JPH01309342A - 回路基板におけるバンプ形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体チップを裏返しにして回路基板に形成
された接続端子にボンディングを行う、いわゆるフェー
スダウン実装法におけるバンブ形成方法に関するもので
ある。

〔従来技術〕

従来、回路基板上の電極にフリップチップと呼ばれる半
導体チップを接合するフェースダウン実装法において、
回路基板上にバンプを形成するには、回路基板に厚膜ガ
ラスペースト膜を設け、この上にフォトレジストを塗布
し、更にマスクを用いて露光、現像してフォトレジスト
上のバンプ形成位置に開口部を設け、その後厚膜ガラス
ペースト膜をエツチングを行って形成した開口部にノ＼
ンプを形成している（特開昭５９−１１１３３８号公報
）。このような方法により回路基板上にバンプを形成す
る場合、回路基板の電極パターンとフォトレジストに開
口を形成するために用いるマスクのパターンとの位置合
わせを正確に合致させないと、第７図に示されるように
、回路基板１２の電極パターン１１に対してバンプ１７
の位置がずれることになる。

したがって、従来のハンプ形成において、回路基板の電
極パターンに対するマスクのパターンの位置合わせが厄
介であり、その位置合わせの作業を精度よく行う必要が
ある。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明は、半導体チップを回路基板にフェースダウンに
より取り付けるに必要なバンプの形成に際して、正確な
位置決め手段を必要とすることなく、バンプを回路基板
の電極パターン上に正確に配置することができる新規な
バンプ形成方法を提供することを目的とする。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、前記目的を達成するため、電極パターンを形
成した透明基板上にフォトレジストを塗布し、該透明基
板のフォトレジスト上に配置する補助マスクのパターン
と前記電極パターンとを介して上下方向から露光を行い
、しがる後、現像することによりフォトレジストに開口
部を形成し、該開口部に電解メッキによりバンプを形成
し、透明基板上のフォトレジストを除去してなることを
特徴とするものである。

〔作　用〕 本発明のバンプ形成方法によって回路基板上に得られた
バンプは回路基板である透明基板の電極パターン上に簡
易且つ正確に設けられる作用をもたらすものである。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図面により説明する。

本発明において、電極パターン１を形成した回路基板２
としては、透明な回路基板であることが重要であり、実
施例ではガラス基板２が用いられている。

本発明の実施例における各工程を図面により順次説明す
ると、先ず、この電極パターン１を形成したガラス基板
２上に、フォトレジスト３を塗布し乾燥する（第１図）
。この実施例のフォトレジスト３はネガ型を用いている
。

次に、ガラス基板２の電極パターン１上にバンプを形成
するため、バンプが形成されるフォトレジストの位置に
開口部を得るべく、第２図に示されるようなパターン４
ａを設けた補助マスク４が用意される。この補助マスク
４はそのパターン４ａの一部を電極パターン１と重なる
ように、フォトレジスト３の上面に配置される。この状
態において、ガラス基板２の上方及び下方に配置した光
源５ａ、５ｂにより紫外線を照射露光する（第３図）。

この光源５　ａ　、　５　ｂの紫外線の照射露光により
、上方光源５ａはパターン４ａに相当する以外のフォト
レジストの部分３ａを露光し、下方光源５ｂは電極パタ
ーン１以外のフォトレジストの部分３ｂを露光し、パタ
ーン４ａと電極パターン１の重なり合ったフォトレジス
ト部分３ｃが露光されない状態を維持する（第３図）。

露光後、ガラス基板２を現像することにより、フォトレ
ジスト３の露光部分３ａ、３ｂはネガ型のフォトレジス
トであるため、不溶性となって残り、不露光部分３ｃは
現像液によって溶解される。

この結果、不露光部分３ｃに対応する位置には、第４図
に示されるように開口部６が得られる。

更に、フォトレジスト３に形成された開口部６の部分に
位置する電極パターン１に対して、所定の厚さの電解メ
ッキを施し、この電解メッキ層によるハンプ７が形成さ
れる（第５図）。

しかる後、ガラス基板２上に残されているフォトレジス
ト３ａ、３ｂを除去することにより、第６図に示される
ように、バンプ７がガラス基板２の電極パターン１上に
正確に位置ぎめされて形成される。

以上のように、本発明において、透明基板を用い、フォ
トレジストの下側に位置する電極パターンとフォトレジ
スト上面に配置する補助マスクのパターンを利用し、そ
の上下から露光することによって、透明基板の電極パタ
ーンの所定位置に正しくバンプを形成することができる
。

ガラス基板２の上方及び下方からの光源の照射は同時で
あってもよく、またいずれか一方の側から順次に行って
もよい。

〔効　果〕

本発明により、透明基板の電極パターン自体も補助マス
クのパターンと共に利用することにより、従来の如く電
極パターンに対するマスクのパターンの位置決め精度を
あげるための手段を必要とせず、電極パターン上に簡易
に正確且つ精度よくバンプを形成しうる効果を有し、ハ
ンプの寸法はフォトレジストの開口部により規制され、
不必要な部分にバンプが形成されることがない利点を有
する。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第６図は本発明のバンプ形成方法の工程を示す
説明図であり、 第１図は透明基板にフォトレジストを塗布した側面図、 第２図は補助マスクの平面図、 第３図は第１図に補助マスクを配置し上下光源より露光
する側面図、 第４図は第３図の露光後、現像して開口部を形成した状
態を示す斜視図、 第５図は第４図に電解メッキを施しバンプを形成した側
面図、 第６図は第５図からレジストを除去した側面図、第７図
は従来技術により得られるバンプ位置を示す側面図であ
る。 ■・・・電極パターン、２・・・透明基板（ガラス基板
）、３・・・フォトレジスト、４・・・補助マスク、５
ａ、５ｂ・・・光源、６・・・開口部、７・・・ハンプ
。 特許出願人　　　　　株式会社　リ　コ　−第４図 ノ 第５図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　電極パターンを形成した透明基板上にフォトレジスト
   を塗布し、該透明基板のフォトレジスト上に配置する補
   助マスクのパターンと前記電極パターンとを介して上下
   方向から露光を行い、しかる後、現像することによりフ
   ォトレジストに開口部を形成し、該開口部に電解メッキ
   によりバンプを形成し、透明基板上のフォトレジストを
   除去してなることを特徴とする回路基板におけるバンプ
   形成方法。