JPS62202491A - マスク応力除去特性を有するマスク組立体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、薄膜型表示パネル等の＃膜デバイスに関する
ものであシ、特には薄膜デバイスの為の薄膜構造体パタ
ーンの付着方法及びそこで使用されるマスク組立体に関
する。

本件出願人に係る同日出願「シャドウマスクによるＢＬ
＠極パターンの自動精密整合用機構」において、イン−
ライン付着システムにおいて操作されている間に基板へ
のシャドウマスクの遠隔制御された完全自動整合を可能
ならしめる機構が開示されている。

更に、本件出願人に係る同日出願「７Ｉ！！膜型ｇＬデ
バイスにおいて電極構造体をパターン形成する為のマス
ク」においては、マスク構造体及びそうしたマスク構造
体を使用する！＃膜梨型エレクトロルミネセンスＥＬ）
デバイスの為の電極構造体を作成する方法が開示されて
いる。

これらと併せて、本発明は、薄膜デバイスにおける薄膜
構造体パターン形成技術の向上を図るものである。

発明の背景 Ｎ脱型表示パネル（ＬＣＤ或いはエレクトロルミネセン
スのような）は、交差電極を含む薄膜構造体がガラス基
板上に付着できそれにより個々の画素を励起或いは発光
化するべく選択的に付勢されうるマトリックス表示パネ
ルを提供しうるが故に、情報を表示するのに非常に有用
な手段として知られてきた。薄膜型表示パネルの作製に
おいてこれまで遭遇した問題の１つは、薄膜電極構造体
をパターン形成するプロセスの開発である。

大半の薄膜型デバイスは、それらの薄膜構造体をホトリ
ソグラフィ（写真製版、光食刻）として知られる湿式プ
ロセスによシ或いはシャドウマスク法によシバターン形
成してきた。ホトリソグラフィは、パターン形成される
べき付着層が感光性材料で被覆され、その後ネガ或いは
ポジパターンに露光されて現像されそして後様々の腐食
性現像用溶液中で剥離される点で、写真現象に使用され
るプロセスに非常に類似している。

この方法の欠点は、それが時間がかか）、そして労力の
集約を要しそして各段階が薄膜デバイスの破損或いは汚
染の危険性下にある多数の段階と関与することである０ 薄ｇ！構造体を付着する為にシャドウマスクを使用する
ことに関しては、例えば米国特許第４，３３５，１６１
号「薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタアレイ及びそ
の作製方法」全参照されたい。概述すると、この特許は
、単一の開口付きマスクを通して異った要素を真空中で
付着することによシ薄膜トランジスタ或いは薄膜トラン
ジスタのアレイ七作製する方法を開示し、ここでは開口
付きマスクは要素の各々の付着の論所定のパターンにお
いて移動される。この方法において、半導体材料はマス
クを通して付着されそして後マスクがマスクにおける開
口の最長寸法に等しい距離一つの方向に移動される。薄
膜トランジスタ形成プロセス全体全通して、マスクは様
々の方向に何度か移動される。こうして形成される組立
体は真空から取出されそして作製工程はホトリソグラフ
ィのような技術によシ完成される。

この特許によシ示されるように、シャドウマスク技術は
通常、特定の基板との一様な接触を保証するよう手動的
に把持しうる剛性マスクを使用して小さな基板上で実施
された。これは、比較的時間を要するプロセスであシ、
そして通常付着室内で真空を解除するとと全必要とし、
成る種の薄膜汚染をもたらす。大表面積マスクを通して
付着する時には、基板はその周囲基板ホルダに対して完
全に平坦でないか或いは同水準になしえないのが一般的
である。

本発明は、イン−ライン付着システムにおいて広表面積
シャドウマスクの遠隔自動取扱いの困難さから生ずるこ
うした問題や他の問題に対処する。

ホトリソグラフィの使用なく薄膜構造体を生成しうるよ
うな方法が開発、されれば、それは薄膜構られる。加え
て、付着操作中マスクにおける応力を除去しつつマスク
を支持する機構は斯界の有意餞なる進展に寄与すると信
ぜられるＯ 発明の目的 従って、本発明の主たる目的は、薄膜構造体付着技術特
に薄膜型表示パネルに関与する技＃ｉを向上することで
ある。

本発明のまた別の目的は、薄膜デノ（イスにおける薄膜
構造体、特に表示パネルにおける電極構造体をパターン
形成する為のマスク組立体を提供することである。

本発明の更に別の目的は、付層操作中マスクにおける応
力を除去しつつマスクを支持する手段を具備するマスク
組立体の使用と関与する、電極構造体パターン付着方法
を提供することである。

発明の概要 本発明の一様相に従えば、少くとも基板上具備する薄膜
デバイスに対して薄膜構造体の）くターン形成の為のマ
スク組立体が提供される。このマス〃鉗立体け、所宗の
開口パターンを具備しそして該開口を取巻いて配置され
る縁取部分を備える金属質インナーシャドウマスク部分
を含む。加えて、金属質アウターマスク部分がインナー
マスク部分の周囲に且つ同一平面で位置づけられる。更
に、このマスク組立体は、薄膜構造体の付着操作中イン
ナーマスク部分における応力を除去しつつインナーマス
ク部分を支持する為の手段を含んでいる。

この支持手段はインナー及びアウターマスク部分間にそ
れらと作用接触状態で配置される。

本発明のまた別の様相に従えば、少くとも基板を具備す
る薄膜デバイスに対して薄膜構造体パターンを付着する
方法が提供される。この方法は、所定の冊ロバターンを
有しそして該開口を取巻いて配置される縁取部分を備え
る金属質インナーシャドウマスク部分と、該インナーシ
ャドウマスク部分の周囲に同一平面で位置づけられる金
属質アウターマスク部分と、薄膜構造体の付着操作中前
記インナーシャドウマスク部分における応力を除去しつ
つ該インナーシャドウマスク部分を支持する手段とを備
え、該支持手段を前記インナー及びアウターマスク部分
間にそれらの接触状態に配置して成るマスク組立体を用
意する段階から始まる０本方法はまた、基板の一方側に
マスク組立体を位置決めしそしてインナーシャドウマス
ク部分をそこに応力を惹起することなく基板と作用上接
触状態に保持するよう基板のマスク組立体とは反対側に
ｉｂあって磁石を位置決めすることを含んでいる。本方
法は更に、インナーマスク部分の開口を通して薄膜構造
体材料を真空下で付着し、それにより基板上に薄膜構造
体を形成することを含む。

発明の詳細な説明 本発明の教示は、イン−ライン真空付着プロセスにおい
て広面積のシャドウマスクの遠隔自動取扱いの困難さか
ら生じた新たな問題に対処するものである。本発明は、
マスク組立体を２つの要素、即ちシャドウマスクを保持
するものとパターン形成を行うもの（即ちシャドウマス
ク）とに分ける。

パターン形成を行う部分はマスクを保持する要素から構
造的に解放されるので、マスクは基板に沿って自在に載
置され、本来意図された通シのパターンを生成する。こ
の分離なくしては、マスク及び基板のマスク形成＠構に
よる非常に骨の折れるそして注意深い整合をたとえ行っ
ても、ぶれたシぼやけたパターンが生じる。この分離を
行うことによって、機械的整合はもはや主因子ではなく
なシそして再現性のある、良好な分解能のパターンが付
着されうる。僅か数十分の１インチのマスク組立体のパ
ターン形成部分におけるしわ寄）でも、許容しえないぶ
れ等を発生しそして電極として機能する薄膜構造体間の
短絡をもたらす。薄膜デバイス用の薄膜電極はまたそれ
らの寸法形状特性によシバターン化困難である。即ち、
電極は一つのパターンにおいて通常非常に多数存在しく
代表的に約５００〜１０００）そして数十分の１インチ
しか雅量せず、それぞれに異った電位を有しそして５〜
１０インチ（１２，７〜２５．４１）の電極長さを有し
ている。本発明者は、マスク組立体の中央パターン形成
部分をその外側の機械的取付帯域から構造的に解放する
ことによって、良好なパター−７ちフ月１九ムーマブ力
ル立がムーるつプム待者訃スことに伴う困難さの大半は
排除されることを見出したものである。

第１図を参照すると、′ＩＪｉ模型デバイスにおいて薄
膜構造体を形成する為の付着プロセスにおいて代表的に
使用されるシャドウマスク１０が例示される。本発明の
教示を利用するマスク型式は代表的に所定の開口パター
ンを有する薄い金属シートから成シ、これら開口を通し
て薄膜構造体材料が付着される。本発明において使用さ
れるシャドウマスクの例は、エレクトロルミネセンス（
ＥＬ）デバイスにおける薄膜電極構造体を形成する目的
の開口パターンを具備するマスクである。シャドウマス
ク１０は、縁取部分１２、電極形成部分１４及び電極パ
ッド形成部分１６から成る。シャドウマスク１０は、ホ
トリックラフイ技法を使用してエツチングされた金属素
材の均質片から作製される。

第２図を参照すると、シャドウマスクをその一部として
具備するマスク組立体２０が例示されている。マスク組
立体２０は、所定の開口パターン及び該開口周囲に配置
される縁取部分を有する金属質インナーシャドウマスク
部分２２（例えばマスク１０）；インナーマスク部分２
２の周圧に且つそれと同一平面で位置づけられる金属質
アウターマスク部分２４；及び薄膜構造体の付着操作中
インナーマスク部分２２における応力を除去しつつイン
ナーマスク部分２２合支持する手段であって、インナー
及びアウターマスク部分間にそれらと作用接触状態に配
置される支持手段から構成される。マスク組立体２０の
支持手段はスロット手段２６と連結手段２８とを含み、
スロット手段２６はインナーマスク部分２２の周囲に沿
って延びそして連結手段２８はインナーマスク部分２２
とアウターマスク部分２４との間にそれらと接触して配
置される。マスク組立体２０は、シャドウマスクを、パ
ターン全基板上に付着するべき時基板に１４Ｄ６つてど
のように支持するかの一例である。第２図はまた、付着
プロセスにおいて付着装置と共に使用するに際しマスク
組立体２０を支持するのを助成する取付孔５０會も例示
する。

マスク組立体２０の支持手段に関連して、スロット手段
２６は、インナーマスク部分２２の縁取部分１２とアウ
ターマスク部分２４との間でマスク組立体２０にエツチ
ングされた少くとも１つの薄く狭いスロットを含み、こ
のスロットはインナーマスク部分２２の実質上はぼ周辺
に沿って延在する。第２図において、連結手段２８は、
インナー及びアウターマスク部分に隣接する２つの金属
質部片を含み、これら金属質部片の各々はスロット手段
２６内で且つインナーマスク部分の対向側で配置される
。連結手段２８のまた別の具体例において、インナー及
びアウターマスク部分に隣接する少くとも１つの単一金
属片を備えるよりにすることも可能であシ、この金属片
はスロット手段２６内に配置される。インナーマスク部
分の自由度を更に一層増大する為にマスク組立体にエツ
チングされうるスロットの寸法と数を変更することが可
能である。恒久的なアウターマスク形状の治具を使用し
て、別々のインナーマスクを２つの小さな点においての
みそこに結合するようにも為しえ、それによ）インナー
マスクを取巻くマスク組立体の金属部分にスロットヲエ
ッチングする必要性を排除することが出来る。しかし、
すべての具体例において、インナーマスクを付層設備に
ｊｌ！ＩＩ着されるそのアウターマスク部分から機械的
に解放状態に独立させるととが基本要件として存在する
。

ここで第３〜５囚ｔ″参照すると、マスク１０の構造の
詳細を例示する目的の為マスク１０の一部の拡大図が例
示されている。第３図は、縁取部分１２、電極形成部分
１４及び電極パッド形成部分１６を詳細に示す。マスク
１０は構造的に複数の金属質ストリップ３２と一連の相
互連結用アーチ式ブリッジ３４とから成シ、これらは所
定のパターンの細長開口５６を画成する。縁取部分１２
は金属ストリップ３２の周囲にそれらと接触して配置さ
れる。第４図はそうしたストリップ３２を相互連結用ブ
リッジ３４及び細長開口３６と共に拡大して示す。第５
図はシャドウマスク１０が基板３８）−性用）−ＩＢＭ
状部に位置・決めされふ時ストリする。加えて、ブリッ
ジ３４は基板４４の表面から離間された状態でス）　Ｉ
Ｊツブ３２に対する支持を提供する。第５図はまた、シ
ャドウマスクがアウターマスク部分に対して可撓性があ
るならそれが基板に密接して平坦に載置しりる様相をも
例示する。

マスク組立体２０を形成するに当って、金属素材の均質
片が、第１及び２図に例示されるマスク組立体を形成す
るべくホトリソグラフィック技法を使用してエツチング
される。インナー及びアウターマスク部分は共に同詩に
一回のエツチング段階で形成される。第３〜５図に例示
される特定マスクを形成するに当シ、−側からブリッジ
パターンを有する金属シートを通して途中までエツチン
グ（ハーフエッチ）しそして他側からブリッジのない金
属パターンを有する金属シー）ｋ通して途中までエツチ
ング（八−７エツチ）することから成るディファレンシ
ャル（差異）エツチングが使用される。これは、構造的
に丸味のついた輪郭を除する（第４及び５図）。八−フ
ェッチされたアーチ状ブリッジはブリッジの下側に付着
が生じることを可能とするので、速読した切れのない電
極が一回の付着操作でパターン形成されうる。マスク１
０は単−金屑シート製であるから、マスクは離層せずそ
してマスクは薄膜構造体が付着されるべき基板の膨張性
質に熱的にマツチする材料製とされうる。加えて、この
単一金属製マスクは化学的に耐性がちシまた磁気的に吸
引性のあるものとされる。

シャドウマスク１０は基板上に付着されるべき材料の形
状に丸みのある輪郭を与えることが出来、そしてホトリ
ソグラフィプロセスに較べる時車一段ですも簡単なパタ
ーン形成プロセスを可能ならしめる。

ここで第６Ａ及び６Ｂ図全参照すると、第６Ａ図には、
第２図で例示されたマスク組立体２ｏを支持する為の、
そして特に薄膜構造体が付着されるべき基板に騎°夛あ
って且つそれと作用上接触状態にインナーマスク部分２
２ｔ−維持する為のマスク整合機構４０が例示されてい
る。機構４０は、との場合２つの基板４４を担持する基
板キャリヤ４２、マスクフレームホルダ４６及びマスク
フレーム４８から成る。第６Ｂ図において、基板４４及
びマスク１０を収納する機構４０を含めて付着装置系が
例示される。機構４０は、基板４４の一方側において真
空付着装置５０に露呈される。機構４０の反対側には、
インナーマスク１分２２ｔ−基板４４に密接して保持す
る為に機構４０の一部に隣りあって位置決めされそして
それと作用上接触状態にあるものとされる磁石５２が示
されている。装置５０の詳細は米国特許第４．４３７．
９６６号に記載されている。

薄膜構造体として電極が形成される場合、好ましくは、
電極材料としては、透明電導性即ち金属酸化物材料及び
金属質材料が使用されうる。透明金属酸化物材料として
はインジウム・錫酸化物或いは酸化錫が挙げられ他方金
属材料としてはアル１ニウム或いはニッケルが挙げられ
る。

本発明の教示に従って、少くとも基板を有する薄膜デバ
イスに対して電極構造体のパターンを付着する方法につ
いて説明する。本方法は、所定の開口パターン及び該開
口周囲に配置される縁取部分を有する金属質インナーシ
ャドウマスク部分２２（例えばマスク１ｏ）；インナー
マスク部分２２の周囲に且つそれと同一平面で位置づけ
られる金属質アウターマスク部分２４；及び薄膜構造体
の付着操作中インナーマスク部分２２における応力を除
去しつつインナーマスク部分２２を支持する手段であっ
て、インナー及びアウターマスク部分間にそれらと作用
接触状態に配置される支持手段から構成されるマスク組
立体２ｏ含用意する段階から始まる。次の段階において
、マスク１゜は基板４４の一方側に位置づけられる（第
６Ａ図）。

次の段階において、磁石５２が、インナーシャドウマス
ク部分２２ｔ−そこに応力全惹起することなく基板４４
と接触状態に保持するよう（第５図参照）基板４４のマ
スク組立体とは反対側にｉｂあって位置決めされる。最
後に、第６Ｂ図に部分的に例示玄れふよりに、付差儒苦
５ｎ外稲田ナスととによ）インナーマスク部分１０Ｃ１
Ｎロ５６全通して付着材料５４が真空スパッタリング、
蒸着等され、それにより基板上に薄膜構造体を形成する
（例えば第７Ａ図）。薄膜構造体は一回のポンプσ［き
段階により完全に付着され、従ってマスク組立体特にマ
スクは再整合の必要はない。

付着プロセスにおいて使用される時、マスク組立体は、
マスクフレームホルダ４６の移動にょ）ガラス基板の表
面に機械的に持ちきたされ、磁石５２がガラス基板４４
にインナーマスクｔ−密ｓ状独に保持するべく付勢され
るのでインナーマスク部分２２は自ら自在に撓んでガラ
ス基板４４の表面に沿って合致せしめられる。従って、
マスクフレーム及び７レームホルダへのマスクの不完全
ｆｔ付設から生じる応力からの干渉は最小限しか存在せ
ずまたこれまで存在した基板及びキャリヤの反シも存在
しない。マスク中に存在しうるしわは、アウターマスク
に拘束されることなくインナーマスクの縁辺まで自然に
伸びる。本発明の追加的利点は操作具の取扱いにおいて
本また白動馨を肺着での使用においてもマスク及びマス
ク組立体が物理的損傷から保護されることである。イン
ナー及びアウターマスク部分間の分離帯たるスロットは
ａｍ吸収部として作用してインナーマスク部分を保護す
るので、マスクは基板上に平らに載シそして付着操作に
先立って磁気的保持抑え力を適用する時たとえしわが存
在したとしても伸ばされ、もはや恒久的に縮んだシ、し
わが寄ったルしなくなる。この特徴を備える単一マスク
を使用しての多数の反覆的自動化マスク操作が成功裡に
完了された。

マスク組立体２０の支持手段の寸法に関連して、スロッ
ト手段２６は、インナーマスク部分２２がアウターマス
ク部分２４に対して自由に動ける限シ厚さを変更しうる
。連結手段２８に関しても、インナーマスク部分とアウ
ターマスク部分とｔ−ｍ互連結する部片の巾は使用され
るべきインナーマスクの寸法に依存して巾変更されうる
。例えば、マスク組立体２０は約９５インチ（２４１３
）Ｘ５．５インチ（ｉ４ｘ）の寸法金持つインナーマス
ク部分２２を有した。使用した部片は約α３７５インチ
（９，５５ｍｌ）の最大重を有した。巾はもつと長くな
しうるが、示されたよシ大きな巾はこの寸法のマスクに
対してインナマスク部分をアウターマスク部分に対して
拘束を強くしすぎよう。

もつと小さな或いはもつと大きなマスクはそれぞれ相応
的にもつと小さな或いはもつと大きな部片を必要としよ
うが、いずれの場合も部片中はインナーマスク位置のコ
ントロールを可能とする最小寸法に維持される。

上記方法において使用されるべきマスクは、薄膜デバイ
スにおける薄膜構造体一般の形成目的に対してはマスク
１０に示されたもののようなものと為しうるが、そうし
た開口付きマスクはまた電極構造体或いは電極パッド接
点のような薄膜構造体を形成する目的でも形成されりる
。本方法の真空付着段階は主にスパッタリングを対象と
するが、蒸着或いは化学的蒸着（ＣＶＤ）’ｉも含みう
る。

本方法は、イン−ラインシステムにおいて実施され従っ
て途中で真空を解除する必要はない。本方法は、インラ
イン方式でないシステムにおいても使用されうるが、そ
のようなシステムにおいては基板上に付着される層の汚
染が生じる危険がある。

発明の効果 本発明は、唯一回の付着段階でもって付着操作中しわ寄
シ或いは縮れによシ惹起される応力下にシャドウマスク
を置くことなく薄膜デバイス内に薄膜構造体を生成する
マスク方式の付着方法及びその為のマスク組立体を提供
する。上記マスク組立体及び方法は、加えて、こうした
薄膜構造体を有する′Ｎ膜デバイスの作製を簡易化しそ
して薄膜デバイスにおける汚染の発生率を低減する。

以上、本発明について説明したが、本発明の範囲内で多
くの改変を為しうろことを銘記されたい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のマスク組立体の一部として使用されう
るシャドウマスクの一例ヲ示す。 第２図はマスクを支持する為のマスク組立体の一例を示
す。 第３図は第１図のマスクの一部の拡大図である。 第４図は第３図の一部の拡大図である。 第５図は第１図のマスクの一部と基板とをブリッジに沿
って見た断面図である。 第６Ａ図は、基板にシャドウマスクｔ−接触状態に支持
する機構の分解図である。 第６Ｂ図は、スパッタ装置系において上記機構を配置数
シを示す説明図である。　　　′２０：マスク組立体 ２２：インナーマスク部分 １０：シャドウマスク １２：縁取部分 １４：電極形成部分 １６：電極パッド形成部分 ２４：アウターマスク部分 ２６：スロット手段 ２８：連結手段 ３２ニストリツプ ５４ニブリツジ ３６：細長開口 ４２：基板キャリヤ ４４：基板 ４６：マスクフレームホルダ ４８：マスクフレーム ５０：真空付着装置 ５４：付着材料 ５２：磁石 図面の浄書（内容に変更なし） ＦＩＧ、１ ＦＩＧ、　５　　　　　　” ＦＩＧ、６Ｂ 手続補正書（方式） ％式％ 事件の表示　昭和６１年特願第２４９７９５号発明の名
称　　マスク応力除去特性を有するマスク組立体補正を
する者

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １）少くとも基板を具備する薄膜デバイスに対して薄膜
   構造体をパターン形成する為。マスク組立体であつて、
   所定の開口パターン及び該開口周囲に配置される縁取部
   分を有する金属質インナーシヤドウマスク部分；インナ
   ーマスク部分の周囲に且つそれと同一平面で位置づけら
   れる金属質アウターマスク部分；及び薄膜構造体の付着
   操作中インナーマスク部分における応力を除去しつつ該
   インナーマスク部分を支持する手段であつて、該インナ
   ー及びアウターマスク部分間にそれらと接触状態に配置
   される支持手段を包含するマスク組立体。 ２）支持手段がスロツト手段と連結手段とを含み、該ス
   ロツト手段がインナーマスク部分周囲に沿つて伸延しそ
   して連結手段がインナー及びアウターマスク部分間にそ
   れらと接触状態で配置される特許請求の範囲第１項記載
   のマスク組立体。 ３）スロツト手段がインナーマスク部分の縁取部分とア
   ウターマスク部分との間でマスク組立体にエツチングさ
   れた少くとも１つの薄く狭いスロツトを含み、該スロツ
   トが該インナーマスク部分の実質上周辺に沿つて伸延す
   る特許請求の範囲第２項記載のマスク組立体。 ４）連結手段がインナー及びアウターマスク部分に近接
   しそしてスロツト手段内に配置される少くとも１つの単
   一金属部片を含む特許請求の範囲第３項記載のマスク組
   立体。 ５）連結手段がインナー及びアウターマスク部分の近接
   する２つの金属質部片を含み、該金属部片の各々がスロ
   ツト手段内に且つインナーマスク部分の対向側に配置さ
   れる特許請求の範囲第５項記載のマスク組立体。 ６）アウターマスク部分がその周辺に配置される一連の
   取付孔を具備する特許請求の範囲第１項記載のマスク組
   立体。 　７）インナーマスク部分が電極構造体をパターン形成
   する為のマスクである特許請求の範囲第１項記載のマス
   ク組立体。 　８）電極構造体が透明な金属酸化物から作製される特
   許請求の範囲第７項記載のマスク組立体。 　９）電極構造体が金属質材料から作製される特許請求
   の範囲第７項記載のマスク組立体。 　１０）インナーマスク部分が電極パツド接点をパター
   ン形成する為のマスクである特許請求の範囲第７項記載
   のマスク組立体。 　１１）少くとも基板を具備する薄膜デバイスの為の薄
   膜構造体パターンを付着する方法であつて、所定の開口
   パターン及び該開口の周囲に配置される縁取部分を有す
   る金属質インナーシヤドウマスク部分；インナーマスク
   部分の周囲に且つそれと同一平面で位置づけられる金属
   質アウターマスク部分；及び薄膜構造体の付着操作中イ
   ンナーマスク部分における応力を除去しつつインナーマ
   スク部分を支持する手段であつて、インナー及びアウタ
   ーマスク部分間にそれらと作用接触状態に配置される支
   持手段を包含するマスク組立体を用意する段諧と、 前記マスク組立体を前記基板の一方側に位置決めする段
   階と、 前記インナーシヤドウマスク部分をそこへの応力を惹起
   することなく基板と接触状態に保持するよう該基板の前
   記マスク組立体とは反対側に隣りあつて磁石を位置決め
   する段階と、 薄膜構造材料を前記インナーマスク部分開口を通して基
   板上に真空下で付着し、それにより基板上に薄膜構造体
   を形成する段諧と を包含する薄膜構造体パターン付着方法。 　１２）支持手段がスロツト手段と連結手段とを含み、
   該スロツト手段がインナーマスク部分周囲に沿つて伸延
   しそして連結手段がインナー及びアウターマスク部分間
   にそれらと接触状態で配置される特許請求の範囲第１１
   項記載の方法。 　１３）スロツト手段がインナーマスク部分の縁取部分
   とアウターマスク部分との間でマスク組立体にエツチン
   グされた少くとも１つの薄く狭いスロツトを含み、該ス
   ロツトが該インナーマスク部分の実質上周辺に沿つて伸
   延する特許請求の範囲第１２項記載の方法。 　１４）連結手段がインナー及びアウターマスク部分の
   近接する２つの金属質部片を含み、該金属部片の各々が
   スロツト手段内に且つインナーマスク部分の対向側に配
   置される特許請求の範囲第１２項記載の方法。 　１５）インナーマスク部分が電極構造体をパターン形
   成する為のマスクである特許請求の範囲第１１項記載の
   方法。 　１６）インナーマスク部分が電極パツド接点をパター
   ン形成する為のマスクである特許請求の範囲第１１項記
   載の方法。 　１７）薄膜構造体付着段階がイン−ラインシステムに
   おいて実施される特許請求の範囲第１１項記載の方法。 　１８）真空付着段階が、スパツタリング、蒸着或いは
   化学的蒸着（ＣＶＤ）を含む特許請求の範囲第１１項記
   載の方法。