JPH0742131B2 - 光フアイバ用ガラス母材の製造方法 - Google Patents
光フアイバ用ガラス母材の製造方法Info
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- JPH0742131B2 JPH0742131B2 JP28439786A JP28439786A JPH0742131B2 JP H0742131 B2 JPH0742131 B2 JP H0742131B2 JP 28439786 A JP28439786 A JP 28439786A JP 28439786 A JP28439786 A JP 28439786A JP H0742131 B2 JPH0742131 B2 JP H0742131B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光フアイバ用ガラス母材の製造方法に関するも
ので、特に第１図にその屈折率分布を示すようなコア１
が純SiO2、クラッド２がF-SiO2からなる光フアイバの製
造方法に関する。
ので、特に第１図にその屈折率分布を示すようなコア１
が純SiO2、クラッド２がF-SiO2からなる光フアイバの製
造方法に関する。
従来、コアが純SiO2、クラツドがF-SiO2であるフアイバ
構造は、コアにドーパントを含まないために、ドーパン
ト含有コアに固有の様々な欠点、例えば散乱損失増加や
放射線環境下での損失増加等が小さく抑えられるので、
特性の良好なフアイバが得られる可能性があり期待され
ている。
構造は、コアにドーパントを含まないために、ドーパン
ト含有コアに固有の様々な欠点、例えば散乱損失増加や
放射線環境下での損失増加等が小さく抑えられるので、
特性の良好なフアイバが得られる可能性があり期待され
ている。
しかしながら、純SiO2コア/F-SiO2クラツフアイバの製
造は比較的困難でであつて、いわゆるVAD法（気相軸付
け法、例えば特公昭56-33327号公報参照）やOVD法（外
付け法、例えば米国特許第3,775,075号明細書参照）等
の火炎内での気相反応によるガラス微粒子（スートと称
する）の合成を利用した方法単独では、弗素の拡散速度
が大きく、このため所定の弗素濃度分布の形成が難かし
い。また、コア／クラツド界面の脱水が難かしいことも
あつて、特性の良好な当該構造のフアイバ、特にシング
ルモードフアイバの作成は容易ではない。
造は比較的困難でであつて、いわゆるVAD法（気相軸付
け法、例えば特公昭56-33327号公報参照）やOVD法（外
付け法、例えば米国特許第3,775,075号明細書参照）等
の火炎内での気相反応によるガラス微粒子（スートと称
する）の合成を利用した方法単独では、弗素の拡散速度
が大きく、このため所定の弗素濃度分布の形成が難かし
い。また、コア／クラツド界面の脱水が難かしいことも
あつて、特性の良好な当該構造のフアイバ、特にシング
ルモードフアイバの作成は容易ではない。
一方、いわゆるMCVD法（内付け法）を用いて当該構造の
フアイバを作成した例としては、出発材料として石英ガ
ラス管を用い、該管内にSiCl4,O2及び弗素の原料である
SF6,CF4,SiF4等の弗化物を流し、外部から加熱すること
によりF-SiO2ガラス膜を該管内壁に厚く形成した後、さ
らにコア用のSiO2膜を堆積する方法がある〔文献:R.セ
ンシツツ他、イン テクニカル ダイジエスト、コンフ
エレンス オン オプテイカル フアイバー コミユニ
ケイシヨン（オプテイカル ソサエテイ オブ アメリ
カ）、19844年２月、p.TU13〕。
フアイバを作成した例としては、出発材料として石英ガ
ラス管を用い、該管内にSiCl4,O2及び弗素の原料である
SF6,CF4,SiF4等の弗化物を流し、外部から加熱すること
によりF-SiO2ガラス膜を該管内壁に厚く形成した後、さ
らにコア用のSiO2膜を堆積する方法がある〔文献:R.セ
ンシツツ他、イン テクニカル ダイジエスト、コンフ
エレンス オン オプテイカル フアイバー コミユニ
ケイシヨン（オプテイカル ソサエテイ オブ アメリ
カ）、19844年２月、p.TU13〕。
従来、MCVD法を用いて第１図の構造の光フアイバを作製
する場合、原料に気相弗化物を用いると堆積収率が低下
し、これによりガラス膜の堆積速度が遅くなるという問
題があつた。
する場合、原料に気相弗化物を用いると堆積収率が低下
し、これによりガラス膜の堆積速度が遅くなるという問
題があつた。
又、出発ガラス管として石英ガラスを用いているため、
得られるフアイバの屈折率分布形状は、第６図に示すよ
うないわゆるデイプレスト型構造となり、この場合クラ
ツド部２をコア部１に比して相当大きくとらないと、曲
げ損失の影響を受けやすくなるという問題もあつた。図
中１は純SiO2コア、２はF-SiO2クラツド、３はSiO2石英
管部分である。1.3μｍ波長用のシングルモードフアイ
バの場合には、通常、このクラツド層の径はコアの径の
11倍以上とすることが必要とされている。
得られるフアイバの屈折率分布形状は、第６図に示すよ
うないわゆるデイプレスト型構造となり、この場合クラ
ツド部２をコア部１に比して相当大きくとらないと、曲
げ損失の影響を受けやすくなるという問題もあつた。図
中１は純SiO2コア、２はF-SiO2クラツド、３はSiO2石英
管部分である。1.3μｍ波長用のシングルモードフアイ
バの場合には、通常、このクラツド層の径はコアの径の
11倍以上とすることが必要とされている。
したがつて、純SiO2コア/F-SiO2クラツド構造のフアイ
バをMCVD法で作製する場合、合成速度の低い状態で、合
成ガラス層、特にクラツド層を非常に厚く形成する必要
があつた。また、合成ガラス層を所定の厚さ形成した
後、更に高温に加熱して、ガラスの表面張力を利用して
中空部をつぶし（コラツプスと称す）、ガラスロツドと
するが、出発石英管の粘性が高いため、このコラツプス
操作に多大のエネルギー及び時間を費していた。
バをMCVD法で作製する場合、合成速度の低い状態で、合
成ガラス層、特にクラツド層を非常に厚く形成する必要
があつた。また、合成ガラス層を所定の厚さ形成した
後、更に高温に加熱して、ガラスの表面張力を利用して
中空部をつぶし（コラツプスと称す）、ガラスロツドと
するが、出発石英管の粘性が高いため、このコラツプス
操作に多大のエネルギー及び時間を費していた。
また、第６図に示した構造のフアイバは、最外層のSiO2
ガラスの膨張係数がその内部のF-SiO2ガラスのそれより
大きいため、この母材の線引過程で、フアイバ外周部に
引張方向の残留応力がかかる。これによりフアイバはキ
ズに対し弱くなり、強度劣化が生じ易くなるという問題
もあつた。
ガラスの膨張係数がその内部のF-SiO2ガラスのそれより
大きいため、この母材の線引過程で、フアイバ外周部に
引張方向の残留応力がかかる。これによりフアイバはキ
ズに対し弱くなり、強度劣化が生じ易くなるという問題
もあつた。
本発明はこのような現状に鑑みて、F-SiO2クラツドの構
造の例えば第１図のような屈折率分布の光フアイバ用の
ガラス母材を容易に効率良く製造できる方法を提供せん
としてなされたものである。
造の例えば第１図のような屈折率分布の光フアイバ用の
ガラス母材を容易に効率良く製造できる方法を提供せん
としてなされたものである。
〔問題点を解決するための手段〕 本発明は気相反応により合成したSiO2ガラス微粒子体を
加熱炉内で弗素ガスもしくは気相弗化物とHeとを含む雰
囲気下で加熱し、脱水及び弗素添加焼結を行い、これに
より得られる残留OH量が1ppm以下のF-SiO2透明ガラス体
を管状に加工し、該管を管外部から加熱しながら、該管
内面を気相エツチング処理し、引き続いて少なくともガ
ラス原料及び気相酸化剤を含有するガラスを該管内に導
入して該管内壁に合成ガラス膜を堆積し、しかる後に該
管をさらに高温に加熱して中実化することを特徴とする
光フアイバ用ガラス母材の製造方法である。
加熱炉内で弗素ガスもしくは気相弗化物とHeとを含む雰
囲気下で加熱し、脱水及び弗素添加焼結を行い、これに
より得られる残留OH量が1ppm以下のF-SiO2透明ガラス体
を管状に加工し、該管を管外部から加熱しながら、該管
内面を気相エツチング処理し、引き続いて少なくともガ
ラス原料及び気相酸化剤を含有するガラスを該管内に導
入して該管内壁に合成ガラス膜を堆積し、しかる後に該
管をさらに高温に加熱して中実化することを特徴とする
光フアイバ用ガラス母材の製造方法である。
本発明の特に好ましい実施態様としては合成ガラス膜が
純SiO2ガラスからなる上記方法が挙げられる。
純SiO2ガラスからなる上記方法が挙げられる。
以下に、まず、本発明者らが実験、研究途上で見出した
諸知見と、これを基として本発明に到達した経緯から始
めて、本発明を具体的に説明する。
諸知見と、これを基として本発明に到達した経緯から始
めて、本発明を具体的に説明する。
本発明者らは、VAD法もしくはOVD法等のような気相合成
で得られるSiO2ガラス微粒子体（スート体）を更に焼結
して透明ガラス化する際に、例えばF2ガスもしくはSF6,
CF4,SiF4等の気相弗化物をHeと同時に加熱雰囲気内のス
ート体に導入すれば、石英ガラスに比べその比屈折率が
０〜0.5％％低く、かつ一様な屈折率値を持つ弗素添加
されたSiO2の溶融ガラス体を容易に作製できることを見
出した。
で得られるSiO2ガラス微粒子体（スート体）を更に焼結
して透明ガラス化する際に、例えばF2ガスもしくはSF6,
CF4,SiF4等の気相弗化物をHeと同時に加熱雰囲気内のス
ート体に導入すれば、石英ガラスに比べその比屈折率が
０〜0.5％％低く、かつ一様な屈折率値を持つ弗素添加
されたSiO2の溶融ガラス体を容易に作製できることを見
出した。
またこのようにしてF-SiO2溶融ガラスを得れば残留不純
物を少くでき、ガラス中の残留OH基も1ppm以下という高
品質なものを得ることができることを見出した。
物を少くでき、ガラス中の残留OH基も1ppm以下という高
品質なものを得ることができることを見出した。
さらに該F-SiO2溶融ガラスの粘性は、石英ガラスに比べ
相当小さくなつていることも見出した。
相当小さくなつていることも見出した。
本発明は上記の高純度で低OH基濃度であり石英ガラスよ
り粘性の小さいF-SiO2溶融ガラス管を前述したいわゆる
MCVD法の出発石英管として採用し、これをクラツドと
し、該管内壁にSiO2コア層のみを堆積し、その後コラツ
プスして中実化したガラス母材を得る方法である。
り粘性の小さいF-SiO2溶融ガラス管を前述したいわゆる
MCVD法の出発石英管として採用し、これをクラツドと
し、該管内壁にSiO2コア層のみを堆積し、その後コラツ
プスして中実化したガラス母材を得る方法である。
本発明においては、高純度のF-SiO2ガラスは予め気相合
成法によりSiO2スート体として合成しておき、これをF2
ガスもしくはSF6,CF4,SiF4等の気相弗化物とHeとを含む
雰囲気内にて高温に加熱することにより、弗素添加焼結
して得る。この方法によればSiO2スート体の堆積速度は
弗素添加の制限を受けないし、Heと弗素もしくは気相弗
化物との雰囲気での加熱により、石英ガラスに比し比屈
折率が〜0.5％低く、一様な屈折率値をもつF-SiO2溶融
ガラスが得られるので、非常に生産性が向上する。さら
に、このようにして得たF-SiO2溶融ガラスは残留不純物
が少なく、又、気相合成SiO2スートは焼結時に容易に脱
水させることができるので、残留OH基も1ppm以下と非常
に高品質である。
成法によりSiO2スート体として合成しておき、これをF2
ガスもしくはSF6,CF4,SiF4等の気相弗化物とHeとを含む
雰囲気内にて高温に加熱することにより、弗素添加焼結
して得る。この方法によればSiO2スート体の堆積速度は
弗素添加の制限を受けないし、Heと弗素もしくは気相弗
化物との雰囲気での加熱により、石英ガラスに比し比屈
折率が〜0.5％低く、一様な屈折率値をもつF-SiO2溶融
ガラスが得られるので、非常に生産性が向上する。さら
に、このようにして得たF-SiO2溶融ガラスは残留不純物
が少なく、又、気相合成SiO2スートは焼結時に容易に脱
水させることができるので、残留OH基も1ppm以下と非常
に高品質である。
気相合成による純SiO2スート体の作成は、第２図に示す
ようないわゆるるVAD法によつて、バーナ４の火炎中に
導入したガラス原料からスート５を合成し、これを回転
しつつ上方に引き上げられる出発材７上に堆積すること
による。
ようないわゆるるVAD法によつて、バーナ４の火炎中に
導入したガラス原料からスート５を合成し、これを回転
しつつ上方に引き上げられる出発材７上に堆積すること
による。
また、第３図に示すように、回転するアルミナ・ジルコ
ニア等の耐火物出発材料８上に、この出発材料８と相対
的に移動するバーナ４を用いてスート５を堆積する方法
によつてもよい。
ニア等の耐火物出発材料８上に、この出発材料８と相対
的に移動するバーナ４を用いてスート５を堆積する方法
によつてもよい。
次に該F-SiO2溶融ガラスを、管状であればそのまま、ロ
ツド状であれば、例えば超音波穴明機等を用いて穴明け
することで管状とし、これをいわゆるMCVD法の出発石英
管として採用する。これにより従来法のような多量のク
ラツド層合成過程は不要となり、該管内壁を予め気相エ
ツチングにより清浄化し、次いで該管内壁にSiO2コア層
のみを堆積すればよい。従つて、従来のMCVD法でF-SiO2
クラツド層を作成した場合の、合成速度が低く、かつ長
時間合成せねばならないという問題点は解消し、薄いコ
ア層のみを合成すれば良いので、合成膜形成を極めて短
時間の処理で完了できるので、この工程での生産性の低
下は起らない。
ツド状であれば、例えば超音波穴明機等を用いて穴明け
することで管状とし、これをいわゆるMCVD法の出発石英
管として採用する。これにより従来法のような多量のク
ラツド層合成過程は不要となり、該管内壁を予め気相エ
ツチングにより清浄化し、次いで該管内壁にSiO2コア層
のみを堆積すればよい。従つて、従来のMCVD法でF-SiO2
クラツド層を作成した場合の、合成速度が低く、かつ長
時間合成せねばならないという問題点は解消し、薄いコ
ア層のみを合成すれば良いので、合成膜形成を極めて短
時間の処理で完了できるので、この工程での生産性の低
下は起らない。
また、F-SiO2溶融ガラス管内壁をエツチング処理するの
で、コア／クラツド界面に不純物のない状態で母材の合
成が可能となる。
で、コア／クラツド界面に不純物のない状態で母材の合
成が可能となる。
本発明において一般的な気相エツチングには、例えばF2
ガス及びSF6,HF,CF4,CCl2F2,CClF3,CCl3F,NF3,SOF2,COF
2,C2F6等の種々の気相弗化物ガスを用いることができ
る。またこれ等のエツチング用のガスにCl2,O2等の他の
ガスを混合して用いても良い。Cl2ガスを混入すると水
分の混入防止或いはガラスを脱水しながらエツチングで
きる。O2ガスを混入すると、C,S等の還元物質の堆積を
防ぎながらエツチングできる。
ガス及びSF6,HF,CF4,CCl2F2,CClF3,CCl3F,NF3,SOF2,COF
2,C2F6等の種々の気相弗化物ガスを用いることができ
る。またこれ等のエツチング用のガスにCl2,O2等の他の
ガスを混合して用いても良い。Cl2ガスを混入すると水
分の混入防止或いはガラスを脱水しながらエツチングで
きる。O2ガスを混入すると、C,S等の還元物質の堆積を
防ぎながらエツチングできる。
SiO2コア層となる合成ガラス膜の作成は、ガラス原料と
しては、Ｈ原子を含まないSi化合物例えばSiCl4,SiBr4,
Si2Cl6等が好ましく、特に蒸気圧の高いSiCl4が好まし
い。又、気相酸化剤としては例えばO2,O3等が挙げられ
る。
しては、Ｈ原子を含まないSi化合物例えばSiCl4,SiBr4,
Si2Cl6等が好ましく、特に蒸気圧の高いSiCl4が好まし
い。又、気相酸化剤としては例えばO2,O3等が挙げられ
る。
次に内部にコア層を合成した管を更に高温に加熱処理し
て中実化するが、コラツプスするべき殆んどのガラスが
低粘性であるF-SiO2溶融ガラスであるためコラツプス操
作は非常に容易となり、この時に要する加熱エネルギー
及び時間を大幅に節約できる。本発明者らが外径20mm、
内径5mmの各種石英管を、H2/O2バーナを用いて加熱し中
実化する比較実験を行い所要時間の比を求めたところ、
表１に示す様な結果であつた。
て中実化するが、コラツプスするべき殆んどのガラスが
低粘性であるF-SiO2溶融ガラスであるためコラツプス操
作は非常に容易となり、この時に要する加熱エネルギー
及び時間を大幅に節約できる。本発明者らが外径20mm、
内径5mmの各種石英管を、H2/O2バーナを用いて加熱し中
実化する比較実験を行い所要時間の比を求めたところ、
表１に示す様な結果であつた。
また、F-SiO2管に含有するOH濃度（ppm）を変化させ、
これらの管を用いてコア層を堆積し、これらの母材をSi
O2コア/F-SiO2クラツドのシングルモードフアイバとし
たものについて、1.3μｍ波長における伝送損失値（dB/
Km）を測定した結果を第４図に示す。
これらの管を用いてコア層を堆積し、これらの母材をSi
O2コア/F-SiO2クラツドのシングルモードフアイバとし
たものについて、1.3μｍ波長における伝送損失値（dB/
Km）を測定した結果を第４図に示す。
第４図から明らかなように、F-SiO2管に残存するOH濃度
を1ppm以下とすることで、1.3μｍ波長でのロスが1dB/K
m以下のフアイバが得られる。より好ましくは残存OH濃
度を0.5ppm以下とすることであり、これによりフアイバ
として実用的なロスが0.5dB/Km程度の特性のものを得る
ことができる。
を1ppm以下とすることで、1.3μｍ波長でのロスが1dB/K
m以下のフアイバが得られる。より好ましくは残存OH濃
度を0.5ppm以下とすることであり、これによりフアイバ
として実用的なロスが0.5dB/Km程度の特性のものを得る
ことができる。
さらに本発明で得られるフアイバの構造は、第６図の構
造のフアイバとは逆に、フアイバ外周部に圧縮の残留応
力がかかる。これによりフアイバはキズに対しより強い
状態で得られる。
造のフアイバとは逆に、フアイバ外周部に圧縮の残留応
力がかかる。これによりフアイバはキズに対しより強い
状態で得られる。
本発明ではクラツドとしてSiO2よりも低屈折率のF-SiO2
ガラスを用いているので、レイリイ散乱損失が少なく、
耐放射線特性等の対環境特性においても優れた純シリカ
コアフアイバを得ることができる。
ガラスを用いているので、レイリイ散乱損失が少なく、
耐放射線特性等の対環境特性においても優れた純シリカ
コアフアイバを得ることができる。
以上の説明ではF-SiO2溶融ガラス管内に純SiO2を堆積す
る例を述べたが、純SiO2にかえて、GeO2,P2O5等の添加
剤を含むガラス膜を堆積すれば、コアが添加剤含有Si
O2、クラツドがF-SiO2ガラスという構造のフアイバも同
様に効率良くかつ高品質に得ることができる。
る例を述べたが、純SiO2にかえて、GeO2,P2O5等の添加
剤を含むガラス膜を堆積すれば、コアが添加剤含有Si
O2、クラツドがF-SiO2ガラスという構造のフアイバも同
様に効率良くかつ高品質に得ることができる。
さらにコア堆積時に例えばGeCl4,POCl3等の屈折率を上
げる添加剤、又はSiF4,SF6等の屈折率を下げる添加剤等
の他の原料を、その比率を変えながら、多層の膜を合成
すれば、第５図（ａ）に示すような屈折率分布を持つフ
アイバの製造も可能であつた。
げる添加剤、又はSiF4,SF6等の屈折率を下げる添加剤等
の他の原料を、その比率を変えながら、多層の膜を合成
すれば、第５図（ａ）に示すような屈折率分布を持つフ
アイバの製造も可能であつた。
また、本発明の方法は、第５図（ｂ）に示すようなコア
部で複雑な形状の屈折率分布を持つ、コア／クラツド間
の屈折率差の大きなフアイバ、例えば分散シフトフアイ
バ等の製造にも適している。
部で複雑な形状の屈折率分布を持つ、コア／クラツド間
の屈折率差の大きなフアイバ、例えば分散シフトフアイ
バ等の製造にも適している。
以上はシングルモードフアイバの場合を主にして述べた
が、本発明の方法によりマルチモードフアイバも同様の
効率良く作製できる。この場合は、クラツドの屈折率値
がSiO2のそれに比べ低いので、コア・クラツドの屈折率
差の大きなフアイバの母材製造に適している。
が、本発明の方法によりマルチモードフアイバも同様の
効率良く作製できる。この場合は、クラツドの屈折率値
がSiO2のそれに比べ低いので、コア・クラツドの屈折率
差の大きなフアイバの母材製造に適している。
実施例１ 第２図に概略の構成を示したようなVAD法により、バー
ナーに表２の気相原料を導入して、純SiO2ガラス微粒子
からなるスート体を作成した。
ナーに表２の気相原料を導入して、純SiO2ガラス微粒子
からなるスート体を作成した。
得られたスート体を表３に示す雰囲気条件で管状炉内に
挿入、設置することにより、脱水（第１段目）、弗素添
加（第２段目）、透明化（第３段目）の各処理を行い、
透明ガラス体とした。このガラスロツドのOH値を赤外分
光器で測定したところ、測定器の検出限界である0.5ppm
以下であることが判つた。
挿入、設置することにより、脱水（第１段目）、弗素添
加（第２段目）、透明化（第３段目）の各処理を行い、
透明ガラス体とした。このガラスロツドのOH値を赤外分
光器で測定したところ、測定器の検出限界である0.5ppm
以下であることが判つた。
得られた外径58mmのロツドの外周を研削して外径55mmと
し、超音波穴明機により内径10mmの穴を該ロツドの中心
部にあけ管状とした。このパイプを純水により超音波洗
浄し、H2/O2バーナにより外径22mmに延伸した。このF-S
iO2管をガラス旋盤に把持し、該管を外部からH2/O2バー
ナにより約1650℃に加熱しながら、該管内にSF6を300cc
/分、O2を１／分の流量で流し、バーナを左右に４回
トラバースさせた。次で、SF6のみ止めた状態でバーナ
を１往復させた後、該管内にSiCl4を30cc/分、O2を200c
c/分の流量で流し、温度の高い箇所で管が透明となるよ
うに火炎を調整しながら加熱し、バーナを１度移動させ
た。この後更にバーナへのH2/O2供給量を増すことによ
り、該管の温度を約1800℃近くまで上げて加熱し、管を
中実化させた。この時のバーナの移動速度は4mm/分であ
り、１回のトラバースにより該管を完全にロツド状とす
ることができた。
し、超音波穴明機により内径10mmの穴を該ロツドの中心
部にあけ管状とした。このパイプを純水により超音波洗
浄し、H2/O2バーナにより外径22mmに延伸した。このF-S
iO2管をガラス旋盤に把持し、該管を外部からH2/O2バー
ナにより約1650℃に加熱しながら、該管内にSF6を300cc
/分、O2を１／分の流量で流し、バーナを左右に４回
トラバースさせた。次で、SF6のみ止めた状態でバーナ
を１往復させた後、該管内にSiCl4を30cc/分、O2を200c
c/分の流量で流し、温度の高い箇所で管が透明となるよ
うに火炎を調整しながら加熱し、バーナを１度移動させ
た。この後更にバーナへのH2/O2供給量を増すことによ
り、該管の温度を約1800℃近くまで上げて加熱し、管を
中実化させた。この時のバーナの移動速度は4mm/分であ
り、１回のトラバースにより該管を完全にロツド状とす
ることができた。
得られた母材を外径125μｍに線引することでフアイバ
ー化し、その伝送特性を評価したところ、1.3μｍ波長
での伝送損失が0.38dB/Km、1.38μｍ波長では3dB/Kmと
いう優れた特性であつた。
ー化し、その伝送特性を評価したところ、1.3μｍ波長
での伝送損失が0.38dB/Km、1.38μｍ波長では3dB/Kmと
いう優れた特性であつた。
以上説明のように本発明の光フアイバ用ガラス母材製造
方法は、気相合成したSiO2スート体について脱水、弗素
添加及び焼結を行つて得た残留不純物及び残留OH量のご
く少ないF-SiO2溶融ガラスからなる管をクラツド層と
し、これを出発管として管内を気相エツチング後MCVD法
を用いてコア層のみを形成するので、時間、消費エネル
ギー共に低減し、しかも高品質で伝送特性の良い母材を
効率良く製造できる。
方法は、気相合成したSiO2スート体について脱水、弗素
添加及び焼結を行つて得た残留不純物及び残留OH量のご
く少ないF-SiO2溶融ガラスからなる管をクラツド層と
し、これを出発管として管内を気相エツチング後MCVD法
を用いてコア層のみを形成するので、時間、消費エネル
ギー共に低減し、しかも高品質で伝送特性の良い母材を
効率良く製造できる。
またコア層形成後の中実化も、低粘性のF-SiO2ガラス層
が多いので、コラツプス操作が容易でエネルギーコスト
も低減できる。このように本発明によるフアイバは、生
産コストが安価で、かつ非常に良好な伝送特性を示すに
加え、クラツドがF-SiO2ガラスであるため、純SiO2クラ
ツドのフアイバに比しレイリイ散乱が少なく、対環境特
性も優れ、さらに第６図のようなクラツドの外層を石英
管とした時に見られる曲げ損失がない、また、残留応力
に基くフアイバの強度低下要因がない、という優れたも
のである。本発明はコア／クラツド間の屈折率差の大き
なシングルモードフアイバ特に1.5μｍ波長に雰分散波
長がくるようないわゆる分散シフトフアイバの製造にも
有利であるが、マルチモードフアイバの製造に用いても
同様に効果を示す。
が多いので、コラツプス操作が容易でエネルギーコスト
も低減できる。このように本発明によるフアイバは、生
産コストが安価で、かつ非常に良好な伝送特性を示すに
加え、クラツドがF-SiO2ガラスであるため、純SiO2クラ
ツドのフアイバに比しレイリイ散乱が少なく、対環境特
性も優れ、さらに第６図のようなクラツドの外層を石英
管とした時に見られる曲げ損失がない、また、残留応力
に基くフアイバの強度低下要因がない、という優れたも
のである。本発明はコア／クラツド間の屈折率差の大き
なシングルモードフアイバ特に1.5μｍ波長に雰分散波
長がくるようないわゆる分散シフトフアイバの製造にも
有利であるが、マルチモードフアイバの製造に用いても
同様に効果を示す。
第１図は本発明によるフアイバの屈折率分布を示す図、 第２図及び第３図は本発明における気相合成法によりSi
O2スート体を合成する工程の説明図、 第４図はF-SiO2クラツドガラス中の残存OH濃度（ppm）
とこれを用いた純SiO2コア/F-SiO2クラツドのフアイバ
の1.3μｍ波長における伝送損失値（dB/Km）の関係を示
すグラフ、 第５図（ａ）及び（ｂ）は本発明によるフアイバの屈折
率分布の別の例を示す図である。 第６図は従来法（MCVD法）により純SiO2コア型シングル
モードフアイバの屈折率分布を示す図である。
O2スート体を合成する工程の説明図、 第４図はF-SiO2クラツドガラス中の残存OH濃度（ppm）
とこれを用いた純SiO2コア/F-SiO2クラツドのフアイバ
の1.3μｍ波長における伝送損失値（dB/Km）の関係を示
すグラフ、 第５図（ａ）及び（ｂ）は本発明によるフアイバの屈折
率分布の別の例を示す図である。 第６図は従来法（MCVD法）により純SiO2コア型シングル
モードフアイバの屈折率分布を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭59−137333（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−155537（ＪＰ，Ａ) 特公 昭60−3018（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (2)
- 【請求項１】気相反応により合成したSiO2ガラス微粒子
体を加熱炉内で弗素ガスもしくは気相弗化物とHeとを含
む雰囲気下で加熱し、脱水及び弗素添加焼結を行い、こ
れにより得られる残留OH量が1ppm以下のF-SiO2透明ガラ
ス体を管状に加工し、該管を管外部から加熱しながら、
該管内面を気相エツチング処理し、引き続いて少なくと
もガラス原料及び気相酸化剤を含有するガスを該管内に
導入して該管内壁に合成ガラス膜を堆積し、しかる後に
該管をさらに高温に加熱して中実化することを特徴とす
る光フアイバ用ガラス母材の製造方法。 - 【請求項２】合成ガラス膜が純SiO2ガラスからなる特許
請求の範囲第（１）項記載の光フアイバ用ガラス母材の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28439786A JPH0742131B2 (ja) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | 光フアイバ用ガラス母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28439786A JPH0742131B2 (ja) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | 光フアイバ用ガラス母材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63139028A JPS63139028A (ja) | 1988-06-10 |
| JPH0742131B2 true JPH0742131B2 (ja) | 1995-05-10 |
Family
ID=17678041
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28439786A Expired - Lifetime JPH0742131B2 (ja) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | 光フアイバ用ガラス母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0742131B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3368932B2 (ja) * | 1992-02-07 | 2003-01-20 | 旭硝子株式会社 | 透明石英ガラスとその製造方法 |
| JP3310159B2 (ja) * | 1996-03-01 | 2002-07-29 | 昭和電線電纜株式会社 | Ｃｏドープ光減衰器用透明ガラス体の製造方法 |
| FR2823198B1 (fr) * | 2001-04-09 | 2003-07-04 | Cit Alcatel | Procede de fabrication de preformes a grande capacite par mcvd |
| FR2824642B1 (fr) * | 2001-05-11 | 2003-10-03 | Cit Alcatel | Fibre optique a saut d'indice a gaine et coeur dopes, preforme et procede de fabrication pour une telle fibre |
| US6947650B1 (en) * | 2004-05-06 | 2005-09-20 | Luna Energy Llc | Long wavelength, pure silica core single mode fiber and method of forming the same |
-
1986
- 1986-12-01 JP JP28439786A patent/JPH0742131B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63139028A (ja) | 1988-06-10 |
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |