JPS6057627A - ウェハ−の両面目合せ露光方法 - Google Patents
ウェハ−の両面目合せ露光方法Info
- Publication number
- JPS6057627A JPS6057627A JP58165453A JP16545383A JPS6057627A JP S6057627 A JPS6057627 A JP S6057627A JP 58165453 A JP58165453 A JP 58165453A JP 16545383 A JP16545383 A JP 16545383A JP S6057627 A JPS6057627 A JP S6057627A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- glass plate
- resist
- pattern
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
先方法の改良に関する。
半導体素子製造工程においては、しばしばウェハーの両
面にパターンを形成することが必鮫である。たとえば、
モノリシックレンズ付の面発光型ＬＥＤではレンズによ
る光出力改善を効果的に行なう為に精度のよい両面百合
せ露光が必要である。
面にパターンを形成することが必鮫である。たとえば、
モノリシックレンズ付の面発光型ＬＥＤではレンズによ
る光出力改善を効果的に行なう為に精度のよい両面百合
せ露光が必要である。
従来から行なわれている両面百合せ露光方法としては、
両面百合せ露光機によって目合せ露光を行うものがある
が、この両面百合せ露光機は光学系の調整保守が難しく
、また目合せ４Ｎ度を安定に得ることが難かしく、薄い
ウェハーや凹凸のあるウェハーではこれを露光機に取付
けるとき破損の恐れがあるという欠点があった。
両面百合せ露光機によって目合せ露光を行うものがある
が、この両面百合せ露光機は光学系の調整保守が難しく
、また目合せ４Ｎ度を安定に得ることが難かしく、薄い
ウェハーや凹凸のあるウェハーではこれを露光機に取付
けるとき破損の恐れがあるという欠点があった。
せ基準パターンを有するウェハーの第２面を第１のガラ
ス板上に塗布された第１のフォトレジストによシ接着す
る工程と、前記基準パターンに目合せ露光することによ
シ前記第１のガラス板上に第２の基準レジストパターン
を形成する工程と、前記第１の７オトレジストの溶媒と
異った溶媒を用いる第２のフォトレジストを塗布した第
２のガラス板上に前記ウェハーの第１面を接着する工程
と、前記第２の基準レジストパターンをフォトマスクと
して露光することによシ前記第２のガラス板上に第２の
基準レジストそのパターンを第３の基準レジストパター
ンとして転写する工程、前記第１のガラス板を第１のフ
ォトレジストの溶媒を用いて剥離除去する工程と、前記
ウェハーの第２面に第３のフォトレジストを塗布する工
程と、前記第２のガラス板上の第３の基準レジストパタ
ーンを基準として、前記ウェノ・−の第２面′＼目合せ
露光を行なう工程とを含み構成でれる。
ス板上に塗布された第１のフォトレジストによシ接着す
る工程と、前記基準パターンに目合せ露光することによ
シ前記第１のガラス板上に第２の基準レジストパターン
を形成する工程と、前記第１の７オトレジストの溶媒と
異った溶媒を用いる第２のフォトレジストを塗布した第
２のガラス板上に前記ウェハーの第１面を接着する工程
と、前記第２の基準レジストパターンをフォトマスクと
して露光することによシ前記第２のガラス板上に第２の
基準レジストそのパターンを第３の基準レジストパター
ンとして転写する工程、前記第１のガラス板を第１のフ
ォトレジストの溶媒を用いて剥離除去する工程と、前記
ウェハーの第２面に第３のフォトレジストを塗布する工
程と、前記第２のガラス板上の第３の基準レジストパタ
ーンを基準として、前記ウェノ・−の第２面′＼目合せ
露光を行なう工程とを含み構成でれる。
次に図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の−・要論例を工程順に
説明した側面図である。本実施例し広面発光型発光ダイ
オードの両面回合せ工程を示したものである。
説明した側面図である。本実施例し広面発光型発光ダイ
オードの両面回合せ工程を示したものである。
まず、第１図（ａ） （ｒＣ示したように、ウェノ・−
３の第１の面３ａには目合せ基準パターン４が形成され
ているとする。このウェハー３の第２の面３ｂを第１の
フォトレジスト２を塗布した第１のガラス板１にこのフ
ォトレジスト２により接着し、ウェハーの第１の面３ａ
の目合せ基準のパターン４に合わせて露光することによ
り、このガラス板１−ヒに目合せされた第２の基準レジ
ストパターンを形成する。次に、第１図（ｂ）のように
、フォトレジスト２の溶媒に溶けない異種の第２の７オ
トレジスト６を塗布した第２のガラス板５を、ウェハ３
の目合せ基準パターン４のある第１の面３ａにこのレジ
スト６で接着し、このガラス板１上に形成したフェトレ
ジスト２の第２の基準レジストパターンをフォトマスク
としてレジスト６を露光しパターンを転写し第３の基準
レジストパターンを形成する。次に、第１図（Ｃ）のよ
うに、ウェハー３の第２の面３ｂの第１のガラス板１を
フォトレジスト２の溶媒または、専用剥離剤を用いて剥
離し、新たにウェハー３の第２の面３ｂに７オトレジス
ト６と溶媒の異なるフォトレジスト７を塗布し、ガラス
板５の上に形成した犯３の基準レジストパターンに合せ
て、ウェハー３の第２の面３ｂに叶合露光を行いレジス
トパターンを形成する。なお、フォトレジスト２とフォ
トレジスト６．７はそれぞれポジ型レジストとネガ型レ
ジストを使用すると良い。
３の第１の面３ａには目合せ基準パターン４が形成され
ているとする。このウェハー３の第２の面３ｂを第１の
フォトレジスト２を塗布した第１のガラス板１にこのフ
ォトレジスト２により接着し、ウェハーの第１の面３ａ
の目合せ基準のパターン４に合わせて露光することによ
り、このガラス板１−ヒに目合せされた第２の基準レジ
ストパターンを形成する。次に、第１図（ｂ）のように
、フォトレジスト２の溶媒に溶けない異種の第２の７オ
トレジスト６を塗布した第２のガラス板５を、ウェハ３
の目合せ基準パターン４のある第１の面３ａにこのレジ
スト６で接着し、このガラス板１上に形成したフェトレ
ジスト２の第２の基準レジストパターンをフォトマスク
としてレジスト６を露光しパターンを転写し第３の基準
レジストパターンを形成する。次に、第１図（Ｃ）のよ
うに、ウェハー３の第２の面３ｂの第１のガラス板１を
フォトレジスト２の溶媒または、専用剥離剤を用いて剥
離し、新たにウェハー３の第２の面３ｂに７オトレジス
ト６と溶媒の異なるフォトレジスト７を塗布し、ガラス
板５の上に形成した犯３の基準レジストパターンに合せ
て、ウェハー３の第２の面３ｂに叶合露光を行いレジス
トパターンを形成する。なお、フォトレジスト２とフォ
トレジスト６．７はそれぞれポジ型レジストとネガ型レ
ジストを使用すると良い。
従来の両面回合せ露光は、両面回合せ露光機を用いてい
たのでとの両面回合せ露光機の光学系の調整、保守が難
しく、また目合せ精度を安定に得ることが誰か１−り、
また、薄いウェハーや目合せ面に凹凸のちるウェハーで
はマスクあるいは、目合せ基準面との密着を確実に行な
わなければならず、そのため破損の恐れもあったが、本
発明によれば通常の露光機によシ高精度の両面回合せ露
光が可能であシ、まだウェノ・−を露光中ガラス板に接
着しであるので、薄いウェノ・−や目合せ面に凹凸のあ
るウェハーでも破損することなく露光することができる
。
たのでとの両面回合せ露光機の光学系の調整、保守が難
しく、また目合せ精度を安定に得ることが誰か１−り、
また、薄いウェハーや目合せ面に凹凸のちるウェハーで
はマスクあるいは、目合せ基準面との密着を確実に行な
わなければならず、そのため破損の恐れもあったが、本
発明によれば通常の露光機によシ高精度の両面回合せ露
光が可能であシ、まだウェノ・−を露光中ガラス板に接
着しであるので、薄いウェノ・−や目合せ面に凹凸のあ
るウェハーでも破損することなく露光することができる
。
尚、本実施例で使用するレジスト６．７はネガ型レジス
トの場合は同じものでもかまわない。
トの場合は同じものでもかまわない。
以上説明したように、本発明によれば、再現性よく、ウ
ェハーを破損すること無しに精度のよい両面回合せが実
現できる。
ェハーを破損すること無しに精度のよい両面回合せが実
現できる。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の実施例を工程順に説明
する側面図である。図において、 １．５・・・ガラス板、２． ６． ７・・・・・・フ
ォトレジスト、３・・・・・・ウェハー、３ａ、３ｂ・
・・・・・ウニノー−の一面、４・・・・・・目合せ基
準パターン、である。
する側面図である。図において、 １．５・・・ガラス板、２． ６． ７・・・・・・フ
ォトレジスト、３・・・・・・ウェハー、３ａ、３ｂ・
・・・・・ウニノー−の一面、４・・・・・・目合せ基
準パターン、である。
Claims (1)
- 第１面に目合せ基準パターンを有するウェハーの第２面
を第１のガラス板上に塗布された第１のフォトレジスト
によシ接着する工程と、前記基準パターンに目合せ露光
することによシ前記第１のガラス板上に第２基準レジス
トパターンを形成する工程と、前記第１のフォトレジス
トの溶媒と異った溶媒を用いる第２の７オトレジストを
塗布した第２のガラス板上に前記ウェハーの第１面を接
着する工程と、前記第２の基準レジストパターンをフォ
トマスクとして露光することによシ前記第２のガラス板
上にその第２の基準レジストパターンを第３の基準レジ
ストパターンとして転写する工程と、前記第１のガラス
板を第１のフォトレジストの溶媒を用いて剥離除去する
工程と、前記ウェハーの第２面に第３の７オトレジスタ
を塗布する工程と、前記第２のガラス板上の第３の基準
し先方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58165453A JPS6057627A (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | ウェハ−の両面目合せ露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58165453A JPS6057627A (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | ウェハ−の両面目合せ露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6057627A true JPS6057627A (ja) | 1985-04-03 |
Family
ID=15812702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58165453A Pending JPS6057627A (ja) | 1983-09-08 | 1983-09-08 | ウェハ−の両面目合せ露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6057627A (ja) |
-
1983
- 1983-09-08 JP JP58165453A patent/JPS6057627A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6495312B1 (en) | Method and apparatus for removing photoresist edge beads from thin film substrates | |
| US5485495A (en) | X-ray mask, and exposure apparatus and device production using the mask | |
| JP2006041302A (ja) | 露光装置 | |
| US6820525B2 (en) | Precision Fiducial | |
| JPH0349424B2 (ja) | ||
| JP2003156834A (ja) | 近接場光露光用マスク、露光装置および露光方法 | |
| JPS6057627A (ja) | ウェハ−の両面目合せ露光方法 | |
| CA1070855A (en) | Mask for optical exposure | |
| US6117599A (en) | Alignment and exposure process utilizing split beam for exposure and alignment | |
| JP2002072447A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6156349A (ja) | フオト・マスクの製造方法 | |
| JPS59208835A (ja) | 密着露光方法 | |
| JPH11204414A (ja) | パターン形成法 | |
| WO2005083774A1 (en) | Method of making a small substrate compatible for processing | |
| JPS623972B2 (ja) | ||
| KR100323443B1 (ko) | 반도체소자의제조방법 | |
| JPS63258019A (ja) | 目合露光装置 | |
| JPH03180017A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100475732B1 (ko) | 포토설비의웨이퍼얼라인장치 | |
| JPH09330866A (ja) | プロキシミティー露光方法及びプロキシミティー露光装置 | |
| JPS59215724A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH01309342A (ja) | 回路基板におけるバンプ形成方法 | |
| JPS61256635A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04243244A (ja) | 露光装置 | |
| JPH01248146A (ja) | エッチング用保護膜及びエッチング方法 |