JPH0349424B2 - - Google Patents

Description

請求の範囲 １ １つのホルダ２０内に２つの対向した主表面
を有する基板３５を捕捉し、前記ホルダは、２つ
の対向した主表面を有し、かつ少なくとも１つの
アパーチヤ３０が前記基板３５を受け入れるのに
適当な寸法を有する、フオトリソグラフイプロセ
ツシング方法であり、前記方法は、 前記アパーチヤ３０内に前記基板３５を配置す
る工程と、 乾燥膜感光性樹脂レジスト４０，５５を前記ホ
ルダ２０と前記基板３５の少なくとも１表面に積
層し、それにより前記基板３５を前記アパーチヤ
３０内に捕捉する工程と、 前記ホルダの１表面から前記基板の対応する１
表面に延びている少なくとも１つの連続している
領域を含む所望の領域に前記レジストを重合する
工程と、 所望しない領域１２７におけるレジストを除去
し、それにより前記ホルダの１表面から前記基板
の１表面に延びている前記連続する領域にレジス
ト１１５の保持タブを残す工程と、 前記乾燥膜感光性樹脂レジスト４０，５５を適
当な波長の光１００，１００Ａに適当な時間の間
露光することによつて前記重合工程を達成する工
程と、を含むことを特徴とするフオトリソグラフ
イプロセツシング方法。

２ 前記乾燥膜感光性樹脂レジスト４０，５５が
露光工程の期間中にフオトリソグラフイマスク８
０，８０Ａに光線を通過させることによつて露光
される請求の範囲第１項記載のフオトリソグラフ
イプロセツシング方法。

３ 前記フオトリソグラフイマスク８０，８０Ａ
が露光工程の期間中に前記乾燥膜感光性樹脂レジ
スト４０，５５と接触する請求の範囲第２項記載
のフオトリソグラフイプロセツシング方法。

４ 積層工程が熱積層工程によつて達成される前
記請求の範囲第１項乃至第３項の内、いずれか１
項記載のフオトリソグラフイプロセツシング方
法。

５ レジストを所望しない領域１２７から除去し
た後に前記基板３５を前記ホルダ２０から取り除
く工程を含む更に前記請求の範囲第１項乃至第４
項の内、いずれか１項記載のフオトリソグラフイ
プロセツシング方法。

６ 前記ホルダ２０から前記基板３５を取り除く
工程が前記保持タブを切断するプロセスによつて
達成される請求の範囲第５項記載のフオトリソグ
ラフイプロセツシング方法。

７ 前記ホルダ２０から前記基板３５を取り除く
工程がパンチングプロセスによつて達成される請
求の範囲第５項記載のフオトリソグラフイプロセ
ツシング方法。

８ 最後の工程としてすべてのレジストを適当な
溶媒で前記基板３５の表面から溶解する工程を更
に含む前記請求の範囲第１項乃至第７項の内、い
ずれか１項記載のフオトリソグラフイプロセツシ
ング方法。

９ 前記溶媒がアセトン液である請求の範囲第８
項記載のフオトリソグラフイプロセツシング方
法。

１０ 前記ホルダが前記ホルダの長さに沿つて前
記ホルダ２０の縁の近くに規則的間隔をおいて置
かれている駆動穴を有する前記請求の範囲第１項
乃至第９項の内、いずれか１項記載のフオトリソ
グラフイプロセツシング方法。

１１ 前記駆動穴２５が35mmの写真用フイルムの
駆動装置に適合している請求の範囲第１０項記載
のフオトリソグラフイプロセツシング方法。

１２ 前記ホルダ２０の材料がステンレススチー
ルである前記請求の範囲第１項乃至第１１項の
内、いずれか１項記載のフオトリソグラフイプロ
セツシング方法。

１３ レジストを所望しない領域１２７から除去
した後に前記基板３５の１表面上に金属めつきす
る工程を含む前記請求の範囲第１項乃至第１２項
の内、いずれか１項記載のフオトリソグラフイプ
ロセツシング方法。

１４ 前記アパーチヤ３０内の前記基板３５を配
置する工程の前に前記基板３５の少なくとも１表
面を金属めつきする工程を更に含む前記請求の範
囲第１項乃至第１３項の内、いずれか１項記載の
フオトリソグラフイプロセツシング方法。

１５ レジスト４０，５５を所望しない領域１２
７から除去した後に前記金属めつき６５，７５を
エツチングする工程を更に含む請求の範囲第１４
項記載のフオトリソグラフイプロセツシング方
法。

１６ 前記金属がアルミニウムである請求の範囲
第１４項或いは第１５項の内、いずれか１項記載
のフオトリソグラフイプロセツシング方法。

１７ 前記基板３５の材料が石英である前記請求
の範囲第１項乃至第１６項の内、いずれか１項記
載のフオトリソグラフイプロセツシング方法。

発明の背景 １ 発明の分野 本発明は、基板表面上に金属被覆パターンを作
むプロセスの分野に関するものであり、更に具体
的に云うと容易に自動化に適合するフオトリソグ
ラフイ技術を用いて石英結晶、ハイブリツド回路
又は半導体デバイスの表面上に高分解能金属被覆
パターンを作るフオトリソグラフイプロセツシン
グ方法に関する。

２ 先行技術の説明 石英結晶製品上に金属被覆領域を作るための通
常認められている製造プロセスは、シヤドウマス
キングと呼ばれるステンシリングプロセス
（stenciling process）である。このプロセスで
は、アパーチヤのあるマスクが時にはみがかれて
いる結晶ブランク（blank）と接触して置かれ
る。マスクのアパーチヤは、金属被覆が所望され
堆積される場所に対応するステンシルパターンを
形成する。マスクされたブランクは適当な真空容
器内に置かれる。次に金属が容器内で蒸発し、ス
テンシルのアパーチヤによつて露出された場所に
おいて結晶表面に付着する。そのようなプロセス
においては、分解能はせいぜい良くても中くらい
のものであつて、寸法の精度は約1/1000インチ内
にすぎない。この分解能はシヤドウマスクを種々
の機械加工技術又はエツチング技術で製造しうる
精度によつて制限される。

金属をシヤドウマスキングによつて結晶の両表
面上に堆積しようとする場合には、表から裏への
所望するパターンのアライメントは制御が困難で
ある。このアライメントは代表的な場合には結晶
によつて異なり、その結果結晶のモーシヨナルパ
ラメータの不一致をきたす。結晶のモーシヨナル
パラメータは中心周波数、通過帯域の形、スプリ
アス応答およびその他の電気的パラメータを決定
する。マスクは代表的な場合には約3/1000インチ
の厚さのステンレススチール又はその他の金属で
作られている。この薄い金属における複雑なステ
ンシルパターンは曲がり易く、さもなければ損傷
をうけ易い。

更に、マスクのステンシリングの性質により、
このプロセスを２回又はそれ以上反復せずに必ず
しもすべてのパターンをこの方法で作りうるとは
限らない。これは一般的にはマスクが１枚の金属
から打抜き又はエツチングによつて作られるから
である。多数の種類の金属被覆パターンを製作す
ることは不可能である。更に、そのようなマスク
は製造がむつかしく、多くの時間がかかる。これ
は実験的な結晶成長段階にとつて重大な短所であ
る。

集積回路用導線を作るためのテープキヤリアを
製作する１つの方法においては、裏側に接着剤の
付いた柔軟な絶縁テープを用いてその表面上の薄
い金属箔を運んで集積回路導線を作る。この絶縁
テープの一方の面全体は接着剤で覆われており、
その面には穴が打抜かれていて、それらの穴のた
めに銅箔の部分の両側に近づくことができフオト
リソグラフイ技術で処理できるようになつてい
る。テープキヤリアの穴によつて露出されている
箔の部分だけが、接着剤に接触している面上でフ
オトリソグラフイ処理のために利用できる。箔を
テープに結合することはテープの粘着性によつて
達成される。

仕上つた組立品が接着剤の接着力を失わせるよ
うな高温にさらされないように注意しなければな
らない。また導線が接着剤と有害な反応をしない
ようにするために、導線処理に用いられる現像主
薬およびエツチング剤の選択に注意を払わなけれ
ばならない。接着剤はテープキヤリア組立品を更
に処理するのに用いられる化学物質を汚染する可
能性のあるちりおよびほこりを引き寄せる傾向が
ある。

その他の先行技術デバイスは柔軟な金属導線を
作るのに有用であるが、それらのデバイスはセラ
ミツク又は石英結晶基板のような一層もろい加工
品を処理するのには余り適していない。そのよう
な加工品をテープキヤリアの接着面から分離する
と、多数の基板を傷つけるおそれがあることが明
らかである。これは生産歩どまりを低下させ、組
立品の価格を不当に高くする。テープキヤリアの
もう１つの欠点は、再使用しようとするとテープ
キヤリアの粘着性を低下させ、接着剤の信頼度を
低くするので、明らかに一度しか使用できないこ
とである。

両面フオトリソグラフイを用いてシリコンウエ
ーハの両面を同時に露出できることも知られてい
る。このような露出は通常は“アリゲータマス
ク”を用いて行われ、これはフオトリソグラフイ
マスクをフオトレジスト被覆シリコンウエーハと
直接に接触させる。両面フオトリソグラフイのそ
の他の方法も技術上周知である。

発明の要約 本発明の目的は、基板の一面又は両面に高分解
能金属被覆パターンを作る改良されたフオトリソ
グラフイプロセツシング方法を提供することであ
る。

本発明のもう１つの目的は、石英結晶上の金属
被覆パターンの前後アラインメントおよび線分解
能を改良するフオトリソグラフイプロセツシング
方法を提供することである。

本発明の更にもう１つの目的は、処理中にホル
ダ内に基板を捕捉する改良されたフオトリソグラ
フイプロセツシング方法を提供することである。

本発明の更にもう１つの目的は、一面又は両面
プロセスのためのフオトリソグラフイ処理期間中
にホルダ内に石英結晶を捕捉するフオトリソグラ
フイプロセツシング方法を提供することである。

本発明のこれらの、およびその他の目的は、本
発明の下記の説明を考慮すると当業者には明らか
になるであろう。

本発明は、ホルダ内に２つの対向する面を有す
る基板を捕捉する方法の提供を指向する。このホ
ルダは２つの対向する主要な面、および基板を受
け入れるのに適当な寸法の少なくとも１つのアパ
ーチヤを有する。基板はホルダのアパーチヤ内に
置かれ、乾燥膜感光性樹脂レジスト
（photopolymer resist）はホルダおよび基板の面
のうちの少なくとも１つに重ねられる。従つて、
感光性樹脂レジストは基板をホルダ内に捕捉す
る。次に乾燥膜感光性樹脂は所望する領域で重合
される。これらの所望するパターン形成された領
域のうちの１つは、ホルダの面から基板の面に延
びている連続した領域でなければならない。次に
乾燥膜感光性樹脂レジストの所望しない領域を除
去する。これによりホルダの表から基板の面に延
びている１つの対応する連続した所望する領域に
おいてレジストの保持タブ（retaining tab）が
残る。数個のそのようなタブを形成してもよい。
従つて基板は、現像前には乾燥膜感光性樹脂レジ
ストにより、現像後は１つ又は複数のタブによつ
てホルダのアパーチヤ内に捕捉される。

新規であると考えられる本発明の特徴が添付し
てある請求の範囲に具体的に説明されている。し
かし、本発明自体の機構および動作方法、ならび
に本発明の更に付加目的および利点は、添付の図
面ならびに下記の説明を参照することによつて最
も良く理解されるであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は、基板とフオトレジストの相対的位置
を示す基板ホルダの分解図を示す。

第２図は、積層後の第１図の基板ホルダを示
す。

第３図は、第２図の線３−３に沿つて切断した
断面図を示す。

第４図は、乾燥膜感光性樹脂レジストに対する
露出（光）プロセスを示す。

第５図は、感光性樹脂の露出（光）および現像
後の第３図の断面図の一部を示す。

第６図を、金属被覆をエツチングして除去した
後の第５図の断面図を示す。

第７図は、露出、現像およびエツチング後にタ
ブを保持することによつてホルダ内に保持されて
いる結晶を示す。

第８図は、完成された石英結晶を示す。

好ましい実施例の説明 好ましい実施例の第１図を参照にすると、ホル
ダ２０の本体１５は厚さ約3/1000インチの可撓性
ステンレススチール挟み金粗材（shim stock）
で作られていることが好ましい。好ましい実施例
では、ホルダは打抜き加工、エツチング、その他
の方法で35mm写真フイルムの形態に似た形に作ら
れる。駆動穴（drive hole）２５は各端に沿つて
位置しており、処理システムを通つてホルダを運
ぶのに用いられる。好ましい実施例は35mm写真フ
イルムの駆動装置をこの目的に適合させる。

アパーチヤ３０は同一の形をしており、ホルダ
が受け入れる基板より寸法がやや大きい。アパー
チヤおよび基板は、適当と思われる場合には基板
が正しい配置方向で確実に挿入されるようにする
ために何らかのキーイング機構を含んでいてもよ
いし、或いは含んでいなくてもよい。或る実施例
では、このプロセスは石英結晶上に高分解能金属
被覆パターンを作るのに用いられる。しかし、同
様なホルダをセラミツク、金属又はシリコン基板
とともに用いるために作ることができる。穴３０
のパターンはホルダの全長にわたつて規則的な間
隔で反復してもよい。好ましい実施例では８つの
穴からなる反復する特定のパターンが示されてい
るが、任意の便利な数を用いてよい。

第１図において、また第２図において、アルミ
ニウムなどの金属によつて一面又は両面が均等に
被覆された石英結晶半加工品（blank）として示
されている基板３５がホルダのアパーチヤ内に置
かれることが判る。アパーチヤ壁と結晶との間の
空〓４５は説明のため誇張して示されている。好
ましい実施例では、約５ミルの間〓が結晶とホル
ダの間にある。或る実施例では、正確なアライン
メントと位置決めを保証するため、非常にきびし
い許容範囲がホルダと結晶基板との間に保たれて
いる。乾燥膜感光性樹脂（photopolymer）レジ
スト４０がホルダの底面に重ねられている。

乾燥膜感光性樹脂レジスト（以下、“レジスト”
と云う）は薄いシート状をなしており、所望する
領域が一定の波長の光にさらされると重合する。
好ましい実施例では、デユポン社製リストン
（Riston ）を使用してもよく、厚さ1.1ミルのレ
ジストがこの目的には最適であることが見出され
ている。乾燥膜感光性樹脂レジストは液体感光性
樹脂レジストより優れた利点を有している。即
ち、使用者は加工品を同じ厚さで均等に被覆しよ
うとして気を使う必要がない。重合後、乾燥レジ
ストの重合してない領域は、メーカーにより勧め
られる適当な現像液にそのレジストを浸すことに
よつて容易に洗い流すことができる。

第２図に示されているように、レジストはホル
ダの幅よりもやや狭いが、ホルダのアパーチヤ３
０全部を完全に覆うのに十分であるが駆動穴２５
にはかからない幅を有するストリツプに切られて
いる。次にレジストは熱積層プロセスを用いてホ
ルダに重ねられ、基板はホルダのアパーチヤに入
れられる。好ましい実施例では、レジスト４０は
石英結晶３５がアパーチヤ３０内に置かれる前に
実際にホルダ２０の下面に重ねられる。しかし、
積層を行う前に結晶をホルダ内に置くことができ
る。熱積層法を用いると他のプロセスに用いられ
る粘着性テープを用いなくてもすむ。従つて、後
でプロセスに用いる化学物質を汚染する接着剤は
なく、取り扱いが非常に簡単になる。

プロセスの次の段階では、レジスト５５の第２
層がホルダの上表面に重ねられ、従つて基盤の両
面を乾燥レジストで捕捉する。この組立品の正面
図が第２図において６０として示されている。

好ましい実施例はレジストで積層されたホルダ
２０の両面を示しているが、基板を捕捉するのに
はレジストの一層だけが必要であるので一面のプ
ロセスもまた可能である点に注目すべきである。

レジスト５５はまたホルダ２０の幅よりもその
幅が狭いが、すべてのアパーチヤ３０を覆うのに
必要な幅よりも幅が広い。レジスト５５はまたホ
ルダ２０の表面および基板３５の表面に熱積層さ
れる。このプロセスは下記の順序で進めることが
できる。第１図を重ね、基板をアパーチヤに入
れ、第２面を重ねる。レジスト５５（上側）に対
する第２積層プロセスは、上層および下層のレジ
ストが共に結晶基板に付着するようにすべきであ
る。この積層プロセスは加熱したローラーの間に
この積層物を通すことによつて達成できる。

第２図の組立品６０を線３−３に沿つて切断し
た断面図が第３図に示してある。この図はホルダ
２０のアパーチヤ３０内への基板３５のレジスト
層による捕捉をより明瞭に示している。この図で
は、石英基板７０は両面に金属被覆層６５および
７５を有することが示されている。この基板は結
晶と同じ厚さで示されているが、弾性レジストを
用いるならばこの必要はない。これは“テンテイ
ング（tenting）”として技術上知られているレジ
ストの性質による。上述したように、好ましい実
施例では基板は石英であり、金属被覆はアルミニ
ウムである。ホルダ本体１５と基板７０との間の
空〓は、２つのレジスト層が落ち込んで互に触れ
るようにするために図示されている空〓より大き
くてもよい。そうすると一層しつかりと結合して
基板を正しい位置に保持する。

プロセスのこの段階において、上部レジスト層
５５はホルダ本体１５および上部金属被覆６５に
かたく結合している。下部レジスト層４０はホル
ダ本体１５および下部金属被覆層７５にかたく結
合している。この実施例は基板が金属被覆層６５
および７５によつて覆われていることを示してい
るが、これはレジストを接着させるためには必要
でない。金属エツチングプロセスが後に続くの
で、それは本実施例の一機能にすぎない。金属被
覆してない基板をレジストでマスクして、マスク
されていない領域における金属の選択的めつき、
塗装（painting）又はスパツタリングを可能とす
ることができることは当業者には自明であろう。

基板３５は、その操作及び処理を容易にするた
めに、ホルダ２０のアパーチヤ（穴）３０内に配
置される。かようなホルダに基板を取付ける場合
に、精確な位置合わせにより、レジストの光学像
（Photoimaging）及びその処理のような種々のプ
ロセス・ステツプを達成することが可能となる。
明細書及び請求の範囲に詳細に説明されているよ
うに、フオトレジストは、ホルダ内に基板を取付
けるのに使用される。それにより、フオトレジス
トは、２重機能即ち、保持機能と同時に正常なイ
メージ機能を与え、レジストのタブは、エツチン
グ又はメツキのような次の処理の間、穴（アパー
チヤ）内に基板を保持したままである。

第４図はフオトリソグラフイマスクを示す。こ
のマスクはこのプロセスの次の段階で用いられ
る。このマスクは光線がレジスト層の一部の部分
にあたる一方で光線が他の部分ではさえぎられる
ようになる。好ましい実施例では透明な（clear）
領域は光線がレジストにあたつて重合を生じさせ
ることを可能にする。しかし、この実施例はポジ
テイブプロセスであるが、このプロセスはこのマ
スクのネガおよび別の種類のレジストおよび／又
は現像液（developer）を用いてネガテイブプロ
セスとしても実施できることは当業者には自明で
あると思われる。マスク８０のようなリソグラフ
イマスクを用いた場合の多くの利点の１つは、描
くことができるおよび／又は写真にとることがで
きるいかなる種類のパターンもフイルム又はレジ
ストの解像精度内で基板の表面上に実現できるこ
とである。

１つの実施例においては、結晶電極パターン９
５がこのプロセスによつて石英基板上に形成され
ている。任意のコードナンバーおよび文字９０を
このプロセスによつて形成してもよい。後述する
ように、図示されているこれらのナンバーおよび
文字は１回のシヤドーマスキングプロセスによつ
て完成品上に作ることはできなかつた。そのよう
なフオトリソグラフイマスクは任意の数の材料か
ら作ることができる好ましい実施例では、ガラス
マスクが用いられている。フオトリソグラフイプ
ロセスにおいては、フオトリソグラフイマスク８
０はシヤドーマスキングプロセスにおけるシヤド
ーマスクに相当する。それは写真術により作られ
るので、その分解能は機械的に穴を開けた又は化
学的にエツチングしたシヤドーマスクの分解能よ
りも約10倍程度すぐれている。この結果結晶の電
気的パラメータは直接的に改良される。

上述したように、シヤドーマスクは代表的な場
合には１インチの約3/1000のシムストツク
（shim stock）から作られる。その性質そのもの
により長いそれ自体で独立している（free
standing）パターン部材は生産環境において適当
ではない。という訳は、普通の使用による損耗が
ごく短い期間のうちにこれらのマスクをそこなつ
たり、又はすり減らすからである。そのような薄
い材料で作られている長い部材は自分の重さを支
えることが殆んどできず、非常にこわれ易い。フ
オトリソグラフイマスク上のパターンは写真術に
よるものであるから、それらのパターンはそのよ
うな問題は示さない。

本発明においは、各基板の周辺部に位置した１
つ又は複数の透明な（cler）タブ領域８５がガラ
スマスク上に配置されている。これらのタブ領域
８５はレジスト材料の保持タブを形成する。これ
らの保持タブは後述の段階において示すように基
板とホルダの両方に取り付けられる。

第４図は本発明のプロセスの両面バージヨンで
フオトレジストを露光するプロセスを更に示して
いる。第４図は２個の光源１００および１００ａ
を示しているが、１個の光源だけを用いて両面を
露光する多くの技術が知られており、それらの技
術を用いてもよい。それらの技術はどれもが同じ
目的に容易に役立ちうる。

露光段階においては、ホルダ組立体６０はフオ
トマスク８０および８０ａの間にはさまれそれら
のフオトマスクと接触して配置されている。これ
らのフオトマスクは光学式マスクであるので、こ
れらのフオトマスクは組立体６０がその間に配置
される前に任意の数の方法によつて容易に心合せ
（align）することができる。組立体６０内に捕捉
された基板は次に前もつて心合されたマスク８０
および８０Ａと慎重に心合せされる。次に組立体
全体がその場所にしつかりと保持され、他方光源
１００および１００Ａによる露光が起きる。好ま
しい実施例においては、光源１００および１００
Ａは波長の短い紫外線光源である。しかしこれは
乾燥膜感光性樹脂レジストの特徴の１機能であ
る。

露光の完了後、組立体６０はガラスマスクの間
から取り除かれる。このプロセスの１つの明瞭な
利点はマスク８０および８０Ａが写真術により容
易に複写されるである点に注目すできである。従
つてもしマスクに傷がついたり、又はこわれたり
しても、安い価格で容易に取り代えられる。また
実験的デザイン用の新らしいマスクも製図テープ
に描かれた図形から直接に速やかに且つ容易に製
作される。

第５図は、露光が行われレジストの所望しない
重合されてない部位を除去した後の、第３図に示
したのと同じ断面図の一部を示す。所望しないレ
ジスト部位の除去は、レジストのメーカーが指定
している適当な現像剤に組立体６０全体をさらす
ことによつて達成される。保持タブ１１５は基板
を正しい位置にしつかりと保持し、組立体１１０
が曲つたりした場合のシヨツクおよび応力を吸収
すのに役立つ点に注目すべきである。従つて保持
タブはもろい結晶基板を支え保護する一方で、ホ
ルダが曲つたり、又は円筒形に丸くなることがで
きるようにする。このため、非常に長いホルダを
基板を傷つけることなしに映画のフイルムに似た
リールに巻きつけることができる。

領域１２７においてレジストは溶解されてお
り、金属被覆６５および７５を露出させている。
レジスト領域１２０および１２５は金属被覆６５
および７５の領域おそれぞれ覆つており、これら
の領域６５および７５はそれぞれ上部および下部
の結晶電極となる。これらの領域は後に続くプロ
セス段階の期間はレジストによつて保護される。
好ましい実施例では、基板７０の表面上に以前に
堆積された金属被覆をエツチングによつて除去す
ることが望ましい。ホルダを再使用しようとする
ならば、エツチングプロセスを行うの用いる化学
物質はホルダ材料に影響を与えるものではあつて
はならない。このフオトリソグラフイマスキング
技術を用いてめつきプロセス又はその他の種類の
プロセスを実施しうることが当業者には自明であ
ろう。

第６図はエツチングプロセスを行つた後の同じ
組立体１３０を示す。以前に領域１４２を覆つて
いた金属被覆は適当な溶液によるエツチングによ
つて除去されており、むき出しの結晶が露出され
ている。第７図は組立体１３０の正面図を示す。
断面図１３０は第７図の線６−６に沿つて切断し
たものである。保持タブ１１５がホルダ２０内の
正しい位置に結晶１５５を取り付けているのがは
つきりと判る。タブ１１５は基板表面からホルダ
表面の領域において連続している。またレジスト
で覆われた電極１２０およびレジストで覆われた
コード文字および数字１６０も示されている。レ
ジストで覆われたこれらの残存領域上のレジスト
は今や適当な溶媒で洗い流すことができ、それに
よつて基板をホルダから離すことができる。好ま
しい実施例ではこの溶媒はアセトンである。その
代わりの方法として、パンチング作業、切断作
業、又はレーザによる保持タブの切離しによつて
も基板をホルダから離すことができる。通常の場
合にはそのような段階の後には、基板上に残つて
いるレジストを溶解して取り除く。

第８図は完成した結晶製品１９０を示す。前に
保持タブ１１５があつた所には金属被覆領域１６
５が残つている。このタブ金属被覆は、結晶（又
はその他のデバイス）の動作を妨げないようにす
るために不可欠に（strategically）配置されるべ
きであり、又は何らかの手段によつて除去される
べきである。その代わりの方法として、金属被覆
領域１６５を基板電極又は金属パターン自体の一
部として用いることができる。この方法ではそれ
らの領域は多くの機能を果たし、除去する必要は
なく、又はその除去は所望されない。

前面の電極１７０および裏側の電極１８０は、
前にフオトレジストで覆われていた所で露出した
金属被覆領域を今や成している。図解するため
に、コード文字および数字１８０は完成品上に示
されている。英字又は数字の１８５又は電極パタ
ーンの１６７のようなそれ自体で独立している領
域はシヤドーマスクステンシリングによつては作
れなかつた点に注目されたい。これはシヤドーマ
スクプロセスのステンシリングの性質によるもの
である。同様に、それ自体独立している電極パタ
ーンはフオトリソグラフイを用いることより容易
に作ることができる。そのようなパターンは以前
には多数のマスクを用いたシヤドー−マスキング
により、又はプロセス費用を著しく増やし取り扱
い中に基板およびマスクを傷つける危険性を著し
く増大する他の複雑なプロセスによつてのみ作る
ことができた。１６７のようなそれ自体独立して
いる領域はスプリアス応答を改善することは技術
上周知であるが、今までは製造するのがむつかし
かつた。

従つて、上記の方法はプロセツシングの期間中
実際に基板を捕捉することが判る。ホルダは何回
でも再利用でき、プロセスを汚染するやつかいな
接着剤はない。更に、フオトリソグラフイプロセ
スによるパターン分解能はシヤドーマスクのそれ
より約10倍優れていることが発見されている。フ
オトリソグラフイでは寸法を１インチの1/10000
に保つことができ、これに比べるとシヤドーマス
クでは１インチの1/1000であつた。フオトリソグ
ラフイまた表と裏との優れた心合せをうる多数の
周知の多数の方法に向いている。これらの要因は
すべて結晶の電気的性能を直接に改善するのに役
立つ。

従つて、上記に述べた目的および利点を完全に
満足させる方法が本発明によつて提供されている
ことが明らかである。本発明をその具体的な実施
例とともに説明したが、上記の説明からみて多数
の代替物、変形および変更が当業者には明らかな
ことが自明である。従つて、すべてのそのような
代替物、変形および変更は添付した請求の範囲の
精神および限界内に入るものとして包含すること
を意図している。