JP2645709B2 - 光ファイバ用母材及びその製造方法 - Google Patents
光ファイバ用母材及びその製造方法Info
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- JP2645709B2 JP2645709B2 JP62248088A JP24808887A JP2645709B2 JP 2645709 B2 JP2645709 B2 JP 2645709B2 JP 62248088 A JP62248088 A JP 62248088A JP 24808887 A JP24808887 A JP 24808887A JP 2645709 B2 JP2645709 B2 JP 2645709B2
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/01205—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments starting from tubes, rods, fibres or filaments
- C03B37/01225—Means for changing or stabilising the shape, e.g. diameter, of tubes or rods in general, e.g. collapsing
- C03B37/01248—Means for changing or stabilising the shape, e.g. diameter, of tubes or rods in general, e.g. collapsing by collapsing without drawing
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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- C03B37/01211—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments starting from tubes, rods, fibres or filaments by inserting one or more rods or tubes into a tube
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2201/00—Type of glass produced
- C03B2201/06—Doped silica-based glasses
- C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
- C03B2201/12—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with fluorine
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光フアイバ用母材の製造方法に関し、詳しく
はシングルモードフアイバ、特に1.55μｍ波長帯で零分
散となる分散シフト型シングルモードフアイバ用母材の
製造方法に関するものである。
はシングルモードフアイバ、特に1.55μｍ波長帯で零分
散となる分散シフト型シングルモードフアイバ用母材の
製造方法に関するものである。
従来の光フアイバ製造技術の一つに、第２図に示すよ
うにコア用ガラスロツド４をクラツド用ガラスパイプ５
の中空部に挿入した状態で、これを加熱により溶着一体
化（コラツプスと称する）して、コア／クラツドからな
る構成体７を作製し、該構成体７を高温炉を用いて線引
きし光フアイバとする方法があり、ロツドインチユーブ
法として知られている。
うにコア用ガラスロツド４をクラツド用ガラスパイプ５
の中空部に挿入した状態で、これを加熱により溶着一体
化（コラツプスと称する）して、コア／クラツドからな
る構成体７を作製し、該構成体７を高温炉を用いて線引
きし光フアイバとする方法があり、ロツドインチユーブ
法として知られている。
近年、分散シフト型等のシングルモードフアイバの開
発が進んでいるが、この種のフアイバは、コアとクラツ
ドの屈折率差が大きく、コア径が小さく、しかもクラツ
ド径／コア径（比）が大きいという構造が要求される。
発が進んでいるが、この種のフアイバは、コアとクラツ
ドの屈折率差が大きく、コア径が小さく、しかもクラツ
ド径／コア径（比）が大きいという構造が要求される。
前記したロツドインチユーブ法により、コア径が小さ
く、クラツド径／コア径比の大きなシングルモードフア
イバ母材を作製するには、コラツプスまでの操作を繰返
す或は第３図に示すようにコア／クラツドからなる構成
体７の外周に、更にバーナ９の火炎中に合成したガラス
微粒子（スート）10を堆積してクラツド用スート体８を
形成する方法（例えば特願昭61-72433号公報）等が知ら
れている。
く、クラツド径／コア径比の大きなシングルモードフア
イバ母材を作製するには、コラツプスまでの操作を繰返
す或は第３図に示すようにコア／クラツドからなる構成
体７の外周に、更にバーナ９の火炎中に合成したガラス
微粒子（スート）10を堆積してクラツド用スート体８を
形成する方法（例えば特願昭61-72433号公報）等が知ら
れている。
しかしながら、上記した従来技術によつてシングルモ
ードフアイバ、特にフアイバ断面の屈折率分布が第１図
（ａ）又は（ｂ）に示す構造で、コア１が純粋石英（Si
O2）ガラスからなり、クラツド２がフツ素含有石英（F-
SiO2）ガラスからなり、コアとクラツドの比屈折率差が
0.5％以上となる分散シフト型シングルモードフアイバ
を作製すると、伝送損失の小さなフアイバが得られない
という問題があつた。
ードフアイバ、特にフアイバ断面の屈折率分布が第１図
（ａ）又は（ｂ）に示す構造で、コア１が純粋石英（Si
O2）ガラスからなり、クラツド２がフツ素含有石英（F-
SiO2）ガラスからなり、コアとクラツドの比屈折率差が
0.5％以上となる分散シフト型シングルモードフアイバ
を作製すると、伝送損失の小さなフアイバが得られない
という問題があつた。
本発明はシングルモードフアイバ、特にコアがSiO2ガ
ラス、クラツドがF-SiO2ガラスからなり、1.55μｍで零
分散となる分散シフト型シングルモードフアイバであつ
て、伝送損失の小さなフアイバを、ロツドインチユーブ
法を利用した方法で製造すること及びこれによる光フア
イバ用母材を目的としてなされたものである。
ラス、クラツドがF-SiO2ガラスからなり、1.55μｍで零
分散となる分散シフト型シングルモードフアイバであつ
て、伝送損失の小さなフアイバを、ロツドインチユーブ
法を利用した方法で製造すること及びこれによる光フア
イバ用母材を目的としてなされたものである。
本発明はSiO2ガラスからなるコア用ロツドをその比屈
折率差がSiO2ガラスよりも0.5％以上小さいクラツド用
パイプの中空部内に挿入して加熱することにより両者を
溶着一体化する工程を有する光フアイバ用母材の製造方
法において、上記クラツド用パイプとして外径50mm以下
のフツ素含有SiO2ガラスパイプを用い、かつ溶着一体化
した後のコア径Ａおよびクラツド径Ｂが の上記条件を満足するようにコア用ロツド及びクラツド
用パイプのサイズを決め、コアガラス表面が滑らかにな
るように水素を含む火炎を加熱源として用いて加熱し一
体化することを特徴とする光フアイバ用母材の製造方
法、及びSiO2ガラスからなるコア用ロツドをその比屈折
率差がSiO2ガラスよりも0.5％以上小さく外径50mm以下
のクラツド用フツ素含有SiO2ガラスパイプの中空部内に
挿入し溶着一体化してなる光フアイバ用母材において、
溶着一体化した後のコア径Ａおよびクラツド径Ｂが Ａ≧2mm B/A≧６ 1/2（Ｂ−Ａ）≧7mm の上記条件を満足するものであることを特徴とする光フ
アイバ用母材であり、これにより伝送特性に優れた1.55
μｍ帯零分散シフトシングルモードフアイバを効率の良
いロツドインチユーブ法を利用して製造することを実現
するものである。
折率差がSiO2ガラスよりも0.5％以上小さいクラツド用
パイプの中空部内に挿入して加熱することにより両者を
溶着一体化する工程を有する光フアイバ用母材の製造方
法において、上記クラツド用パイプとして外径50mm以下
のフツ素含有SiO2ガラスパイプを用い、かつ溶着一体化
した後のコア径Ａおよびクラツド径Ｂが の上記条件を満足するようにコア用ロツド及びクラツド
用パイプのサイズを決め、コアガラス表面が滑らかにな
るように水素を含む火炎を加熱源として用いて加熱し一
体化することを特徴とする光フアイバ用母材の製造方
法、及びSiO2ガラスからなるコア用ロツドをその比屈折
率差がSiO2ガラスよりも0.5％以上小さく外径50mm以下
のクラツド用フツ素含有SiO2ガラスパイプの中空部内に
挿入し溶着一体化してなる光フアイバ用母材において、
溶着一体化した後のコア径Ａおよびクラツド径Ｂが Ａ≧2mm B/A≧６ 1/2（Ｂ−Ａ）≧7mm の上記条件を満足するものであることを特徴とする光フ
アイバ用母材であり、これにより伝送特性に優れた1.55
μｍ帯零分散シフトシングルモードフアイバを効率の良
いロツドインチユーブ法を利用して製造することを実現
するものである。
以下に本発明に到達した経緯から始めて、本発明を詳
細に説明する。
細に説明する。
コアがSiO2、クラツドがF-SiO2ガラスからなり第１図
（ａ）又は（ｂ）に示す屈折率分布構造であつて、分散
シフト型等のコア・クラツドの比屈折率差が0.5以上と
大きく、かつコア径が５μｍ程度と小さなフアイバを作
製しようとすると、クラツドへのフツ素（Ｆ）添加量を
大きくとる必要があり、また、クラツド径／コア径比を
大きく形成する必要がある。
（ａ）又は（ｂ）に示す屈折率分布構造であつて、分散
シフト型等のコア・クラツドの比屈折率差が0.5以上と
大きく、かつコア径が５μｍ程度と小さなフアイバを作
製しようとすると、クラツドへのフツ素（Ｆ）添加量を
大きくとる必要があり、また、クラツド径／コア径比を
大きく形成する必要がある。
ところでSiO2にフツ素（Ｆ）を添加してF-SiO2とする
と、その物性がSiO2とは異つてくるが、特に粘性におい
て大きく変化し、Ｆの添加によつてSiO2の粘性は大巾に
低下する。Ｆ添加量の多いシングルモードフアイバでは
これが特に顕著になる。
と、その物性がSiO2とは異つてくるが、特に粘性におい
て大きく変化し、Ｆの添加によつてSiO2の粘性は大巾に
低下する。Ｆ添加量の多いシングルモードフアイバでは
これが特に顕著になる。
コラツプス法で本発明の目的とする細径SiO2コア、太
径のF-SiO2クラツドからなる構造体の作製を試みると、
加熱の際にクラツドガラスがより軟かくなるため、この
クラツドガラスがコアガラスにより低温状態で溶着して
しまい、コアガラス表面が充分な加熱による滑らかな状
態（アレのない状態）となる以前に一体化してしまう。
そのためにコア−クラツド界面にはアレが残る度合が大
きくなり、これがフアイバの伝送損失の劣下を招く大き
な要因となつていた。
径のF-SiO2クラツドからなる構造体の作製を試みると、
加熱の際にクラツドガラスがより軟かくなるため、この
クラツドガラスがコアガラスにより低温状態で溶着して
しまい、コアガラス表面が充分な加熱による滑らかな状
態（アレのない状態）となる以前に一体化してしまう。
そのためにコア−クラツド界面にはアレが残る度合が大
きくなり、これがフアイバの伝送損失の劣下を招く大き
な要因となつていた。
また、F-SiO2ガラスにおいては、SiO2ガラスに比し
て、金属イオン等の拡散速度が高温下で大きく、特にＦ
濃度の高いガラスでは、コラツプスまたは線引等の加熱
工程において、外部から混入する、光フアイバの伝送特
性に有害な金属やOH基等の不純物が、コア近辺に拡散す
る度合が高くなる。これによつても光フアイバの伝送損
失が大きく劣下する。
て、金属イオン等の拡散速度が高温下で大きく、特にＦ
濃度の高いガラスでは、コラツプスまたは線引等の加熱
工程において、外部から混入する、光フアイバの伝送特
性に有害な金属やOH基等の不純物が、コア近辺に拡散す
る度合が高くなる。これによつても光フアイバの伝送損
失が大きく劣下する。
そこで本発明者らは、上記の物性差による影響ができ
るだけ小さくなるような、加熱工程での加熱源、そのと
きのコアとクラツドのサイズ等を求めて、詳細に検討し
実験を重ねた。
るだけ小さくなるような、加熱工程での加熱源、そのと
きのコアとクラツドのサイズ等を求めて、詳細に検討し
実験を重ねた。
この結果、クラツドとなるF-SiO2ガラスパイプとし
て、屈折率値がSiO2ガラスに比べ比屈折率差で0.5％以
上小さな場合、パイプの外径が50mmより小さいパイプを
用いて、加熱源として水素を含む火炎を用いてコラツプ
スを行ない、さらにコラツプス後のコア径をＡ、クラツ
ド径をＢとするとき、下記の Ａ≧2mm、 B/A≧６、１ ／２（Ｂ−Ａ）≧7mm の条件を満せば、うまくコラツプスでき、また不純物、
特に残留水分の影響も、実用フアイバとしては無視でき
る程小さなSiO2コアの分散シフトシングルモードフアイ
バが得られることが判つた。
て、屈折率値がSiO2ガラスに比べ比屈折率差で0.5％以
上小さな場合、パイプの外径が50mmより小さいパイプを
用いて、加熱源として水素を含む火炎を用いてコラツプ
スを行ない、さらにコラツプス後のコア径をＡ、クラツ
ド径をＢとするとき、下記の Ａ≧2mm、 B/A≧６、１ ／２（Ｂ−Ａ）≧7mm の条件を満せば、うまくコラツプスでき、また不純物、
特に残留水分の影響も、実用フアイバとしては無視でき
る程小さなSiO2コアの分散シフトシングルモードフアイ
バが得られることが判つた。
本発明に用いるF-SiO2ガラスからなるクラツド用のパ
イプは、例えば特願昭53-137659号明細書、同58-195209
号明細書、同60-103997号明細書等に提案される方法に
より、径方向に比較的均一にＦが添加された高純度な石
英ガラス母材を作製することができるので、該母材中央
に機械的に穿孔することにより所望のパイプを得ること
ができる。該クラツドパイプの外径は50mm以下、肉厚は
20mm以下が好ましい。これらの値を越えるとコア部表面
を充分に高温とすることが難かしくなるからである。
イプは、例えば特願昭53-137659号明細書、同58-195209
号明細書、同60-103997号明細書等に提案される方法に
より、径方向に比較的均一にＦが添加された高純度な石
英ガラス母材を作製することができるので、該母材中央
に機械的に穿孔することにより所望のパイプを得ること
ができる。該クラツドパイプの外径は50mm以下、肉厚は
20mm以下が好ましい。これらの値を越えるとコア部表面
を充分に高温とすることが難かしくなるからである。
コアのSiO2ガラスロツドは、原料ガス中にGeO2等のド
ーパントを導入しない条件でSiO2スート体を作製し、こ
れをCl2等の塩素系ガスで充分に脱水処理した後、さら
に加熱して透明化することにより所望のガラスロツドを
作製できる。
ーパントを導入しない条件でSiO2スート体を作製し、こ
れをCl2等の塩素系ガスで充分に脱水処理した後、さら
に加熱して透明化することにより所望のガラスロツドを
作製できる。
以上のようなクラツド用F-SiO2パイプの中空部にコア
用SiO2ロツドを挿入した状態で、水素を含む火炎で該パ
イプの外側から加熱しコラツプスする。
用SiO2ロツドを挿入した状態で、水素を含む火炎で該パ
イプの外側から加熱しコラツプスする。
本発明に用いられる水素を含む火炎としては、例えば
H2／O2炎、天然ガス／O2炎、メタン／O2やプロパン／O2
等の炭化水素／O2炎等が手軽で強い火力が得られる点で
好ましい。
H2／O2炎、天然ガス／O2炎、メタン／O2やプロパン／O2
等の炭化水素／O2炎等が手軽で強い火力が得られる点で
好ましい。
コラツプス後のコア径Ａとクラツド径Ｂについては、
まずＡ≧2mmが好ましく、これはこの径よりも細くなる
と、コラツプス過程にてコアが蛇行し易くなり、コア周
辺に気泡を巻き込んだり、コアの偏心が大きなものとな
つたりして良好なコラツプス体が得られないからであ
る。
まずＡ≧2mmが好ましく、これはこの径よりも細くなる
と、コラツプス過程にてコアが蛇行し易くなり、コア周
辺に気泡を巻き込んだり、コアの偏心が大きなものとな
つたりして良好なコラツプス体が得られないからであ
る。
またB/A≧６及び１／２（Ｂ−Ａ）≧7mmという条件
は、いずれも得られるフアイバの伝送損失に大きな影響
を与える残留水分量を所定の値に制限するという理由に
よる。
は、いずれも得られるフアイバの伝送損失に大きな影響
を与える残留水分量を所定の値に制限するという理由に
よる。
コアとクラツドの比屈折率差が0.5％で、コア径が５
μｍ、フアイバ外径が125μｍの第１図（ａ）の構造の
フアイバを、H2／O2炎によるコラツプスと、第３図に示
すスート堆積法を組合せて合成した。このとき、コラツ
プス後のＢを24mmと一定値にしてコア用ロツド外径Ａの
値を主に変えて、クラツド径／コア径すなわちB/Aを変
化させた場合の、光フアイバの1.38μｍにおける伝送ロ
スの変化を調べた。1.38μｍでの伝送ロスは残留OH量を
推定できる。この結果は第４図のグラフに示すとおりで
あつて、本発明の範囲のB/Aが６以上で伝送ロスが急激
に低下していることが判る。
μｍ、フアイバ外径が125μｍの第１図（ａ）の構造の
フアイバを、H2／O2炎によるコラツプスと、第３図に示
すスート堆積法を組合せて合成した。このとき、コラツ
プス後のＢを24mmと一定値にしてコア用ロツド外径Ａの
値を主に変えて、クラツド径／コア径すなわちB/Aを変
化させた場合の、光フアイバの1.38μｍにおける伝送ロ
スの変化を調べた。1.38μｍでの伝送ロスは残留OH量を
推定できる。この結果は第４図のグラフに示すとおりで
あつて、本発明の範囲のB/Aが６以上で伝送ロスが急激
に低下していることが判る。
実施例及び比較例 VAD法により高純度なSiO2ガラスロツドを合成し、こ
れをヒータがカーボンである抵抗炉を用いて、所定の外
径に延伸した。一方、比屈折率差でSiO2ガラスに比べ0.
7％低い屈折率のＦ含有SiO2ガラスロツドをVAD法により
合成し、これらの中央を穿孔し、次に延伸して所定サイ
ズのクラツド用パイプを作製した。表１にロツドとパイ
プの組合せを示す。No.1〜No.3が本発明品（実施例）で
あり、No.4〜No.6は比較品（比較例）である。
れをヒータがカーボンである抵抗炉を用いて、所定の外
径に延伸した。一方、比屈折率差でSiO2ガラスに比べ0.
7％低い屈折率のＦ含有SiO2ガラスロツドをVAD法により
合成し、これらの中央を穿孔し、次に延伸して所定サイ
ズのクラツド用パイプを作製した。表１にロツドとパイ
プの組合せを示す。No.1〜No.3が本発明品（実施例）で
あり、No.4〜No.6は比較品（比較例）である。
以上のガラスロツドをクラツド用ガラスパイプの中空
部に挿入し、両者の界面にCl2 300cc/分及びSF6 500cc/
分を導入しながら、H2／O2炎バーナにより約1800℃に加
熱し、パイプの一端より該パイプを収縮させることによ
り、上記コアロツドとクラツドパイプとを溶着一体化さ
せた（第２図参照）。得られた構成体を延伸し、この延
伸体の外周部に第３図の構成のVAD法によりSiO2スート
を堆積させた。SiO2スート層の厚さは、これをフツ素添
加及び透明化して線引用プリフオームとした後、外径12
5μｍのフアイバに線引きしたとき、コア径が５μｍと
なるような所定厚さとした。該スート体を表１の第１ス
テツプの条件で脱水し、第２ステツプの条件でフツ素添
加し、第３ステツプの条件で透明化してフアイバ母材と
し、線引きし、外径125μｍ、コア５μｍのフアイバを
得た。
部に挿入し、両者の界面にCl2 300cc/分及びSF6 500cc/
分を導入しながら、H2／O2炎バーナにより約1800℃に加
熱し、パイプの一端より該パイプを収縮させることによ
り、上記コアロツドとクラツドパイプとを溶着一体化さ
せた（第２図参照）。得られた構成体を延伸し、この延
伸体の外周部に第３図の構成のVAD法によりSiO2スート
を堆積させた。SiO2スート層の厚さは、これをフツ素添
加及び透明化して線引用プリフオームとした後、外径12
5μｍのフアイバに線引きしたとき、コア径が５μｍと
なるような所定厚さとした。該スート体を表１の第１ス
テツプの条件で脱水し、第２ステツプの条件でフツ素添
加し、第３ステツプの条件で透明化してフアイバ母材と
し、線引きし、外径125μｍ、コア５μｍのフアイバを
得た。
得られた各フアイバの波長1.38μｍにおける損失（α
1.38）を測定した。これ等の結果を表２に示す。
1.38）を測定した。これ等の結果を表２に示す。
表２の結果からコア径Ａおよびクラツド径Ｂが本発明
の限定する範囲、条件を満足する場合に伝送損失特性が
優れたシングルモードフアイバとなつていることが明ら
かに判る。
の限定する範囲、条件を満足する場合に伝送損失特性が
優れたシングルモードフアイバとなつていることが明ら
かに判る。
〔発明の効果〕 以上の説明及び実施例、比較例の結果から明らかなよ
うに、本発明の製法及び本発明による光フアイバ用母材
は、従来のロツドインチユーブ・コラツプスを利用した
方法では伝送損失の小さなフアイバが得られなかつた、
SiO2コア/F-SiO2クラツドで第１図（ａ）、（ｂ）に示
す屈折率分布のシングルモードフアイバで伝送損失が小
さいものの製造を可能とし、特にこの種の分散シフト型
シングルモードフアイバで伝送損失の小さなものを実現
できる点で、非常に有利である。
うに、本発明の製法及び本発明による光フアイバ用母材
は、従来のロツドインチユーブ・コラツプスを利用した
方法では伝送損失の小さなフアイバが得られなかつた、
SiO2コア/F-SiO2クラツドで第１図（ａ）、（ｂ）に示
す屈折率分布のシングルモードフアイバで伝送損失が小
さいものの製造を可能とし、特にこの種の分散シフト型
シングルモードフアイバで伝送損失の小さなものを実現
できる点で、非常に有利である。
第１図（ａ）及び（ｂ）は本発明に係わるシングルモー
ドフアイバの屈折率分布構造及びガラス組成を説明する
図である。 第２図及び第３図は本発明の実施態様の説明図であつ
て、第２図はコラツプス工程を、第３図はスート堆積工
程を示す。 第４図はクラツド径／コア径比:B/Aと波長1.38μｍにお
ける伝送ロス（dB/Km）の関係を示す図表である。
ドフアイバの屈折率分布構造及びガラス組成を説明する
図である。 第２図及び第３図は本発明の実施態様の説明図であつ
て、第２図はコラツプス工程を、第３図はスート堆積工
程を示す。 第４図はクラツド径／コア径比:B/Aと波長1.38μｍにお
ける伝送ロス（dB/Km）の関係を示す図表である。
フロントページの続き (72)発明者 金森 弘雄 神奈川県横浜市栄区田谷町１番地 住友 電気工業株式会社横浜製作所内 (56)参考文献 特開 昭60−239334（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−202401（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−167235（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】SiO2ガラスからなるコア用ロツドをその比
屈折率差がSiO2ガラスよりも0.5％以上小さいクラツド
用パイプの中空部内に挿入して加熱することにより両者
を溶着一体化する工程を有する光フアイバ用母材の製造
方法において、上記クラツド用パイプとして外径50mm以
下のフツ素含有SiO2ガラスパイプを用い、かつ溶着一体
化した後のコア径Ａおよびクラツド径Ｂが Ａ≧2mm B/A≧６ 1/2（Ｂ−Ａ）≧7mm の上記条件を満足するようにコア用ロツド及びクラツド
用パイプのサイズを決め、コアガラス表面が滑らかにな
るように水素を含む火炎を加熱源として用いて加熱し一
体化することを特徴とする光フアイバ用母材の製造方
法。 - 【請求項２】SiO2ガラスからなるコア用ロツドをその比
屈折率差がSiO2ガラスよりも0.5％以上小さく外径50mm
以下のクラツド用フツ素含有SiO2ガラスパイプの中空部
内に挿入し溶着一体化してなる光フアイバ用母材におい
て、溶着一体化した後のコア径Ａおよびクラツド径Ｂが Ａ≧2mm B/A≧６ 1/2（Ｂ−Ａ）≧7mm の上記条件を満足するものであることを特徴とする光フ
アイバ用母材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62248088A JP2645709B2 (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | 光ファイバ用母材及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62248088A JP2645709B2 (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | 光ファイバ用母材及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0193433A JPH0193433A (ja) | 1989-04-12 |
| JP2645709B2 true JP2645709B2 (ja) | 1997-08-25 |
Family
ID=17173028
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62248088A Expired - Fee Related JP2645709B2 (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | 光ファイバ用母材及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2645709B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000026150A1 (fr) * | 1998-10-29 | 2000-05-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Procede de production de preforme et de fibre optique |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59202401A (ja) * | 1983-05-02 | 1984-11-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバおよびその製造方法 |
| JPS60239334A (ja) * | 1984-05-11 | 1985-11-28 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光フアイバ用母材の製造方法 |
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-
1987
- 1987-10-02 JP JP62248088A patent/JP2645709B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0193433A (ja) | 1989-04-12 |
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