JPS62122152A

JPS62122152A - 半導体装置用基板の製造方法

Info

Publication number: JPS62122152A
Application number: JP26207385A
Authority: JP
Inventors: Kazunao Kudo; 和直工藤; Hirohiko Ihara; 井原　寛彦
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1985-11-21
Filing date: 1985-11-21
Publication date: 1987-06-03

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】産業上の利用分野本発明は、半導体装置用基板、特に半導体素子の発生す
る熱を効率よく放熱でき、しかも高い電気絶縁性を有す
る半導体素子搭載用基板の製造法に関するものである。

従来の技術半導体装置、これらを利用する装置、機器では、半導体
素子、抵抗器類、コイル類等における発熱のために複雑
な熱系を構成するが、このような熱は各柿熱伝導様式、
例えば熱伝導、熱輻射、対流等により装置外に放出され
ることになる。

一般に、半導体素子には特性上並びに信頼性の点から最
大限許される温度（最高許容温度）があり、また、雑音
余裕の点から素子内あるいは素子相互間の温度差にも許
容範囲が存在する。

従って、これら素子等を安定かつ信頼性よく動作させる
べく、最良の熱設計を行うことは、半導体装置等の設計
、製作において極めて重要である。

更に、近年、半導体素子の高速化、高密度化、大型化の
動向がみられ、それに伴い半導体素子の発熱量の増大が
大きな問題となっている。そこで、半導体装置用基板に
ついても、放熱性の改良、即ち基板全体としての板厚方
向の熱伝導性のより一層の改良が要求されている。その
ために、半導体装置用基板については、同時に高い電気
絶縁性と、高い放熱性とを有することが要求されること
になる。

しかるに、従来使用されていた半導体装置用基板は、い
ずれも前記２つの特性を同時に満足し得るものではなか
った。例えば、安定な電気絶縁性を有するという理由か
ら、Ａ１゜０３．２Ｍｇ○・３１０２等の焼結セラミッ
クが広く利用されているが、このようなセラミックは絶
縁性においては満足できるものの、熱伝導性に劣り、放
熱性の要求を満足するものではなかった。また、一部に
おいては、＼！Ｊ、　Ｍｏ、　［：ｕ等の高熱伝導性金
属材料が半導体装置用基板として使用されている。しか
しながら、これら金属材料は本来導電性材料であるため
に、電気絶縁性において問題であり、半導体装置の設計
使用上、大きな制約を受ける。更に、電気絶縁性とある
程度の放熱性とを併せ持つことから、一部においてＢｅ
Ｏの使用が試みられていたが、高価でありかつ毒性を有
することから、広く利用されるには至っていない。

以上の欠点を解消するために、熱伝導性良好な金属板と
、ガラスやセラミックなどの電気絶縁性良好な無機物質
とを組合せた複合材を利用する試みもなされている。し
かしながら、これらを以下に示すような一般的な方法で
複合化した場合には、目的とする、充分に高い電気絶縁
性と放熱性とを併せもつ基板をｔ尋ることは極めて困難
であると思われる。

即ち、例えば、上記一般的方法の１つとして、スクリー
ン印刷法により金属板をガラスで被覆することが考えら
れる。しかし、このスクリーン印刷法でピンホールのな
い充分な電気絶縁性を有するガラス層を形成するために
は、該ガラス層の厚さを１５μｍ以上で形成する必要が
あり、このような厚さは複合化基板の放熱性を著しく損
うことになる。

また、ロー付けにより複合化する場合には、予めセラミ
ック薄板を作製する必要があるが、セラミック板を２０
μｍ以下の厚さで作製することは、現状では技術的に不
可能であり、やはり高い放熱性を付与することはできな
い。逆に、ロー付は層にブローホールが形成される恐れ
があり、そのために熱伝導性は更に低下される可能性が
ある。

更に、プラズマ溶射法で金属板に無機物質を被覆する場
合にも、高い放熱性を有する基板を得ることは難しい。

即ち、この方法によって形成される被覆層は表面粗さの
度合が大きく、また、該層自体が多孔質であるので、充
分な電気絶縁性を確保するためには被覆層の厚さを３０
μｍ以上とする必要があり、この要求を満たそうとすれ
ば放熱性が犠牲にされることになり、逆に、放熱性を維
持しようとすれば、絶縁性が不十分となる。

また、金属板の表面を酸化処理することにより、酸化物
からなる電気絶縁層を形成する試みもなされているが、
この種の金属板として一般に用いられているＣｕ、　Ｎ
ｉ、　Ｆｅ５Ａ１等の酸化物層は、−電気絶縁性に劣る
ため、好ましくない。というのは、前記金属の中で、Ｃ
ｕ、　Ｎｉ、　Ｆｅの場合には、これら酸化物自体の電
気絶縁性が劣ることによるものであり、また八１の場合
にあっては、一定の放熱性を確保するために、アルマイ
ト層の厚さを１０μｍ以下に抑える必要があるが、アル
マイト層が多孔質であるために、１０μｍ以下の厚さで
は充分な電気絶縁性を維持できないためである。

このような状況の下で、熱伝導性良好な金属板の表面に
、物理的蒸着法（ＰＶＤ法）または化学的蒸着法（ＣＶ
Ｄ法）によって電気絶縁性無機物質の薄層を形成するこ
とが提案されている。この気相法により形成される薄層
は（ｉ）緻密であり、そのため薄くても電気絶縁性を維
持する、および（ｉｉ）金属板と被覆層としての無機物
質とを任意に選択し、組合せることができる、などの特
徴を有しており、金属板としてＮｉ、　ＣｕＳＡｌ　；
各種高熱伝導性Ｃｕ合金、Ｃｕクラッドステンレス、銅
タラッドコバール、ＭＯもしくはＷを主体とする焼結体
などを、また熱伝導性のよい無機物質としてＢＮ、八１
□０３、ＡＩ　Ｎ、Ｓ＋　Ｃ，５１３Ｎ４、　Ｙ２Ｏ３
、２Ｍｇ０　　・５１０２、ダイヤモンドなどを使用し
た例が多数報告されている。

このような気相蒸着法により、半導体装置用基、兼とし
て放熱性並びに電気絶縁性両者を併せ備えた優れた製品
を作製できるに至ったが、このものも、ＩＣ実装後の長
寿命試験の結果、以下のような改善すべき問題を内包し
ていることがわかった。

即ち、ＰＶＤ法やＣＶＤ法により形成された被覆層は、
一般に金属板との密着性においては満足であるが、熱サ
イクルテスト（−６５℃での冷却と１２５℃での加熱と
を繰返すことによるテスト）などによる長寿命テストで
は、該密着性が低下することがわかった。これは、金属
板表面において、蒸着物質と基板とが初期テストでは問
題を生じない程度の強さの金属結合を形成していたこと
によるものと思われる。

更に、高温、高温条件下では水分、イオン化した導電性
材料などにより絶縁不良が発生することもわかっており
、これは気相蒸着により得られる被覆層が下地金属基板
表面の凹凸により、膜厚が不均一となり、薄い部分から
水や導電性材料のイオンが浸入したり、また気相膜が一
定の方向性をもって成長するために、その結晶粒に沿っ
て上記物質が浸入するためであると考えられる。

発明が解決しようとする問題点以上詳しく述べたように、半導体装置の設計・製作にお
いては、その高速化、高密度化等の指向がみられ、それ
に伴って発熱量の増大の問題が新たに出現したが、これ
は素子の高速化、高密度化と平行して解決すべき重要な
課題である。そこで、特に半導体装置用基板については
、高い電気絶縁性と高い放熱性とを併せ持つことが要求
されるようになってきた。しかしながら、従来公知のも
のはいずれもこれら２つの要求を同時に満足するもので
はなく、また、各種改善策も試みられたが、一方の特性
を改善しようとすれば他方の特性が阻害されることとな
るなど、いままでのところ前記要求に合致する特性の半
導体装置用基板は知られていない。

尚、蒸着法により上記両物性を併せ持つ基板を得ること
も提案されているが、このものも長寿命テストにおいて
金属板と蒸着膜との結合強度が不十分であることが見出
され、実用上の信頼性を達成するには至っていない。

このような情況の下で、本発明者等は既に、予め熱伝導
性良好な金属板の表面および側面を、乾式または湿式で
アルミナ粉を衝突させて研摩すると同時に、該表面およ
び側面に０．５μｍＪａ下の厚さでアルミナ層を形成し
、ついで該アルミナ層上に気相蒸着により絶縁物質の被
覆層を２〜１５μｍの厚さに形成することを特徴とする
半導体装置用基板の製造方法を開発し既に特願昭５９−
２２５４６４号として出願している。

更に、上記の高温、高、湿条件下での絶縁不良の問題を
解決するために、気相膜としての絶縁体層上に薄い絶縁
性樹脂層を設けた基板を開発し、同様に特願昭６０−９
４７８号として出願している。

しかしながら、その後の研究により、アルミナを２〜１
５μｍ気相蒸着し気相縁体層を得る際に、一定の比較通
商い蒸着速度で一度に成膜すると十分な絶縁が取れない
場合が多いという問題があった。これは気相法により成
膜する場合、気相膜が柱状晶的に析出し、その角の部分
でピンホールが発生し易いことによるものと思われる。

この点を説明するために、添付第３図に気相膜の柱状晶
的析出状態を模式的に示した。第３図から明らかな如く
、基板１上に成長するＡｌ２Ｏ３粒子２（柱状晶）間に
ピンホール３が形成され、これは一旦発生すると埋まら
ず貫通状態となり、このピンホール３部分からリークが
発生することになり、良好な絶縁性を確保することが困
難となる。

そこで、このようなピンホールの形成に基くリークの発
生の問題を解決し、信頼性の高い絶縁層を有する半導体
装置用基板を開発することは、上記のように高速化、高
密度化の図られた半導体素子の安定性並びに信頼性を保
証する上で重要である。また、このような基板の開発に
対する大きな要望がある。

そこで、本発明の目的は半導体素子の発する熱を効率良
く放出し得、しかも電気絶縁性に優れ、ピンホールの存
在に基くリークの発生を示さない良好な特性の半導体装
置搭載用基板の新しい製造方法を提供することにある。

また、熱伝導性金属板と気相膜との密着性を改善し、放
熱性、電気絶縁性両者に優れると共に熱応力に対しても
安定な半導体装置用基板の製造方法を提供することも本
発明の重要な目的の１つである。更に、別の目的は高温
・高温条件下での使用に対しても、絶縁不良を生ずるこ
となしに高い信頼性を維持し僻る同様な基板の製造法を
提供することにある。

問題点を解決するための手段本発明者等は半導体装置搭載用基板の上記のような現状
に鑑みて、目的とする基板を開発すべく（重々検討、研
究した結果、基板に電気絶縁性並びに放熱性を付与する
ために熱伝導性の高い無機絶縁物質を気相法で形成し、
その際成膜の途中で堆漬層の熱処理を行うことが有利で
あることに着目し、また蒸着層と金属板との密着性の問
題を解決するためにはこれらの間にアルミナ薄膜を介在
させることが有利であることを見出し、本発明を完成し
た。

即ち、本発明の方法は熱伝導性良好な金属板の表面に気
相蒸着法で絶縁性無機物質の被覆層を２〜１５μｍの厚
さで形成することにより、半導体装置用基板を製造する
方法であって、まず上記絶縁性無機物質を蒸着速度０．
１μｍ／分以上で１〜１０μｍ厚蒸着し、次いで６００
℃以上の温度にて熱処理を行った後、任意の蒸着速度で
更に１〜５μｍ厚該絶縁物質を蒸着することを特徴とす
る。

本発明の方法において、前記金属板としてはＣｕおよび
その合金；Ａｌまたはその合金；［ｕおよびその合金と
Ａ１合金とのクラッド；低熱膨張係数を有する合金、例
えばＭｏもしくはＷの合金：ＭｏまたはＷなどの粉末合
金（Ｃｕ、　Ａｌ、Ｓｌを含んでいてもよい）、例えば
Ｃｕ−１５〜２０％Ｍｏ（またはＷ）などを例示するこ
とができる。

また、前記絶縁性無機物質としては代表的な例としてＡ
１゜０３を挙げることができる。

本発明において有利に使用できる無機物質の薄膜形成法
としては、電子ビーム蒸着、イオンブレーティングなど
のＰＶＤ法並びに各種ＣＶＤ法、例えばプラズ７ＣＶＤ
、光ＣＶ　Ｄ　、　Ｍ　Ｏ（ｌｌｅｔａｌ　−ｏｒｇａ
ｎｉｃ）　ＣＶ　Ｄなどを挙げることができる。

また、本発明の方法によれば熱伝導性良好な金属板に、
予め湿式または乾式でアルミナ粉末を衝突させることに
より、その表面並びに側面を研摩すると共に、厚さ０．
５μｍ以下のアルミナ層を形成することにより、該金属
板と後に堆積される絶縁性無機物質との密着性を改善す
ることもでき、これによって熱応力に対しても安定な基
板を得ることができる。

このアルミナ粉による金属板表面の研摩並びにアルミナ
層の形成はショツトブラスト機等を使用する乾式法並び
にＡｌ２Ｏ３粉の分散液中に被加工基板を装入し、回転
させて遠心力により研摩・アルミナ層形成を行う湿式法
（バレル法）などを利用することにより実施される。

庇月半導体装置搭載用の基板においては、放熱性と電気絶縁
性の両者の点で満足できるものでなければならない。そ
こで、本発明者等は既に熱伝導性良好な金属板と、アル
ミナ薄膜層を介して気相蒸着法により堆積された所定膜
厚の絶縁体層とで構成された基板を提案した。しかしな
がら、気相膜特有の成長機構から、ピンホールの形成が
避けられず、該ピンホール部で発生するリークのために
十分な絶縁性が確保し得なかった。

気相膜はその成長に方向性があり、そのために柱状晶的
に析出し、その角の部分においてピンホールが形成され
る（第３図参照）。このピンホールは一旦形成されてし
まうと蒸着操作中に埋込まれることがなく最後まで残さ
れることになる。このような堆積膜のＸ−線回折測定に
よれば、この気相膜は結晶性に乏しいアモルファス状結
晶になっていることがわかっている。

即ち、一般に基板表面に付着した原子は直ちに静止する
わけではなく、表面上でマイグレートし、比較適安定な
エネルギー状態を占める位置で静止し、核となり、次い
でこれが大きな島状の集団に成長し、堆積が進むにつれ
て島同士が合体し、基板表面上の空間が埋められるとい
った機構で成膜される。しかしながら、依然として成長
には方向性があり、上記のように柱状晶状になると共に
合体しなかった高量にピンホールが形成されることにな
るものと思われる。

ところで、このピンホールの問題は本発明の方法に従っ
て一旦所定厚さで成膜した後大気中もしくは真空中で６
００℃以上の温度、好ましくは６５０〜９００℃の温度
にて１０分以上加熱することにより解決できる。このよ
うな熱処理により、柱状晶的に析出されたアモルファス
状態の絶縁体層が再結晶化されて結晶質アルミナに転化
される。この際に一旦柱状晶的に析出した成分の再配列
が生じピンホールが解消されることになる。

かくしてピンホールが解消された第１絶縁体堆積膜上に
、所定の絶縁耐圧を達成するのに必要とされる厚さとす
るために第２絶縁体層が堆積される。これは既に下層に
おいてピンホールが解消されており、また第２層の厚さ
はそれ程厚くないので蒸着速度には特に制限はなく、絶
縁体層全体の厚さを所定の厚さとするのに必要な厚さで
自由に成膜できる。一方、第１層目の厚さは臨界的であ
り、５μｍに満たない場合にはピンホールの解消が十分
に行えず、所定の膜厚とするために第２回目に多量の絶
縁体を堆積しなければならないので、ピンホールの除去
は不完全となり、また第１層目を８μｍを越える厚さと
した場合には、ピンホールが大きくなりすぎて後の熱処
理による絶縁体の再配列が不十分であり、完全にピンホ
ールを埋めることができず、また得られる絶縁体層表面
に多数の凹凸が存在することとなり、これは後の堆積に
よっても解消できず、絶縁体層の厚さのバラツキが生じ
、薄い部分で絶縁破壊などが生ずる可能性もあり好まし
くない。

本発明の方法において、熱処理温度は重要であり、６０
０℃に満たない温度下で熱処理した場合には再結晶化は
生じず、従ってピンホールの修復は期待できない。一方
、上限は高温度とすればする程経済適に不利となるが、
９００℃、特に１．０００℃以上で熱処理する場合には
薄膜が逆に脆弱化する等の欠点があり望ましくない。ま
た、この熱処理は、十分な構成４分の再配列を期待する
ためには最低１０分程度必要である。

本発明の方法における上記のようなピンホール解消の機
構は添付第１図を参照することにより更によく理解でき
るであろう。第１図（ａ）のように、基板１０上に設け
られた第１層目の絶縁体気相膜１１は柱状晶状に析出し
ており、これは上記のような所定条件下での熱処理によ
って析出層の構成４分が再配列し、これはピンホールを
除去する方向に作用すると共に、第１図（ａ）の場合と
は異る結晶方位を示す。その結果、第１図ら）に示した
ように、柱状晶１１の角部が修復されてピンホール１２
が埋められ、この際に残される第１層目の表面の凹凸は
第２回目の堆積操作によって、絶縁層１３を形成するこ
とにより第１図（Ｃ）に示すように修復される。

また、本発明の方法によれば金属板と堆積膜との密着性
をこれらの間にアルミナ層を介在させることによって改
善し、得られる基板の熱応力に対する安定性を確保する
こともできる。

前記介在層としてのアルミナ薄膜の厚さは０．５μｍ以
下、好ましくは０．０５〜０．３μｍの範囲とすること
が必要であり、この条件がみたされない場合には、所定
の金属板と被覆層との密着性を確保することができない
。即ち、０．５μｍを越えた場合、特に１μｍ以上にも
なると、アルミナ粉の衝突により（Ｉｔられる膜は脆弱
であり、ｊＡＩＪ離し易く、また０、０５μｍにＺｌに
だない場合、特に０．０２μｍ以下になると金属板表面
は局部的にアルミナ薄膜が形成されない部分を包含する
ことになり、逆に密着性が悪くなる。

更に、このショツトブラスト等による下地処理は、アル
ミナを用いることが重要であり、例えば１０〜２０％の
ｌＡｇ０やＳ　ｉｏ　２を混合したアルミナ粉もしくは
５１０２粉末のみによるショツトブラストも実施してみ
たが、密着性は従来のものよりも更に低下してしまうこ
とが確認された。

一方、無機絶縁層は各種ＰＶＤ、ＣＶＤ法により形成す
ることが可能であるが、中でも特にイオンブレーティン
グ法を利用することが有利である。

その理由は、この方法によれば極めて微細な析出粒子に
よる膜を形成することができ、従って極めて緻密な層を
形成し得るからである。

この被覆層の厚さは、前記の如く２〜１５μｍ１好まし
くは５〜１０μｍの範囲とすることが必要である。即ち
、被覆層の厚さが１５μｍを越える場合には、膜が剥離
し易くなり、一方２μｍに満たない場合には、特に１μ
ｍ以下では基板の電気絶縁性を保証できなくなる。

また、基板波の耐食性を確保する目的で、下地処理前に
金属板全面にＮｉ、　Ａｕ等のメッキを施すことも有利
であり、これによって金属板と被覆層との密着性は何等
阻害されることはない。

このメッキ層の形成は公知の各種方法により実施するこ
とができ、特に制限されず、例えば蒸着法、浸漬法等を
挙げることができる。

更に、かくして形成した無機絶縁体層上に薄い−（１μ
ｍ以下が好ましい）絶縁性樹脂膜を形成して、高温、高
湿度環境下での絶縁劣化の問題を解決する態様も勿論本
発明の範囲内にはいる。このような砲綴性樹脂層用の材
料としてはシリコン系（樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイ
ミド系樹脂、あるいはＢＮ、ＳｉＣ，ＡＩＮ、ダイヤモ
ンドなどの高熱伝導性無機材料の微粒子（径：〜数μｍ
）を分散させた上記樹脂などであり得る。尚、これらの
微粒子は下層の無代絶縁層表面の凹部に入ることになる
。

かくして、半導体搭載用の、電気絶縁性並びに放熱性両
者において浸れ、しかも密着強度の高い耐熱応力性良好
な基板を提供することができる。

実施例以下、実施例により本発明の半導体装置搭載用基板の製
造法を更に具体的に説明すると共に、本発明の方法によ
り得られる基板の効果を、参考例の結果と対比させて立
証する。

実施例１および２金属板として、Ｃｕ扮とＭｏ粉との混合物の焼結体［Ｃ
ｕ−２０％Ｍｏ］を用い、この焼結体の表面にショツト
ブラスト機により連続的に５ｍ／分の速度で焼結体を送
りながら１０〜３０μｍφのアルミナ粉を空気圧３〜５
Ｋｇ／ｃｎｆで１〜５分間衝突させ、該表面を研摩する
と共に０．２μｍ厚のアルミナ層を有するサンプルを形
成した。次いで、上記焼結体をメタクレン洗浄した後゛
、蒸着物質としてＡ１゜０３を用い、電子ビーム加熱に
より蒸着させた。蒸着は酸素圧５　Ｘ　１０−’Ｔｏｒ
ｒで、高周波電力１００直１３．５６ＭＨｚ）を印加し
て蒸着物質の一部をイオン化させ、基板温度を２００℃
〜４００℃とし、以下の第１表に示した蒸着速度で同様
に第１表に示すような厚さのアルミナ被覆層を２度に亘
り堆積した。また、これら蒸着操作の間に第１表に示し
た温度、時間で熱処理したくサンプル１および２）。

参考例１および２、従来例１および２実施例１および２と同様に操作した。ただし、アルミナ
層の蒸着速度並びにその膜厚および熱処理温度、時間は
第１表に示した値とした（サンプル３および４）。

また、熱処理をせず、しかも蒸着を１度で行う従来法を
も同様に実施し、得られた結果を第１表に併せて示した
くサンプル５および６）。

以上の如くして作製した各サンプルにつき、第２図に示
すような方法で、即ち得られたサンプルＳのＡ　Ｉ　２
０３層１４上にＡｇペースト１５を１０μｍの厚さで塗
布し、抵抗測定器Ｒで電気抵抗値を測定し、結果を第１
表に示した。

発明の効果以上詳しく説明したように、本発明の方法によれば、熱
伝導性良好な金属板上への絶縁物質の堆積操作を２回に
分け、それらの間に熱処理工程を介在させることにより
、第１回目の堆積後得られた柱状品状の析出物を熱処理
し、その角部の修復を行ってピンホールを埋込み、次い
で第２回目の堆積操作により所定の絶縁体膜厚を確保す
ると共に、残留する表面の凹凸を除去することができ、
その結果従来のこの種の半導体装置用基板においてみら
れた、ピンホールの存在に基くリークなどの絶縁不良の
問題がほぼ完全に解決され、薄い膜厚で高い電気抵抗を
得ることが可能となった。

従って、本発明の方法により得られる半導体装置搭載用
基板は、高い放熱性と良好な電気絶縁性とを併せ持つ理
想的な製品であるといえる。この基板は最近の動向であ
る高速動作化、高Ｓ積化等が図られた半導体デバイスの
高い発熱格の問題を解決するものと期待され、集積回路
（ＩＣ）パッケージ材料、ハイブリッドＩＣ基板、マザ
ーボ−ド基板などとして広く利用し得るものであり、半
導体装置の信頼性を大巾に向上させる°ものである。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の詳細な説明するための
模式的な図であり、第２図は基板の電気抵抗の測定法を説明するための概略
図であり、第３図は従来の基板の欠点を説明するための模式的な図
である。（主な参照番号）１・・金属板、　　　　　２・・Ａｌ２Ｏ３粒子、３・
・ピンホール、１０・・金属板、１１・・絶縁体気相膜、１２・・ピンホールが埋められた柱状晶、１３・・第２
絶縁体堆積層、

Claims

【特許請求の範囲】

（１）熱伝導性良好な金属板の表面に気相蒸着法で絶縁
性無機物質の被覆層を２〜１５μｍの厚さで形成するこ
とにより、半導体装置用基板を製造する方法において、まず、上記無機物質を蒸着速度０．１μｍ／分以上で１
〜１０μｍ厚蒸着し、次いで６００℃以上の温度にて熱
処理を行った後、任意の蒸着速度の下で１〜５μｍ厚蒸
着することを特徴とする上記半導体装置用基板の製造方
法。
（２）前記熱処理を６５０℃〜９００℃の範囲内の温度
下で１０分以上実施することを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の方法。
（３）上記無機絶縁層がＡｌ＿２Ｏ＿３であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載の方法
。
（４）上記気相蒸着法が物理的蒸着法および化学的蒸着
法からなる群から選ばれる１種であることを特徴とする
特許請求の範囲第３項記載の方法。
（５）上記熱伝導性良好な金属板が銅およびその合金；
アルミニウムおよびその合金；銅およびその合金とアル
ミニウム合金とのクラッド；低熱膨張合金；　Ｍｏ、Ｗ
、Ｃｕ、Ａｌ、Ｓｉの粉末合金からなる群から選ばれる
１種であることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載
の方法。
（６）前記金属板の表面および側面を、乾式または湿式
にてアルミナ粉を衝突させて研摩すると共に、該金属板
の表面および側面に０．５μｍ以下の厚さでアルミナ層
を形成した後、前記無機絶縁層の形成操作を行うことを
特徴とする特許請求の範囲第５項記載の方法。
（７）上記アルミナ層の厚さが０．０５〜０．３μｍの
範囲内にあることを特徴とする特許請求の範囲第６項記
載の方法。
（８）前記金属板を、前記アルミナ粉による研摩被覆処
理する前に耐食性金属でメッキする工程を含むことを特
徴とする特許請求の範囲第６項または第７項記載の方法
。