JPH085685B2 - 分散シフト光ファイバ用母材の製造方法 - Google Patents
分散シフト光ファイバ用母材の製造方法Info
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- JPH085685B2 JPH085685B2 JP22949987A JP22949987A JPH085685B2 JP H085685 B2 JPH085685 B2 JP H085685B2 JP 22949987 A JP22949987 A JP 22949987A JP 22949987 A JP22949987 A JP 22949987A JP H085685 B2 JPH085685 B2 JP H085685B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は零分散波長が1.5μｍ帯にあり、伝送損失の
低減されたシングルモード光フアイバ用母材の製造方法
に関するものである。本発明の母材から製造される1.5
μｍ帯零分散シフトシングルモードフアイバは長距離か
つ大伝送容量の光通信線路として用いて好適である。
低減されたシングルモード光フアイバ用母材の製造方法
に関するものである。本発明の母材から製造される1.5
μｍ帯零分散シフトシングルモードフアイバは長距離か
つ大伝送容量の光通信線路として用いて好適である。
〔従来の技術〕 石英系光フアイバでは、光の波長1.5〜1.6μｍ領域
（1.5μｍ帯）で伝送損失が最小となるため、この波長
域で光伝送すれば最大の中継間隔が得られ、長距離通信
が可能となる。一方、大伝送容量を得るには、マルチモ
ードフアイバよりもはるかに広い伝送帯域を持ち、非常
に高い伝送速度を可能とするシングルモードフアイバが
用いられるが、この際、使用波長におけるフアイバの分
散効果を最小としておく必要がある。
（1.5μｍ帯）で伝送損失が最小となるため、この波長
域で光伝送すれば最大の中継間隔が得られ、長距離通信
が可能となる。一方、大伝送容量を得るには、マルチモ
ードフアイバよりもはるかに広い伝送帯域を持ち、非常
に高い伝送速度を可能とするシングルモードフアイバが
用いられるが、この際、使用波長におけるフアイバの分
散効果を最小としておく必要がある。
したがつて、長距離、大伝送容量用の石英系光フアイ
バとして、1.5μｍ帯で材料分散と構造分散の和が零と
なるようにフアイバ構造を設計した1.5μｍ帯零分散シ
フト・シングルモードフアイバ（以下分散シフトフアイ
バという）の開発が進められている。
バとして、1.5μｍ帯で材料分散と構造分散の和が零と
なるようにフアイバ構造を設計した1.5μｍ帯零分散シ
フト・シングルモードフアイバ（以下分散シフトフアイ
バという）の開発が進められている。
ところで、シングルモードフアイバにおいて零分散波
長を通常の1.3μｍ帯から1.5μｍ帯へシフトさせるに
は、フアイバの径をより細くすると共に、コアとクラツ
ドの比屈折率差△ｎを増大させる必要がある。コアとし
てGeO2添加SiO2を用いた場合、△ｎを大きくとるために
GeO2添加量を増すと、伝送損失も増加するという現象
は、よく知られた問題である。
長を通常の1.3μｍ帯から1.5μｍ帯へシフトさせるに
は、フアイバの径をより細くすると共に、コアとクラツ
ドの比屈折率差△ｎを増大させる必要がある。コアとし
てGeO2添加SiO2を用いた場合、△ｎを大きくとるために
GeO2添加量を増すと、伝送損失も増加するという現象
は、よく知られた問題である。
そこで、1.55μｍで伝送損失が最低であり、しかも耐
放射線特性、耐水素特性、初期伝送損失等においても原
理的に優れている。純SiO2をコアとし、Ｆ添加SiO2をク
ラツドとしたフアイバ構造が検討されている。
放射線特性、耐水素特性、初期伝送損失等においても原
理的に優れている。純SiO2をコアとし、Ｆ添加SiO2をク
ラツドとしたフアイバ構造が検討されている。
この構造で1.5μｍ帯で零分散とするには、第３図に
示すように△ｎが0.8％程度の高N,Aとし、かつコアＡの
径が５μ程度であることが要求される。光フアイバ外径
を125μｍ程度とすると、このときのコア径に対するク
ラツドＢの外径の比は約25以上が必要なわけである。
示すように△ｎが0.8％程度の高N,Aとし、かつコアＡの
径が５μ程度であることが要求される。光フアイバ外径
を125μｍ程度とすると、このときのコア径に対するク
ラツドＢの外径の比は約25以上が必要なわけである。
第３図のような構造の分散シフトフアイバを製造する
従来法の一つに、Ｆ−SiO2ガラスパイプの内側に、SiCl
4等のガラス原料及びO2を流しながら該パイプの外側か
ら加熱することにより、該ガラスパイプ内壁にコア層と
なる合成SiO2層を形成した後、中実化するという、いわ
ゆる内付法（MCVD法）によつて、SiO2コア/F−SiO2クラ
ツドからなるガラス母材を得る方法がある。この方法に
よると、細径の純SiO2コアＡと、該コア径の25倍以上の
外径のＦ−SiO2クラツドＢを有する第３図の構造が実現
できる。
従来法の一つに、Ｆ−SiO2ガラスパイプの内側に、SiCl
4等のガラス原料及びO2を流しながら該パイプの外側か
ら加熱することにより、該ガラスパイプ内壁にコア層と
なる合成SiO2層を形成した後、中実化するという、いわ
ゆる内付法（MCVD法）によつて、SiO2コア/F−SiO2クラ
ツドからなるガラス母材を得る方法がある。この方法に
よると、細径の純SiO2コアＡと、該コア径の25倍以上の
外径のＦ−SiO2クラツドＢを有する第３図の構造が実現
できる。
しかしながら、上記の従来法により作成した第３図の
構造の母材を線引した分散シフトフアイバにおいては、
波長0.63μｍにおける吸収が大きくなるという問題があ
つた。この0.63μｍという波長は伝送用に入射する光波
長とは異なつているが、該0.63μｍにおける吸収は、コ
ア又はクラツドの海面におけるいわゆる非架橋酸素欠陥
（non Bridging Oxigen as−sociated Hole Center:nBO
HCと略す）の存在によると考えられており、この存在
は、光フアイバの耐放射線特性、耐水素特性を悪化させ
て、該フアイバの長期安定性、信頼性の低下につながる
ものであるため、光フアイバの実用化にとつては重大な
問題となつていた。
構造の母材を線引した分散シフトフアイバにおいては、
波長0.63μｍにおける吸収が大きくなるという問題があ
つた。この0.63μｍという波長は伝送用に入射する光波
長とは異なつているが、該0.63μｍにおける吸収は、コ
ア又はクラツドの海面におけるいわゆる非架橋酸素欠陥
（non Bridging Oxigen as−sociated Hole Center:nBO
HCと略す）の存在によると考えられており、この存在
は、光フアイバの耐放射線特性、耐水素特性を悪化させ
て、該フアイバの長期安定性、信頼性の低下につながる
ものであるため、光フアイバの実用化にとつては重大な
問題となつていた。
さらに研究を重ねるうちに、該欠陥量つまり0.63μｍ
での吸収はNoAoフアイバに特有であり、母材をフアイバ
化する際の線引速度に比例することも判つてきた。
での吸収はNoAoフアイバに特有であり、母材をフアイバ
化する際の線引速度に比例することも判つてきた。
このような事実に鑑みると、従来法において外部の太
径のＦ−SiO2パイプと内部の細いSiO2層を中実化にあた
り加熱された際、純SiO2より軟化点の低いＦ−SiO2の方
が粘性小であるに加え外側のため先に熱を受けるのに対
し、軟化点の高い純SiO2は内側にあり加熱が遅れるため
両者の粘性差がより大となり、この粘性差によるひずみ
によつてコア部又はコア−クラツド界面に欠陥が生じる
のではないかと考察される。又、これと同様の現象が線
引工程でも繰り返されているのではないかと考えられ
る。
径のＦ−SiO2パイプと内部の細いSiO2層を中実化にあた
り加熱された際、純SiO2より軟化点の低いＦ−SiO2の方
が粘性小であるに加え外側のため先に熱を受けるのに対
し、軟化点の高い純SiO2は内側にあり加熱が遅れるため
両者の粘性差がより大となり、この粘性差によるひずみ
によつてコア部又はコア−クラツド界面に欠陥が生じる
のではないかと考察される。又、これと同様の現象が線
引工程でも繰り返されているのではないかと考えられ
る。
本発明はこのような考察に基き、上記従来法を改良し
て、母材形成時に極力欠陥の生成を防止した1.5μｍ帯
零分散シフトシングルモードフアイバ用母材の製造方法
を提案しようと意図したものである。さらに本発明の他
の目的は従来よりも製造効率の高い上記母材の製造方法
を提案するところにある。
て、母材形成時に極力欠陥の生成を防止した1.5μｍ帯
零分散シフトシングルモードフアイバ用母材の製造方法
を提案しようと意図したものである。さらに本発明の他
の目的は従来よりも製造効率の高い上記母材の製造方法
を提案するところにある。
本発明はＦ−SiO2ガラスからなるクラツド用パイプの
内壁に、内付け法により厚さ５〜500μｍの純SiO2ガラ
ス層を形成した後、該パイプ中空部内に純SiO2ガラスか
らなるコア用ロツドを挿入して外部から加熱し一体化す
ることを特徴とする分散シフト光フアイバ用母材の製造
方法である。
内壁に、内付け法により厚さ５〜500μｍの純SiO2ガラ
ス層を形成した後、該パイプ中空部内に純SiO2ガラスか
らなるコア用ロツドを挿入して外部から加熱し一体化す
ることを特徴とする分散シフト光フアイバ用母材の製造
方法である。
以下に本発明を図面を参照して具体的に説明する。
本発明は、まずクラツド用のＦ−SiO2からなるガラス
パイプ１の内側に、いわゆるMCVD法により、数μｍ〜数
100μｍの厚さの薄い純SiO2層を形成しておく。第１図
に示すようにクラツド用Ｆ−SiO2パイプ１の内側に、ガ
ラス原料として例えばSiCl4、O2ならびにCl2ガスを流し
ながら外部から酸水素バーナ４で加熱することにより、
管内で気相反応して生成したSiO2微粒子２は管内壁に薄
く堆積し、同時に該バーナ４により加熱されて純SiO2透
明ガラス体３の薄層が形成される。本発明では、該SiO2
層を５〜500μｍの薄層にとどめておくことが特に好ま
しい。
パイプ１の内側に、いわゆるMCVD法により、数μｍ〜数
100μｍの厚さの薄い純SiO2層を形成しておく。第１図
に示すようにクラツド用Ｆ−SiO2パイプ１の内側に、ガ
ラス原料として例えばSiCl4、O2ならびにCl2ガスを流し
ながら外部から酸水素バーナ４で加熱することにより、
管内で気相反応して生成したSiO2微粒子２は管内壁に薄
く堆積し、同時に該バーナ４により加熱されて純SiO2透
明ガラス体３の薄層が形成される。本発明では、該SiO2
層を５〜500μｍの薄層にとどめておくことが特に好ま
しい。
次に、第２図に示すように別途作成しておいたコア用
純SiO2ガラスロツド５を該SiO2薄層３を内部に形成した
クラツド用Ｆ−SiO2パイプ１内に挿入した状態で、外部
から酸水素バーナ４で加熱して、該ロツド５と該パイプ
１とをコラプスして一体化することにより、純SiO2コア
とＦ−SiO2クラツドからなり、所定の屈折率構造を有す
る1.5μｍ帯零分散シフト・フアイバ用ガラス母材を得
る。
純SiO2ガラスロツド５を該SiO2薄層３を内部に形成した
クラツド用Ｆ−SiO2パイプ１内に挿入した状態で、外部
から酸水素バーナ４で加熱して、該ロツド５と該パイプ
１とをコラプスして一体化することにより、純SiO2コア
とＦ−SiO2クラツドからなり、所定の屈折率構造を有す
る1.5μｍ帯零分散シフト・フアイバ用ガラス母材を得
る。
本発明においては、Ｆ−SiO2からなるクラツド用パイ
プは、例えばVAD法により作成したSiO2堆積体をＦ系化
合物含有雰囲気中で加熱してＦを添加し、得られたＦ−
SiO2ロツドの中央に孔あけを行つてＦ−SiO2パイプとす
る、といつた方法により作製する。
プは、例えばVAD法により作成したSiO2堆積体をＦ系化
合物含有雰囲気中で加熱してＦを添加し、得られたＦ−
SiO2ロツドの中央に孔あけを行つてＦ−SiO2パイプとす
る、といつた方法により作製する。
勿論、この方法に限定されることはなく、マンドレル
の外周にスート付けを行なつた後に該マンドレルを抜き
取り管状スート体を得て、これにＦ添加を行ない透明化
する等の方法やその他の方法によるものであつても差し
支えない。Ｆの添加量はコアの純SiO2と比屈折率差で△
ｎ≒−0.7％〜1.0％程度とすることが好ましい。
の外周にスート付けを行なつた後に該マンドレルを抜き
取り管状スート体を得て、これにＦ添加を行ない透明化
する等の方法やその他の方法によるものであつても差し
支えない。Ｆの添加量はコアの純SiO2と比屈折率差で△
ｎ≒−0.7％〜1.0％程度とすることが好ましい。
またＦ−SiO2パイプの内側にSiO2層薄層を堆積させる
方法は、通常の技術によればよく、ガラス原料ガスとし
ては例えばSiCl4等を用い、酸化反応させるためにO2ガ
スをこれと共に流すが、さらにCl4ガス等の脱水ガスを
加えることも好ましい。
方法は、通常の技術によればよく、ガラス原料ガスとし
ては例えばSiCl4等を用い、酸化反応させるためにO2ガ
スをこれと共に流すが、さらにCl4ガス等の脱水ガスを
加えることも好ましい。
これらのガスの流量条件は一概には限定できないが、
具体例としてSiCl4 50C.C./分、O2 20C.C./分、Cl2 100
C.C./分といつた条件である。
具体例としてSiCl4 50C.C./分、O2 20C.C./分、Cl2 100
C.C./分といつた条件である。
該ガラス層は５〜500μｍ好ましくは数10〜5100μｍ
の範囲の厚さとする。５μｍより薄いとＦが拡散して純
シリカ層の物性値が変化するため、欠陥が生成してしま
う。一方、500μｍを越えると効果は変らないが、生産
性が悪くなる。外部からの加熱源としては例えば酸水素
バーナ等を用いればよい。
の範囲の厚さとする。５μｍより薄いとＦが拡散して純
シリカ層の物性値が変化するため、欠陥が生成してしま
う。一方、500μｍを越えると効果は変らないが、生産
性が悪くなる。外部からの加熱源としては例えば酸水素
バーナ等を用いればよい。
また、得られたSiO2薄層コーテイングしたＦ−SiO2ク
ラツドパイプ内に挿入する純SiO2コア用ロツドは、例え
ばVAD法等により作製するが、公知の高純度SiO2ガラス
製造法を利用して製造したものであればいずれでもよ
い。
ラツドパイプ内に挿入する純SiO2コア用ロツドは、例え
ばVAD法等により作製するが、公知の高純度SiO2ガラス
製造法を利用して製造したものであればいずれでもよ
い。
該パイプと該ロツドの加熱一体化（コラプス）は、前
段と同様の外部熱源を用いるが、水酸基の影響や混入・
汚染を避けるために第２図のようにCl2ガスを流しなが
ら行うことが好ましい。
段と同様の外部熱源を用いるが、水酸基の影響や混入・
汚染を避けるために第２図のようにCl2ガスを流しなが
ら行うことが好ましい。
このようにMCVD法により直接すべてのコア層を合成す
るのではなく、Ｆ−SiO2のクラツド用パイプ内面にSiO2
層を藩く合成しておき、ここに別途合成しておいた純Si
O2コア用ロツドをロツドインチユーブ法でコラプスする
と、パイプの方が粘性小となるものの、コアと接する面
はSiO2層であるために、コアロツド表面との粘性差は緩
和され、欠陥生成が抑制できる。
るのではなく、Ｆ−SiO2のクラツド用パイプ内面にSiO2
層を藩く合成しておき、ここに別途合成しておいた純Si
O2コア用ロツドをロツドインチユーブ法でコラプスする
と、パイプの方が粘性小となるものの、コアと接する面
はSiO2層であるために、コアロツド表面との粘性差は緩
和され、欠陥生成が抑制できる。
また、従来のようにコア層全体をMCVD法で作製すると
非常に長時間を要したが、本発明は薄いSiO2層のみの作
製でよく、これに純SiO2コアロツドをロツドインチユー
ブ法によりコラプスするだけであるので、はるかに短時
間で済むので、生産効率が向上する点で有利である。
非常に長時間を要したが、本発明は薄いSiO2層のみの作
製でよく、これに純SiO2コアロツドをロツドインチユー
ブ法によりコラプスするだけであるので、はるかに短時
間で済むので、生産効率が向上する点で有利である。
実施例１ 第４図に示すような構成でVAD法により多孔質ガラス
体を作成した。本実施例ではガラス微粒子合成用バーナ
ー６にH2 30／分、O2 25／分、Ar 15／分、SiCl4
1600C.C./分を供給し、外径110mmφ長さ550mmの多孔質
ガラス体７を得た。８は出発材である。この多孔質ガラ
ス体７をCl2:He＝6:100の雰囲気を有する炉内に挿入し1
050℃に加熱して脱水処理を施したのち、SiF4:He＝8:10
0の雰囲気中で1200℃に加熱してＦ添加処理を施し、さ
らにSiF4:He＝8:100の雰囲気中で1600℃に加熱し透明ガ
ラス化を行つた。その結果外径50mmφ長さ270mmの円
柱状のＦ−SiO2からなる透明ガラス体を得た。該透明ガ
ラス体中央に超音波穿孔機を用い8mmφの穴をあけ、パ
イプ状としたのち、外径25mmφまで延伸した。次にこの
パイプ状透明ガラス体をガラス旋盤に装着し、内部にSF
6ガス300C.C./分を流しつつ外部よりH2/O2バーナーで加
熱することにより、内径が約12mmφになるまでガスエツ
チングした。このガスエツチングにより穿孔時に内面に
生じた傷や凹凸などはなくなり平滑な内面が得られた。
次に、該パイプ状ガラス体内部にSiCl4 50C.C./分,O2 2
00C.C./分,Cl2 100C.C./分を供給し、外部よりH2/O2バ
ーナーを５往復させて加熱することにより、MCVD法によ
る純SiO2層の形成を行つた。該純SiO2層の厚さは約50μ
ｍであつた。
体を作成した。本実施例ではガラス微粒子合成用バーナ
ー６にH2 30／分、O2 25／分、Ar 15／分、SiCl4
1600C.C./分を供給し、外径110mmφ長さ550mmの多孔質
ガラス体７を得た。８は出発材である。この多孔質ガラ
ス体７をCl2:He＝6:100の雰囲気を有する炉内に挿入し1
050℃に加熱して脱水処理を施したのち、SiF4:He＝8:10
0の雰囲気中で1200℃に加熱してＦ添加処理を施し、さ
らにSiF4:He＝8:100の雰囲気中で1600℃に加熱し透明ガ
ラス化を行つた。その結果外径50mmφ長さ270mmの円
柱状のＦ−SiO2からなる透明ガラス体を得た。該透明ガ
ラス体中央に超音波穿孔機を用い8mmφの穴をあけ、パ
イプ状としたのち、外径25mmφまで延伸した。次にこの
パイプ状透明ガラス体をガラス旋盤に装着し、内部にSF
6ガス300C.C./分を流しつつ外部よりH2/O2バーナーで加
熱することにより、内径が約12mmφになるまでガスエツ
チングした。このガスエツチングにより穿孔時に内面に
生じた傷や凹凸などはなくなり平滑な内面が得られた。
次に、該パイプ状ガラス体内部にSiCl4 50C.C./分,O2 2
00C.C./分,Cl2 100C.C./分を供給し、外部よりH2/O2バ
ーナーを５往復させて加熱することにより、MCVD法によ
る純SiO2層の形成を行つた。該純SiO2層の厚さは約50μ
ｍであつた。
別途VAD法により作成した外径2mmの純SiO2からなるコ
ア用透明ガラスロツドを該パイプ内に挿入し、外部より
H2/O2バーナーで加熱して、該パイプ内壁とガラスロツ
ド表面を融着させて、両者を一体化した。得られたガラ
ス母材の外径は22mmφであり、コア径は約2mm、クラツ
ド径／コア径の比は約11倍であり、クラツドのコアに対
する比屈折率差△ｎ−0.7％であつた。
ア用透明ガラスロツドを該パイプ内に挿入し、外部より
H2/O2バーナーで加熱して、該パイプ内壁とガラスロツ
ド表面を融着させて、両者を一体化した。得られたガラ
ス母材の外径は22mmφであり、コア径は約2mm、クラツ
ド径／コア径の比は約11倍であり、クラツドのコアに対
する比屈折率差△ｎ−0.7％であつた。
該ガラス母材を出発材とし、VAD法により、その外周
に純SiO2を堆積させて、前記のクラツド部としたパイプ
作成の際と同様に行つて、脱水、Ｆ添加・透明化してク
ラツドパイプと同じく比屈折率差−0.7％のＦ−SiO2か
らなるジヤケツト層を形成し外径50mmの光フアイバ用母
材を得た。
に純SiO2を堆積させて、前記のクラツド部としたパイプ
作成の際と同様に行つて、脱水、Ｆ添加・透明化してク
ラツドパイプと同じく比屈折率差−0.7％のＦ−SiO2か
らなるジヤケツト層を形成し外径50mmの光フアイバ用母
材を得た。
該母材を加熱延伸して23mmφとしたものを線引用プリ
フオームとし、これを線引して外径125μｍ、コア径５
μｍ、コアとクラツドの比屈折率差−0.7％の1.5μｍ帯
零分散シングルモードフアイバを得た。該フアイバの特
性を調べたところ、0.63μｍにおける吸収は10dB/kmと
低いものであつた。
フオームとし、これを線引して外径125μｍ、コア径５
μｍ、コアとクラツドの比屈折率差−0.7％の1.5μｍ帯
零分散シングルモードフアイバを得た。該フアイバの特
性を調べたところ、0.63μｍにおける吸収は10dB/kmと
低いものであつた。
比較例１ 実施例１同様に作成したＦ−SiO2ガラスパイプ内にSi
O2層を形成することなく、そのまま、実施例１で用いた
と同じ純SiO2コア用ロツドを挿入し、加熱一体化して、
外径22mmφ、コア径2mmの光フアイバ用中間母材を作製
した。以下実施例１と同様にＦ−SiO2からなるジヤケツ
ト層を形成し、同サイズの線引用プリフオームを得た。
O2層を形成することなく、そのまま、実施例１で用いた
と同じ純SiO2コア用ロツドを挿入し、加熱一体化して、
外径22mmφ、コア径2mmの光フアイバ用中間母材を作製
した。以下実施例１と同様にＦ−SiO2からなるジヤケツ
ト層を形成し、同サイズの線引用プリフオームを得た。
該プリフオームを実施例１同条件で外径125μｍに線
引きして、1.5μｍ帯零分散シフトフアイバとし、この
伝送特性を調べたところ、0.63μｍにおける吸収は20dB
/cm以上もあつた。
引きして、1.5μｍ帯零分散シフトフアイバとし、この
伝送特性を調べたところ、0.63μｍにおける吸収は20dB
/cm以上もあつた。
以上の実施例１及び比較例１の結果から、本発明のＦ
−SiO2クラツドパイプ内部に純SiO2ガラス薄層を形成し
ておく手段が、0.63μｍの吸収の基となる欠陥発生量の
低減に有効であることがわかる。
−SiO2クラツドパイプ内部に純SiO2ガラス薄層を形成し
ておく手段が、0.63μｍの吸収の基となる欠陥発生量の
低減に有効であることがわかる。
以上のように、本発明によれば純SiO2コア、Ｆ−SiO2
クラツドからなる1.5μｍ零分散シフトフアイバ用母材
を、従来より短時間で効率良く生産できるに加え、本発
明による母材は、製造程のコラプスの際に、クラツドパ
イプ内面とコアロツド表面の粘性差が緩和されるのでコ
ア又はコア／クラツド界面での欠陥発生を抑制できるの
で、長距離かつ大伝送容量が可能であり、耐水素性が長
期に安定し、信頼性に優れた分散シフトフアイバを得る
ことができるという優れたものである。
クラツドからなる1.5μｍ零分散シフトフアイバ用母材
を、従来より短時間で効率良く生産できるに加え、本発
明による母材は、製造程のコラプスの際に、クラツドパ
イプ内面とコアロツド表面の粘性差が緩和されるのでコ
ア又はコア／クラツド界面での欠陥発生を抑制できるの
で、長距離かつ大伝送容量が可能であり、耐水素性が長
期に安定し、信頼性に優れた分散シフトフアイバを得る
ことができるという優れたものである。
【図面の簡単な説明】 第１図及び第２図は本発明を工程順に説明する概略図で
あつて、第１図はクラツド用Ｆ−SiO2ガラスパイプ内に
MCVD法により純SiO2薄層を形成する工程、第２図は第１
図の工程の次に該パイプとコア用純SiO2ガラスロツドを
ロツドインチユーブ法により一体化する工程を示す。第
３図は純SiO2コア、Ｆ−SiO2クラツドからなる1.5μｍ
帯分散シフトフアイバの構造を示す図である。第４図は
VAD法によりガラス多孔質体を作製する工程の説明図で
ある。
あつて、第１図はクラツド用Ｆ−SiO2ガラスパイプ内に
MCVD法により純SiO2薄層を形成する工程、第２図は第１
図の工程の次に該パイプとコア用純SiO2ガラスロツドを
ロツドインチユーブ法により一体化する工程を示す。第
３図は純SiO2コア、Ｆ−SiO2クラツドからなる1.5μｍ
帯分散シフトフアイバの構造を示す図である。第４図は
VAD法によりガラス多孔質体を作製する工程の説明図で
ある。
Claims (1)
- 【請求項１】Ｆ−SiO2ガラスからなるクラツド用パイプ
の内壁に、内付け法により厚さ５〜500μｍの純SiO2ガ
ラス層を形成した後、該パイプ中空部内に純SiO2ガラス
からなるコア用ロツドを挿入して外部から加熱し一体化
することを特徴とする分散シフト光フアイバ用母材の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22949987A JPH085685B2 (ja) | 1987-09-16 | 1987-09-16 | 分散シフト光ファイバ用母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22949987A JPH085685B2 (ja) | 1987-09-16 | 1987-09-16 | 分散シフト光ファイバ用母材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6472934A JPS6472934A (en) | 1989-03-17 |
| JPH085685B2 true JPH085685B2 (ja) | 1996-01-24 |
Family
ID=16893130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22949987A Expired - Fee Related JPH085685B2 (ja) | 1987-09-16 | 1987-09-16 | 分散シフト光ファイバ用母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH085685B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5522003A (en) * | 1993-03-02 | 1996-05-28 | Ward; Robert M. | Glass preform with deep radial gradient layer and method of manufacturing same |
| EP0716047A3 (en) * | 1994-12-02 | 1996-10-09 | Fibercore Inc | Method and apparatus for making an optical fiber preform |
| DE19958276C1 (de) * | 1999-12-03 | 2001-05-03 | Heraeus Quarzglas | Verfahren für die Herstellung einer Quarzglas-Vorform für eine Lichtleitfaser |
| KR100800813B1 (ko) * | 2006-03-10 | 2008-02-01 | 엘에스전선 주식회사 | 광섬유 모재의 제조 방법, 이 방법에 의해 제조된 광섬유모재 및 광섬유 |
| US9002162B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-04-07 | Ofs Fitel, Llc | Large core multimode optical fibers |
-
1987
- 1987-09-16 JP JP22949987A patent/JPH085685B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6472934A (en) | 1989-03-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |