JPS62198187A - 電気装置用絶縁基板 - Google Patents
電気装置用絶縁基板Info
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- JPS62198187A JPS62198187A JP61040720A JP4072086A JPS62198187A JP S62198187 A JPS62198187 A JP S62198187A JP 61040720 A JP61040720 A JP 61040720A JP 4072086 A JP4072086 A JP 4072086A JP S62198187 A JPS62198187 A JP S62198187A
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Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、たとえば混成集積回路のような電気装置用絶
縁基板の改良に関する。
縁基板の改良に関する。
（従来技術）
従来混成集積回路用基板のような電気装置用絶縁基板に
は、電気絶縁性に優れたセラミック基板が主として用い
られている。しかしセラミックは機械的強度、特に抗折
力が弱く、加工することができない。またセラミック基
板は、基板が大きくなるにしたがって平坦度が悪くなり
、このためセラミックで大形の基板を作ることは困難で
ある。
は、電気絶縁性に優れたセラミック基板が主として用い
られている。しかしセラミックは機械的強度、特に抗折
力が弱く、加工することができない。またセラミック基
板は、基板が大きくなるにしたがって平坦度が悪くなり
、このためセラミックで大形の基板を作ることは困難で
ある。
このためセラミック基板に代えて金属基体を用いること
が考えられている。金属基体の場合は、この上に形成す
る電子回路を金属基体から絶縁する必要があり、各種方
法が提案されている。例えば鉄を主成分とする金属基体
を用いる場合、この表面にガラス層を形成した基板が提
案されており、更に金属基体上に酸化物層を形成し、そ
の上にガラス層を形成して、ガラス層が金属表面に密着
するようにした基板も提案されている。
が考えられている。金属基体の場合は、この上に形成す
る電子回路を金属基体から絶縁する必要があり、各種方
法が提案されている。例えば鉄を主成分とする金属基体
を用いる場合、この表面にガラス層を形成した基板が提
案されており、更に金属基体上に酸化物層を形成し、そ
の上にガラス層を形成して、ガラス層が金属表面に密着
するようにした基板も提案されている。
しかしこの基板を厚膜用の混成集積回路用基板として用
いた場合、次のような問題がある。即ち厚膜用の場合、
基板上にガラス質絶縁物層を形成する時、又は基板上に
電子回路を形成する時、いずれも８００℃以上の高温で
焼く工程が繰返されるため、密着性が劣化し、ガラス層
が金属表面から剥離することがある。
いた場合、次のような問題がある。即ち厚膜用の場合、
基板上にガラス質絶縁物層を形成する時、又は基板上に
電子回路を形成する時、いずれも８００℃以上の高温で
焼く工程が繰返されるため、密着性が劣化し、ガラス層
が金属表面から剥離することがある。
（発明が解決しようとする技術的課題）本発明は、この
問題を解決すべくなされたもので、その目的とするとこ
ろは、厚膜用電子回路の焼成を繰返しても絶縁層と金属
基体表面との密着性が低下せず、両者間での密着性に優
れた電気装置用絶縁基板を得んとするものである。
問題を解決すべくなされたもので、その目的とするとこ
ろは、厚膜用電子回路の焼成を繰返しても絶縁層と金属
基体表面との密着性が低下せず、両者間での密着性に優
れた電気装置用絶縁基板を得んとするものである。
（技術的課題を解決するための手段）
すなわちこの発明は、表面に機械的加工歪みを与えた金
属基体と、この金属基体の表面に形成された酸化被膜と
、この酸化被膜上に形成されたガラス質絶縁物層とを具
備してなる電気装置用絶縁基板である。
属基体と、この金属基体の表面に形成された酸化被膜と
、この酸化被膜上に形成されたガラス質絶縁物層とを具
備してなる電気装置用絶縁基板である。
以下この発明を図示する実施例を参照して説明する。本
発明にかかる電気装置用絶縁基板は、金属基体１の表面
に酸化被膜層２を形成しその上に反応層３を形成し、更
に反応層３のうえにガラス質絶縁物層４を形成している
。
発明にかかる電気装置用絶縁基板は、金属基体１の表面
に酸化被膜層２を形成しその上に反応層３を形成し、更
に反応層３のうえにガラス質絶縁物層４を形成している
。
金属基体１としては、各種金属材料を使用できるが、−
例を挙げればクロム１０〜３０％含む鉄合金、更にこの
鉄合金にアルミニウム０．０５〜７％含む合金、更にこ
の合金にチタン０．１〜３％含む鉄合金あるいは、クロ
ム１０〜３０％、シリコン０，１〜３％含む鉄合金等が
用いられる。
例を挙げればクロム１０〜３０％含む鉄合金、更にこの
鉄合金にアルミニウム０．０５〜７％含む合金、更にこ
の合金にチタン０．１〜３％含む鉄合金あるいは、クロ
ム１０〜３０％、シリコン０，１〜３％含む鉄合金等が
用いられる。
この金属基体は、表面をショツトブラスト、ベルト研削
、圧延、引張り加工等により、機械的加工歪を与えてい
る。機械的加工歪を与えることにより金属表面に多数の
転位型金属構造欠陥が生じ、このため好適な酸化被膜を
形成させるに必要な元素の金属表面層での拡散速度が大
きくなる。この結果好適な酸化被膜を容易に形成させる
ことができる。次いで金属基体１の表面に加熱処理等に
より酸化被膜層２を形成する。この酸化被膜層２は、ガ
ラス質絶縁物層４に対して金属基体１よりも密着性が良
く、金属基体１とガラス質絶縁物層４の密着性を向上さ
せることができる。この膜厚は０．０４〜５ｐ特に０．
１〜２ｐが好適である。
、圧延、引張り加工等により、機械的加工歪を与えてい
る。機械的加工歪を与えることにより金属表面に多数の
転位型金属構造欠陥が生じ、このため好適な酸化被膜を
形成させるに必要な元素の金属表面層での拡散速度が大
きくなる。この結果好適な酸化被膜を容易に形成させる
ことができる。次いで金属基体１の表面に加熱処理等に
より酸化被膜層２を形成する。この酸化被膜層２は、ガ
ラス質絶縁物層４に対して金属基体１よりも密着性が良
く、金属基体１とガラス質絶縁物層４の密着性を向上さ
せることができる。この膜厚は０．０４〜５ｐ特に０．
１〜２ｐが好適である。
厚すぎると金属基体１と酸化被膜２との密着性が部分的
に悪くなる場合があり、薄すぎると後の焼成工程等で酸
化被膜２が全てガラスと反応して反応層３となってしま
うためである。次にこの酸化被膜２の上にガラス質絶縁
物層４例えば、ホウケイ酸鉛を主成分とする結晶化ガラ
スを印刷等の手段により形成する。次いでこれを焼成し
て酸化被膜層２とガラス質絶縁物層４とを反応させ、両
者の境界部分に反応層３を形成する。この反応層３の介
在によりガラス質絶縁層４と酸化被膜層２との密着性を
向上する。この反応層３の膜厚は、もとの酸化被膜の厚
さから反応後において残存している酸化被膜の厚さを引
いた値にぼ等しく、少なくとも数十オングストロームあ
ることが望ましい。
に悪くなる場合があり、薄すぎると後の焼成工程等で酸
化被膜２が全てガラスと反応して反応層３となってしま
うためである。次にこの酸化被膜２の上にガラス質絶縁
物層４例えば、ホウケイ酸鉛を主成分とする結晶化ガラ
スを印刷等の手段により形成する。次いでこれを焼成し
て酸化被膜層２とガラス質絶縁物層４とを反応させ、両
者の境界部分に反応層３を形成する。この反応層３の介
在によりガラス質絶縁層４と酸化被膜層２との密着性を
向上する。この反応層３の膜厚は、もとの酸化被膜の厚
さから反応後において残存している酸化被膜の厚さを引
いた値にぼ等しく、少なくとも数十オングストロームあ
ることが望ましい。
残存する酸化被膜の厚さがあまり薄いと、基板上に厚膜
電子回路を形成するための回路形成ペースト焼成中に反
応が進行して、酸化被膜が全て反応層になってしまう恐
れがあるためである。
電子回路を形成するための回路形成ペースト焼成中に反
応が進行して、酸化被膜が全て反応層になってしまう恐
れがあるためである。
（発明の効果）
この発明によれば金属基体に予め機械的加工歪みを与え
ているので、有効な酸化被膜を形成する元素、例えばア
ルミニウムが容易に表面に拡散して、安定な酸化被膜を
形成することができる。この結果、金属基板表面とガラ
ス質絶縁層との密着性が向上し、高温での焼成工程を繰
返してもガラス質絶縁物層が剥離することがなく、厚膜
用電子回路用基板として極めて有効である。
ているので、有効な酸化被膜を形成する元素、例えばア
ルミニウムが容易に表面に拡散して、安定な酸化被膜を
形成することができる。この結果、金属基板表面とガラ
ス質絶縁層との密着性が向上し、高温での焼成工程を繰
返してもガラス質絶縁物層が剥離することがなく、厚膜
用電子回路用基板として極めて有効である。
実施例１
１５クロム−４アルミニウム一鉄合金からなる金属基体
にベルト研削処理してその表面の粗さを３２０とした。
にベルト研削処理してその表面の粗さを３２０とした。
これを大気中、１０００℃で１０分処理して酸化被膜を
形成し、次いでこの上にガラス質絶縁物をスクリーン印
刷した後乾燥し、しかる後８５０℃大気中で１０分間焼
成した。
形成し、次いでこの上にガラス質絶縁物をスクリーン印
刷した後乾燥し、しかる後８５０℃大気中で１０分間焼
成した。
比較例
１５クロム−４アルミニウム一鉄合金からなる金属基体
の表面に機械的加工歪みを与えることなしに、これを１
０００℃、大気中で１０分処理して酸化被膜を形成した
。次にこれにガラス質絶縁物をスクリーン印刷により形
成したのち、８５０℃、大気中で１０分間焼成して絶縁
基板を得た。
の表面に機械的加工歪みを与えることなしに、これを１
０００℃、大気中で１０分処理して酸化被膜を形成した
。次にこれにガラス質絶縁物をスクリーン印刷により形
成したのち、８５０℃、大気中で１０分間焼成して絶縁
基板を得た。
このようにして得られた再結縁基板試料を８５０℃で６
０分焼成したところ比較例のものは、３０ Ｋ’ｊ／
５１１１３１φの密着強度を示した。これに対して実施
例のものは、４５に９１５ｙφの密着強度を示した。
０分焼成したところ比較例のものは、３０ Ｋ’ｊ／
５１１１３１φの密着強度を示した。これに対して実施
例のものは、４５に９１５ｙφの密着強度を示した。
実施例２
ベルト研削に代えてショツトブラストを行ない他の条件
は実施例１と同じとして、絶縁基板を作った。その結果
密着強度は、４０に９１５ｍｘφであった。
は実施例１と同じとして、絶縁基板を作った。その結果
密着強度は、４０に９１５ｍｘφであった。
図面は本発明の一実施例を示す断面図である。
１・・・金属基体、２・・・酸化被膜層、３・・・反応
層、４・・・ガラス質絶縁物層。
層、４・・・ガラス質絶縁物層。
Claims (1)
- 表面に機械的加工歪を与えた金属基体と、この金属基
体の表面に形成された酸化被膜と、この表面に形成され
たガラス質絶縁物層とを具備してなる電気装置用絶縁基
板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61040720A JPS62198187A (ja) | 1986-02-26 | 1986-02-26 | 電気装置用絶縁基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61040720A JPS62198187A (ja) | 1986-02-26 | 1986-02-26 | 電気装置用絶縁基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62198187A true JPS62198187A (ja) | 1987-09-01 |
Family
ID=12588433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61040720A Pending JPS62198187A (ja) | 1986-02-26 | 1986-02-26 | 電気装置用絶縁基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62198187A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01194492A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-04 | Shinko Electric Ind Co Ltd | ガラスグレーズ基板の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5332376A (en) * | 1976-09-07 | 1978-03-27 | Tokyo Shibaura Electric Co | Electric device substrate |
| JPS5636597A (en) * | 1979-09-04 | 1981-04-09 | Lion Corp | Liquid detergent composition |
-
1986
- 1986-02-26 JP JP61040720A patent/JPS62198187A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5332376A (en) * | 1976-09-07 | 1978-03-27 | Tokyo Shibaura Electric Co | Electric device substrate |
| JPS5636597A (en) * | 1979-09-04 | 1981-04-09 | Lion Corp | Liquid detergent composition |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01194492A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-04 | Shinko Electric Ind Co Ltd | ガラスグレーズ基板の製造方法 |
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