JP2645710B2 - 光ファイバ用母材及びその製造方法 - Google Patents
光ファイバ用母材及びその製造方法Info
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
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- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/01205—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments starting from tubes, rods, fibres or filaments
- C03B37/01225—Means for changing or stabilising the shape, e.g. diameter, of tubes or rods in general, e.g. collapsing
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- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光フアイバ用母材の製造方法に関し、詳しく
はシングルモードフアイバ、特に1.55μｍ波長帯で零分
散となる分散シフト型シングルモードフアイバ用母材の
製造方法に関するものである。
はシングルモードフアイバ、特に1.55μｍ波長帯で零分
散となる分散シフト型シングルモードフアイバ用母材の
製造方法に関するものである。
従来の光フアイバ製造技術の一つに、第２図に示すよ
うにコア用ガラスロツド４をクラツド用ガラスパイプ５
の中空部に挿入した状態で、これを水素を含む火炎以外
の加熱源例えばヒータ６等により加熱して溶着一体化
（コラツプスと称する）して、コア／クラツドからなる
構成体７を作製し、該構成体７を高温炉を用いて線引き
し光フアイバとする方法があり、ロツドインチユーブ法
として知られている。
うにコア用ガラスロツド４をクラツド用ガラスパイプ５
の中空部に挿入した状態で、これを水素を含む火炎以外
の加熱源例えばヒータ６等により加熱して溶着一体化
（コラツプスと称する）して、コア／クラツドからなる
構成体７を作製し、該構成体７を高温炉を用いて線引き
し光フアイバとする方法があり、ロツドインチユーブ法
として知られている。
近年、分散シフト型等のシングルモードフアイバの開
発が進んでいるが、この種のフアイバはコアとクラツド
の屈折率差が大きく、コア径が小さく、しかもクラツド
径／コア径（比）が大きいという構造が要求される。
発が進んでいるが、この種のフアイバはコアとクラツド
の屈折率差が大きく、コア径が小さく、しかもクラツド
径／コア径（比）が大きいという構造が要求される。
前記したロツドインチユーブ法により、コア径が小さ
くクラツド径／コア径比の大きなシングルモードフアイ
バ母材を作製するには、コラツプスまでの操作を繰返
す、或は第３図に示すようにコア／クラツドからなる構
成体７の外周に、更にバーナ９の火炎中に合成したガラ
ス微粒子（スート）10を堆積してクラツド用スート体８
を形成する方法（例えば特願昭61-72433号公報）等が知
られている。
くクラツド径／コア径比の大きなシングルモードフアイ
バ母材を作製するには、コラツプスまでの操作を繰返
す、或は第３図に示すようにコア／クラツドからなる構
成体７の外周に、更にバーナ９の火炎中に合成したガラ
ス微粒子（スート）10を堆積してクラツド用スート体８
を形成する方法（例えば特願昭61-72433号公報）等が知
られている。
しかしながら、上記した従来技術によつてシングルモ
ードフアイバ、特にフアイバ断面の屈折率分布が第１図
（ａ）又は（ｂ）に示す構造で、コア１が純粋石英（Si
O2）ガラスからなり、クラツド２がフツ素含有石英（F-
SiO2）ガラスからなり、コアとクラツドの比屈折率差が
0.5％以上となる分散シフト型シングルモードフアイバ
を作製すると、伝送損失の小さなフアイバが得られない
という問題があつた。
ードフアイバ、特にフアイバ断面の屈折率分布が第１図
（ａ）又は（ｂ）に示す構造で、コア１が純粋石英（Si
O2）ガラスからなり、クラツド２がフツ素含有石英（F-
SiO2）ガラスからなり、コアとクラツドの比屈折率差が
0.5％以上となる分散シフト型シングルモードフアイバ
を作製すると、伝送損失の小さなフアイバが得られない
という問題があつた。
本発明はシングルモードフアイバ、特にコアがSiO2ガ
ラス、クラツドがF-SiO2ガラスからなり、1.55μｍで零
分散となる分散シフト型シングルモードフアイバであつ
て、伝送損失の小さなフアイバを、ロツドインチユーブ
法を利用した方法で製造すること及びこれによる光フア
イバ用母材を目的としてなされたものである。
ラス、クラツドがF-SiO2ガラスからなり、1.55μｍで零
分散となる分散シフト型シングルモードフアイバであつ
て、伝送損失の小さなフアイバを、ロツドインチユーブ
法を利用した方法で製造すること及びこれによる光フア
イバ用母材を目的としてなされたものである。
本発明はSiO2ガラスからなるコア用ロツドをその比屈
折率差がSiO2ガラスよりも0.5％以上小さいクラツド用
パイプの中空部内に挿入して加熱することにより両者を
溶着一体化する工程を有する光フアイバ用母材の製造方
法において、上記クラツド用パイプとして外径100mm以
下のフツ素含有SiO2ガラスパイプを用い、かつ溶着一体
化した後のコア径Ａおよびクラツド径Ｂが の上記条件を満足するようにコア用ロツド及びクラツド
用パイプのサイズを決め、コアガラス表面が滑らかにな
るように水素を含む火炎以外を加熱源として用いて加熱
し一体化することを特徴とする光フアイバ用母材の製造
方法、及びSiO2ガラスからなるコア用ロツドをその比屈
折率差がSiO2ガラスよりも0.5％以上小さく外径100mm以
下のクラツド用フツ素含有SiO2ガラスパイプの中空部内
に挿入し溶着一体化してなる光フアイバ用母材におい
て、溶着一体化した後のコア径Ａおよびクラツド径Ｂが Ａ≧3mm B/A≧４ 1/2（Ｂ−Ａ）≧12mm の上記条件を満足するものであることを特徴とする光フ
アイバ用母材であり、これにより伝送特性に優れた1.55
μｍ帯零分散シフトシングルモードフアイバを効率の良
いロツドインチユーブ法を利用して製造することを実現
するものである。
折率差がSiO2ガラスよりも0.5％以上小さいクラツド用
パイプの中空部内に挿入して加熱することにより両者を
溶着一体化する工程を有する光フアイバ用母材の製造方
法において、上記クラツド用パイプとして外径100mm以
下のフツ素含有SiO2ガラスパイプを用い、かつ溶着一体
化した後のコア径Ａおよびクラツド径Ｂが の上記条件を満足するようにコア用ロツド及びクラツド
用パイプのサイズを決め、コアガラス表面が滑らかにな
るように水素を含む火炎以外を加熱源として用いて加熱
し一体化することを特徴とする光フアイバ用母材の製造
方法、及びSiO2ガラスからなるコア用ロツドをその比屈
折率差がSiO2ガラスよりも0.5％以上小さく外径100mm以
下のクラツド用フツ素含有SiO2ガラスパイプの中空部内
に挿入し溶着一体化してなる光フアイバ用母材におい
て、溶着一体化した後のコア径Ａおよびクラツド径Ｂが Ａ≧3mm B/A≧４ 1/2（Ｂ−Ａ）≧12mm の上記条件を満足するものであることを特徴とする光フ
アイバ用母材であり、これにより伝送特性に優れた1.55
μｍ帯零分散シフトシングルモードフアイバを効率の良
いロツドインチユーブ法を利用して製造することを実現
するものである。
以下に本発明に到達した経緯から始めて、本発明を詳
細に説明する。
細に説明する。
コアがSiO2，クラツドがF-SiO2ガラスからなり第１図
（ａ）又は（ｂ）に示す屈折率分布構造であつて、分散
シフト型等のコア・クラツドの比屈折率差が0.5％以上
と大きく、かつコア径が５μｍ程度と小さなフアイバを
作製しようとすると、クラツドへのフツ素（Ｆ）添加量
を大きくとる必要があり、また、クラツド径／コア径比
を大きく形成する必要がある。
（ａ）又は（ｂ）に示す屈折率分布構造であつて、分散
シフト型等のコア・クラツドの比屈折率差が0.5％以上
と大きく、かつコア径が５μｍ程度と小さなフアイバを
作製しようとすると、クラツドへのフツ素（Ｆ）添加量
を大きくとる必要があり、また、クラツド径／コア径比
を大きく形成する必要がある。
ところでSiO2にＦを添加してF-SiO2とすると、その物
性がSiO2とは異つてくるが、特に粘性において大きく変
化し、Ｆの添加によつてSiO2の粘性は大巾に低下する。
Ｆ添加量の多いシングルモードフアイバでは、これが特
に顕著になる。
性がSiO2とは異つてくるが、特に粘性において大きく変
化し、Ｆの添加によつてSiO2の粘性は大巾に低下する。
Ｆ添加量の多いシングルモードフアイバでは、これが特
に顕著になる。
コラツプス法で本発明の目的とする細径SiO2コア，太
径のF-SiO2クラツドからなる構造体の作製を試みると、
加熱の際にクラツドガラスがより軟かくなるため、この
クラツドガラスがコアガラスにより低温状態で溶着して
しまい、コアガラス表面が充分な加熱による滑らかな状
態（アレのない状態）となる以前に一体化してしまう。
そのためにコア／クラツド界面にはアレが残る度合が大
きくなり、これがフアイバの伝送損失の劣下を招く大き
な要因となつていた。
径のF-SiO2クラツドからなる構造体の作製を試みると、
加熱の際にクラツドガラスがより軟かくなるため、この
クラツドガラスがコアガラスにより低温状態で溶着して
しまい、コアガラス表面が充分な加熱による滑らかな状
態（アレのない状態）となる以前に一体化してしまう。
そのためにコア／クラツド界面にはアレが残る度合が大
きくなり、これがフアイバの伝送損失の劣下を招く大き
な要因となつていた。
また、F-SiO2ガラスにおいては、SiO2ガラスに比し
て、金属イオン等の拡散速度が高温下で大きく、特にＦ
濃度の高いガラスでは、コラツプスまたは線引等の加熱
工程において、外部から混入する、光フアイバの伝送特
性に有害な、金属やOH基等の不純物が、コア近辺に拡散
する度合が高くなる。これによつても光フアイバの伝送
損失が大きく劣下する。
て、金属イオン等の拡散速度が高温下で大きく、特にＦ
濃度の高いガラスでは、コラツプスまたは線引等の加熱
工程において、外部から混入する、光フアイバの伝送特
性に有害な、金属やOH基等の不純物が、コア近辺に拡散
する度合が高くなる。これによつても光フアイバの伝送
損失が大きく劣下する。
そこで本発明者らは、上記の物性差による影響ができ
るだけ小さくなるような、加熱工程での加熱源、そのと
きのコアとクラツドのサイズ等を求めて、詳細に検討
し、実験を重ねた。
るだけ小さくなるような、加熱工程での加熱源、そのと
きのコアとクラツドのサイズ等を求めて、詳細に検討
し、実験を重ねた。
この結果、クラツドとなるF-SiO2ガラスパイプとし
て、屈折率値がSiO2ガラスに比べ比屈折率差で0.5％以
上小さな場合、パイプの外径が100mmより小さいパイプ
を用いて、加熱源として水素を含む火炎以外の加熱源を
用いてコラツプスを行ない、さらにコラツプス後のコア
径をA,クラツド径をＢとするとき、下記の の条件を満せば、コア／クラツド界面の影響が少なくな
り、また不純物、特に残留水分の影響も、実用フアイバ
としては無視できる程小さなSiO2コアの分散シフトシン
グルモードフアイバが得られることが判つた。
て、屈折率値がSiO2ガラスに比べ比屈折率差で0.5％以
上小さな場合、パイプの外径が100mmより小さいパイプ
を用いて、加熱源として水素を含む火炎以外の加熱源を
用いてコラツプスを行ない、さらにコラツプス後のコア
径をA,クラツド径をＢとするとき、下記の の条件を満せば、コア／クラツド界面の影響が少なくな
り、また不純物、特に残留水分の影響も、実用フアイバ
としては無視できる程小さなSiO2コアの分散シフトシン
グルモードフアイバが得られることが判つた。
本発明に用いるF-SiO2ガラスからなるクラツド用のパ
イプは、例えば特願昭53-137659号明細書、同58-195209
号明細書、同60-103997号明細書等に提案される方法に
より、径方向に比較的均一にＦが添加された高純度な石
英ガラス母材を作製することができるので、超音波穿孔
機等により該母材中央に機械的に穿孔することにより所
望のパイプを得ることができる。該クラツド用パイプの
外径は100mm以下が好ましい。100mmを越えるとコア部表
面を充分に高温とすることが難かしくなるからである。
イプは、例えば特願昭53-137659号明細書、同58-195209
号明細書、同60-103997号明細書等に提案される方法に
より、径方向に比較的均一にＦが添加された高純度な石
英ガラス母材を作製することができるので、超音波穿孔
機等により該母材中央に機械的に穿孔することにより所
望のパイプを得ることができる。該クラツド用パイプの
外径は100mm以下が好ましい。100mmを越えるとコア部表
面を充分に高温とすることが難かしくなるからである。
コアのSiO2ガラスロツドは、原料ガス中にGeO2等のド
ーパントを導入しない条件でSiO2スート体を作製し、こ
れをCl2等の塩素系ガスで充分に脱水処理した後、さら
に加熱して透明化することにより所望のガラスロツドを
作製できる。
ーパントを導入しない条件でSiO2スート体を作製し、こ
れをCl2等の塩素系ガスで充分に脱水処理した後、さら
に加熱して透明化することにより所望のガラスロツドを
作製できる。
次に第２図に示すように、クラツド用F-SiO2パイプ５
の中空部にコア用SiO2ロツド４を挿入した状態で、水素
を含む火炎以外の加熱源例えばヒータ６で該パイプ外側
から加熱し、コラツプスしてコア／クラツド構成体７を
得る。
の中空部にコア用SiO2ロツド４を挿入した状態で、水素
を含む火炎以外の加熱源例えばヒータ６で該パイプ外側
から加熱し、コラツプスしてコア／クラツド構成体７を
得る。
本発明に用いられる水素を含む火炎以外の加熱源とし
ては、例えばカーボン，ジルコニア等への誘電加熱,CO
炎，CS2炎,CN炎等が挙げられる。
ては、例えばカーボン，ジルコニア等への誘電加熱,CO
炎，CS2炎,CN炎等が挙げられる。
コラツプス後のコア径Ａとクラツド径Ｂについては、
まずＡ≧3mmが好ましく、これはこの径よりも細くなる
と、コラツプス過程にてコアが蛇行し易くなり、コア周
辺に気泡を巻き込んだり、コアの偏心が大きなものとな
つたりして良好なコラツプス体が得られないからであ
る。
まずＡ≧3mmが好ましく、これはこの径よりも細くなる
と、コラツプス過程にてコアが蛇行し易くなり、コア周
辺に気泡を巻き込んだり、コアの偏心が大きなものとな
つたりして良好なコラツプス体が得られないからであ
る。
またB/A≧４及び1/2（Ｂ−Ａ）≧12mmという条件は、
いずれも得られるフアイバの伝送損失に大きな影響を与
える残留水分量を所定の値に制限するという理由によ
る。
いずれも得られるフアイバの伝送損失に大きな影響を与
える残留水分量を所定の値に制限するという理由によ
る。
コアとクラツドの比屈折率差が0.7％で、コア径が５
μｍ、フアイバ外径が125μｍの第１図（ａ）の構造の
フアイバを、通電加熱によるコラツプスと、第３図に示
すスート堆積法を組合せて合成した。
μｍ、フアイバ外径が125μｍの第１図（ａ）の構造の
フアイバを、通電加熱によるコラツプスと、第３図に示
すスート堆積法を組合せて合成した。
この時コラツプス後のクラツド径Ｂを50mm又は35mmの
一定値にしてコア径Ａを変えて、クラツド径／コア径＝
B/Aの変化に対する、該光フアイバの波長1.0μｍでの伝
送ロスを調べた。これにより不純物の存在が推定でき
る。この結果を第４図に示す。黒丸印実線はＢ＝50mm、
黒三角印破線はＢ＝35mmの場合である。
一定値にしてコア径Ａを変えて、クラツド径／コア径＝
B/Aの変化に対する、該光フアイバの波長1.0μｍでの伝
送ロスを調べた。これにより不純物の存在が推定でき
る。この結果を第４図に示す。黒丸印実線はＢ＝50mm、
黒三角印破線はＢ＝35mmの場合である。
また、コア径を5mmの一定値にして、クラツドの肉厚
すなわち1/2（Ｂ−Ａ）を変化させたときの、波長1.0μ
ｍでの伝送損失（dB/km）の変化を第５図に黒三角印破
線で示す。
すなわち1/2（Ｂ−Ａ）を変化させたときの、波長1.0μ
ｍでの伝送損失（dB/km）の変化を第５図に黒三角印破
線で示す。
第４図及び第５図の結果から、本発明の限定する範囲
のB/A≧4,1/2（Ｂ−Ａ）≧12mmにおいて、伝送ロスが減
少していることが判る。
のB/A≧4,1/2（Ｂ−Ａ）≧12mmにおいて、伝送ロスが減
少していることが判る。
実施例及び比較例 VAD法により高純度なSiO2ガラスロツドを合成し、こ
れをヒータがカーボンである抵抗炉を用いて、所定の外
径に延伸しコア用ロツドを得た。一方、比屈折率差でSi
O2ガラスに比べ0.7％低い屈折率のＦ含有SiO2ガラスロ
ツドをVAD法により合成し、これを上記と同様の炉で延
伸した後その中央を穿孔して所定サイズのクラツド用パ
イプを作製した。表２にコア用ロツドとクラツド用パイ
プの組合せを示す。No.1,No.2,No.5,No.6,No.8が本発明
品（実施例）であり、No.3,No.4,No.7,No.9が比較品
（比較例）である。
れをヒータがカーボンである抵抗炉を用いて、所定の外
径に延伸しコア用ロツドを得た。一方、比屈折率差でSi
O2ガラスに比べ0.7％低い屈折率のＦ含有SiO2ガラスロ
ツドをVAD法により合成し、これを上記と同様の炉で延
伸した後その中央を穿孔して所定サイズのクラツド用パ
イプを作製した。表２にコア用ロツドとクラツド用パイ
プの組合せを示す。No.1,No.2,No.5,No.6,No.8が本発明
品（実施例）であり、No.3,No.4,No.7,No.9が比較品
（比較例）である。
以上のコア用ロツドをクラツド用パイプの中空部に挿
入し、両者の界面にCl2 300cc/分およびSF6 500cc/分を
導入しながら、No.1〜No.8のものは温度約1800℃の抵抗
炉により加熱し、No.9については酸水素炎を用いて加熱
し、パイプの一端より該パイプを収縮させることによ
り、上記コアロツドとクラツドパイプとを溶着一体化さ
せた（第２図参照）。得られた構成体を延伸し、この延
伸体の外周部に第３図の構成のVAD法によりSiO2スート
を堆積させてスート体とした。SiO2スート層の厚さは、
これをフツ素添加および透明化して線引用プリフオーム
とした後、外径125μｍのフアイバに線引きしたとき、
そのコア径が５μｍとなるような所定厚さとした。該ス
ート体を表１の第１ステツプの条件で脱水し、第２ステ
ツプの条件でフツ素添加し、第３ステツプの条件で透明
化してフアイバ母材とし、これを線引きして外径125μ
ｍ、コア径５μｍのフアイバを得た。
入し、両者の界面にCl2 300cc/分およびSF6 500cc/分を
導入しながら、No.1〜No.8のものは温度約1800℃の抵抗
炉により加熱し、No.9については酸水素炎を用いて加熱
し、パイプの一端より該パイプを収縮させることによ
り、上記コアロツドとクラツドパイプとを溶着一体化さ
せた（第２図参照）。得られた構成体を延伸し、この延
伸体の外周部に第３図の構成のVAD法によりSiO2スート
を堆積させてスート体とした。SiO2スート層の厚さは、
これをフツ素添加および透明化して線引用プリフオーム
とした後、外径125μｍのフアイバに線引きしたとき、
そのコア径が５μｍとなるような所定厚さとした。該ス
ート体を表１の第１ステツプの条件で脱水し、第２ステ
ツプの条件でフツ素添加し、第３ステツプの条件で透明
化してフアイバ母材とし、これを線引きして外径125μ
ｍ、コア径５μｍのフアイバを得た。
得られた各フアイバの波長1.0μｍにおける損失（α
1.0）および波長依存性のない損失（α∞）を測定し
た。これ等の結果もまとめて表２に示す。また表２には
載せていないが、OH基による1.38μｍ波長での吸収損失
についてはNo.9以外は2dB/km以下と低いものであつた
が、No.9は5.5dB/kmと大きな値を示した。これにコラツ
プスの際の加熱源のちがいに基因すると考えられる。
1.0）および波長依存性のない損失（α∞）を測定し
た。これ等の結果もまとめて表２に示す。また表２には
載せていないが、OH基による1.38μｍ波長での吸収損失
についてはNo.9以外は2dB/km以下と低いものであつた
が、No.9は5.5dB/kmと大きな値を示した。これにコラツ
プスの際の加熱源のちがいに基因すると考えられる。
以上の結果から、コア径Ａおよびクラツド径Ｂが本発
明の限定する範囲，条件を満足しかつ加熱源として水素
を含む火炎以外のものを用いた場合に、伝送特性が優れ
たシングルモードフアイバが得られていることが明らか
にわかる。
明の限定する範囲，条件を満足しかつ加熱源として水素
を含む火炎以外のものを用いた場合に、伝送特性が優れ
たシングルモードフアイバが得られていることが明らか
にわかる。
〔発明の効果〕 以上の説明及び実施例、比較例の結果から明らかなよ
うに、本発明の製法及び本発明による光フアイバ用母材
は特定の寸法関係にあるコアロツドとクラツドパイプを
水素を含む火炎以外の加熱源で溶着一体化することによ
り、従来法では得がたかつたSiO2コア/F-SiO2クラツド
で第１図（ａ）及び（ｂ）に示す屈折率分布のシングル
モードフアイバで伝送損失が小さいものの製造を可能と
した。特にSiO2コア/F-SiO2クラツドの分散シフト型シ
ングルモードフアイバで伝送損失の小さなものを簡単な
製法で実現できる点で、非常に有利である。
うに、本発明の製法及び本発明による光フアイバ用母材
は特定の寸法関係にあるコアロツドとクラツドパイプを
水素を含む火炎以外の加熱源で溶着一体化することによ
り、従来法では得がたかつたSiO2コア/F-SiO2クラツド
で第１図（ａ）及び（ｂ）に示す屈折率分布のシングル
モードフアイバで伝送損失が小さいものの製造を可能と
した。特にSiO2コア/F-SiO2クラツドの分散シフト型シ
ングルモードフアイバで伝送損失の小さなものを簡単な
製法で実現できる点で、非常に有利である。
【図面の簡単な説明】 第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明に係わるシングルモー
ドフアイバの屈折率分布構造及びガラス組成を説明する
図である。 第２図及び第３図は本発明の実施態様の説明図であつ
て、第２図はコラツプス工程を、第３図はスート堆積工
程を示す。 第４図はクラツド径／コア径比＝B/Aと波長1.0μｍにお
ける伝送損失（dB/km）の関係を示す図表である。 第５図はクラツド半径とコア半径の差1/2（Ｂ−Ａ）mm
と、波長1.0μｍにおける伝送ロス（dB/km）の関係を示
す図表である。
ドフアイバの屈折率分布構造及びガラス組成を説明する
図である。 第２図及び第３図は本発明の実施態様の説明図であつ
て、第２図はコラツプス工程を、第３図はスート堆積工
程を示す。 第４図はクラツド径／コア径比＝B/Aと波長1.0μｍにお
ける伝送損失（dB/km）の関係を示す図表である。 第５図はクラツド半径とコア半径の差1/2（Ｂ−Ａ）mm
と、波長1.0μｍにおける伝送ロス（dB/km）の関係を示
す図表である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石黒 洋一 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友 電気工業株式会社横浜製作所内 (56)参考文献 特開 昭60−239334（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−202401（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−167235（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−46931（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】SiO2ガラスからなるコア用ロツドをその比
屈折率差がSiO2ガラスよりも0.5％以上小さいクラツド
用パイプの中空部内に挿入して加熱することにより両者
を溶着一体化する工程を有する光フアイバ用母材の製造
方法において、上記クラツド用パイプとして外径100mm
以下のフツ素含有SiO2ガラスパイプを用い、かつ溶着一
体化した後のコア径Ａおよびクラツド径Ｂが Ａ≧3mm B/A≧４ 1/2（Ｂ−Ａ）≧12mm の上記条件を満足するようにコア用ロツド及びクラツド
用パイプのサイズを決め、コアガラス表面が滑らかにな
るように水素を含む火炎以外を加熱源として用いて加熱
し一体化することを特徴とする光フアイバ用母材の製造
方法。 - 【請求項２】SiO2ガラスからなるコア用ロツドをその比
屈折率差がSiO2ガラスよりも0.5％以上小さく外径100mm
以下のクラツド用フツ素含有SiO2ガラスパイプの中空部
内に挿入し溶着一体化してなる光フアイバ用母材におい
て、溶着一体化した後のコア径Ａおよびクラツド径Ｂが Ａ≧3mm B/A≧４ 1/2（Ｂ−Ａ）≧12mm の上記条件を満足するものであることを特徴とする光フ
アイバ用母材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62248089A JP2645710B2 (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | 光ファイバ用母材及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62248089A JP2645710B2 (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | 光ファイバ用母材及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0193434A JPH0193434A (ja) | 1989-04-12 |
| JP2645710B2 true JP2645710B2 (ja) | 1997-08-25 |
Family
ID=17173044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62248089A Expired - Fee Related JP2645710B2 (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | 光ファイバ用母材及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2645710B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59202401A (ja) * | 1983-05-02 | 1984-11-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバおよびその製造方法 |
| JPS60239334A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ用母材の製造方法 |
| JPH062599B2 (ja) * | 1985-08-23 | 1994-01-12 | 住友電気工業株式会社 | 光フアイバ用母材の製造方法 |
| JPS62167235A (ja) * | 1986-01-21 | 1987-07-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ用母材の製造方法 |
-
1987
- 1987-10-02 JP JP62248089A patent/JP2645710B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0193434A (ja) | 1989-04-12 |
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