NO162686B - Metode og apparat for aa holde et substrat inne i en beholder. - Google Patents

Description

Den foreliggende oppfinnelsen vedrører området for behandlingsprosesser for dannelse av metalliseringsmønstre eller -innretninger på overflaten av et substrat eller mer spesielt prosesser for å lage høyoppløsnings-metallmønstre på overflaten av kvartskrystaller, hybrid-kretser eller halv-ledermønstre ved å bruke foto^itografi-teknikker som er allerede tilpasset automatisering.

Den vanligvis aksepterte tilvirkningsprosessen for

å lage metalliseringsområder på kvartskrystallprodukter er en sjablongmetode kalt "shadow masking". Ved denne prosessen er en maske med en åpning eller spalte plassert i kontakt med en blank krystall som noen ganger er slepet eller polert. Åpningene i masken danner et sjablong- eller avtrykksmønster på steder hvor metall isering er ønsket og vil bli plassert. Krystallen med "maske" er plassert i et passende vakuum-

kammer. Metall blir så fordampet inne i kammeret og festes til krystolloverflaten på de stedene som er tilgjengelige på grunn av åpningene. I en slik prosess er oppløsningen moderat, best ved en dimensjonsnøyaktighet bare innen om-

trent 0,025 mm. Oppløsningen er begrenset av med hvilken nøyaktighet en "shadow mask" kan lages ved forskjellige teknikker.

Dersom metall skal plasseres på begge krystallflåtene ved "shadow masking", er innretting av de ønskete mønstre forfra og bakover vanskelig å kontrollere. Denne innrett-

ingen varierer fra en krystall til en annen, noe som resulterer i uoverensstemmelser i krystallens bevegelsesparametre. Krystallens bevegelsesparametre bestemmer senter-frekvensen , passband form, uønsket respons og andre elektriske parametre. Haskene er typisk laget av rustfritt stål eller annet

metall med tykkelse på omtrent 0,075 mm. Kompliserte sjab-longer i dette tynne metallet blir lett bøyd eller ødelagt på annen måte.

I tillegg er, på grunn av maskenes sjablong-egenskaper, ikke alle mønstre produserbare på denne måten uten å bruke to eller flere gjentakelser av prosessen. Dette er generelt resultat av at maskene er laget fra et enkelt metall-ark. Mønstre som ikke på noen måte er forbundet med kanten av krystallen er umulig å lage. I tillegg er slike masker vanskelig og tidkrevende å lage. Dette er en alvorlig ulempe ved de eksperimentelle trinnene av krystall-framkallingen.

I en metode for å lage en bånd "bærer" for å lodde

ved integrerte kretser er et fleksibelt klebende isolasjons-bånd brukt til å bære tynne metall-ark av folie på overflaten for å lodde integrerte kretser. Det klebende båndet har en hel ublandet overflate dekket med klebemiddel og er gjennom-hullet i overflaten, noe som gir tilgang til begge sider av deler av kopperfolien for tilvirking ved fotolitografiske teknikker. Bare den delen av folien som er tilgjengelig ved åpninger eller hull i båndbæreren er tilgjengelig for fotolitografisk tilvirkning på overflaten i kontakt med klebemidlet. Feste av folien til båndet er oppnådd ved båndets klebeegenskaper.

En må være omhyggelig for å sikre at den ferdige sammenstillingen ikke er utsatt for høye temperaturer som kan forårsake at klebeevnen avtar i styrke. En må også være omhyggelig ved utvelging av framkallings- og etsingsmidler

som brukes for å lodde også for å sikre at dette ikke reagerer ugunstig med klebemidlet. Klebemidlet er tilbøyelig til å trekke til seg skitt og støv som kan forurense kjemikaliene som brukes i videre tilvirking av båndbærer-sammenstillingen.

Selv om andre tidligere kjente innretninger er

egnet for å lage fleksibel lodding i metall, er de ikke godt egnet for tilvirking av mer skjørt eller sprøtt materiale, så som keramiske eller kvarts krystall substrater. Det er klart at å skille slike materialer fra den klebende overflaten av en båndbærer kan resultere i skade på et stort antall substrater. Dette vil gjøre produksjonsutbyttetlavt og kostnadene ufor-holdsmessig høye. En videre ulempe ved båndbæreren er at'

den tydeligvis er brukbar bare én gang idet gjenbruk vil svekke klebe-egenskapene til båndbæreren, slik at klebe-evnen

blir upålitelig.

Det er også kjent at begge sider .av en silisiumflate kan bli-eksponert samtidig ved bruk av dobbeltsidig fotolitograf i. Slike eksponeringer lages normalt ved å bruke en "alligator maske", som holder fotolitografiske masker i direkte kontakt med fotodekkmiddel dekkete sil isiumflater, Andre metoder for dobbelt-sidig fotolitografi er kjent. Det er et mål for den foreliggende oppfinnelsen å lage en forbedret metode for å skape høy-oppløselige metall iseringsmønstre på en eller begge flatene av et substrat. Det er et annet mål for oppfinnelsen å forbedre innrettingen forover og bakover og linjeoppløsningen av metalliseringsmønstre på kvartskrystaller.

Et videre mål for oppfinnelsen er å lage en forbedret metode for å holde et substrat innenfor en holder under til-virkingen. Et videre mål for oppfinnelsen er å skape en metode for å holde en kvartskrystall i en holder under fotolitografisk behandling for en enkelt- eller dobbeltsidig prosess.

Disse og andre mål for oppfinnelsen vil framgå av

den følgende beskrivelsen av oppfinnelsen.

Den foreliggende oppfinnelsen skal skape en metode for å holde et substrat med to motstående flater inne i en holder. Holderen har to motstående hovedflater, og i det minste et hull eller åpning er passende formet for å oppta substratet.

Substratet er plassert inne i holderens hull og

en tørr film fotopolymer-dekkmiddel er laminert til i det minste en av overflatene til holderen og substratet. Fotopolymer-dekkmidlet holder derfor substratet innenfor holderen. Den tørre filmen fotopolymer-dekkmiddel polymeriserer i ønskete områder. Et av disse ønskete mønstrete områdene blir et uavbrutt område som strekker seg fra holderens overflate til substratets overflate. De uønskete områdene av den tørre filmen fotopolymer-dekkmiddel blir så fjernet. Det gjenstår da en dekkmiddeltapp i et korresponderende uavbrutt ønsket område som strekker seg fra holderens overflate til substratets overflate. Mange slike tapper kan dannes. Substratet er derfor holdt innenfor holderens hull av den tørre film fotopolymer-dekkmiddel f^r den er framkalt og ved en eller flere gjenstående tapper etter at den er framkalt.

Trekk ved oppfinnelsen som er antatt nye framgår

av de vedlagte patentkravene. Oppfinnelsen, sammen med videre mål og fordeler forstås best ved hjelp av følgende beskriv-else med henvisning til vedlagge tegninger, hvor

fig. 1 viser et riss av substratholderen hvor den relative plasseringen av substratene og fotodekkmidlet er vist,

fig. 2 viser substrathclderen i fig. 1 etter laminering,

fig. 3 visex et tverrsnitt av fig. 2 langs linja 3-3,

fig. 4 viser eksponeringsprosessen for den tørre film fotopolymerdekkmidlet,

fig. 5 viser en del av tverrsnittet av fig. 3 etter eksponeringen og framkallingen av fotopolymerdekkmidlet,

fig. 6 viser et tverrsnitt av fig. 5 etter at metalliseringen ér etset eller radert bort,

fig. 7 viser krystallen holdt i holderen av gjenstående tapper etter eksponering, framkalling og radering;

fig. 8 viser den fullstendige kvartskrystallen.

I fig. 1 av den foretrykne utførelsesformen er legemet 15 av en holder 20 fortrinnsvis satt sammen av fleksibelt rustfritt stål "shim stock" med tykkelse omtrent 0,075 mm. I den foretrukne utførelsesformen er holderen presset, radert eller på annet vis gitt en formi medl format lik 35 mm fotografisk film..

Hull 215 er: plas:s e rt la-mgs- hver kant og benyttes for transport av holderen; gjientvonr et tilvirknings system. Den foretrukne utførelsesformen bruker 3 5 mm fotografisk film-utstyr for dette formålet..

Hull eller åpninger har samme form og noe større dimensjoner enn substratet holderen vil holde på. Hullet

og substratet kan eller kan ikke inneholde en låse-mekanisme for å sikre at substratet er plassert med en passende orient-ering. I en utførelsesform er denne prosessen brukt for å

produsere høyoppløselige metalliseringsmønstre på kvartskrystaller. Liknende holdere kan imidlertid lages for bruk med keramiske, metall- eller silisiumsubstrater. Mønstret av hull 30 kan gjentas med regulære intervall gjennom hele lengden av holderen, selv om et gjentatt spesifikt mønster på åtte (8) hull er vist for den foretrukne utførelsesformen, kan hvilket som helst ønsket antall benyttes.

I fig. 1 og igjen i fig. 2 kan en se at substratet 35, som er illustrert som en blank kvarts-krystall jevnt dekket på en eller begge flatene med et metall så som aluminium, er plassert inne i hull i holderen. Rommmet 45 mellom hull-veggene og krystallene er vist overdrevent for å illustrere. I den foretrukne utførelsesformen er omtrent 0,13 mm åpenrom til-stede mellom krystallen og holderen. I en utførelsesform er svært liten avstand holdt mellom hullet i holderen og substratet for å sikre god innretting og registrering. En tørr film fotopolymerdekkmiddel 40 er laminert til bunnflaten av holderen.

En tørr film fotopolymer-dekkmiddel (heretter kalt "dekkmiddel") er en substans som kommer som tynt ark og polymeriserer når ønskete områder er eksponert ved spesielle bølgelengder for lys. I den foretrukne utførelsesformen kan Riston <®> , laget av Dupont, bli brukt og en har funnet at

en 0,028mm tykk motstand er optimalt for denne prosessen. Tørr film fotopolymerdekkmiddel har en fordel framfor væske fotopolymerdekkmidler ved at brukeren ikke trenger å sørge for en jevn tykkelse med uniformt dekke på materialet. Etter polymerisering kan de upolymeriserte områdene av det tørre dekkmidlet lett bli vasket bort ved å senke dekkmidlet ned i en passende framkaller som anbefalt av tilvirkeren.

Som vist i fig. 2 er dekkmidlet skåret i striper

noe smalere enn bredden av holderen, men brede nok til å fullstendig dekke alle hull 30 av holderen uten å hindre hullene 25. Dekkmidlet blir så laminert, ved å bruke en varm lamineringsprosess, til holderen^ og substratene er innelukket i hullene i holderen. I den foretrukne utførelsesformen er dekkmidlet 40 laminert til den nedre flaten av holder 20

før kvartskrystallen 35 er plassert i hullene 30. Men krystallene kan plasseres i holderen før laminering finner sted.

Bruk av varm laminering eliminerer klebebåndet brukt i andre prosesser. Derfor er det ingen klebing som forurenser kjemi-kalier' brukt senere i prosessen og behandling er mye enklere.

I det neste trinnet av prosessen blir et andre lag

av dekkmiddel 55 laminert til den øvre flaten av holderen, og slik holde substratet på begge sider med det tørre dekkmidlet. Sett forfra er denne sammenstillingen vist som 60 i fig. 2.

En bør registrere at selv om den foretrukne utfør-elsesformen viser begge sider av holder 20 laminert med dekkmiddel er en enkeltsidig prosess også mulig siden bare et lag dekkmiddel er nødvendig for å holde på substratet. Dekkmidlet 55 er også smalere enn bredden av holderen 20, men bredere enn nødvendig for å dekke huli 30. Dekkmidlet 55 er også vafmelaminert til overflaten av holderen 20 og overflaten,

av substratet 30. Prosessen kan utføres i følgende rekkefølge: laminering av den første siden, plassering av substratet i hullet, laminering av den andre siden, den andre lamineringsprosessen for dekkmiddel 55 (den øvre siden) skal forårsake at både det nedre og øvre lag av dekkmidlet klebes til krystallsubstratet. Lamineringsprosessen kan bli fullført ved at laminatet passerer mellom varme ruller eller valser.

Et tverrsnitt av sammenstillingen 60 i fig. 2 langs linjene

3-3 er vist i fig. 3. Dette viser klarere at substratet 35

blir holdt innenfor hullene 50 av holderen 20 ved dekkmiddels-lag 55 og 40. Her er det vist at kvartssubstratet 70 har metalliseringslag 65 og 75 på begge flater. Selv om substratet er vist å ha samme tykkelse som krystallen, er ikke dette nødvendig om et elastisk dekkmiddel blir benyttet. Dette skyldes en egenskap dekkmidlet har, kjent som "tenting".

Som tidligere nevnt, er i den foretrukne utførelsesformen substratet kvarts og metalliseringen aluminium. Rommene 45 mellom holderlegemet 15 og substratet 70 kan være større enn vist for å la dekkmiddellagene synke sammen og berøre hverandre. Dette lager en mer sikker binding for å holde substratet

på plass. I dette trinnet av prosessen er det øvre dekkmiddellaget 55 tett bundet til holderlegemet 15 og den øvre metalliseringen 65. Det nedre dekkmiddellaget 45 er tett bundet til holderlegemet 15 og det lavere metalliseringslaget 45.

Selv om denne utførelsesformen viser at substratet er dekket med metalliseringslag 65 og 75, er det ikke nødvendig for klebingen av dekkmidlet. Det er bare en funksjon for denne utførelsesformen siden en metallraderingsprosess følger etter. Det vil være klart for fagmannen at et: umetallisert substrat kan være maskert med dekkmiddel for å gi selektiv påføring av metall i umaskerte områder.

Fig. 4 viser en fotolitografisk maske 80. Denne masken vil bli brukt i neste trinn i denne prosessen. Masken tillater lys å treffe noen deler av dekkmiddellagene og skygger for lyset for andre deler. I den foretrukne ut-førelsesf ormen vil de klare områdene la lys nå dekkmidlet og forårsake polymerisasjon. Det vil imidlertid være klart for fagmannen at selv om denne utførelsesformen er.en posi-tiv prosess, kan prosessen også bli redskap for en negativ prosess ved å bruke det negative av denne masken og en annen type dekkmiddel og/eller framkaller. En av de mange fordelene ved å bruke en litografisk maske slik som masken 80 er at enhver type mønster som kan tegnes og/eller bli fotografert kan realiseres på overflaten av substratet innenfor opp-løsningsnøyaktighet for filmen og dekkmidlet.

I en utførelsesform er krystallelektrode-mønstre

95 formet på et kvartssubstrat ved denne framgangsmåten.

Kodetall og tegn 90 kan også lages ved denne framgangsmåten. Som det vil bli forklart senere, kan disse tallene og tegnene, som vist ikke bli laget på det ferdige produktet med en enkel "shadow masking"-prosess. Slike fotolitografiske masker kan lages av mange typer materiale. I den foretrukne utførelsesformen er glassmasker brukt. I den fotolitografiske prosessen, er fotolitografisk maske 80 motparten til "shadow mask" i en "shadow masking"-prosess. Siden det er laget fotografisk er dens oppløselighet tilnærmet en faktor på 10 bedre enn den for en mekanisk boret eller kjemisk etset "shadow" maske. Dette resulterer i en direkte forbedring i krystallens elektriske parametre.

Som nevnt tidligere, er "shadow masks" typisk laget av "shim stock" på omtrent 0^075 mm. På grunn av deres egenskaper, er lange frittstående mønsterdeler ikke mulig i et produksjonsområde, siden normal belastning og slitasje vil skade eller slite ut disse maskene på svært kort tid. Slike lange deler laget av slikt tynt materiale kan knapt bære deres egen vekt og kan lett skades. Siden mønstrene på fotolitografiske masker er fotografiske, utgjør de ikke noe slikt problem.

I den foreliggende oppfinnelsen er et eller flere klare tappområder 85 plassert på omkretsen av hvert substrat plassert på glassmaske. Disse tappområdene 85 danner gjenstående tapper i dekkmiddelmaterialet. Disse tappene vil bli festet både til substratet og til holderen slik det vil bli vist i senere trinn.

Fig. 4 viser videre framgangsmåten for eksponering

av fotodekkmidlet 'i en dobbelt-sidig versjon av den foreliggende framgangsmåten. Selv om fig. 4 viser to lys-

kilder 100 og lOOA, er mange teknikker kjent og kan brukes for å eksponere begge sider ved å bruke bare en kilde. Enhver slik teknikk kan lett tjene samme formål.

I eksponeringstrinnet er sammenstillingen 60 lagt

inn mellom og plassert i kontakt med fotomasker 80 og 80A. Siden disse er optimale masker, kan de være ferdig innrettet ved mange metoder før sammenstillingen 60 plasseres innimellom. Det fastholdte substrat inne i sammenstillingen 60 er så omhyggelig innrettet med de på forhånd innstilte maskene 80

og 80A. Den totale sammenstillingen er så holdt strengt på mens eksponeringen av lyskilder 100 og 100A finner sted.

I den foretrukne utførelsesformen er lyskildene

100 og 100A kortbølge-ultraviolette lyskilder. Dette er imidlertid en funksjon av det karakteristiske for tørr film fotopolymer-dekkmidlet. Etter at eksponeringen er fullstendig, er sammenstillingen 60 fjernet fra mellom glassmaskene. En bør legge merke til at en særlig fordel ved denne prosessen er at masker 80 og 80A enkelt er duplikert fotografisk. Derfor, om en maske ødelegges, kan den lett bli erstattet

ved lave kostnader. Dette er i skarp kontrast til "shadow masks".

Fig. 5 viser en del av det samme tverrsnittet som

det vist i fig. 5 etter at eksponeringen har funnet sted og de uønskete upolymeriserte områdene av dekkmidlet er fjernet. Fjerning av de uønskete dekkmiddel-områdene,blir utført ved eksponering,i hele sammenstillingen 60 til et passende framkallingsmiddel som spesifisert av dekkmiddel-tilvirker. En bør legge merke til at holdertapper 115

holder substratet sikkert på plass og videre tjener til å absorbere "sjokk" og"stress" dersom sammenstillingen 110

bøyes eller foldes. De utgjør dermed bærer og beskyttelse for det skjøre krystallsubstratet mens det tillater folding eller rulling av holderen. Dette gjør at en holder med stor lengde kan rulles bort til en reell bevegelse av bildefilm uten å skade substratet.

I områdene 127 har dekkmiddel blitt oppløst til eksponeringsmetalliseringer 65 og 75. Dekkmiddelområder 120 og 125 maskerer nå hhv. metalliseringsområdene 65 og 75 som vil bli hhv. øvre og nedre krystallelektroder. Disse områdene vil bli beskyttet ved dekkmidlet i løpet av prosess-trinnene som følger. I den foretrukne utførelsesformen ønsker en å radere bort metallisering som tidligere fantes på overflatene av substratet 70. Kjemikaliene som brukes til å utføre raderingsprosessen skal ikke virke på holder-materialet dersom holderen skal brukes om igjen.Det vil for fagmannen være klart at en påf^ringsprosess eller andre typer prosesser kan utføres ved å bruke denne fotolitografiske maskeringsteknikken.

Fig. 6 viser den samme sammenstillingen 130

etter at en raderingsprosess har funnet sted. Metallisering som tidligere dekket områdene 142 er radert bort med en egnet løsning, og den bare krystallen er eksponert. Fig. 7 viser sett forfra sammenstillingen 130. Tverrsnitt av 130 tas langs linja 6-6 i fig. 7. Her ser en klart gjenstående tapper 115 holde krystall 155 på plass innenfor holderen 20. Tapper 115 er uforstyrret i et område fra overflaten av substratet til overflaten av holderen. Også vist er den dekkmiddeldekkete elektroden 120 og dekkmiddeldekkete tegn og tall 160. Dekkmidlet på disse gjenstående dekkete områdene kan nå vaskes bort med et egnet løsningsmiddel og derved frigjøre substratet fra holderen. I den foretrukne utførelsesformen er løsningsmidlet aceton. Alternativt kan fjerningen fra holderen fullstendig gjøres ved en gjennom-hullings-operasjon, en skjæreoperasjon eller også skjære bort de gjenstående tappene med laser. Et slikt trinn vil normalt bli fulgt av å oppløse eller smelte bort det gjen-værende dekkmidlet på substratet. Fig. 8 viser det ferdige krystallproduktet 190. Metalliseringsområder 165 er igjen der de gjenstående tappene 115 en gang var.

Denne.' tappmetalliseringen skal enten være strategisk plassert slik at det ikke interfererer med krystalloperasjonen (eller andre innretninger) eller blir fjernet. Alternativt kan metalliseringsområdene 165 brukes som en del av substrat-elektrodene eller selve metallmønstret. På denne måten vil de tjene flere funksjoner og fjerning er ikke nødvendig ellerrønsket.

Frontelektroden 170 og baksideelektroden 175 utgjør nå eksponerte metalliseringsområder hvor de før var dekket med fotodekkmiddel. For illustrering er bokstaver og tall 180 vist; på det ferdige produktet. En bør legge merke til at de -frittstående områdene så som 185 av alfa- eller numeriske tegn eller 167 av elektrodemønster ikke er laget ved bruk av "shadow masking"-sjablonger. Dette skyldes sjablongegenskapene ved "shadow mask"-prosessen. På liknende måte kan frittstående elektrodemønstre bli enklere laget ved bruk' av fotolitografi. Slike mønstre kunne bare bli laget tidligere ved "shadow masking" med "multiple shadow masks" eller andre kompliserte prosesser som i høy grad øker produksjonskostnadene og risikoen for å skade substratet og maskene under behandlingen. Slike frittstående områder som 167 er kjent for å forbedre uønskete eller falske responer, men var vanskelig å lage inntil nå. En kan derfor se at metoden nevnt ovenfor virkelig holder substratet på plass under prosessen. Holderen kan bli brukt om igjen mange ganger, og det er ikke tilsatt noe "klebrig" som forurenser prosessen. I tillegg er det funnet at mønster-oppløsning med fotolitografi.sk prosess er tilnærmet 10 ganger bedre enn med "shadow masks". Dimensjoner kan holdes innenfor 0,0025 mm med fotolitografi sammenliknet med 0,025 mm med "shadow masks". Fotolitografi blir også brukt ved mange kjente metoder for å oppnå god for- til baksideinnretting. Alle disse faktorene virker sammen til å forbedre krystallens elektriske egenskaper.

Claims (18)

1. Framgangsmåte for å inneslutte et substrat (35) i en holder for f otolitograf isk behandling, der substrat (3E>) med to motstående hovedoverflater anordnes i holderen (20), hvilken holder har to motstående hovedflater og minst en åpning (30) dimensjonert for å motta substratet (35), karakterisert ved at den omfatter følgende t r inn: - laminering av en tørr f ilmpolymerres ist (40,55) på minst den ene siden av holderen (20) og substratet (35), hvorved substratet (35) innesluttes i holderens (20) åpning (30); - polymerisering av resisten (40,55) i ønskete områder, omfattende minst et ubrutt område som strekker seg fra en overflate av holderen (20) til substratets (35) motsvarende overflate; - fjerne resisten (40,55) fra de uønskete områdene (127), slik at en resistremse etterlates i det minste på et ubrutt område som strekker seg fra en overflate av holderen til en overflate av substratet.

2. Framgangsmåte i samsvar med krav 1, karakterisert ved at polymeriseringen utføres ved å eksponere den tørre filmresisten (40,55) med lys av en viss bølgelengde i et visst tidrom.

3. Framgangsmåte i samsvar med krav 2, karakterisert ved at lamineringen er utført som en varmelamineringsprosess.

4. Framgangsmåte i samsvar med krav 3, karakterisert ved at substratet (35) fjernes fra holderen (20) etter at resist er fjernet fra uønskete områder.

5. Framgangsmåte i samsvar med krav 4, karakterisert ved at fjerning av substrat (35) fra holderen (20) utføres ved avbryting av de bindende remsene (115).

6. Framgangsmåte i samsvar med krav 4, karakterisert ved at fjerning av substratet (35) fra holderen (20) utføres som en stansingsprosess.

7. Framgangsmåte i samsvar med krav 4, karakterisert ved at all resist (40,55) oppløses fra substratets (35) overflate med et passende løsningsmiddel som et siste trinn.

8. Framgangsmåte i samsvar med krav 7, karakterisert ved at som løsningsmiddel anvendes en acetonløsning.

9. Framgangsmåte i samsvar med krav 7, karakterisert ved at den tørre filmpolymerresisten (40,55) eksponeres gjennom en fotolitografisk maske (80) under eksponer ingstrinnet.

10. Framgangsmåte i samsvar med krav 3, karakterisert ved at de fotolitografiske maskene (80) står i kontakt med den tørre filmpolymerresisten (40,55) under eksponeringstrinnet.

11. Framgangsmåte i samsvar med krav 10, karakterisert ved at hoLderen (20) utstyres med transporthull (25) hvilke befinner seg i bestemt avstand fra hverandre langs holderens lengde nær dens sidekant, før tilpasning av substratet.

12. Framgangsmåte i samsvar med krav 11, karakterisert ved at transporthullene (25) er kompatible med 35 mm fotografisk film.

13. Framgangsmåte i samsvar med krav 11, karakterisert ved at holderen (20) lages av rustfritt stål.

14. Framgangsmåte i samsvar med krav 11, karakterisert ved at et metall galvaniseres på substratets (35) overflate etter at resist (40,55) er fjernet fra uønskete områder (127).

15. Framgangsmåte i samsvar med krav 11, karakterisert ved at substratets (35) metall-galvanisering på den ene overflata utføres før substratet (135) tilpasses i holderen (20).

16. Framgangsmåte i samsvar med krav 15, karakterisert ved at metallgalvaniseringen etses etter at resisten (40,55) fjernes fra uønskete områder.

17. Framgangsmåte i samsvar med krav 15, karakterisert ved at galvaniseringen utføres med aluminium.

18. Framgangsmåte i samsvar med noe av de foregående krav, karakterisert ved at som substratmateriale (35) anvendes kvarts.