FI82846C - Maskarrangemang foer att bilda tunnfilmsstrukturmoenster. - Google Patents

Maskarrangemang foer att bilda tunnfilmsstrukturmoenster. Download PDF

Info

Publication number
FI82846C
FI82846C FI864308A FI864308A FI82846C FI 82846 C FI82846 C FI 82846C FI 864308 A FI864308 A FI 864308A FI 864308 A FI864308 A FI 864308A FI 82846 C FI82846 C FI 82846C
Authority
FI
Finland
Prior art keywords
mask
thin film
mask portion
substrate
shadow
Prior art date
Application number
FI864308A
Other languages
English (en)
Swedish (sv)
Other versions
FI864308A0 (fi
FI82846B (fi
FI864308A (fi
Inventor
Robert A Boudreau
Original Assignee
Gte Prod Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gte Prod Corp filed Critical Gte Prod Corp
Publication of FI864308A0 publication Critical patent/FI864308A0/fi
Publication of FI864308A publication Critical patent/FI864308A/fi
Application granted granted Critical
Publication of FI82846B publication Critical patent/FI82846B/fi
Publication of FI82846C publication Critical patent/FI82846C/fi

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/942Masking
    • Y10S438/944Shadow

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

83846
Maskiasennelma ohutkalvorakennekuvioiden muodostamiseksi Maskarrangemang för att bilda tunnfilmsstrukturmönster
Samanaikaisesti vireillä olevassa FI-patenttihakemuksessa 864307 (Laite ja menetelmä varjostusmaskeilla muodostettavien ohutkalvokuvioiden kohdistamiseen, Boudreau et ai. ) esitetään mekanismi, jonka avulla varjostusmaskit voidaan kauko-ohja-tusti täysin automaattisesti kohdistaa substraatille jatkuva-käyttoisessa kerrostamisj ärj estelmässä.
Samanaikaisesti vireillä olevassa FI-patenttihakemuksessa 864306 (Maski elektrodirakennekuvioiden muodostamiseksi ohut-kalvolaitteisiin, Robert Boudreau) esitetään maskirakenne ja menetelmä ohutkalvo-EL-laitteen elektrodirakenteiden valmistamiseksi käyttämällä tällaista maskirakennetta.
Molemmat yllämainitut hakemukset on jätetty samanaikaisesti tämän hakemuksen kanssa ja saman hakijan nimissä kuin tämä keksintö.
Keksinnön kohteena ovat yleisesti ohutkalvonäyttölaitteet ja erityisesti maskiasennelma ja sen käyttö ohutkalvorakenteiden valmistamiseksi ohutkalvolaitetta varten.
Ohutkalvonäyttölevyjen (kuten nestekide- ja elektroluminesens-sinäyttöjen) tiedetään olevan erittäin hyödyllisiä tietojen esittämiseen, koska tarvittavat ohutkalvorakenteet, mukaanluettuna ristikkäiset elektrodit, voidaan muodostaa lasisub-straatille kerrostamalla, niin että saadaan aikaan matriisi-muotoinen näyttötaulu, jossa yksittäiset kuvaelementit voidaan selektiivisesti aktivoida. Yhtenä ongelmana ohutkalvonäyttö-levyjen valmistuksessa on sellaisten prosessien kehittäminen, joiden avulla saadaan muodostetuksi ohutkalvoelektrodirakenne-kuviot.
Useimpien ohutkalvolaitteiden ohutkalvorakennekuviointi on muodostettu joko fotolitografian nimellä tunnetulla märällä menetelmällä tai varjostusmaskimenetelmällä. Fotolitografia muistuttaa suuresti valokuvien kehittämisprosesseja, koska 2 83846 siinä se kerros, johon kuvio on muodostettava, päällystetään valoherkällä aineella, joka sitten valotetaan joko positiivi-tai negatiivikuviolla, minkä jälkeen se kehitetään ja myöhemmin selektiivisesti poistetaan erilaisilla syövyttävillä kehiteliuoksilla. Tämän menetelmän varjopuolena on se, että se on hidas ja vaatii paljon työtä, ja että siihen kuuluu lukuisia vaiheita, joissa jokaisessa on epäonnistumisen tai ohut-kalvolaitteen kontaminaation vaara.
Mitä tulee varjostusmaskien käyttämiseen ohutkalvorakenteiden muodostamiseen kerrostamalla, viittaamme Fang C. Luon nimissä olevaan US-patenttijulkaisuun 4 335 161 "Thin-Film Transistors, Thin-Film Transistor Arrays and a Process for Preparing the Same". Pääpiirteittäin Luon patenttijulkaisussa näyttää esitettävän menetelmä ohutkalvotransistorin tai ohutkal votrans i s tori ryhmän valmistamiseksi kerrostamalla tyhjiössä eri ainesosat yhden aukkomaskin läpi, jolloin maskia siirretään ennalta määrätyn liikekuvion mukaisesti kunkin ainesosan kerrostamista varten. Prosessissa puolijohdemateriaalia kerrostetaan maskin läpi ja maskia siirretään sitten matka, joka vastaa maskin aukkojen pisintä mittaa. Koko ohutkalvo-transistorin valmistusprosessin kuluessa maskia siirretään useita kertoja eri suuntiin. Syntynyt laitelma otetaan sitten pois tyhjiöstä ja valmistus saatetaan loppuun muulla tekniikalla, esim. fotolitografialla.
Kuten Luo esittää, varjomaskaus suoritetaan yleensä pienille substraateille jäykillä maskeilla, jotka manuaalisesti puristetaan substraattia vasten tasaisen kosketuksen aikaansaamiseksi. Tämä on suhteellisen hidasta ja edellyttää tavallisesti kerrostuskammion tyhjiön purkamista, mikä aiheuttaa tiettyä ohutkalvolaitteen kontaminaatiota. Kun kerrostus tapahtuu suuripinta-alaisen maskin läpi, on tavallista, että substraatti ei ole aivan tasomainen tai samassa tasossa ympäröivän pitimen kanssa. Esillä oleva keksintö kohdistuu tähän ongelmaan ja muihin ongelmiin, jotka johtuvat niistä vaikeuksista, joita aiheuttaa suurialaisten varjostusmaskien kauko- 3 83846 ohjattu automaattinen käsittely jatkuvakäyttöisessä kerrostus -lai ttei s toss a.
Menetelmä, jonka avulla voitaisiin tuottaa ohutkalvorakenteita käyttämättä fotolitografiamenetelmiä, merkitsisi huomattavaa ohutkalvorakenteiden kerrostamistekniikan tason parannusta. Lisäksi on katsottava, että mekanismi, joka tukisi varjomaskia samalla vähentäen sen jännityksiä kerrostuksen aikana, merkitsisi huomattavaa tekniikan tason parannusta.
Tämän keksinnön ensisijaisena tarkoituksena on siten edistää ohutkalvorakenteiden kerrostamistekniikan tasoa, erityisesti ohutkalvonäyttölevyjen tekniikassa.
Lisäksi keksinnön tarkoituksena on esittää maskiasennelma ohutkalvolaitteissa käytettyjen ohutkalvorakennekuvioiden, erityisesti näyttölevyjen elektrodirakenteiden muodostamisen helpottamiseksi.
Keksinnön tarkoituksena on edelleen esittää elektrodirakenne-kuvioiden kerrostamiseksi menetelmä, jossa käytetään maski -asennelmaa, jossa on väline, joka tukee varjomaskia kerrostuksen aikana samalla vähentäen maskin jännityksiä.
Erään tämän keksinnön piirteen mnkaan järjestetään maskiasennelma ohutkalvorakennekuvioiden muodostamiseksi ohutkalvo-laitteeseen, jossa on ainakin substraatti. Maskiasennelma käsittää metallisen sisemmän varjomaskiosan, jossa on ennalta määrätty aukkokuvio ja aukkoja ympäröivä reunusosa. Lisäksi sisemmän varjomaskiosan ympärillä ja sen kanssa samassa tasossa on metallinen ulompi varjomaskiosa. Lopuksi maski-asennelmaan sisältyy väline sisemmän varjomaskiosan tukemiseksi samalla vähentäen sisemmän varjomaskiosan jännityksiä ohutkalvorakenteiden kerrostamisen aikana, joka väline sijaitsee sisemmän ja ulomman varjomaskiosan välillä ja on niiden kanssa toiminnan vaatimassa kosketuksessa.
4 83846
Erään tämän keksinnön toisen piirteen mukaan järjestetään menetelmä ohutkalvorakennekuvioiden muodostamiseksi ohutkalvo-laitteeseen, jossa on ainakin substraatti. Menetelmä käsittää vaiheet, joissa järjestetään maskiasennelma, joka käsittää metallisen sisemmän varjomaskiosan, jossa on ennalta määrätty aukkokuvio ja aukkoja ympäröivä reunusosa, sisemmän varjo-maskiosan ympärillä ja sen kanssa samassa tasossa oleva metallinen ulompi varjomaskiosa, ja väline sisemmän varjo-maskiosan tukemiseksi samalla vähentäen sisemmän varjomaskiosan jännityksiä ohutkalvorakenteiden kerrostamisen aikana, joka väline sijaitsee sisemmän ja ulomman varjomaskiosan välillä ja on niiden kanssa toiminnan vaatimassa kosketuksessa. Menetelmä käsittää edelleen vaiheet, joissa asetetaan maskiasennelma toiselle puolelle substraattia, ja asetetaan magneetti lähelle substraatin maskiasennelmaan nähden vastakkaista puolta, niin että sisempi varjomaskiosa painautuu substraattia vasten toiminnan vaatimaan kosketukseen aiheuttamatta jännitystä sisemmässä varjomaskiosassa. Lopuksi menetelmään kuuluu vaihe, jossa ohutkalvorakennemateriaalia kerrostetaan tyhjiössä sisemmän varjomaskiosan aukkojen läpi, jolloin substraatille muodostuvat ohutkalvorakennekuviot.
KUVIO 1 esittää esimerkkiä varjomaekista, jota voidaan käyttää osana keksinnön mukaista maskiasennelmaa, KUVIO 2 on valokuva, joka esittää esimerkkiä maskiasennelmasta maskin kannattamiseksi, KUVIO 3 on suurennettu leikkauskuva kuvion 1 esittämästä maskista, KUVIO 4 on suurennettu leikkauskuva osasta kuviota 3, KUVIO 5 on suurennettu osakuva kuvion 2 esittämän maski-asennelman sisemmästä varjomaskiosasta toiminnan vaatimassa kosketuksessa substraatin kanssa, ja i 5 83846 KUVIOT 6A ja 6B ovat esimerkkejä mekanismista varjomaskin tukemiseksi substraattia vasten ja tällaisen mekanismin sijoittamisesta sputterointilaitteistoon.
Keksinnön ja sen muiden tavoitteiden, etujen ja mahdollisuuksien ymmärtämisen helpottamiseksi selitetään seuraavassa eräs keksinnön suoritusmuoto viitaten oheisiin patenttivaatimuksiin sekä yllä selitettyihin kuvioihin.
Keksintö kohdistuu uuteen ongelmaan, joka on syntynyt niistä vaikeuksista, joita esiintyy suurialaisten varjomaskien automaattisessa käsittelyssä jatkuvatoimisessa tyhjiökerrostus-laitteistossa. Keksinnön mukaan maskiasennelma muodostetaan kahdesta osasta, joista toinen kannattaa varjomaskia ja toinen suorittaa kuvion muodostamisen (nimittäin varjomaski). Koska kuvion muodostava osa on rakenteellisesti erillinen maskia kannattavasta osasta, maski asettuu tasaisesti substraatin pintaa vasten ja myötäilee sitä, niin että syntyy terävä kuvio. Ilman tätä rakenteellista erottamista kuviosta tulee epäterävä huolimatta erittäin vaikeasta ja huolellisesta maskausmekanismin suorittamasta maskin ja substraatin kohdistamisesta. Erottamisen ansiosta mekaaninen kohdistaminen ei enää aiheuta vaikeutta, ja toistuvien, tarkkapiirteisten kuvioiden kerrostaminen käy mahdolliseksi. Jos maskiasennelman kuviota muodostavassa osassa esiintyy ryppyjä, jotka ovat kooltaan vain muutamia tuuman tuhannesosia (millimetrin sadasosia), syntyy kuvioon epäterävyyttä, jota ei voida sallia, ja oikosulkuja elektrodeina toimivien ohutkalvorakenteiden välille. Lisäksi ohutkalvoiaitteiden ohutkalvoelektrodien muodostamista vaikeuttaa niiden geometria. Elektrodeja on tavallisesti hyvin monta, noin 500 - 1000 kuviota kohti, niiden väliset etäisyydet ovat vain muutamia tuuman tuhannesosia (joitakin millimetrin sadasosia), niiden väliset potentiaalierot ovat satoja voltteja, ja elektrodien pituus voi olla 5-10 tuumaa (125 - 250 mm). Olen keksinyt, että erottamalla maskiasennelman keskellä oleva kuviota muodostava osa rakenteellisesti ulommasta mekaanisesta kiinnitysosasta 6 83846 voidaan poistaa useimmat vaikeudet, jotka koskevat maskin mukauttamista substraattiin hyvien kuvioiden aikaansaamiseksi.
Kuviossa 1 on esitetty varjomaski 10, jollaista tyypillisesti käytetään kerrostusprosessissa ohutkalvorakenteiden muodostamiseksi ohutkalvolaitteisiin. Tämän keksinnön mukainen maski koostuu tyypillisesti ohuesta metallilevystä, jossa on ennalta määrätty aukkokuvio, jonka aukkojen läpi ohutkalvorakenneaine kerrostetaan. Tässä keksinnössä esitetään varjomaskin esimerkkinä maski, jonka aukkokuvion tarkoituksena on ohutkalvo-rakenteiden muodostaminen elektroluminesenssilaitteeseen. Maski 10 käsittää reunusosan 12, elektrodinmuodostusosan 14 ja elektroditäplänmuodostusosan 16. Varjomaski 10 on tehty yhtenäisestä metallikappaleesta syövyttämällä fotolitografia-menetelmällä.
Kuvio 2 esittää maskiasennelmaa 20, jonka osana on varjomaski. Maskiasennelma 20 käsittää metallisen sisemmän varjomaskinosan 22, jossa on ennalta määrätty aukkokuvio ja sitä ympäröivä reunusosa (esim. maski 10), metallisen ulomman maskinosan 24, joka on sisemmän varjomaskiosan 22 ympärillä ja sen kanssa samassa tasossa, ja välineen sisemmän varjomaskiosan 22 tukemiseksi samalla vähentäen sisemmän varjomaskiosan jännityksiä ohutkalvorakennekuvioiden kerrostamisen aikana, joka väline sijaitsee sisemmän ja ulomman varjomaskiosan välillä ja on niiden kanssa toiminnan vaatimassa kosketuksessa. Maskiasen-nelman 20 tukiväline sisältää rakovälineen 26 ja kytkentä-välineen 28, joista rakoväline 26 ympäröi sisempää varjomaski -osaa 22 ja kytkentäväline 28 on sisemmän maskinosan 22 ja ulomman maskinosan 24 välillä ja niiden kanssa kosketuksessa. Maskiasennelma 20 on esimerkkinä siitä, miten maskia voidaan tukea, jos maski on asetettava substraattia vasten, kun substraatille on kerrostettava kuvio. Kuviosta 2 ilmenevät myös asennusreiät 30, jotka auttavat maskiasennelman 20 tukemisessa, kun sitä käytetään kerrostuslaitteiston yhteydessä kerrostusprosessissa.
7 83846
Maskiasennelman 20 tukivälineen sisältämä rakoväline 26 käsittää ainakin ohuen, kapean raon, joka on syövytetty maski -asennelmaan 20 sisemmän maskinosan 22 reunusosan 12 ja ulomman maskinosan 24 välille ulottuen olennaisesti sisemmän maskinosan 22 ympäri (ks. kuviota 2). Kuviossa 2 kytkentäväline 28 sisältää kaksi metallista segmenttiä, jotka ovat maskin sisemmän ja ulomman osan välillä ja jotka molemmat ovat rakoväli-neessä 26 sisemmän maskinosan vastakkaisilla puolilla. Eräässä toisessa kytkentävälineen 28 suoritusmuodossa voi olla vähintään yksi metallinen segmentti maskin sisemmän ja ulomman osan välillä siten, että segmentti on rakovälineessä 26. Maski-asennelmaan syövytettävien rakojen mittoja ja lukua voidaan muunnella sisemmän maskinosan liikkumavapauden lisäämiseksi edelleen. Voitaisiin myös käyttää pysyvää ulommaksi maskin-osaksi muotoiltua kiinnitintä, niin että erillinen sisempi maski kiinnitettäisiin siihen vain kahdesta pienestä pisteestä, jolloin vältyttäisiin syövyttämästä rakoa maskiasennelman sisempää maskia ympäröivään metalliosaan. Kaikissa muunnelmissa on kuitenkin perusvaatimuksena, että sisempi maskinosa on mekaanisesti erotettu ulommasta maskinosasta, joka on jäykästi kiinnitettynä kerrostuslaitteistoon.
Kuvioissa 3-5 esitetään suurennettuja leikkauskuvia maskista 10, jotka selventävät tämäntyyppisen maskin rakennepiirteitä. Kuvio 3 esittää tarkemmin reunusosaa 12, elektrodinmuodostus-osaa 14 ja elektroditäplänmuodostusosaa 16. Rakenteellisesti maski 10 muodostuu joukosta metalliliuskoja 32 ja sarjasta kaarevia yhdistyssiltoja 34, jotka määrittelevät ennalta määrätyn pitkänomaisten aukkojen muodostaman kuvion. Reunusosa 12 sijaitsee metalliliuskojen 32 ympärillä ja on niiden kanssa kosketuksessa. Kuvio 4 esittää suurennettuna tällaisia metalliliuskoja 32, yhdistyssiltoja 34 ja pitkänomaisia aukkoja 36. Kuviosta 5 ilmenee, miten liuskat 32 ovat toiminnan vaatimassa kosketuksessa substraatin 38 kanssa, kun varjo-maski 10 asetetaan toiminnan vaatimaan kosketukseen substraatin 38 kanssa. Lisäksi kaarevat yhdistyssillat 34 tukevat liuskoja 32 mutta ovat samalla erillään substraatista 38.
β 83846
Kuvio 5 esittää myös, miten varjomaski voi asettua tasaisesti substraatin pintaa vasten, jos se on joustava ulompaan maskin-osaan nähden.
Maskiasennelma 20 valmistetaan yhtenäisestä metallikappaleesta syövyttämällä fotolitografisia menetelmiä käyttäen, jolloin tuloksena on kuviossa 2 esitetty maskiasennelma. Maskin sisempi ja ulompi osa tehdään samalla kertaa yhtenä syövytys-vaiheena. Kuvioiden 3 - 5 esittämä erityinen rakenne saadaan aikaan soveltamalla differentiaalista syövytystä, siten että metallilevy syövytetään toiselta puolelta puoliväliin saakka käyttäen siltakuviota ja toiselta puolelta metallilevy syövytetään puoliväliin saakka käyttäen liuskakuviota, jossa ei ole siltoja. Näin siltojen 34 alla ja ympärillä oleva alue aukeaa muodostaen rakenteellisesti pyöristyneen profiilin (kuviot 4 ja 5). Koska maski 10 tehdään yhtenäisestä metallilevystä (ks. kuviota 1), siinä ei tapahdu kerrosten lohkeilua, ja maski voidaan valmistaa aineista, joiden lämpölaajeneminen vastaa sen substraatin ominaisuuksia, jolle ohutkalvorakenteet kerrostetaan. Lisäksi yhtenäinen metallimaski voidaan tehdä kemiallisesti kestävästä tai magneettisesta aineesta. Varjo-maski 10 voi antaa substraatille kerrostetulle materiaalille pyöristetyn profiilin ja johtaa yksivaiheiseen, fotolito-grafiaan verrattuna yksinkertaiseen kuviointimenetelmään.
Kuviossa 6Ά esitetään maskinkohdistusmekanismi 40 kuviossa 2 esitetyn maskiasennelman 20 kannattamiseksi ja sisemmän maskinosan 22 pitämiseksi lähellä substraattia, jolle ohutkalvorakenteet on määrä kerrostaa, ja toiminnan vaatimassa kosketuksessa sen kanssa. Mekanismi 40 käsittää substraatin-pitimen 42, jonka varassa on (tässä tapauksessa) kaksi substraattia 44, maskikehyksenpitimen 46, ja maskikehyksen 48. Kuviossa 6B esitetään kerrostuslaitteisto, johon sisältyy mekanismi 40, jossa on substraatit 44 ja maski 10, joihin vaikuttaa substraatin 44 toisella puolella oleva tyhjiökerros-tuslaitteisto 50. Mekanismin 40 toisella puolella on kuvion mukaan magneetti 52, joka on asetettava lähelle mekanismin 40 9 83846 osaa ja toiminnan vaatimaan kosketukseen sen kanssa sisemmän maskinosan 22 pitämiseksi vasten substraattia 44. Kuviossa 6B esitetyn kerrostuslaitteiston 50 tyyppinen laitteisto on lähemmin kuvattu Hope et ai. nimissä olevassa US-patentti-julkaisussa 4 437 966, jonka sisältö tällä viittauksella sisällytetään tähän selitykseen.
Kuvioihin 2, 6A ja 6B viitaten selitetään seuraavassa keksinnön mukainen menetelmä ohutkalvorakenteiden muodostamiseksi ohutkalvolaitteeseen, jossa on ainakin substraatti. Mainittu menetelmä käsittää vaiheet, joissa järjestetään maskiasennelma 20, joka käsittää metallisen sisemmän varjomaskiosan 22, jossa on ennalta määrätty aukkokuvio ja aukkoja ympäröivä reunusosa 12, sisemmän varjomaskiosan ympärillä ja sen kanssa samassa tasossa oleva metallinen ulompi maskiosa 24, ja väline sisemmän varjomaskiosan tukemiseksi samalla vähentäen sisemmän varjomaskiosan jännityksiä ohutkalvorakennekuvioiden kerrostamisen aikana, joka väline sijaitsee sisemmän ja ulomman varjomaskiosan välillä ja on niiden kanssa toiminnan vaatimassa kosketuksessa. Seuraavassa vaiheessa asetetaan maskiasennelma 20 toiselle puolelle substraattia 44 (ks. kuviota 6A). Seuraavassa vaiheessa asetetaan magneetti 52 lähelle substraatin 44 maskiasennelmaan 20 nähden vastakkaista puolta (ks. kuviota 6B), niin että sisempi varjomaskinosa 22 painautuu substraattia vasten toiminnan vaatimaan kosketukseen (ks. esim. kuviota 5) aiheuttamatta jännitystä sisemmässä varjomaskiosassa. Lopuksi, kuten kuviossa 6B osaksi esitetään, ohutkalvorakenne-materiaalia 54 kerrostetaan tyhjiössä maskiasennelman 20 läpi ja erityisesti sisemmän varjomaskiosan 22 aukkojen 36 läpi käyttäen kerrostuslaitteistoa 50, jolloin substraatille muodostuvat ohutkalvorakennekuviot. Ohutkalvorakenne saadaan kokonaan kerrostetuksi yhdessä tyhjiöpumppausvaiheessa, niin että maskiasennelmaa ja erityisesti maskia ei tarvitse uudelleen kohdistaa.
Kerrostusprosessissa käytettäessä maskiasennelma saatetaan mekaanisesti lasisubstraatin pintaan liikuttamalla maski- 10 83846 kehyksenpidintä 46, jolloin eisempi maskinosa 22 pääsee taipumaan mukautuakseen lasisubstraatin 44 pintaan, kun magneetti 52 toimii pitäen sisämaskia lasisubstraattia 44 vasten. Siten aiheutuu mahdollisimman vähän haittaa jännityksistä, joita synnyttää maskin epätäydellinen kiinnitys maskikehykseen ja kehyksenpitimeen sekä substraatin ja sen pitimen väistämätön kierous. Maskissa mahdollisesti olevat rypyt pääsevät siten etenemään sisämaskin reunaan ulkomaskia ahdistamatta. Keksinnön lisäetuna on se, että se varjelee maskia ja maskiasennel-maa mekaanisilta vaurioilta sekä työntekijäin käsittelyssä että automaattisessa kohdistuslaitteistossa käytettäessä. Maskin sisemmän ja ulomman osan välinen erotus tai rako toimii iskunvaimentimena, joka suojaa sisempää maskinosaa, niin että maski asettuu tasaisesti substraattia vasten eikä jää pysyvästi poimuille, jos siinä on ryppyjä, kun magneettinen pito pannaan toimintaan ennen kerrostusta. Lukuisia toistuvia automaattisia maskausoperaatioita on menestyksellisesti suoritettu yhdellä ainoalla maskilla, jossa on tämä ominaisuus.
Mitä tulee maskiasennelman 20 tukivälineen mittoihin, rako-välineen 26 paksuus voi vaihdella, kunhan sisempi maskinosa 22 pääsee vapaasti liikkumaan ulompaan maskinosaan 24 nähden. Mitä tulee kytkentävälineeseen 28, maskin sisempää ja ulompaa osaa yhdistävien segmenttien leveys vaihtelee käytettävän sisemmän maskinosan mittojen mukaan. Esimerkiksi eräässä maskiasennelmassa 20 oli sisempi maskinosa 22, jonka mitat olivat noin 9,5 tuumaa x noin 5,5 tuumaa (n. 240 x 140 mm). Käytettyjen segmenttien suurin leveys oli noin 0,375 tuumaa (n. 9,5 mm). Leveys voi olla suurempi, mutta mainittua arvoa suurempi leveys ahdistaisi sisempää maskinosaa liiaksi ulompaan maskinosaan nähden tämänkokoisessa maskissa.
Pienemmät tai suuremmat maskit vaatisivat vastaavasti suhteessa pienempiä tai suurempia segmenttejä, mutta segmenttien leveys pidetään kulloinkin niin pienenä kuin sisemmän maskin asennon hallinta suinkin sallii.
i il 83846
Esitetyssä menetelmässä käytettävä maski voi olla selitetyn maskin 10 kaltainen maski ohutkalvolaitteiden elektrodiraken-teiden kerrostamista varten, mutta tällainen aukkomaski voidaan myös muodostaa sellaisten ohutkalvorakenteiden kuin elektrodirakenteiden ja elektrodinliitäntätäplien tuottamista varten. Selitettyyn menetelmään kuuluva tyhjiökerrostus sisältää pääasiallisesti sputteroinnin, mutta voi myös sisältää höyrykerrostuksen tai kemiallisen höyrykerrostuksen. Tässä kuvattu menetelmä elektrodirakenteiden kerrostamiseksi substraatille suoritetaan jatkuvatoimisessa laitteistossa, eikä järjestelmä vaadi missään vaiheessa tyhjiön purkamista. Tässä kuvattua menetelmää voidaan käyttää laitteistossa, joka ei ole jatkuvatoiminen, mutta tällöin on olemassa substraatille muodostettavien kerrosten kontaminaation vaara. Siten tässä keksinnössä ainutlaatuisesti esitetään maskiasennelma ja menetelmä ohutkalvorakenteiden muodostamiseksi sen avulla ohutkal volaitteisiin yhdessä kerrostusvaiheessa ja altistamatta varjomaskia rypistymisen tai poimuttumisen aiheuttamille jännityksille kerrostuksen aikana. Edellä mainittu maskiasennelma ja menetelmä yksinkertaistaa myös sellaisten ohutkal volaitteiden valmistusta, joissa on tällaisia ohutkalvo-rakenteita, ja vähentää ohutkalvolaitteen kontaminaati©mahdollisuutta.
Edellä on esitetty eräät keksinnön edulliset suoritusmuodot, mutta alan ammattimiehelle on ilmeistä, että sitä voidaan monin tavoin muunnella ja mukailla poikkeamatta seuraavissa patenttivaatimuksissa esitetystä keksinnön suojapiiristä.

Claims (12)

1. Maskiasennelma ohutkalvorakennekuvioiden muodostamiseksi ohutkalvolaitteeseen, jossa on ainakin substraatti (38, 44), tunnettu siitä, että se käsittää a. metallisen sisemmän varjomaskiosan (22), jossa on ennalta määrätty aukkokuvio ja aukkoja (36) ympäröivä reunusosa (12), b. sisemmän maskiosan (22) ympärillä ja sen kanssa samassa tasossa olevan metallisen ulomman maskiosan (24), ja c. sisemmän maskiosan (22) ja ulomman maskiosan (24) välillä toiminnallisessa kosketuksessa sijaitsevat tukivälineet (26, 28. sisemmän varjomaskiosan (22) tukemiseksi ja sen jännityksien vähentämiseksi ohutkalvorakenteiden kerrostamisen aikana.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen maskiasennelma, tunnet -t u siitä, että mainitut tukivälineet käsittävät rakovälineen (26) ja kytkentävälineen (28), joista rakoväline (26) ympäröi sisempää maskiosaa (22) ja kytkentäväline (28) on sisemmän maskinosan (22) ja ulomman maskinosan (24) välillä ja niiden kanssa kosketuksessa.
3. Patenttivaatimuksen 2 mukainen maskiasennelma, tunnet-t u siitä, että rakoväline (26) sisältää ainakin ohuen, kapean raon, joka on syövytetty maskiasennelmaan (20) sisemmän maskinosan (22) reunusosan (12) ja ulomman maskinosan (24) välille ulottuen olennaisesti sisemmän maskinosan (22) ympäri.
4. Patenttivaatimuksen 3 mukainen maskiasennelma, tunnet -t u siitä, että kytkentäväline (28) sisältää ainakin yhden sisemmän maskinosan (22) reunusosan (12) ja ulomman maskinosan (24) välillä olevan metallisen segmentin siten, että segmentti sijaitsee rakovälineessä (26).
5. Patenttivaatimuksen 3 mukainen maskiasennelma, tunnet-t u siitä, että kytkentäväline (28) sisältää kaksi sisemmän maskinosan (22) reunusosan (12) ja ulomman maskinosan (24) välillä olevaa metallista segmenttiä siten, että metalliset segmentit ovat molemmat rakovälineessä (26) ja sisemmän i3 83846 maskinosan (22) vastakkaisilla puolilla.
6. Patenttivaatimuksen 1 mukainen maskiasennelma, tunnet-t u siitä, että ulommassa maskinoeassa (24) on sarja asennus-reikiä, jotka sijaitsevat ulomman maskinosan (24) kehällä.
7. Patenttivaatimuksen 1 mukainen maskiasennelma, tunnet-t u siitä, että sisempi maskinosa (22) on sopivasti läpinäkyvää metallioksidia tai metalliainetta olevien elektrodi-rakennekuvioiden muodostamiseen tarkoitettu maski (14) ja/tai vastaavasti elektrodikosketintäpläkuvioiden muodostamiseen tarkoitettu maski (16).
8. Menetelmä ohutkalvorakennekuvion kerrostamiseksi ohut-kalvolaitteeseen, jossa on ainakin substraatti, tunnet-t u siitä, että se käsittää vaiheet, joissa a. järjestetään maskiasennelma (20), joka käsittää metallisen sisemmän varjomaskiosan (22), jossa on ennalta määrätty aukko-kuvio ja aukkoja (36) ympäröivä reunusosa (12), sisemmän varjo-maskiosan (22) ympärillä ja sen kanssa samassa tasossa oleva metallinen ulompi maskiosa (24), ja sisemmän varjomaskiosan (22) ja ulomman varjomaskiosan (24) välillä toiminnallisessa kosketuksessa sijaitsevat tukivälineet (26, 28) sisemmän varjo-maskiosan (22) tukemiseksi ja sen jännityksien vähentämiseksi ohutkalvorakenteiden kerrostamisen aikana, b. asetetaan maskiasennelma (20) toiselle puolelle eubstraat-tia ( 38, 44 ), c. asetetaan magneetti (52) lähelle substraatin (38, 44) maskiasennelmaan (20) nähden vastakkaista puolta, niin että sisempi varjomaskinosa (22) painautuu substraattia (38, 44) vasten toiminnan vaatimaan kosketukseen aiheuttamatta jännitystä sisemmässä varjomaskiosassa (22), ja d. kerrostetaan tyhjiössä ohutkalvorakennemateriaalia (54) sisemmän varjomaskiosan (22) aukkojen (36) läpi, jolloin substraatille (38, 44) muodostuvat ohutkalvorakenteet.
9. Patenttivaatimuksen 8 mukainen menetelmä, tunnettu i4 83846 siitä, että maskiasennelman (20) tukivälineet (26, 28) käsit tävät rakovälineen (26) ja kytkentävälineen (28), joista rako-väline (26) ympäröi sisempää maskinosaa (22) ja kytkentäväli ne (28) on sisemmän maskinosan (22) ja ulomman maskinosan (24) välillä ja niiden kanssa kosketuksessa.
10. Patenttivaatimuksen 9 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että rakoväline (26) sisältää ainakin ohuen, kapean raon, joka on syövytetty maskiasennelmaan (20) sisemmän maskinosan (22) reunusosan (12) ja ulomman maskinosan (24) välille ulottuen olennaisesti sisemmän maskinosan (22) ympäri.
11. Patenttivaatimuksen 10 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että kytkentäväline (28) sisältää kaksi sisemmän maskinosan (22) reunusosan (12) ja ulomman maskinosan (24) välillä olevaa metallista segmenttiä siten, että metalliset segmentit ovat molemmat rakovälineessä (26) ja sisemmän maskinosan (22) vastakkaisilla puolilla.
12. Patenttivaatimuksen 8 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että sisempänä varjomaskiosana (22) käytetään elektrodi-rakennekuvioiden muodostamiseen tarkoitettua maskia (14) tai elektrodikosketintäpläkuvioiden muodostamiseen tarkoitettua maskia (16). i is 83846
FI864308A 1985-10-23 1986-10-23 Maskarrangemang foer att bilda tunnfilmsstrukturmoenster. FI82846C (fi)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US79058985 1985-10-23
US06/790,589 US4615781A (en) 1985-10-23 1985-10-23 Mask assembly having mask stress relieving feature

Publications (4)

Publication Number Publication Date
FI864308A0 FI864308A0 (fi) 1986-10-23
FI864308A FI864308A (fi) 1987-04-24
FI82846B FI82846B (fi) 1991-01-15
FI82846C true FI82846C (fi) 1991-04-25

Family

ID=25151163

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
FI864308A FI82846C (fi) 1985-10-23 1986-10-23 Maskarrangemang foer att bilda tunnfilmsstrukturmoenster.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4615781A (fi)
EP (1) EP0219872A3 (fi)
JP (1) JPS62202491A (fi)
CA (1) CA1283282C (fi)
FI (1) FI82846C (fi)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4746548A (en) * 1985-10-23 1988-05-24 Gte Products Corporation Method for registration of shadow masked thin-film patterns
US4715940A (en) * 1985-10-23 1987-12-29 Gte Products Corporation Mask for patterning electrode structures in thin film EL devices
US4915057A (en) * 1985-10-23 1990-04-10 Gte Products Corporation Apparatus and method for registration of shadow masked thin-film patterns
JPH04151890A (ja) * 1990-10-15 1992-05-25 Cmk Corp プリント配線板の製造工程におけるスルーホールのマスキング方法
US5669972A (en) * 1995-04-27 1997-09-23 International Business Machines Corporation Flex tab thick film metal mask
JPH1050478A (ja) * 1996-04-19 1998-02-20 Toray Ind Inc 有機電界発光素子およびその製造方法
US6753131B1 (en) 1996-07-22 2004-06-22 President And Fellows Of Harvard College Transparent elastomeric, contact-mode photolithography mask, sensor, and wavefront engineering element
US5818697A (en) * 1997-03-21 1998-10-06 International Business Machines Corporation Flexible thin film ball grid array containing solder mask
KR100340174B1 (ko) * 1999-04-06 2002-06-12 이동준 전기화학적 바이오센서 테스트 스트립, 그 제조방법 및 전기화학적 바이오센서
US6469439B2 (en) * 1999-06-15 2002-10-22 Toray Industries, Inc. Process for producing an organic electroluminescent device
WO2001041968A2 (en) * 1999-11-18 2001-06-14 Main Tape Company, Inc. Process for forming film covered sheet metal material and sheet metal material so covered
DE10062713C1 (de) * 2000-12-15 2002-09-05 Zeiss Carl Verfahren zum Beschichten von Substraten und Maskenhaltern
US6662718B2 (en) * 2001-06-29 2003-12-16 International Business Machines Corporation Screening mask having a stress-relieving area
KR100469252B1 (ko) * 2002-04-12 2005-02-02 엘지전자 주식회사 쉐도우 마스크 및 그를 이용한 풀칼라 유기 el 표시소자
CN100464440C (zh) * 2002-06-03 2009-02-25 三星移动显示器株式会社 用于有机电致发光装置的薄层真空蒸发的掩模框组件
US6943066B2 (en) * 2002-06-05 2005-09-13 Advantech Global, Ltd Active matrix backplane for controlling controlled elements and method of manufacture thereof
JP4608874B2 (ja) * 2003-12-02 2011-01-12 ソニー株式会社 蒸着マスクおよびその製造方法
US20060086321A1 (en) * 2004-10-22 2006-04-27 Advantech Global, Ltd Substrate-to-mask alignment and securing system with temperature control for use in an automated shadow mask vacuum deposition process
JP4331707B2 (ja) * 2004-12-16 2009-09-16 三星モバイルディスプレイ株式會社 整列システム、垂直型トレイ移送装置及びこれを具備した蒸着装置
KR100603408B1 (ko) * 2004-12-16 2006-07-20 삼성에스디아이 주식회사 수직형 마스크 이송장치 및 이를 구비한 증착장치
US20060160249A1 (en) * 2005-01-17 2006-07-20 Tien-Yu Chou Method for fabricating biochips or biosensors using cd/dvd making compatible processes
JP2006199998A (ja) 2005-01-20 2006-08-03 Seiko Epson Corp 成膜装置、成膜方法
US7271111B2 (en) * 2005-06-08 2007-09-18 Advantech Global, Ltd Shadow mask deposition of materials using reconfigurable shadow masks
JP2009170200A (ja) * 2008-01-15 2009-07-30 Sony Corp 表示装置の製造方法
DE102008037387A1 (de) * 2008-09-24 2010-03-25 Aixtron Ag Verfahren sowie Vorrichtung zum Abscheiden lateral strukturierter Schichten mittels einer magnetisch auf einem Substrathalter gehaltenen Schattenmaske
WO2010113102A1 (en) * 2009-04-03 2010-10-07 Koninklijke Philips Electronics N. V. An arrangement for holding a substrate in a material deposition apparatus
CN103388121B (zh) * 2012-05-08 2017-07-11 昆山允升吉光电科技有限公司 一种高精度金属掩模板的混合制作工艺
CN108359935B (zh) * 2018-05-22 2020-04-17 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板及其制作方法、蒸镀方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3510349A (en) * 1966-11-15 1970-05-05 Us Air Force Vacuum deposited interconnection matrix
US3678892A (en) * 1970-05-19 1972-07-25 Western Electric Co Pallet and mask for substrates
US4049857A (en) * 1976-07-28 1977-09-20 International Business Machines Corporation Deposition mask and methods of making same
US4096821A (en) * 1976-12-13 1978-06-27 Westinghouse Electric Corp. System for fabricating thin-film electronic components
JPS54103552A (en) * 1978-02-01 1979-08-15 Hitachi Electronics Pattern formation method
US4344988A (en) * 1978-08-01 1982-08-17 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Method for forming patterned coating
JPS5754265A (ja) * 1980-09-18 1982-03-31 Toshiba Corp Kinzokuhimakukeiseihoho
US4335161A (en) * 1980-11-03 1982-06-15 Xerox Corporation Thin film transistors, thin film transistor arrays, and a process for preparing the same
US4322277A (en) * 1980-11-17 1982-03-30 Rca Corporation Step mask for substrate sputtering
US4391034A (en) * 1980-12-22 1983-07-05 Ibm Corporation Thermally compensated shadow mask
US4437966A (en) * 1982-09-30 1984-03-20 Gte Products Corporation Sputtering cathode apparatus
US4511599A (en) * 1983-03-01 1985-04-16 Sigmatron Associates Mask for vacuum depositing back metal electrodes on EL panel

Also Published As

Publication number Publication date
FI864308A0 (fi) 1986-10-23
EP0219872A3 (en) 1989-03-22
JPS62202491A (ja) 1987-09-07
CA1283282C (en) 1991-04-23
US4615781A (en) 1986-10-07
FI82846B (fi) 1991-01-15
FI864308A (fi) 1987-04-24
EP0219872A2 (en) 1987-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FI82846C (fi) Maskarrangemang foer att bilda tunnfilmsstrukturmoenster.
FI82845C (fi) Anordning och foerfarande foer att rikta in figurer av tunnfilmsstruktur.
FI82948C (fi) Mask foer att bilda elektrodstrukturer i en tunnfilmsanordning.
EP1437926B1 (en) Multi-face forming mask device for vacuum deposition
JP2003100456A (ja) アラインメントデバイス及び有機材料の蒸着方法
EP1579024A1 (en) Flexible frame for mounting a deposition mask
JP2002235165A (ja) マスク
FI68474C (fi) Foerfarande foer att sluta ett substrat i en haollare
JP2003272839A (ja) 蒸着処理用のマスキング部材の製造方法
US4669871A (en) Photographic printing plate and method of exposing a coated sheet using same
US5362357A (en) Method of manufacturing color selecting mask
JP5002871B2 (ja) 露光装置
KR100510691B1 (ko) 쉐도우 마스크 제작 방법
KR0183468B1 (ko) 미세패턴 형성방법
JP2654881B2 (ja) リードフレームの製造方法
KR20240016877A (ko) 증착 마스크
JPH1115140A (ja) フォトマスク
JPH02127086A (ja) パターン形成方法
KR19980073862A (ko) 새도우 마스크를 이용한 박막의 미세패턴 형성방법
JPS6290660A (ja) 露光装置
JP2000340110A (ja) シャドウマスク用ハードマスク及びその製造方法
GB2259584A (en) Photographic production of marks
JPS60253231A (ja) 電極パタ−ンの形成方法
JPH0427299B2 (fi)
JPH04238094A (ja) 印刷用メタルマスクの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM Patent lapsed

Owner name: GTE PRODUCTS CORPORATION