特徴とする石英ガラス系光フアイバ母材
の製造方法に関する。
け、さらにその外周にフッ素とホウ素がドープされたS
iO2のスートを設けたのち、フッ素含有焼結ガス中で
焼結することを特徴とする石英ガラス系光フアイバ母材
の製造方法に関する。
[作用および実施例]
本発明の石英系ガラス光ファイバ母材の製造方法によれ
ば、コアの外周にSiO2のスートを設けたのち、その
外周にフッ素とホウ素がドープされた3102のスート
を設けるので、コアと、フッ素とホウ素がドープされた
5i02のスートとの密着性が向上し、しかもコア上に
形成されたスートの焼結は、フッ素含有焼結ガス中で行
なわれるので、スート中にはフッ素がさらに含有せられ
、したがって石英ガラスの屈折率とクラブトの屈折率の
差が一層大きくなる。
ば、コアの外周にSiO2のスートを設けたのち、その
外周にフッ素とホウ素がドープされた3102のスート
を設けるので、コアと、フッ素とホウ素がドープされた
5i02のスートとの密着性が向上し、しかもコア上に
形成されたスートの焼結は、フッ素含有焼結ガス中で行
なわれるので、スート中にはフッ素がさらに含有せられ
、したがって石英ガラスの屈折率とクラブトの屈折率の
差が一層大きくなる。
本発明に用いるコアとしては、Cus Fes 00%
Crなどのような光伝送損失を大とならしめるような不
純物の含有率が、たとえばloppm以下の通常使用さ
れている純石英ガラスを使用しうる。
Crなどのような光伝送損失を大とならしめるような不
純物の含有率が、たとえばloppm以下の通常使用さ
れている純石英ガラスを使用しうる。
かかるコアの外周に5IO2のスートが形成せられるが
、該スートの厚さは、コアとスートの焼結時の密着性を
保つために1■以上であるのが好ましい。
、該スートの厚さは、コアとスートの焼結時の密着性を
保つために1■以上であるのが好ましい。
本発明に用いるSiO2のスート形成ガスとしては5i
Ha、5IH3CN 、 SiH2C12,5111C
# 3.5iCLa、5IH3Br5SiH2l3r2
.5illBr3.5i13ra 、5IH31、S
i H212、S I II I 3.511a 、5
IH3(OCRl)、5iH2(OCRl3) 2.5
ill(OCH3)3、Sl (OCRl3) 4など
のシラン化合物または気化性のシラン誘導体、チッ素、
アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス、酸素、水素など
が用いられる。
Ha、5IH3CN 、 SiH2C12,5111C
# 3.5iCLa、5IH3Br5SiH2l3r2
.5illBr3.5i13ra 、5IH31、S
i H212、S I II I 3.511a 、5
IH3(OCRl)、5iH2(OCRl3) 2.5
ill(OCH3)3、Sl (OCRl3) 4など
のシラン化合物または気化性のシラン誘導体、チッ素、
アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス、酸素、水素など
が用いられる。
かかるシラン化合物または気化性のシラン誘導体、不活
性ガス、酸素、水素などの混合割合は、光ファイバの用
途によって適宜調整して用いられる。該SiO2のスー
トをたとえば気相軸付法によって形成せしめるばあいに
は、多重管バーナに上述のSiO2のスート形成ガスを
所定量流し、火炎加水分解によりコアの近傍に形成せし
めることができる。
性ガス、酸素、水素などの混合割合は、光ファイバの用
途によって適宜調整して用いられる。該SiO2のスー
トをたとえば気相軸付法によって形成せしめるばあいに
は、多重管バーナに上述のSiO2のスート形成ガスを
所定量流し、火炎加水分解によりコアの近傍に形成せし
めることができる。
コアの近傍に5IO2のスートを形成せしめたのち、さ
らにその外周にフッ素とホウ素がドープされたSiO2
のスートを形成せしめる。
らにその外周にフッ素とホウ素がドープされたSiO2
のスートを形成せしめる。
フッ素とホウ素がドープされた5i02のスート形成ガ
スとしては、上記のようなシラン化合物または気化性の
シラン誘導体、不活性ガス、酸素、水素などのほか、フ
ッ素とホウ素のドーパントソースガスが用いられる。
スとしては、上記のようなシラン化合物または気化性の
シラン誘導体、不活性ガス、酸素、水素などのほか、フ
ッ素とホウ素のドーパントソースガスが用いられる。
かかるドーパントソースガスとしては、フッ素をドープ
するばあいには、CCN3 P 5Cll! F2、C
F4などのフレオン類、CIP、CIP3、BrPなど
のフレオン相互の化合物、SFs、F2、F20、Si
F4などが、またホウ素をドープするばあいには、81
13、BH2C1、BIICj 2 BCI! 3、
BH2Br。
するばあいには、CCN3 P 5Cll! F2、C
F4などのフレオン類、CIP、CIP3、BrPなど
のフレオン相互の化合物、SFs、F2、F20、Si
F4などが、またホウ素をドープするばあいには、81
13、BH2C1、BIICj 2 BCI! 3、
BH2Br。
[311r3、B)121 、 Btllz 、B1
3などのボランまたは気化性のボラン誘導体が用いられ
る。
3などのボランまたは気化性のボラン誘導体が用いられ
る。
また本発明において、フッ素とホウ素がドープされた5
to2のスートを形成せしめるために用いるドーパント
ソースガスとしては、上記のフッ素化合物ガスおよびホ
ウ素化合物ガスを同時に用いてもよいが、フッ素とホウ
素が同時にスート中にドープされるためには、ドーパン
トソースガスとしてBl)3を用いるのが好ましい。
to2のスートを形成せしめるために用いるドーパント
ソースガスとしては、上記のフッ素化合物ガスおよびホ
ウ素化合物ガスを同時に用いてもよいが、フッ素とホウ
素が同時にスート中にドープされるためには、ドーパン
トソースガスとしてBl)3を用いるのが好ましい。
また、ドーパントソースガスには、チッ素、アルゴン、
ヘリウムなどの他のガスを混合してもよい。
ヘリウムなどの他のガスを混合してもよい。
かかるフッ素とホウ素がドープされた5i02のスート
形成ガス、シラン化合物または気化性のシラン誘導体、
不活性ガス、酸素、水素などの混合割合は、光ファイバ
の用途によって異なるが、その混合割合は、用途に応じ
て適宜設定される。該フッ素とホウ素がドープされたS
iO2のスートを気相軸付法により5I02のスート上
に形成せしめるばあいには、多重管バーナにより上述の
フッ素とホウ素がドープされたSiO2のス−1・形成
ガスを所定瓜流し、火炎加水分解により形成せしめるこ
とができる。
形成ガス、シラン化合物または気化性のシラン誘導体、
不活性ガス、酸素、水素などの混合割合は、光ファイバ
の用途によって異なるが、その混合割合は、用途に応じ
て適宜設定される。該フッ素とホウ素がドープされたS
iO2のスートを気相軸付法により5I02のスート上
に形成せしめるばあいには、多重管バーナにより上述の
フッ素とホウ素がドープされたSiO2のス−1・形成
ガスを所定瓜流し、火炎加水分解により形成せしめるこ
とができる。
形成せしめられたフッ素とホウ素がドープされた5i0
2のスートの厚さは、えられる光ファイバの用途によっ
て異なるが、通常5〜30fflff1程度となるよう
に調整される。
2のスートの厚さは、えられる光ファイバの用途によっ
て異なるが、通常5〜30fflff1程度となるよう
に調整される。
上記のようにしてコアの外周に5i02のスートを、さ
らにその外周にフッ素とホウ素がドープされたSiO2
のスートを設けたのち、ついでフッ素含有焼結ガス中で
焼結することにより、光フアイバ母材が形成される。
らにその外周にフッ素とホウ素がドープされたSiO2
のスートを設けたのち、ついでフッ素含有焼結ガス中で
焼結することにより、光フアイバ母材が形成される。
前記フッ素含有焼結ガス中には、たとえばフッ素ガスを
はじめCCl3 P 、 CCl2F2、CClF2
、CF4などのフレオン類、CIF、IJF3、BrF
などのフレオン相互の化合物、SFs、F20 、Si
F4などのフッ素化合物、チッ素、アルゴン、ヘリウム
などの不活性ガス、酸素などが含有される。
はじめCCl3 P 、 CCl2F2、CClF2
、CF4などのフレオン類、CIF、IJF3、BrF
などのフレオン相互の化合物、SFs、F20 、Si
F4などのフッ素化合物、チッ素、アルゴン、ヘリウム
などの不活性ガス、酸素などが含有される。
フッ素含有焼結ガス中に含有されるフッ素あるいはフッ
素化合物は、目的とする光ファイバの。
素化合物は、目的とする光ファイバの。
クラッドの屈折率に応じて適宜その添加量を調整して用
いられるため、−概にその添加量を決定することはでき
ないが、通常、フ・ソ素含有焼結ガス中に1〜30容量
%含存されるのが好ましい。
いられるため、−概にその添加量を決定することはでき
ないが、通常、フ・ソ素含有焼結ガス中に1〜30容量
%含存されるのが好ましい。
前記焼結は、通常、電気炉などを用いて約1400〜約
IB00℃の温度範囲で行なわれる。
IB00℃の温度範囲で行なわれる。
かくしてえられる光フアイバ母材は、フッ素とホウ素が
ドープされた5i02のスートが5io2のスートを介
してコア上に形成されたものであるので、フッ素とホウ
素がドープされたSiO2とコアとの密着性が向上し、
しかもスートをコア上に形成させたのち、フッ素含を焼
結ガス中で焼結されるので、クラッド中にフッ素がさら
にドープされものとなる。
ドープされた5i02のスートが5io2のスートを介
してコア上に形成されたものであるので、フッ素とホウ
素がドープされたSiO2とコアとの密着性が向上し、
しかもスートをコア上に形成させたのち、フッ素含を焼
結ガス中で焼結されるので、クラッド中にフッ素がさら
にドープされものとなる。
つぎに本発明を実施例に基づいてさらに詳細に説明する
が、本発明はかかる実施例のみに限定されるものではな
い。
が、本発明はかかる実施例のみに限定されるものではな
い。
実施例1、比較例1および2
第1図に示される多重管バーナ(1)に81(JaO1
20g/win(30℃) 、H25,ON /win
、 Ar1.38 II /+inおよび028.!J
/winを送る一方、’y ラット用多m管t<−+
(2)カラ5iCI!a 0.25 D/mln、
Ar 1.4ff /m1nS)125.01 /ml
n、 028.5R/winおよびBF2を第1表に示
す流量となるように調整して送り、第1表に示す太さの
石英ガラスコア(3)を回転上昇させながらその表面上
に5i02のスート(4)およびフッ素とホウ素がドー
プされたSiO2のスート(5)を形成せしめた。
20g/win(30℃) 、H25,ON /win
、 Ar1.38 II /+inおよび028.!J
/winを送る一方、’y ラット用多m管t<−+
(2)カラ5iCI!a 0.25 D/mln、
Ar 1.4ff /m1nS)125.01 /ml
n、 028.5R/winおよびBF2を第1表に示
す流量となるように調整して送り、第1表に示す太さの
石英ガラスコア(3)を回転上昇させながらその表面上
に5i02のスート(4)およびフッ素とホウ素がドー
プされたSiO2のスート(5)を形成せしめた。
つぎにスートが形成された石英ガラスコアとスートの複
合体を電気炉に入れ、1500℃で焼結を行なった。な
お、焼結時の焼結ガスの組成は、第1表に示すように調
整した。
合体を電気炉に入れ、1500℃で焼結を行なった。な
お、焼結時の焼結ガスの組成は、第1表に示すように調
整した。
また、比較のため、焼結をフッ素含有焼結ガス中で行な
わなかったものおよび石英ガラスコア外周に5to2の
層を形成させなかったものを作製した。
わなかったものおよび石英ガラスコア外周に5to2の
層を形成させなかったものを作製した。
かくしてえられた光ブアイバ母材の石英ガラスとクラッ
ドとの屈折率の差(Δn)およびその外観について調べ
た。その結果を第1表に併記する。
ドとの屈折率の差(Δn)およびその外観について調べ
た。その結果を第1表に併記する。
【発明の効果コ
本発明の製造方法によってえられた光フアイバ母材は、
フッ素とホウ素がドープされたSiO2からなるクラッ
ドとコアとの密着性に優れており、しかも形成されたス
ートはフッ素含有焼結ガス中で焼結されるので、コア中
にフッ素が含有されやすく、したがってフッ素含有焼結
ガスに含有されるフッ素濃度を調整することにより、目
的に応じた低屈折率を有するコアを容易に作製すること
ができるという効果を奏する。
フッ素とホウ素がドープされたSiO2からなるクラッ
ドとコアとの密着性に優れており、しかも形成されたス
ートはフッ素含有焼結ガス中で焼結されるので、コア中
にフッ素が含有されやすく、したがってフッ素含有焼結
ガスに含有されるフッ素濃度を調整することにより、目
的に応じた低屈折率を有するコアを容易に作製すること
ができるという効果を奏する。
第1図は実施例1、比較例1および2の光フアイバ母材
の製造工程の説明図を示す。 (図面の主要符号) (1)、(2):多重管バーナ (3):石英ガラス (4) : SiO2のスート (5):フッ素とホウ素がドープ されたSiO2のスート
の製造工程の説明図を示す。 (図面の主要符号) (1)、(2):多重管バーナ (3):石英ガラス (4) : SiO2のスート (5):フッ素とホウ素がドープ されたSiO2のスート
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 コアの外周にSiO_2のスートを設け、さらにそ
の外周にフッ素とホウ素がドープされた SiO_2のスートを設けたのち、フッ素含有焼結ガス
中で焼結することを特徴とする石英系ガラス光ファイバ
母材の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4493786A JPS62202833A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 石英系ガラス光フアイバ母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4493786A JPS62202833A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 石英系ガラス光フアイバ母材の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62202833A true JPS62202833A (ja) | 1987-09-07 |
Family
ID=12705395
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4493786A Pending JPS62202833A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 石英系ガラス光フアイバ母材の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62202833A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0604785A1 (en) * | 1992-12-28 | 1994-07-06 | Corning Incorporated | Method of making optical waveguide preforms |
-
1986
- 1986-02-28 JP JP4493786A patent/JPS62202833A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0604785A1 (en) * | 1992-12-28 | 1994-07-06 | Corning Incorporated | Method of making optical waveguide preforms |
AU662851B2 (en) * | 1992-12-28 | 1995-09-14 | Corning Incorporated | Method of making optical waveguide preforms |
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