JPS623972B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS623972B2 JPS623972B2 JP55134618A JP13461880A JPS623972B2 JP S623972 B2 JPS623972 B2 JP S623972B2 JP 55134618 A JP55134618 A JP 55134618A JP 13461880 A JP13461880 A JP 13461880A JP S623972 B2 JPS623972 B2 JP S623972B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- resist
- adhesive
- molecular weight
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、光、Ｘ線或いは荷電ビームで試料
を露光するに際し、試料を試料台に固定し、かつ
試料を試料台から剥離する方法に関する。
を露光するに際し、試料を試料台に固定し、かつ
試料を試料台から剥離する方法に関する。
電子ビーム露光装置等でウエハ（試料）に直接
パターンを露光する場合には、ウエハを何らかの
手法で試料台等に固定する必要がある。ウエハの
固定方法としては、従来第１図に示す如くウエハ
ホルダ本体１、押し板２および押しばね３からな
るウエハホルダが用いられている。このウエハホ
ルダの使用法は、第２図に示す如くウエハホルダ
本体１と押し板２との間にウエハ４を挾み、押し
ばね３で固定する。この方法では、ウエハ４の平
面度が十分出ている場合、ウエハ４の上面はウエ
ハホルダ本体１の基準面と略ぼ等しくなる。しか
し、拡散その他の高温処理プロセスを経たウエハ
４は反りを生じることが多く、このようなウエハ
４を前記ウエハホルダに固定しても、ウエハ４の
反りは残る。そして、このような反りのあるウエ
ハ４を露光した場合、電子ビームの位置決め誤差
が生じてしまい、描画精度の低下を招いた。
パターンを露光する場合には、ウエハを何らかの
手法で試料台等に固定する必要がある。ウエハの
固定方法としては、従来第１図に示す如くウエハ
ホルダ本体１、押し板２および押しばね３からな
るウエハホルダが用いられている。このウエハホ
ルダの使用法は、第２図に示す如くウエハホルダ
本体１と押し板２との間にウエハ４を挾み、押し
ばね３で固定する。この方法では、ウエハ４の平
面度が十分出ている場合、ウエハ４の上面はウエ
ハホルダ本体１の基準面と略ぼ等しくなる。しか
し、拡散その他の高温処理プロセスを経たウエハ
４は反りを生じることが多く、このようなウエハ
４を前記ウエハホルダに固定しても、ウエハ４の
反りは残る。そして、このような反りのあるウエ
ハ４を露光した場合、電子ビームの位置決め誤差
が生じてしまい、描画精度の低下を招いた。
そこで、ウエハの反りをなくすものとして特開
昭53−18969号ウエハ固定方法が提案されてい
る。この方法は、ウエハを接着剤を介して試料台
上の平面部に接着固定し、ウエハの反りを強制的
に矯正するものである。さらに、上記接着剤とし
て感ビームレジストや高分子材料を用いることに
よつて、ウエハ上のレジストの現像時に接着剤を
もエツチングしてウエハを試料台から剥離しよう
とするものである。
昭53−18969号ウエハ固定方法が提案されてい
る。この方法は、ウエハを接着剤を介して試料台
上の平面部に接着固定し、ウエハの反りを強制的
に矯正するものである。さらに、上記接着剤とし
て感ビームレジストや高分子材料を用いることに
よつて、ウエハ上のレジストの現像時に接着剤を
もエツチングしてウエハを試料台から剥離しよう
とするものである。
ところが、このような方法にあつては次のよう
な問題がある。すなわち、前記接着剤として感ビ
ームレジスト或いは高分子材料が用いられている
が、この種の接着剤を前記レジストの現像時間内
に完全にエツチングすることは困難である。この
ため、上記現像時間内にウエハを試料台から剥離
することはできないのが現状である。したがつ
て、レジストの現像後ウエハに外力を加えてウエ
ハを試料台から剥離する必要が生じ、作業工程が
増すと云う問題がある。さらに、外力を加えるた
めウエハが破損する虞れがあつた。また、前記接
着剤を完全にエツチングするためにレジストが現
像された後もウエハを現像液中に浸しておくこと
は、ウエハパターン形成に悪影響を及ぼすと共に
所要時間の増大を招いて好ましくなかつた。
な問題がある。すなわち、前記接着剤として感ビ
ームレジスト或いは高分子材料が用いられている
が、この種の接着剤を前記レジストの現像時間内
に完全にエツチングすることは困難である。この
ため、上記現像時間内にウエハを試料台から剥離
することはできないのが現状である。したがつ
て、レジストの現像後ウエハに外力を加えてウエ
ハを試料台から剥離する必要が生じ、作業工程が
増すと云う問題がある。さらに、外力を加えるた
めウエハが破損する虞れがあつた。また、前記接
着剤を完全にエツチングするためにレジストが現
像された後もウエハを現像液中に浸しておくこと
は、ウエハパターン形成に悪影響を及ぼすと共に
所要時間の増大を招いて好ましくなかつた。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、
その目的とするところは、レジストが塗布された
試料を接着剤を介して試料台に接着固定すること
により試料の反りをなくし得るのは勿論のこと、
上記レジストの現像時間内に試料と試料台とを確
実に剥離することのできる試料の固定剥離方法を
提供することにある。
その目的とするところは、レジストが塗布された
試料を接着剤を介して試料台に接着固定すること
により試料の反りをなくし得るのは勿論のこと、
上記レジストの現像時間内に試料と試料台とを確
実に剥離することのできる試料の固定剥離方法を
提供することにある。
すなわち、本発明は試料を試料台に固定する接
着剤として、試料に塗布されたレジストの現像液
に対するエツチング速度より速いエツチング速度
を有する部材を用いることによつて、前記目的を
達成せんとしたものである。
着剤として、試料に塗布されたレジストの現像液
に対するエツチング速度より速いエツチング速度
を有する部材を用いることによつて、前記目的を
達成せんとしたものである。
以下、この発明の詳細を図示の実施例によつて
説明する。
説明する。
第３図はこの発明の一実施例に係わる試料と試
料台との固定状態を示す側面図である。試料１０
の上面には、ポジ型電子ビームレジストとして分
子量80万程度のPMMA（ポリメチルメタクリレ
ート）からなるレジスト１１が塗布されている。
そして、この試料１０の下面を分子量10万以下の
PMMAからなる接着剤１２を介して試料台１３
の上面に接着固定する。試料台１３は、その上面
が面一状に形成されたものである。したがつて、
試料１０を試料台１３に接着する際、試料１０全
体に外力を加えつつ接着剤１２を乾燥させること
によつて、試料１０は第３図に示す如く試料台１
３の上面に沿つて固定され反りのない状態とな
る。
料台との固定状態を示す側面図である。試料１０
の上面には、ポジ型電子ビームレジストとして分
子量80万程度のPMMA（ポリメチルメタクリレ
ート）からなるレジスト１１が塗布されている。
そして、この試料１０の下面を分子量10万以下の
PMMAからなる接着剤１２を介して試料台１３
の上面に接着固定する。試料台１３は、その上面
が面一状に形成されたものである。したがつて、
試料１０を試料台１３に接着する際、試料１０全
体に外力を加えつつ接着剤１２を乾燥させること
によつて、試料１０は第３図に示す如く試料台１
３の上面に沿つて固定され反りのない状態とな
る。
次に、第３図に示す如き試料台１３に固定され
た試料１０を電子ビーム露光装置等を用いて露光
する。すなわち、試料１０に塗布されたレジスト
１１を電子ビームで直接露光する。このとき、試
料１０には反りがないため、上記電子ビームの位
置決め誤差等が生じることなく精度良く露光され
ることになる。しかるのち、試料１０、レジスト
１１、接着剤１２および試料台１３を現像液に浸
漬しレジスト１１の現像と共に接着剤１２のエツ
チングを行う。
た試料１０を電子ビーム露光装置等を用いて露光
する。すなわち、試料１０に塗布されたレジスト
１１を電子ビームで直接露光する。このとき、試
料１０には反りがないため、上記電子ビームの位
置決め誤差等が生じることなく精度良く露光され
ることになる。しかるのち、試料１０、レジスト
１１、接着剤１２および試料台１３を現像液に浸
漬しレジスト１１の現像と共に接着剤１２のエツ
チングを行う。
ところで、前記レジスト１１は電子ビームが照
射されると分子切断が起こりその分子量が10万程
度に小さくなる。第４図はレジスト１１に電子ビ
ームが照射されたときの分子量の変化を示すもの
で、曲線Ａは露光前の分子量の分布、曲線Ｂは露
光後の分子量の分布を表わしている。このように
電子ビームの照射によりレジスト１１の露光部と
非露光部とではその分子量が大きく異なる。した
がつて、前記電子ビームの照射後適当な現像液を
用いることによつて、レジスト１１の分子量が小
さくなつた部分、つまり露光部のみをエツチング
することができる。また、前記接着剤１２は分子
量10万以下のPMMAからなるものである。した
がつて、接着剤１２は上記現像液によりレジスト
１１の露光部よりも速いエツチング速度でエツチ
ングされることになる。これにより、レジスト１
１の現像が終了する頃には接着剤１２は略全部が
エツチングされることになり、試料１０と試料台
１３とは確実に剥離されることになる。
射されると分子切断が起こりその分子量が10万程
度に小さくなる。第４図はレジスト１１に電子ビ
ームが照射されたときの分子量の変化を示すもの
で、曲線Ａは露光前の分子量の分布、曲線Ｂは露
光後の分子量の分布を表わしている。このように
電子ビームの照射によりレジスト１１の露光部と
非露光部とではその分子量が大きく異なる。した
がつて、前記電子ビームの照射後適当な現像液を
用いることによつて、レジスト１１の分子量が小
さくなつた部分、つまり露光部のみをエツチング
することができる。また、前記接着剤１２は分子
量10万以下のPMMAからなるものである。した
がつて、接着剤１２は上記現像液によりレジスト
１１の露光部よりも速いエツチング速度でエツチ
ングされることになる。これにより、レジスト１
１の現像が終了する頃には接着剤１２は略全部が
エツチングされることになり、試料１０と試料台
１３とは確実に剥離されることになる。
なお、本発明者等の実験によれば、接着剤１２
として分子量80万のPMMAと分子量10万の
PMMAとを用い、それぞれについての剥離時間
を測定したところ分子量80万のものでは最大25
分、分子量10万のものでは最大10分掛かつた。10
分程度はPMMAからなる通常のレジスト１１の
現像時間である。したがつて、前述の方法により
レジスト１１の現像時間内に試料１０が試料台１
３から確実に剥離されることが判明した。
として分子量80万のPMMAと分子量10万の
PMMAとを用い、それぞれについての剥離時間
を測定したところ分子量80万のものでは最大25
分、分子量10万のものでは最大10分掛かつた。10
分程度はPMMAからなる通常のレジスト１１の
現像時間である。したがつて、前述の方法により
レジスト１１の現像時間内に試料１０が試料台１
３から確実に剥離されることが判明した。
このように本実施例方法では、レジスト１１が
塗布された試料１０を接着剤１２を介して試料台
１３に接着固定したのち、上記レジスト１１を電
子ビームで露光し、しかるのち現像液にて上記レ
ジスト１１と接着剤１２とを同時にエツチングす
るようにしている。さらに、上記接着剤１２とし
てレジスト１１の露光部の上記現像液に対するエ
ツチング速度より速いエツチング速度を有する部
材、すなわちレジスト１１と同種類で、かつその
分子量が十分小さい部材を用いている。したがつ
て、レジスト１１の現像時間内に試料１０を試料
台１３から確実に剥離することができる。このた
め、外力等により試料１０を試料台１３から剥離
する等の作業工程が不要となり、さらに外力によ
る試料１０の破損等を未然に防止できる等の効果
を奏する。また、接着剤１２を介して試料１０を
試料台１３に接着固定し試料１０の反りをなくす
ようにしているので、描画精度の向上をはかり得
るのは勿論のことである。
塗布された試料１０を接着剤１２を介して試料台
１３に接着固定したのち、上記レジスト１１を電
子ビームで露光し、しかるのち現像液にて上記レ
ジスト１１と接着剤１２とを同時にエツチングす
るようにしている。さらに、上記接着剤１２とし
てレジスト１１の露光部の上記現像液に対するエ
ツチング速度より速いエツチング速度を有する部
材、すなわちレジスト１１と同種類で、かつその
分子量が十分小さい部材を用いている。したがつ
て、レジスト１１の現像時間内に試料１０を試料
台１３から確実に剥離することができる。このた
め、外力等により試料１０を試料台１３から剥離
する等の作業工程が不要となり、さらに外力によ
る試料１０の破損等を未然に防止できる等の効果
を奏する。また、接着剤１２を介して試料１０を
試料台１３に接着固定し試料１０の反りをなくす
ようにしているので、描画精度の向上をはかり得
るのは勿論のことである。
第５図は他の実施例に係わる試料と試料台との
固定状態を示す模式図である。なお、第３図と同
一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は
省略する。この実施例は試料１０を試料台１３に
接着固定するに際し、真空槽１４および真空ポン
プ１５を用いて試料１０の反りをなくすようにし
たものである。すなわち、真空ポンプ１５により
真空槽１４内を真空排気し、真空槽１４の貫通口
１４ａおよび試料基板１３の貫通口１３ａを介し
て試料１０を真空吸引しながら試料台１３に接着
固定するようにしたものである。なお、その後の
工程は先に説明した実施例と同様である。このよ
うな方法であつても先の実施例と同様の効果を奏
する。
固定状態を示す模式図である。なお、第３図と同
一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は
省略する。この実施例は試料１０を試料台１３に
接着固定するに際し、真空槽１４および真空ポン
プ１５を用いて試料１０の反りをなくすようにし
たものである。すなわち、真空ポンプ１５により
真空槽１４内を真空排気し、真空槽１４の貫通口
１４ａおよび試料基板１３の貫通口１３ａを介し
て試料１０を真空吸引しながら試料台１３に接着
固定するようにしたものである。なお、その後の
工程は先に説明した実施例と同様である。このよ
うな方法であつても先の実施例と同様の効果を奏
する。
なお、この発明は上述した各実施例に限定され
るものではない。例えば、前記レジストの形成部
材はPMMAに限るものではなく、またその分子
量も80万に限るものではない。さらに、レジスト
としてネガ型のものを用いることも可能である。
この場合、レジストの露光部は架橋反応を起こし
その分子量が大きくなり不溶化するので、レジス
トの非露光部がエツチングされることになる。こ
の場合、前記接着剤としては非露光部のレジスト
分子量よりも小さいものを使用するとよい。ま
た、前記接着剤を形成するPMMAの分子量は10
万以下に限るものではなく、レジストを形成する
PMMAの分子量に応じて適宜定めればよいもの
である。さらに、接着剤はPMMAに限るもので
はなく、現像液に対するエツチング速度がレジス
トのエツチング部のエツチング速度より速いもの
であればよい。さらに、レジストを露光するには
電子ビームの他にイオンビーム、光或いはＸ線等
を用いることも可能である。また、試料としては
ウエハの他にマスク基板その他各種のものに適用
できる。その他、この発明の要旨を逸脱しない範
囲で、種々変形して実施することができる。
るものではない。例えば、前記レジストの形成部
材はPMMAに限るものではなく、またその分子
量も80万に限るものではない。さらに、レジスト
としてネガ型のものを用いることも可能である。
この場合、レジストの露光部は架橋反応を起こし
その分子量が大きくなり不溶化するので、レジス
トの非露光部がエツチングされることになる。こ
の場合、前記接着剤としては非露光部のレジスト
分子量よりも小さいものを使用するとよい。ま
た、前記接着剤を形成するPMMAの分子量は10
万以下に限るものではなく、レジストを形成する
PMMAの分子量に応じて適宜定めればよいもの
である。さらに、接着剤はPMMAに限るもので
はなく、現像液に対するエツチング速度がレジス
トのエツチング部のエツチング速度より速いもの
であればよい。さらに、レジストを露光するには
電子ビームの他にイオンビーム、光或いはＸ線等
を用いることも可能である。また、試料としては
ウエハの他にマスク基板その他各種のものに適用
できる。その他、この発明の要旨を逸脱しない範
囲で、種々変形して実施することができる。
以上詳述したように本発明方法によれば、試料
を試料台に固定する接着剤として、試料に塗布さ
れたレジストのエツチング部の現像液に対するエ
ツチング速度より速いエツチング速度を有する部
材を用いるようにしているので、上記レジストの
現像時間内に試料と試料台とを確実に剥離し得る
試料の固定剥離方法を提供することができる。
を試料台に固定する接着剤として、試料に塗布さ
れたレジストのエツチング部の現像液に対するエ
ツチング速度より速いエツチング速度を有する部
材を用いるようにしているので、上記レジストの
現像時間内に試料と試料台とを確実に剥離し得る
試料の固定剥離方法を提供することができる。
第１図は従来のウエハホルダの概略構成を示す
断面模式図、第２図は上記ウエハホルダの使用法
を示す断面模式図、第３図はこの発明の一実施例
に係わる試料と試料台との固定状態を示す側面
図、第４図は上記実施例の作用を説明するための
特性図、第５図は他の実施例に係わる試料と試料
台との固定状態を示す断面模式図である。 １０……試料、１１……レジスト、１２……接
着剤、１３……試料台、１４……真空槽、１５…
…真空ポンプ。
断面模式図、第２図は上記ウエハホルダの使用法
を示す断面模式図、第３図はこの発明の一実施例
に係わる試料と試料台との固定状態を示す側面
図、第４図は上記実施例の作用を説明するための
特性図、第５図は他の実施例に係わる試料と試料
台との固定状態を示す断面模式図である。 １０……試料、１１……レジスト、１２……接
着剤、１３……試料台、１４……真空槽、１５…
…真空ポンプ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ レジストが塗布された試料を接着剤を介して
試料台の平面部に接着固定したのち、上記レジス
トを光、Ｘ線或いは荷電ビームで露光し、しかる
のち上記レジストの露光部或いは非露光部のいず
れかと上記接着剤とを現像液にて同時にエツチン
グする試料の固定剥離方法において、前記接着剤
として、前記レジストと同種類の高分子材料を用
い、且つ前記接着剤の分子量を前記レジストの分
子量よりも低いものにしたことを特徴とする試料
の固定剥離方法。 ２ 前記レジストとして分子量が80万程度の
PMMAを用い、前記接着剤として分子量が10万
以下のPMMAを用いたことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の試料の固定剥離方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55134618A JPS5759328A (en) | 1980-09-27 | 1980-09-27 | Method for fixed exfoliation of sample |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55134618A JPS5759328A (en) | 1980-09-27 | 1980-09-27 | Method for fixed exfoliation of sample |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5759328A JPS5759328A (en) | 1982-04-09 |
| JPS623972B2 true JPS623972B2 (ja) | 1987-01-28 |
Family
ID=15132593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55134618A Granted JPS5759328A (en) | 1980-09-27 | 1980-09-27 | Method for fixed exfoliation of sample |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5759328A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63156477U (ja) * | 1987-04-01 | 1988-10-13 | ||
| JPH02163477A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-22 | Kayaba Ind Co Ltd | 回転ピストンポンプ並びにモータ |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59192834U (ja) * | 1983-06-09 | 1984-12-21 | 富士通株式会社 | 基板保持構造 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5318969A (en) * | 1976-08-06 | 1978-02-21 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Wafer fixing method |
-
1980
- 1980-09-27 JP JP55134618A patent/JPS5759328A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63156477U (ja) * | 1987-04-01 | 1988-10-13 | ||
| JPH02163477A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-22 | Kayaba Ind Co Ltd | 回転ピストンポンプ並びにモータ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5759328A (en) | 1982-04-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0037708B1 (en) | Method of forming patterns | |
| US5485495A (en) | X-ray mask, and exposure apparatus and device production using the mask | |
| US4307176A (en) | Method of forming a pattern | |
| JP2003507765A (ja) | 向上したレジスト除去のためのリワークの間の露光 | |
| JPS623972B2 (ja) | ||
| US3986876A (en) | Method for making a mask having a sloped relief | |
| EP0021719A2 (en) | Method for producing negative resist images, and resist images | |
| JP2010135609A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CA1070855A (en) | Mask for optical exposure | |
| JPH0364758A (ja) | フォトレジスト剥離方法 | |
| JP2723726B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| US3591465A (en) | Selective silicon groove etching using a tantalum oxide mask formed at room temperatures | |
| JPH11204414A (ja) | パターン形成法 | |
| JPH06110214A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| KR0179339B1 (ko) | 감광막패턴 형성방법 | |
| KR0130386B1 (ko) | 포토레지스트 패턴 형성방법 | |
| JP2856593B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JP2966127B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS6156867B2 (ja) | ||
| JPS59208835A (ja) | 密着露光方法 | |
| JPS59121841A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JP3451431B2 (ja) | Ｘ線露光用マスク及びその製造方法 | |
| JPS6351637A (ja) | マスク形成方法 | |
| JPH02103921A (ja) | パターン形成方法及びパターン形成用マスク | |
| JPS6054775B2 (ja) | ドライ現像方法 |