JPS62198137A - 電気装置用絶縁基板 - Google Patents

電気装置用絶縁基板

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Publication number
JPS62198137A
JPS62198137A JP61040722A JP4072286A JPS62198137A JP S62198137 A JPS62198137 A JP S62198137A JP 61040722 A JP61040722 A JP 61040722A JP 4072286 A JP4072286 A JP 4072286A JP S62198137 A JPS62198137 A JP S62198137A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
oxide film
substrate
glass
reaction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61040722A
Other languages
English (en)
Inventor
Giichi Nakamura
義一 中村
Nobuaki Ohashi
大橋 信昭
Akihiko Kasahara
笠原 昭彦
Takehisa Konishi
健久 小西
Toshiyuki Yashiro
八代 利之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Kinzoku Co Ltd
Shoei Chemical Inc
Original Assignee
Nippon Kinzoku Co Ltd
Shoei Chemical Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Kinzoku Co Ltd, Shoei Chemical Inc filed Critical Nippon Kinzoku Co Ltd
Priority to JP61040722A priority Critical patent/JPS62198137A/ja
Publication of JPS62198137A publication Critical patent/JPS62198137A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/142Metallic substrates having insulating layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
  • Insulating Bodies (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、たとえば混成集積回路のような電気装置用絶
縁基板の改良に関する。
(従来技術) 従来混成集積回路用基板ρような電気装置用絶縁基板に
は電気絶縁性に優れたセラミック基板が主として用いら
れている。しかしセラミックは機械的強度、特に抗折力
が弱く、加工することができない。またセラミック基板
は、基板が太きくなるにしたがって平坦度が悪くなり、
このためセラミックで大形の基板を作ることは困難であ
る。
このためセラミック基板に代えて金属基体を用いること
が考えられている。金属基体の場合は、この上に形成す
る電子回路を金属基体から絶縁する必要があり、各種方
法が提案されている。例えば鉄を主成分とする金属基体
を用いる場合、この表面にガラス層を形成した基板が提
案されており、更に金属基体上に酸化物層を形成し、そ
の上にガラス層を形成して、ガラス層が金属表面に密着
するようにした基板も提案されている。
しかしこの基板を厚膜用の混成集積回路用基板として用
いた場合、次のような問題がある。即ち厚膜用の場合、
基板上にガラス質絶縁物層を形成する時、又は基板上に
電子回路を形成する時、いずれも800℃以上の高温で
焼く工程が緑返されるため、密着性が劣化し、ガラス層
が金属表面から剥離することがある。
(発明が解決しようとする技術的課題)本発明は、この
問題を解決すべくなされたちので、その目的とするとこ
ろは、厚膜用電子回路の焼成を繰返しても絶縁層と金属
基体表面との密着性が低下せず、両者間での密着性に優
れた電気装置用絶縁基板を得んとするものである。
(技術的課題を解決するための手段) すなわちこの発明は、クロム10〜30重量%を含む鉄
合金からなる金属基体と、この金属基体の表面に形成さ
れた酸化被膜と、この酸化被膜上に酸化被膜とガラスの
反応によって形成された反応層と、この反応層を介して
上記酸化被膜上に形成されたガラス質絶縁物層とを具備
してなる電気装置用絶縁基板である。
以下この発明を図示する実施例を参照して説明する。本
発明にかかる電気装置用絶縁基板は、金属基体1の表面
に酸化被膜層2を形成しその上に反応層3を形成し、更
に反応層3のうえにガラス質絶縁物層4を形成している
金属基体1は、クロム10〜30%含む鉄合金である。
この鉄合金は、アルミニウムや鉄と異なり、加工性、耐
食性、耐熱性がいずれも優れ、金属基体として最適なも
のである。クロムの添加範囲を1上記範囲に限定した理
由は、含有量が少ないと上記効果が発揮されず、また多
すぎると材料の加工性が悪くなるためである。次いで金
属基体1の表面に加熱処理等により酸化被膜層2を形成
する。この酸化被膜層2は、ガラス質絶縁物層4に対し
て金属基体1よりも密着性が良く、金属基体1とガラス
質絶縁物層4の密着性を向上させることができる。この
膜厚は0.04〜5px特に0.1〜2pが好適である
。厚すぎると金属基体1と酸化被膜2との密着性が部分
的に悪くなる場合があり、薄すぎると後の焼成工程等で
酸化被膜2が全てガラスと反応して反応層3となってし
まうためである。次にこの酸化被膜2の上にガラス質絶
縁物層4、例えば、ホウケイ酸鉛を主成分とする結晶化
カラスを形成する。次いでこれを焼成して、酸化被膜層
とガラス質絶縁物層とを反応させて反応層3を形成する
。この反応層3の介在によりガラス質絶縁層4と酸化被
膜層2の密着性を向上する。この反応層3の厚さは、も
との酸化被膜の厚さから反応後において残存している酸
化被膜の厚さを引いた値にほぼ等しく、少なくとも数十
オングストロームあることが望ましい。あまり膜厚が薄
いと、基板上に厚膜電子回路を形成するための回路形成
ペースト焼成中に反応が進行して、酸化被膜が全て反応
層になってしまう恐れがあるためである。
(発明の効果) この発明によれば酸化被膜層とガラス質絶縁物層との間
に密着性の優れた反応層を形成しているので、焼成時に
熱膨張係数差によって金属基体とガラス質絶縁物層との
間に応力が生じても、両者の密着性が大きいので、ガラ
ス質絶縁物層の剥離を防止することができる。
実施例 18クロム−鉄合金からなる金属基体を大気中、100
0℃、10分で処理して酸化被膜を形成し、次いでこの
上にガラス質絶縁物をスクリーン印刷した後乾燥し、し
かる後850℃大気中で10分間焼成して反応層を形成
した。このようにして得られた絶縁基板をIMAで調べ
たところ、酸化被膜及び反応層が共に存在していること
が確認された。
比較例 18クロム−鉄合金からなる金属基体を800℃、大気
中、10分で処理して酸化被膜を形成した。次にこれに
ガラス質絶縁物をスクリーン印刷により形成したのち、
850℃、大気中で1o分間焼成して絶縁基板を得た。
この絶縁基板を調べたところ酸化被膜は残存していなか
った。
このようにして得られた両絶縁基板試料を850℃で6
0分焼成したところ比較例のものは、ガラス絶縁物層が
剥離してしまった。これに対して実施例のものは、32
に915mφの密着強度を示した。
【図面の簡単な説明】
図面は本発明の一実施例を示す断面図である。 1・・・金属基体、2・・・酸化被膜層、3・・・反応
層、4・・・ガラス質絶縁物層。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  クロム10〜30重量%を含む鉄合金からなる金属基
    体と、この金属基体の表面に形成された酸化被膜と、こ
    の酸化被膜上に酸化被膜とガラスの反応によって形成さ
    れた反応層と、この反応層を介して上記酸化被膜上に形
    成されたガラス質絶縁物層とを具備してなる電気装置用
    絶縁基板。
JP61040722A 1986-02-26 1986-02-26 電気装置用絶縁基板 Pending JPS62198137A (ja)

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JP61040722A JPS62198137A (ja) 1986-02-26 1986-02-26 電気装置用絶縁基板

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JPS62198137A true JPS62198137A (ja) 1987-09-01

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JP61040722A Pending JPS62198137A (ja) 1986-02-26 1986-02-26 電気装置用絶縁基板

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0633197A (ja) * 1992-04-30 1994-02-08 Kawasaki Steel Corp 加工性に優れたFe−Cr合金

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60214583A (ja) * 1984-04-10 1985-10-26 日本金属株式会社 混成集積回路基板

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60214583A (ja) * 1984-04-10 1985-10-26 日本金属株式会社 混成集積回路基板

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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