FI82845C - Anordning och foerfarande foer att rikta in figurer av tunnfilmsstruktur. - Google Patents
Anordning och foerfarande foer att rikta in figurer av tunnfilmsstruktur. Download PDFInfo
- Publication number
- FI82845C FI82845C FI864307A FI864307A FI82845C FI 82845 C FI82845 C FI 82845C FI 864307 A FI864307 A FI 864307A FI 864307 A FI864307 A FI 864307A FI 82845 C FI82845 C FI 82845C
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- mask
- assembly
- holder
- substrate
- substrate holder
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/682—Mask-wafer alignment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
83845
Laite ja menetelmä ohutkalvorakennekuvioiden kohdistamiseen Anordning och förfarande för att rikta in figurer av tunn-filmsstruktur
Samanaikaisesti vireillä olevassa FI-patenttihakemuksessa 864506 (Maski elektrodikuvioiden muodostamiseksi ohutkalvoelek-troluminesenssilaitteisiin, Robert Boudreau) esitetään maskira-kenne ja menetelmä ohutkalvo-EL-laitteen elektrodirakenteiden valmistamiseksi käyttämällä tällaista maski rakennetta.
Samanaikaisesti vireillä olevassa FI-patenttihakemuksessa 864508 (Maskilaite, jossa on maskin jännityksiä vähentävä ominaisuus, Robert Boudreau) esitetään maskilaite, joka tukee varjostusmaskia ja estää maskin poimuttumisen ohutkalvoraken-teiden kuvioita muodostettaessa.
Molemmat yllämainitut hakemukset on jätytty samanaikaisesti tämän hakemuksen kanssa ja saman hakijan nimissä kuin tämä keksi ntö.
Keksinnön kohteena on yleisesti ohutkalvorakenteiden muodostaminen kerrostamalla ja erityisesti laite ja menetelmä ohutkal-vorakennekuvioiden muodostamiseksi substraatille ohutkalvonäyt-tölaitetta varten.
Ohutkalvonäyttölevyjen (kuten nestekide- ja elektroluminesens-sinäyttöjen) tiedetään olevan erittäin hyödyllisiä tietojen esittämiseen, koska tarvittavat ohutkalvorakenteet, mukaanluettuna ristikkäiset elektrodit ja kosketinliitäntätäplät, voidaan muodostaa lasisubstraatille kerrostamalla, niin että saadaan aikaan matriisimuotoinen näyttötaulu, jossa yksittäiset kuvaelementit voidaan selektiivisesti aktivoida. Yhtenä ongelmana ohutkaivonäyttölevyjen valmistuksessa on sellaisten prosessien kehittäminen, joiden avulla saadaan muodostetuksi ohutkalvoelektrodirakennekuviot jatkuvatoimisen kerrostamis- laitteiston sisällä.
2 83845
Useimpien ohutkalvolaitteiden ohutkalvorakennekuviointi on muodostettu joko fotolitografian nimellä tunnetulla märällä menetelmällä tai varjostusmaskimenetelmällä. Fotolitografia muistuttaa suuresti valokuvien kehittämisprosesseja, koska siinä se kerros, johon kuvio on muodostettava, päällystetään-valoherkällä aineella, joka sitten valotetaan joko positiivi-tai negatiivikuviolla, minkä jälkeen se kehitetään ja myöhemmin selektiivisesti poistetaan erilaisilla syövyttävillä kehi-teliuoksilla. Tämän menetelmän varjopuolena on se, että se on hidas ja vaatii paljon työtä, ja että siihen kuuluu lukuisia vaiheita, joissa jokaisessa on epäonnistumisen tai ohutkalvo-laitteen kontaminaation vaara.
Mitä tulee varjostusmaskien käyttämiseen ohutkalvorakenteiden muodostamiseen kerrostamalla, viittaamme Fang C. Luon nimissä olevaan US-patenttijulkaisuun 4 555 161 "Thin-Film Transistors, Thin-Film Transistor Arrays and a Process for Preparing the Same". Pääpiirteittäin Luon patenttijulkaisussa näyttää esitettävän menetelmä ohutkalvotransistorin tai ohutkalvotran-sistoriryhmän valmistamiseksi kerrostamalla tyhjiössä eri ainesosat yhden aukkomaskin läpi, jolloin maskia siirretään ennalta määrätyn liikekuvion mukaisesti kunkin ainesosan kerrostamista varten. Luon mukaan eri rakenteiden kerrostamalla muodostamisen jälkeen syntynyt laitelma otetaan pois tyhjiöstä ja valmistus saatetaan loppuun muulla tekniikalla, esim. foto-litografialla.
Kuten Luo esittää, varjomaskaus suoritetaan yleensä pienille substraateille jäykillä maskeilla, jotka manuaalisesti puristetaan substraattia vasten tasaisen kosketuksen aikaansaamiseksi. Tämä on suhteellisen hidasta ja edellyttää tavallisesti kerrostuskammion tyhjiön purkamista, mikä aiheuttaa tiettyä ohutkalvolaitteen kontaminaatiota. Kun kerrostus tapahtuu suu-: ripinta-alaisen maskin läpi, on tavallista, että substraatti ei ole aivan tasomainen tai samassa tasossa ympäröivän pitimen kanssa. Esillä oleva keksintö kohdistuu ongelmiin, jotka johtuvat niistä vaikeuksista, joita aiheuttaa suurialaisten varjostusmaskien kauko-ohjattu automaattinen käsittely jatkuvakäyt- 3 83845 toisessa kerrostuslaitteistossa.
Fotolitografian käytössä ohutkalvokuviot on tyypillisesti kohdistettu substraattiin ja toisiinsa nähden optisin keinoin, ja substraatti siirretään kohdalleen manuaalisesti käyttäen apuna mikromanipulaattoria tai optista skanneria, joka antaa informaatiota tietokoneelle, joka suorittaa vastaavan tehtävän. Tämän jälkeen kohdistettu substraatti valotetaan ja käsitellään märässä prosessissa halutun kuvion muodostamiseksi. Useimmissa varjomaskausprosesseissa taas kohdistus aikaansaadaan manuaalisesti laskemalla maskit substraatin pitimessä oleville nastoille.
Tästä syystä laitteisto, joka soveltuu automaattisten maskaus-järjestelmien kauko-ohjaukseen, missä on tarpeen välttää tarve ohutkalvojen kontaminaatiota aiheuttavaan tyhjiön purkamiseen, merkitsisi tekniikan tason parannusta.
Tämän keksinnön ensisijaisena tarkoituksena on siten edistää ohutkalvorakenteiden kerrostamistekniikan tasoa, erityisesti ohutkalvonäyttölevyjen tekniikassa.
Lisäksi keksinnön tarkoituksena on esittää laitteisto ohutkal-volaitteissa käytettyjen ohutkalvorakennekuvioiden kohdistamisen helpottamiseksi.
Keksinnön tarkoituksena on edelleen esittää menetelmä sellaisten ohutkalvorakennekuvioiden kohdistamiseksi, jotka muodostetaan substraatille tyhjiökerrostusmenetelmällä.
Vielä keksinnön tarkoituksena on esittää laite ja menetelmä ohutkalvorakennekuvioiden automaattiseksi kohdistamiseksi, jotka muodostetaan substraatille sen ollessa jatkuvatoimisessa kerrostuslaitteistossa.
Erään tämän keksinnön piirteen mukaan järjestetään laite ohutkal vorakennekuvioiden kohdistamiseksi, jotka muodostetaan substraatille tyhjiökerrostuslaitteistossa käyttämällä aukko- 4 83845 maskia. Laite käsittää maskikehyksen ja maskikehykseen kiinnitetyn maskiasennelman, joka käsittää aukkomaskin ja maskinkoh-distusaukot, jotka sijaitsevat maskin molemmin puolin. Maski-asennelman lähellä on maskinpidinkehys, joka on kiinnitetty maskikehykseen siten, että muodostuu maskinpidinasennelma. Mas-kinpidinasennelmassa on siihen kiinnitetyt ensiöohjausnastat, jotka pistävät esiin maskinpidinasennelmasta maskiasennelmaan nähden vastakkaiselta puolelta. Kohdistuslaitteeseen kuuluu vielä substraatinpidin, jonka varassa on käsiteltävä substraatti sijoitettuna maskinpidinasennelman luo ja sen kanssa toiminnan vaatimassa kosketuksessa; substraatinpitimessä on ensiöohj ausaukot, jotka sopivat maskinpidinasennelman ensiönas-toihin, jotka sijaitsevat substraatinpitimen reunoilla. Lisäksi substraatinpitimessä on siitä esiin pistävät toisio-ohjaus-nastat, jotka sopivat maskiasennelman maskinkohdistusaukkoi-hi n.
Erään tämän keksinnön toisen piirteen mukaan järjestetään menetelmä ohutkalvorakennekuvioiden kohdistamiseksi, jotka muodostetaan substraatille tyhjiökerrostuslaitteistossa käyttämällä aukkomaskia. Kohdistusmenetelmä käsittää vaiheet, joissa kerrostuskammiossa asetetaan paikalleen maskinpidinasennelma, jossa on osana aukkomaski sekä väline substraatinpitimen yhteyteen asettumiseksi. Kerrostuskammiossa asetetaan sitten paikal-*. leen, pienen etäisyyden päähän maskinpidinasennelmasta, sub- straatinpidin, jonka varassa on käsiteltävä substraatti, ja jossa on väline aukkomaskin kohdistamiseksi substraattiin nähden. Maskinpidinasennelma saatetaan sitten yhteyteen substraatinpitimen kanssa niin että ne ovat keskenään toiminnan vaatimassa kosketuksessa. Kerrostuskammiossa asetetaan sitten magneetti lähelle substraatinpitimen maskinpidinasennelmaan nähden vastakkaista puolta, niin että aukkomaski painautuu substraattia vasten toiminnan vaatimaan kosketukseen. Ohutkal-vorakennemateriaalia kerrostetaan nyt tyhjiössä aukkomaskin läpi substraatille, minkä jälkeen magneetti poistetaan substraatinpitimen luota ja maskinpidinasennelma irrotetaan sub-straatinpitimestä, jolloin tuloksena ovat substraatille muodostuneet ohutkalvorakennekuviot.
i 5 83845
Vielä erään tämän keksinnön piirteen mukaan järjestetään menetelmä ohutkalvorakennekuvioiden kohdistamiseksi, jotka muodostetaan substraatille tyhjiökerrostuslaitteistossa käyttämällä aukkomaskia. Kohdistusmenetelmä käsittää vaiheet, joissa järjestetään maskikehys ja kiinnitetään maskikehykseen maskiasen-nelma, jossa on aukkomaski ja maskinkohdis tus aukot, jotka sijaitsevat maskin molemmin puolin. Maskiasennelman läpi kiinnitetään maskinpidinkehys maskikehykseen siten, että muodostuu maskinpidinasennelma, jossa on sen läpi kiinnitetyt ensiöoh-jausnastat, jotka pistävät esiin maskiasennelmaan nähden vastakkaiselta puolelta. Maskinpidinasennelma asetetaan sitten paikalleen tyhjiökerrostuskammioon, jonne myös asetetaan maski npi di nasennelmas ta pienen etäisyyden päähän substraatinpi-din. Substraatinpitimen varassa on käsiteltävä substraatti ja substraatinpitimessä on ensiöohjausaukot, jotka sijaitsevat substraatinpitimen reunoilla; substraatinpitimessä on toisio-ohjausnastat, jotka pistävät siitä esiin maskinpidinasennelman puolelta. Maskinpidinasennelma saatetaan sitten yhteyteen substraatinpitimen kanssa siten että ensiöohjausnastat ensin ohjataan substraatinpitimessä oleviin ensiöohj aus aukkoihin, ja sen jälkeen ohjataan toisio-ohjausnastat maskiasennelman maski nohjausaukkoihin. Kerrostuskammiossa asetetaan tämän jälkeen magneetti lähelle substraatinpitimen maskinpidinasennelmaan nähden vastakkaista puolta, niin että aukkomaski painautuu substraattia vasten toiminnan vaatimaan kosketukseen; ohutkal-vorakennemateriaalia kerrostetaan nyt tyhjiössä aukkomaskin läpi substraatille. Lopuksi magneetti poistetaan substraatinpitimen luota ja maskinpidinasennelma irrotetaan substraatin-pitimestä, jolloin tuloksena on substraatille muodostunut ohutkal vor akenneku vioita.
KUVIO 1 esittää esimerkkiä laitteen suoritusmuodosta aukkomaskin kohdistamiseksi substraattia vasten, ja KUVIO 2 esittää esimerkkiä kuvion 1 mukaisesta kohdistuslaitteesta kerrostuskammiossa, mikä selventää automaattisen kohdistus tapahtuman kuvausta.
6 83845 fc
Keksinnön ja sen muiden tavoitteiden, etujen ja mahdollisuuksien ymmärtämisen helpottamiseksi selitetään seuraavassa eräs keksinnön suoritusmuoto viitaten oheisiin patenttivaatimuksiin sekä yllä selitettyihin kuvioihin.
Kuviossa 1 on esitetty maskin kohdistuslaite, jonka tarkoituksena on aukkomaskin kohdistaminen lasisubstraattiin, jolle on määrä kerrostaa ohutkalvorakennekuvioita. Kohdistuslaitteen 10 muodostaa pääasiallisesti maskinpidin 12 ja substraatinpidin 30, jonka varassa on (tässä tapauksessa) kaksi käsiteltävää substraattia. Tarkemmin sanoen maskinpidinasennelma 12 käsittää maskikehyksen 14, maskiasennelman 20 ja maskinpidinkehyk-sen 26. Tässä nimenomaisessa suoritusmuodossa maskikehys 14 on olennaisesti suorakaiteenmuotoinen ja varustettu kehyksen keskituella 16, johon on kiinnitetty sarja haarukkajousia 18, jotka auttavat ohjaamaan maskiasennelmaa 20 yhteyteen substraa-tinpitimen 30 kanssa, ja jossa on maskikehyksen nastat 17 (kuvio 1). Maskinpidinkehyksessä 26 on myös sen reunoille (esimerkiksi ylös ja alas) sijoitetut nastat 27, joiden avulla maskikehys 14 voidaan kiinnittää siihen.
Maskiasennelmassa 20 on kiinnitysreiät 21 maskiasennelman 20 kiinnittämiseksi maskikehyksen nastoihin 17, ja se kannattaa aukkomaskia 22, jonka avulla lasisubstraatille kerrostetaan ohutkalvorakenteita. Maskiasennelmassa 20 on myös maskinkohdis -tusaukot 24 aukkkomaskin 22 kahden puolen. Lisäksi maskinpidinkehyksessä 26 on siihen kiinnitetyt ensiöohjausnastat 28, jotka pistävät esiin maskinpidinasennelmasta maskiasennelmaan 20 nähden vastakkaiselta puolelta. Kuten selityksessä yksityiskohtaisemmin esitetään, ensiöohjausnastojen 28 tehtävänä on ohjata maskinpidinasennelma 12 yhteyteen substraatinpitimen 30 kanssa.
Kuvion 1 esittämässä suoritusmuodossa substraatinpitimessä 30 on vähintään kaksi substraattia 32. Substraatinpidin 30 on myös olennaisesti suorakaiteenmuotoinen ja varustettu sen reunoille sijoitetuilla ensiöaukoilla 34, jotka sopivat maskin-pidinasennelman 12 ensiöohjausnastoihin 28. Tässä tapauksessa i 7 83845 ensiöaukkoja 34 on kaksi, ja niitä nimitetään tavallisesti ohjaus- eli rekis terirei' iksi, joiden tarkoituksena on kohdistaa maskinpidinasennelma 12, johon sisältyy maskiasennelma 20, substraatinpitimessä 30 oleviin substraatteihin 32. Tässä keksinnössä sovelletaan ajatusta ensiö- ja toisio-ohjauspis-teistä. Ensiöohjauspiste määräytyy, kun substraatinpidin 30 asettuu maskinpidinasennelman 12 lähelle ja sen kanssa toiminnan vaatimaan kosketukseen siten, että ensiöohjausaukot 34 osuvat ensiöohjausnastoihin 28. Substraatinpitimessä 30 on myös sarja toisio-ohjausnastoja 36, jotka pistävät esiin sub-straatinpitimestä maskinpidinasennelmaan 12 päin. Toisio-oh-jausnastat 36 osuvat lopulta maskiasennelman 20 toisio-maskin-kohdistusaukkoihin 24, jolloin aukkomaski 22 ohjautuu tarkemman toisio-ohjauspisteen (eli nastojen 36 ja aukkojen 24) määräämään asemaan, niin että aukkomaski 22 kohdistuu tarkasti toiseen substraateista 32.
Maski kehyksessä 14 olevat haarukkajouset 18 ovat välineenä maskiasennelman 20 ohjaamiseksi substraatinpitimessä 30 oleviin toisio-ohjausnastoihin 36. Haarukkajouset ovat olennaisesti maskikehyksen 14 sisällä ja sen kanssa samassa tasossa. Kutakin toisio-ohjausnastaa (36) kohti on haarukkajousi (18), ja nämä ovat toiminnan vaatimassa kosketuksessa maskiasennelman 20 kanssa, kun tätä kohdistetaan maskinkohdistusaukkojen 24 avulla. Lisäksi aukkomaski 22 on rakenteellisesti vapaa liikkumaan maskiasennelmaan 20 nähden, joka on jäykästi kiinni maskinpidinasennelmassa 12, niin että maski voi asettua toiminnan vaatimaan kosketukseen substraatinpitimessä 30 olevan substraatin kanssa. Maskiasennelman 20 maskinkohdistusaukkoihin 24 kuuluu reikä ja rako, jotka sopivat substraatinpitimen 30 toisio-ohjausnastoihin 36, kuten kuviosta 1 ilmenee, ja määräävät tarkan toisiokohdistuksen. Kuten kuviossa 2 ja selityksessä yksityiskohtaisemmin esitetään, kohdistuslaitteeseen 10 kuuluu edelleen magneetti 56, joka on lähellä substraatinpi-dintä 30 ja toiminnan vaatimassa kosketuksessa sen kanssa. Magneetti 56 on maskinpidinkehykseen 26 nähden vastakkaisella puolella substraatinpidintä 30. Aukkomaski 22 voi tässä nimenomaisessa suoritusmuodossa olla suunniteltu elektrodiraken- β 83845 teiden tai elektrodien liitäntäkosketintäplien muodostamiseen, mutta ei ole rajoitettu vain näihin rakenteisiin.
Tässä keksinnössä kuvattu laite on erittäin tehokas kauko-oh-jattuihin automaattisiin maskausjärjestelmiin, joissa on tarpeen välttää tyhjiön purkaminen, mikä voi aiheuttaa ohutkalvojen kontaminaatiota. Tämän keksinnön avulla saadaan aikaan lopullinen toissijainen "oikotietä" tapahtuva kohdistus, joka estää monien eri osien peräkkäisten kohdistusten ketjuuntumisesta johtuvan toleranssien kasaantumisen ohittamalla nämä kohdistukset ja luomalla uuden riippumattoman kohdistus asemän. Ilman tämän keksinnön mahdollistamaa lopullista toissijaista "oikotietä" tapahtuvaa kohdistusta kohdistukseen osallistuisi sarja vertailukohtina olevia maskinpidinnastoja, substraatinpi-dinholkkeja, työkaluja ja lasipitimiä. Vaikka jokaisen koneistetun osan toleranssi olisi 0,001 tuumaa (n. 0, 025 mm), kasaan tunut toleranssi olisi suurempi kuin 0,005 tuumaa (n. 0,125 mm) eli liian huono, jotta kuviot osuisivat tyydyttävästi kohdalleen sähköisten kytkentöjen tekemiseksi lasiselta näyttöle-vyltä. Lisäksi lopullisen kohdistusmenetelmän on oltava yhteensopiva mekaanisen varjomaskauksen kanssa, jotta tuloksena olevissa kuvioissa ei esiintyisi epätarkkuutta ja virheitä.
Olemme keksinnössämme havainneet, että nykyinen maskiratkaisum-me sallii aukkomaskille 22 riittävän liikkuma-alan pakko-ohjauksen alaisena sen ensiökohdistusasemasta, jonka määrää karkea sarja ketjutettuja kohdistuksia, jotta voidaan käyttää toissijaista riippumatonta kohdistusasemaa aukkomaskin 22 tarkempaan lopulliseen kohdistamiseen. Toissijainen riippumaton kohdistusasemä, tässä tapauksessa toisio-ohjausnastat 36 ja maskinkohdistusaukot 24, tuottaa kohdistustarkkuuden, joka täyttää ohutkalvolaitteen ohutkaivokuvioille asetettavat tiukat toleranssivaatimukset. Kuviossa 1 suurikokoisten ketjutettujen ensiöohjausnastojen 28 sijainti kohdistaa maskinpidin-asennelman 12 substraatinpitimeen 30. Paljon pienempien toisio-ohj ausnastojen sijainti auttaa kohdistamaan aukkomaskin 22 substraattiin 32 suurella tarkkuudella. Tämä keksintö edellyttää, että vähemmän tarkka ketjutettu kohdistusjärjestelmä (eli i 9 83845 ensiöohjausnastat 28 ja ensiöohjausaukot 34) pitää toleranssit tietyissä rajoissa, jotta keksinnön mukainen toisiorekisteröin-tijärjestelmä toimisi.
Kohdistuslaitteen ensiö- ja toisiokohdistusjärjestelmä toimii tyypillisesti siten, että maskiasennelma 20 viime kädessä asettuu toisio-ohjausnastojen 36 mukaan useina vaiheina, joissa maskinpidinasennelma 12 ensin kohdistuu maskikehyksen 14 ja substraatinpitimen 30 välisen vähemmän tarkan, ketjutetun kohdistusaseman mukaan. Kun maskinpidinasennelma 12 tulee en-siökohdistusliikkeensä loppuun, maskiasennelma 20 alkaa painaa maskinkohdistusaukkoja 24 lyhyemmille toisio-ohjausnastoille 36. Tämä liike pakottaa aukkomaskin 22 siirtymään sivuttain tarkemman toisiokohdistuksen mukaan. Haarukkajouset 18, jotka ovat asennettuina eri kohtiin maskikehystä 14, auttavat maskin-kohdistusaukkojen 24 asettumista toisio-ohjausnastoille 36. Haarukkajouset painavat maskiasennelmaa 20 vain toisionastojen kohdalta, niin että kitka ei estä maskiasennelman 20 sivuttais-liikettä, mikä muuten estäisi sitä kohdistumasta nastojen mukaan. Se, että maskiasennelmaa painetaan vain nastojen kohdalta, vähentää myös maskiin kohdistuvia jännityksiä, jotka voivat aiheuttaa kuvion viivojen epäterävyyttä myöhemmässä kerros tus vaiheessa. Kun maskiasennelma 20 on tarkasti asettunut toisio-ohjausnastoille 36, pitolaite, esimerkiksi magneetti 56, painaa maskin 22 tiiviisti lasisubstraattia 32 vasten.
Toisiokohdistus saadaan parhaiten aikaan käyttämällä erityisesti muotoiltuja aukkoja 24: yhdellä puolella maskia 22 reikä ja toisella puolella rako, niin että toisio-ohjausnastat 36, jotka painuvat näihin reikiin, eivät vaikuta toisiaan vastaan. Toisiokohdistuksen ja ensiökohdistukeen välillä ei synny ahdistusta, koska erillisten kohdistusten välinen kohdistusvirhe on pienempi kuin maskin 22 joustava liike.
Kuviossa 2 on esitetty tyhjiökerrostuskammiossa 50 oleva koh-distuslaite 10 ja magneetti 56 sekä sputterointilaite 52. Kuvio 2 esittää kerrostuslaitteiston osaa, joka voi olla osa joko jatkuvatoimista tai eräkäyttöistä laitteistoa. Sputteroin- 10 83845 tilaitteessa 52 on myös kerros kerrostusainetta 54, joka tullaan kerrostamaan aukkomaskin 22 läpi yhdelle substraatin-pitimessä 30 olevista substraateista.
Seuraavassa kuvataan menetelmää tyhjiökerrostuslaitteistossa substraatille aukkomaskilla muodostettavien ohutkalvokuvioiden kohdistamiseksi. Kuvion 2 mukaisesti menetelmä käsittää vaiheet, joissa ensin asetetaan kerrostuskammioon 50 maskinpi-dinasennelma 12, jonka osana on aukkomaski 22, ja jossa on väline substraatinpitimen 30 kanssa yhteyteen saattamiseksi. Tyhjiökerrostuskammioon 50 asetetaan sitten pienen etäisyyden päähän maskinpidinasennelmasta 12 substraatinpidin 30, jonka varassa on käsiteltävä substraatti ja jossa on väline aukkomaskin 22 kohdistamiseksi substraattiin. Seuraavaksi maskinpi-dinasennelma 12 saatetaan yhteyteen substraatinpitimen 30 kanssa siten että ne ovat toiminnan vaatimassa kosketuksessa keskenään. Tämän jälkeen asetetaan kerrostuskammiossa magneetti 56 substraatinpitimen 30 lähelle maskinpidinasennel-maan 12 nähden vastakkaiselle puolelle siten, että se pitää aukkomaskin 22 toiminnan vaatimassa kosketuksessa substraatin kanssa. Nyt kerrostetaan tyhjiössä ohutkalvorakenneainetta 54 aukkomaskin 22 läpi. Lopuksi magneetti 56 poistetaan substraatinpitimen 30 luota ja maskinpidinasennelma 12 irrotetaan sub-straatinpitimestä 30, jolloin tuloksena on substraatille muo-! dostuneita ohutkalvorakennekuvioita.
Kuten edellä on selitetty, maskinpidinasennelma 12 käsittää maskikehyksen 14, siihen kiinnitetyn maski as ennel man, ja maski npi di nkehyks en 26, joka on kiinnitetty maskiasennelman 20 läpi maskikehykseen 14. Kuvatussa menetelmässä substraatinpitimen 30 ohjausvälineisiin kuuluvat ensiöohjausnastat 28, jotka ovat kiinnitetyt maskinpidinasennelman 12 läpi ja pistävät siitä esiin maskiasennelmaan 20 nähden vastakkaiselta puolelta. Substraatinpitimessä 30 on reunoille sijoitettuna ensiöoh-jausaukot 34, jotka sopivat ensiöohjausnastoihin 28. Kaikki kuvatun menetelmän vaiheet ohutkalvorakennekuvioiden kohdistamiseksi substraatille voidaan suorittaa automaattisesti ja jatkuvatoimisessa kerrostuslaitteistossa. Tyhjiökerrostusvaihe i H 83845 sisältää sputteroinnin, höyrykerrostuksen tai kemiallisen höy-rykerrostuksen.
Tätä keksintöä voidaan muunnella monin tavoin, mutta perustoiminta, jossa ensin suoritetaan alustava kohdistus ensiöohjsuksen (t. s. nastat 28 ja aukot 34) avulla ja sitten tarkempi toisiokohdistus (t.s. nastat 36 ja aukot 24) sekä maskiasennel-man ohjaus sitä painavalla pitojousella, pysyy muuttumattomana. Esimerkiksi voitaisiin maskiasennelma varustaa holkeilla, jotka kävisivät substraatinpitimessä oleviin nastoihin, tai substraatinpidin voitaisiin varustaa holkeilla, jotka kävisivät maskiasennelmassa oleviin nastoihin, tai voitaisiin muuttaa sen pitojousen muotoa tai paikkaa, joka aikaansaa toisio-kohdistuksen ennen magneetin toimintaa.
Tämän kohdistusjärjestelmän lisäetuna on, että se on itsesäätä-vä eikä vaadi kallista valosähköistä tuntopiiriä kuvioiden kohdistamiseen. Käytössä siitä saadaan suora osoitus kohdistuksen vaatimasta korjauksesta sen perusteella, minkä verran maski näyttää siirtyneen asemasta, jossa nastat ovat toisiokoh-distuspisteiden keskellä ennen tämän kohdistuksen toimintaa. Näin saadaan hyvissä ajoin tieto ensiökohdistuksessa mahdollisesti esiintyvistä ongelmista. Lisäksi tarkka kohdistus tällä menetelmällä on erittäin nopeaa: se vie vähemmän kuin puoli sekuntia, kun muiden tällaisten menetelmien käyttö yleensä vaatii paljon enemmän kuin viisi sekuntia.
Edellä on esitetty eräs keksinnön edullinen suoritusmuoto, mutta alan ammattimiehelle on ilmeistä, että sitä voidaan monin tavoin muunnella ja mukailla poikkeamatta seuraavissa patenttivaatimuksissa esitetystä keksinnön suojapiiristä.
Claims (16)
1. Laite aukkomaskin avulla tyhjiökerrostuslaitteistossa substraatille muodostettavien ohutkalvorakennekuvioiden kohdistamiseen, tunnettu siitä, että se käsittää: a. maski kehyksen (14), b. maskikehykseen (14) kiinnitetyn maskiasennelman (20), joka käsittää aukkomaskin (22) ja maskinkohdistusaukot (24), jotka sijaitsevat maskin (22) molemmin puolin, c. maskinpidinkehyksen (26), joka on maskiasennelman (20) lähellä ja kiinnitetty maskikehykseen (14) siten, että muodostuu maskinpidinasennelma (12), jossa on siihen kiinnitetyt ensiöohjausnastat (28), jotka pistävät esiin maskinpidin-asennelmasta (12) maskiasennelmaan (20) nähden vastakkaiselta puolelta, ja d. substraatinpitimen (30), jonka varassa on käsiteltävä substraatti (32) sijoitettuna maskinpidinasennelman (12) lähelle ja sen kanssa toiminnan vaatimaan kosketukseen, ja jossa sub-straatinpitimessä (30) on eneiöohjausaukot (34), jotka sopivat maskinpidinasennelman (12) ensiöohjausnastoihin (28), jotka sijaitsevat substraatinpitimen (30) reunoilla, ja jossa substraatinpitimessä (30) on siitä esiin pistävät toisio-oh-jausnastat (36), jotka sopivat maskiasennelman (20) maskinkoh-distusaukkoihin (24).
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen laite, tunnettu siitä, että olennaisesti maskikehyksen (14) sisällä ja sen kanssa samassa tasossa on maskiasennelman (20) asettumista yhteyteen substraatinpitimen (30) toisio-ohjausnastojen (36) kanssa edistävät välineet, jotka edullisesti käsittävät kutakin toisio-ohjausnastaa (36) kohti sovitetun haarukkajousen (18), jotka jouset (18) ovat toiminnan vaatimassa kosketuksessa maskiasennelman (20) kanssa ja maskinkohdistusaukkojen (24) mu- : kaan kohdistetut.
3. Patenttivaatimuksen 2 mukainen laite, tunnettu siitä, että aukkomaski (22) on rakenteellisesti vapaa liikkumaan maskiasennelmaan (20) nähden, joka on jäykästi kiinni maskinpi- i is 83845 dinasennelmassa (12), niin että maski (22) voi asettua toiminnan vaatimaan kosketukseen substraatin (32) kanssa.
4. Patenttivaatimuksen 3 mukainen laite, tunnettu siitä, että maskiasennelman (20) maskinkohdistusaukkoihin (24) sisältyy reikä ja rako, jotka sopivat substraatinpitimen (30) toisio-ohjausnastoihin (36).
5. Patenttivaatimuksen 3 mukainen laite, tunnettu siitä, että laitteeseen lisäksi kuuluu magneetti (56), joka on lähellä substraatinpidintä (30) ja toiminnan vaatimassa kosketuksessa sen kanssa ja maskinpidinkehykseen (26) nähden vastakkaisella puolella substraatinpidintä (30).
6. Menetelmä aukkomaskin (22) avulla tyhjiökerrostuslaitteis-tossa substraatille (32) muodostettavien ohutkalvorakenne-kuvioiden kohdistamiseen, tunnettu siitä, että se käsittää vaiheet, joissa a. asetetaan kerrostuskammioon maskinpidinasennelma (12), jonka osana on aukkomaski (22) ja jossa on välineet subetraa-tinpitimen (30) kytkemiseksi, b. asetetaan kerrostuskammioon maskinpidinasennelmasta (12) pienen etäisyyden päähän substraatinpidin (30), jonka varassa on käsiteltävä substraatti (32) ja jossa on väline aukkomaskin (22) kohdistamiseksi substraattiin (32), c. saatetaan maskinpidinasennelma (12) yhteyteen substraatinpitimen (30) kanssa siten, että ne ovat toiminnan vaatimassa kosketuksessa keskenään, d. asetetaan kerrostuskammiossa magneetti (56) substraatinpitimen (30) lähelle maskinpidinasennelmaan (12) nähden vastakkaiselle puolelle siten, että se pitää aukkomaskin (22) toiminnan vaatimassa kosketuksessa substraatin (32) kanssa, e. kerrostetaan tyhjiössä ohutkalvorakenneainetta aukkomaskin (22) läpi, ja f. poistetaan magneetti (56) substraatinpitimen (30) luota ja irrotetaan maskinpidinasennelma (12) substraatinpitimestä (30), jolloin tulokseksi saadaan substraatille (32) muodostu- i4 83845 neet ohutkalvorakennekuviot.
7. Patenttivaatimuksen 6 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että mainittu maskinpidinasennelma (12) käsittää maski -kehyksen (14), maskikehykseen (14) kiinnitetyn maskiasennelman (20), ja maskinpidinkehyksen (26), joka on kiinnitetty maskiasennelman (20) läpi maskikehykseen (14).
8. Patenttivaatimuksen 7 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että substraatinpitimen (30) kytkemistä varten sovitetut välineet sisältävät ensioohjausnastat (28), jotka ovat kiinnitetyt maskinpidinasennelman (12) läpi ja pistävät siitä esiin maskiasennelmaan (12) nähden vastakkaiselta puolelta.
9. Patenttivaatimuksen 8 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että substraatinpitimessä (30) on ensiöohjausaukot (34), jotka sijaitsevat substraatinpitimen (30) reunoilla ja sopivat maskinpidinasennelman (12) ensiöohjausnastoihin (28).
10. Patenttivaatimuksen 7 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että maskiasennelma (20) käsittää aukkomaskin (22) ja sen molemmin puolin sijaitsevat maskinkohdistusaukot (24).
11. Patenttivaatimuksen 10 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että väline aukkomaskin (22) kohdistamiseksi sisältää substraatinpitimestä (30) maskinpidinasennelman (12) puolelta esiin pistävät toisio-ohjausnastat (36), jotka sopivat maskiasennelman (20) maskinkohdistusaukkoihin (24).
12. Patenttivaatimuksen 11 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että maskikehyksessä (14) on väline, joka edistää maski-asennelman (20) asettumista yhteyteen toisio-ohjausnastojen (36) kanssa ja joka sijaitsee olennaisesti maskikehyksen (14) sisällä ja sen kanssa samassa taeoesa.
13. Patenttivaatimuksen 12 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että aukkomaski (22) on rakenteellisesti vapaa liikku- i is 83845 maan maskiasennelmaan (20) nähden, joka on jäykästi kiinni mas-kinpidinasennelmassa (12), niin että maski (22) voi asettua toiminnan vaatimaan kosketukseen substraatin (32) kanssa, kun mainittu magneetti (56) asetetaan maskiin (22) nähden vastakkaiselle puolelle substraatinpidintä (30).
14. Patenttivaatimuksen 6 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että kaikki menetelmän vaiheet ohutkalvorakennekuvioi-den kohdistamiseksi suoritetaan automaattisesti jatkuvatoimisessa kerrostuslaitteistossa.
15. Patenttivaatimuksen 6 mukainen menetelmä, tunnettu siitä, että tyhjiökerrostusvaihe sisältää sputteroinnin, höyry-kerrostuksen tai kemiallisen höyrykerrostukeen.
16. Menetelmä aukkomaskin avulla tyhjiökerrostuslaitteistossa substraatille muodostettavien ohutkalvorakennekuvioiden kohdistamiseen, tunnettu siitä, että se käsittää vaiheet, joissa a. järjestetään maskikehys (14), b. maski kehykseen (14) kiinnitetään maskiasennelma (20), joka käsittää aukkomaskin (22) ja maskinkohdistusaukot (24), jotka sijaitsevat aukkomaskin (22) molemmin puolin, c. kiinnitetään maskinpidinkehys (26) maskiasennelman (20) läpi maskikehykseen (14) siten, että muodostuu maskinpidin-asennelma (12), jossa on sen läpi kiinnitetyt ensiöohjaus-nastat (28), jotka pistävät esiin maskinpidinasennelmasta (12) maskiasennelmaan (20) nähden vastakkaiselta puolelta, d. asetetaan maskinpidinasennelma (12) tyhjiökerrostuskam-mioon, e. asetetaan kerrostuskammioon maskinpidinasennelmasta (12) pienen etäisyyden päähän substraatinpidin (30), jonka varassa on käsiteltävä substraatti (32) ja jossa on ensiöohjausaukot (34), jotka sijaitsevat substraatinpitimen (30) reunoilla, jolloin substraatinpitimessä (30) on siitä maskinpidinasennel-man (12) puolelta esiin pistävät toisio-ohjausnastat (36), f. saatetaan maskinpidinasennelma (12) yhteyteen substraatin- i6 83845 pitimen (30) kanssa siten, että ensiöohjausnastat (28) ensin ohjautuvat substraatinpitimen (30) ensiöohjausaukkoihin (34), minkä jälkeen toisio-ohjausnastat (36) ohjautuvat maskiasen-nelman (20) toisio-ohjausaukkoihin (24), g. asetetaan kerrostuskammiossa magneetti (56) substraatinpitimen (30) lähelle maskinpidinasennelmaan (12) nähden vastakkaiselle puolelle siten, että se pitää aukkomaskin (22) toiminnan vaatimassa kosketuksessa substraatin (32) kansea, h. kerrostetaan tyhjiössä ohutkalvorakenneainetta aukkomaskin (22) läpi, ja i. poistetaan magneetti (56) substraatinpitimen (30) luota ja irrotetaan maskinpidinasennelma (12) substraatinpitimestä (30), jolloin tulokseksi saadaan substraatille (32) muodostuneet ohutkalvorakennekuviot. i 17 83845
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/790,695 US4746548A (en) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | Method for registration of shadow masked thin-film patterns |
| US79069585 | 1985-10-23 |
Publications (4)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI864307A0 FI864307A0 (fi) | 1986-10-23 |
| FI864307A FI864307A (fi) | 1987-04-24 |
| FI82845B FI82845B (fi) | 1991-01-15 |
| FI82845C true FI82845C (fi) | 1991-04-25 |
Family
ID=25151490
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI864307A FI82845C (fi) | 1985-10-23 | 1986-10-23 | Anordning och foerfarande foer att rikta in figurer av tunnfilmsstruktur. |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4746548A (fi) |
| EP (1) | EP0220685A3 (fi) |
| JP (1) | JPS6299782A (fi) |
| CA (1) | CA1283281C (fi) |
| FI (1) | FI82845C (fi) |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4952420A (en) * | 1988-10-12 | 1990-08-28 | Advanced Dielectric Technologies, Inc. | Vapor deposition patterning method |
| DE3925085C1 (fi) * | 1989-07-28 | 1991-01-10 | Battelle-Institut Ev, 6000 Frankfurt, De | |
| US5296916A (en) * | 1991-04-18 | 1994-03-22 | International Business Machines Corp. | Mask alignment system for components with extremely sensitive surfaces |
| US5272502A (en) * | 1991-07-31 | 1993-12-21 | Minoru Saiki | Double-surface concurrent exposure device |
| JPH05290970A (ja) * | 1992-04-14 | 1993-11-05 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法 |
| DE4302851A1 (de) * | 1993-02-02 | 1994-08-04 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Anbringen und/oder Entfernen einer Maske an einem Substrat |
| US6780465B2 (en) * | 2000-12-28 | 2004-08-24 | Seiko Epson Corporation | Method for making thin film and electronic apparatus |
| US6581278B2 (en) * | 2001-01-16 | 2003-06-24 | St Assembly Test Service Ltd. | Process and support carrier for flexible substrates |
| US20030068559A1 (en) * | 2001-09-12 | 2003-04-10 | Armstrong Joseph H. | Apparatus and method for the design and manufacture of multifunctional composite materials with power integration |
| TW560102B (en) * | 2001-09-12 | 2003-11-01 | Itn Energy Systems Inc | Thin-film electrochemical devices on fibrous or ribbon-like substrates and methd for their manufacture and design |
| US20030151118A1 (en) * | 2002-02-14 | 2003-08-14 | 3M Innovative Properties Company | Aperture masks for circuit fabrication |
| US6821348B2 (en) * | 2002-02-14 | 2004-11-23 | 3M Innovative Properties Company | In-line deposition processes for circuit fabrication |
| US6897164B2 (en) * | 2002-02-14 | 2005-05-24 | 3M Innovative Properties Company | Aperture masks for circuit fabrication |
| US7006202B2 (en) * | 2002-02-21 | 2006-02-28 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Mask holder for irradiating UV-rays |
| KR100480705B1 (ko) * | 2002-07-03 | 2005-04-06 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자 제작용 새도우 마스크 및 그 제조 방법 |
| US7410919B2 (en) * | 2003-06-27 | 2008-08-12 | International Business Machines Corporation | Mask and substrate alignment for solder bump process |
| US20060086321A1 (en) * | 2004-10-22 | 2006-04-27 | Advantech Global, Ltd | Substrate-to-mask alignment and securing system with temperature control for use in an automated shadow mask vacuum deposition process |
| JP4331707B2 (ja) * | 2004-12-16 | 2009-09-16 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 整列システム、垂直型トレイ移送装置及びこれを具備した蒸着装置 |
| US20070137568A1 (en) * | 2005-12-16 | 2007-06-21 | Schreiber Brian E | Reciprocating aperture mask system and method |
| US7763114B2 (en) * | 2005-12-28 | 2010-07-27 | 3M Innovative Properties Company | Rotatable aperture mask assembly and deposition system |
| US20070262326A1 (en) * | 2006-05-10 | 2007-11-15 | Touchtek Corporation | LED multi-layer metals primary electrodes manufacturing process & installation |
| US7690104B2 (en) * | 2008-02-20 | 2010-04-06 | Apple Inc. | Technique for reducing wasted material on a printed circuit board panel |
| US20110107964A1 (en) * | 2009-11-10 | 2011-05-12 | Molten Corporation | Object Holding Apparatus |
| US20130092085A1 (en) * | 2011-10-17 | 2013-04-18 | Synos Technology, Inc. | Linear atomic layer deposition apparatus |
| US9051637B2 (en) * | 2011-11-10 | 2015-06-09 | Veeco Ald Inc. | Securing of shadow mask and substrate on susceptor of deposition apparatus |
| US9579680B2 (en) * | 2013-01-31 | 2017-02-28 | Wki Holding Company, Inc. | Self-centering magnetic masking system |
| US20140240859A1 (en) * | 2013-02-28 | 2014-08-28 | Corning Incorporated | Optic obscuration assembly, method and system for working on an optical element, and resulting optical element |
| CN103882375B (zh) * | 2014-03-12 | 2016-03-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜板及其制作方法 |
| KR20180103163A (ko) * | 2016-01-28 | 2018-09-18 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 기판을 마스킹하기 위한 마스크 어레인지먼트 및 마스크를 기판에 대해 정렬하기 위한 방법 |
| US11715662B2 (en) * | 2020-12-11 | 2023-08-01 | Applied Materials, Inc. | Actively clamped carrier assembly for processing tools |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3510349A (en) * | 1966-11-15 | 1970-05-05 | Us Air Force | Vacuum deposited interconnection matrix |
| US3678892A (en) * | 1970-05-19 | 1972-07-25 | Western Electric Co | Pallet and mask for substrates |
| US4013502A (en) * | 1973-06-18 | 1977-03-22 | Texas Instruments Incorporated | Stencil process for high resolution pattern replication |
| US4096821A (en) * | 1976-12-13 | 1978-06-27 | Westinghouse Electric Corp. | System for fabricating thin-film electronic components |
| JPS54103552A (en) * | 1978-02-01 | 1979-08-15 | Hitachi Electronics | Pattern formation method |
| US4344988A (en) * | 1978-08-01 | 1982-08-17 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Method for forming patterned coating |
| US4303489A (en) * | 1978-08-21 | 1981-12-01 | Vac-Tec Systems, Inc. | Method and apparatus for producing a variable intensity pattern of sputtering material on a substrate |
| US4278710A (en) * | 1979-08-27 | 1981-07-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Apparatus and method for submicron pattern generation |
| US4305801A (en) * | 1980-04-16 | 1981-12-15 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Line-of-sight deposition method |
| JPS5754265A (ja) * | 1980-09-18 | 1982-03-31 | Toshiba Corp | Kinzokuhimakukeiseihoho |
| US4335161A (en) * | 1980-11-03 | 1982-06-15 | Xerox Corporation | Thin film transistors, thin film transistor arrays, and a process for preparing the same |
| US4492180A (en) * | 1981-03-16 | 1985-01-08 | Applied Magnetics Corporation | Apparatus for indexing and registering a selected deposition mask to a substrate and method therefor |
| US4511599A (en) * | 1983-03-01 | 1985-04-16 | Sigmatron Associates | Mask for vacuum depositing back metal electrodes on EL panel |
| JPS59190358A (ja) * | 1983-04-12 | 1984-10-29 | Fujitsu Ltd | マスク蒸着装置のパタ−ン合わせ構造 |
| US4615781A (en) * | 1985-10-23 | 1986-10-07 | Gte Products Corporation | Mask assembly having mask stress relieving feature |
-
1985
- 1985-10-23 US US06/790,695 patent/US4746548A/en not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-10-07 CA CA000519971A patent/CA1283281C/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-10-22 JP JP61249799A patent/JPS6299782A/ja active Pending
- 1986-10-23 EP EP86114727A patent/EP0220685A3/en not_active Withdrawn
- 1986-10-23 FI FI864307A patent/FI82845C/fi not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0220685A2 (en) | 1987-05-06 |
| FI82845B (fi) | 1991-01-15 |
| US4746548A (en) | 1988-05-24 |
| CA1283281C (en) | 1991-04-23 |
| JPS6299782A (ja) | 1987-05-09 |
| FI864307A0 (fi) | 1986-10-23 |
| FI864307A (fi) | 1987-04-24 |
| EP0220685A3 (en) | 1989-03-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FI82845C (fi) | Anordning och foerfarande foer att rikta in figurer av tunnfilmsstruktur. | |
| US4915057A (en) | Apparatus and method for registration of shadow masked thin-film patterns | |
| US4615781A (en) | Mask assembly having mask stress relieving feature | |
| JP4216531B2 (ja) | アラインメントデバイス及び有機材料の蒸着方法 | |
| US6749690B2 (en) | Aligning mask segments to provide an assembled mask for producing OLED devices | |
| FI82948C (fi) | Mask foer att bilda elektrodstrukturer i en tunnfilmsanordning. | |
| CN109750257B (zh) | 掩膜板及其制造方法 | |
| KR100796617B1 (ko) | 마스크 장치와 마스크 장치의 제조방법 및 이를 이용한유기전계발광표시장치의 제조방법 | |
| CN110629160B (zh) | 掩膜板组件 | |
| FI68474B (fi) | Foerfarande foer att sluta ett substrat i en haollare | |
| US11714353B2 (en) | Mask and method of manufacturing the same, evaporation apparatus and display device | |
| US11309374B2 (en) | Mask component | |
| CN112017969B (zh) | 基板侧面部配线形成方法 | |
| US5382317A (en) | Method of selectively applying a coating to a bilevel substrate | |
| JP2727995B2 (ja) | 支柱材整列用治具および支柱材整列用治具の製造方法 | |
| JP4674467B2 (ja) | 基板搬送方法、基板搬送装置、露光方法、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法 | |
| KR100235304B1 (ko) | Fed용 스페이서의 제조방법 | |
| JPS62260155A (ja) | 薄膜パタ−ンの補修方法 | |
| KR100817124B1 (ko) | Ｌｃｄ 제조용 노광 장비 | |
| KR101035926B1 (ko) | Ｌｃｄ 제조를 위한 플렉서블 기판을 반송하기 위한 반송기판, 반송 시스템 그리고 반송 방법 | |
| CN101498900A (zh) | 曝光机台 | |
| KR20070049802A (ko) | 액정표시패널의 제조장치 및 그 제조방법 | |
| JPS5848024A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| JPS6057627A (ja) | ウェハ−の両面目合せ露光方法 | |
| JP2001083352A (ja) | 光導波路の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM | Patent lapsed |
Owner name: GTE PRODUCTS CORPORATION |