JPS5848954A - テ−プキヤリア型ｉｃ用基板 - Google Patents
テ−プキヤリア型ｉｃ用基板Info
- Publication number
- JPS5848954A JPS5848954A JP56148334A JP14833481A JPS5848954A JP S5848954 A JPS5848954 A JP S5848954A JP 56148334 A JP56148334 A JP 56148334A JP 14833481 A JP14833481 A JP 14833481A JP S5848954 A JPS5848954 A JP S5848954A
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- JP
- Japan
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- thickness
- alloy
- clad
- foil
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/15—Ceramic or glass substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
- H05K1/053—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an inorganic insulating layer
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はテープキャリア型実装方式のＩＣに用いる基板
材料に関するものであり、耐熱性及び熱放散性を改善し
て、テープキャリア型実装方式の適用可能範囲を著しく
向上させることを可能にする基板を提供するものである
。
材料に関するものであり、耐熱性及び熱放散性を改善し
て、テープキャリア型実装方式の適用可能範囲を著しく
向上させることを可能にする基板を提供するものである
。
テープキャリア型ＩＣ実装はＩＣ実装の連続化及びポン
ディング速度の向上の面でＩＣ実装技術の中でも注目さ
れている。しかしながら基板用フィルムとしてポリイミ
ドなどの有機物が用いられることから耐熱性及び熱放散
性が十分でなく、近年需要がますます増大しつつあるパ
ワーＩＣ用途への展開や部品実装の高密度化などが困難
であり実用可能範囲が限定されているのが実情である。
ディング速度の向上の面でＩＣ実装技術の中でも注目さ
れている。しかしながら基板用フィルムとしてポリイミ
ドなどの有機物が用いられることから耐熱性及び熱放散
性が十分でなく、近年需要がますます増大しつつあるパ
ワーＩＣ用途への展開や部品実装の高密度化などが困難
であり実用可能範囲が限定されているのが実情である。
本発明はかかるテープキャリア型ＩＣ実装用基板フィル
ムの欠点を解消し、耐熱性、熱放散性良好なる基板フィ
ルムを提供せんとするものである。
ムの欠点を解消し、耐熱性、熱放散性良好なる基板フィ
ルムを提供せんとするものである。
第１図は現在広く用いられているテープキャリア型ＩＣ
基板に用いられる基板フィルムの一部断面構造を示すも
ので、ポリイミドフィルム１の上に銅箔２を接着したも
のである。この銅箔をレジスト法により回路形成したも
のがリードフレームとして用いられている。しかし、こ
の方法はポリイミドフィルムと銅箔の接合性が１５０°
Ｃ以上の温度に長時間さらされると著しく劣化すること
及びポリイミドフィルム自体の熱伝導性が悪いことから
ＩＣ組立工程での高温処理やＩＣ動作時に発生する熱の
放散などの点で問題点が多い。
基板に用いられる基板フィルムの一部断面構造を示すも
ので、ポリイミドフィルム１の上に銅箔２を接着したも
のである。この銅箔をレジスト法により回路形成したも
のがリードフレームとして用いられている。しかし、こ
の方法はポリイミドフィルムと銅箔の接合性が１５０°
Ｃ以上の温度に長時間さらされると著しく劣化すること
及びポリイミドフィルム自体の熱伝導性が悪いことから
ＩＣ組立工程での高温処理やＩＣ動作時に発生する熱の
放散などの点で問題点が多い。
第２図は本発明によるテープキャリア型ＩＣ実装用基板
フィルムの一部断面構造を示すもので、基板として有機
物でなく、十分可撓性のある金属箔３を用い、この上に
電気絶縁性の士ラミックフィルム４を被覆した後、その
セラミック層の上に銅フィルム５を被覆したもので三層
構造を示す。
フィルムの一部断面構造を示すもので、基板として有機
物でなく、十分可撓性のある金属箔３を用い、この上に
電気絶縁性の士ラミックフィルム４を被覆した後、その
セラミック層の上に銅フィルム５を被覆したもので三層
構造を示す。
金属箔３は十分な可撓性を必要とするため厚みは０．０
１〜Ｑ、ｌＱｍに限定される。材質としては、ＩＣの熱
膨張特性と熱放散特性に対する要求に応じて選択される
が、コバール、４２アロイ（４２％Ｎ１−Ｆｅ）、各種
鋼合金、Ｃｕクラッド４２７０イクラツドＣｕ、Ｃｕク
ラッドステンレスクラッドＣｕ、４２７０イクラツド銅
フラツド４２７０イなどの材料が有効である。又被覆セ
ラミック層４としては、厚み０゜１〜３μｍで、ＢＮ
、 Ａｆ２０３．１５ＪＮ、 ＳｉＣ，Ｓｉ３Ｎ４、Ｙ
２Ｏ３から選ばれた１種又は２種以上の酸化物が有益で
あり、回路基板の要求特性に応じて選択することができ
る。セラミック被覆層の厚みが０．１μ以下では絶縁性
の上で問題があり、３部以上では被覆コストが高くなる
ことと可撓性、密着強度の点で問題がある。
１〜Ｑ、ｌＱｍに限定される。材質としては、ＩＣの熱
膨張特性と熱放散特性に対する要求に応じて選択される
が、コバール、４２アロイ（４２％Ｎ１−Ｆｅ）、各種
鋼合金、Ｃｕクラッド４２７０イクラツドＣｕ、Ｃｕク
ラッドステンレスクラッドＣｕ、４２７０イクラツド銅
フラツド４２７０イなどの材料が有効である。又被覆セ
ラミック層４としては、厚み０゜１〜３μｍで、ＢＮ
、 Ａｆ２０３．１５ＪＮ、 ＳｉＣ，Ｓｉ３Ｎ４、Ｙ
２Ｏ３から選ばれた１種又は２種以上の酸化物が有益で
あり、回路基板の要求特性に応じて選択することができ
る。セラミック被覆層の厚みが０．１μ以下では絶縁性
の上で問題があり、３部以上では被覆コストが高くなる
ことと可撓性、密着強度の点で問題がある。
セラミック被覆層の上に被覆する銅箔５は１０〜５０μ
ｍの厚みが必要でこれは導電回路形成の上で必要な厚さ
に基くものである。
ｍの厚みが必要でこれは導電回路形成の上で必要な厚さ
に基くものである。
セラミック及び銅フィルムの被覆法としては薄く均一で
安定な密着性の点で物理的気相蒸着法（ｐｖｃ法）や化
学的気相蒸着法（ＣＶＤ法）などの気相メッキ法を用い
ると本発明の効果が顕著である。
安定な密着性の点で物理的気相蒸着法（ｐｖｃ法）や化
学的気相蒸着法（ＣＶＤ法）などの気相メッキ法を用い
ると本発明の効果が顕著である。
しかし、銅フィルムの被覆は接着剤による方法、圧接法
も利用し得る。
も利用し得る。
以下実施例によって説明する。
板厚０．１０ＩｕＬの銅クラツド４２７０イクラツド銅
の。
の。
上にイオンブレーティング法でＡｌ２２０Ｂ 薄膜全１
．０μｍ被覆したのち、スパッタリング法で２０μｍの
Ｃｕ膜を被覆した。
．０μｍ被覆したのち、スパッタリング法で２０μｍの
Ｃｕ膜を被覆した。
基板としては積層金属テープを用い熱膨張係数を７．Ｏ
Ｘ Ｉ Ｏ’／ ｄｅｇとする為、銅比率（断面積比）
で６０％トシた。Ｍ２０Ｂ被覆の為のイオンブレーティ
ングは原料としてＡＪ ２０ ａ焼結体を用い、電子ビ
ーム加熱により蒸発させ、酸素圧４Ｘ１０ ’Ｔｏｒｒ
で、１３．５６ＭＨｚ 、 １００〜２００Ｗノ高周
波電力ヲ印加して蒸発物質の一部をイオン化し、基板を
２００°Ｃに加熱してＭ２Ｏ３を厚さ１．０μｍ被覆し
、絶縁耐圧３Ｍｖ／（ｙＢ以上の絶縁性良好でかつ密着
性、可撓性のよいフィルムを作製した。又銅フィルムを
形成するスパッタリング条件はターゲットとして無酸素
銅を用い、アルゴンガス雰囲気で、基板を２００°Ｃに
加熱して行った。このようにして作製した基板フィルム
は２００°Ｃて長時間さらされてもその特性は劣化する
ことなく、被覆層が剥離することもなく可撓性も十分で
あった。
Ｘ Ｉ Ｏ’／ ｄｅｇとする為、銅比率（断面積比）
で６０％トシた。Ｍ２０Ｂ被覆の為のイオンブレーティ
ングは原料としてＡＪ ２０ ａ焼結体を用い、電子ビ
ーム加熱により蒸発させ、酸素圧４Ｘ１０ ’Ｔｏｒｒ
で、１３．５６ＭＨｚ 、 １００〜２００Ｗノ高周
波電力ヲ印加して蒸発物質の一部をイオン化し、基板を
２００°Ｃに加熱してＭ２Ｏ３を厚さ１．０μｍ被覆し
、絶縁耐圧３Ｍｖ／（ｙＢ以上の絶縁性良好でかつ密着
性、可撓性のよいフィルムを作製した。又銅フィルムを
形成するスパッタリング条件はターゲットとして無酸素
銅を用い、アルゴンガス雰囲気で、基板を２００°Ｃに
加熱して行った。このようにして作製した基板フィルム
は２００°Ｃて長時間さらされてもその特性は劣化する
ことなく、被覆層が剥離することもなく可撓性も十分で
あった。
以上説明した如く、十分な熱伝導性と所要の熱膨張特性
を有し、かつフィルムとして可撓性をもつ金属又は複合
合金テープ上に電気絶縁性を有するセラミック膜を被覆
した後、回路形成のためのＣｕ フィルムを被覆する
ことにより、耐熱性及び放熱性良好なテープキャリア型
実装方式のＩＣに用いる基板材料を作製することができ
、テープキャリア型実装方式の適用範囲を著しく拡大す
ることが可能となった。
を有し、かつフィルムとして可撓性をもつ金属又は複合
合金テープ上に電気絶縁性を有するセラミック膜を被覆
した後、回路形成のためのＣｕ フィルムを被覆する
ことにより、耐熱性及び放熱性良好なテープキャリア型
実装方式のＩＣに用いる基板材料を作製することができ
、テープキャリア型実装方式の適用範囲を著しく拡大す
ることが可能となった。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の基板フィルム１部断面図、第２図は本発
明による基板フィルムの１部所面図である。 １：ポリイミドフィルム、２：銅箔、３：金属箔、４：
セラミックフィルム、５：銅箔。
明による基板フィルムの１部所面図である。 １：ポリイミドフィルム、２：銅箔、３：金属箔、４：
セラミックフィルム、５：銅箔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）板厚０．Ｏ１〜０．１０Ｍの可撓性のある金属又
は複合合金テープの上に、厚さ０．１〜８μｍで電気絶
縁性を有するセラミック薄層があり、更にその上に銅フ
ィルムが１０〜５０８ｍの厚みで被覆された三層構造で
あることを特徴とするテープキャリア型ＩＣ用基板。 （２）三層の中間層であるセラミックが１３Ｎ、Ａｆｆ
１２０３、ＳｉＣ，５ｉｓＮ４、Ｙ２Ｏ３の１種以上の
酸化物薄層であることを特徴とする特許請求の範囲第（
１）項記載のテープキャリア型ＩＣ用基板。 （８）三層の中間層であるセラミック薄層がＰＶＤ法又
はＣＶＤ法によって被覆されたものであることを特徴と
する特許請求の範囲第（１）項記載のテープキャリア型
ＩＣ基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56148334A JPS5848954A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | テ−プキヤリア型ｉｃ用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56148334A JPS5848954A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | テ−プキヤリア型ｉｃ用基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5848954A true JPS5848954A (ja) | 1983-03-23 |
| JPH029457B2 JPH029457B2 (ja) | 1990-03-02 |
Family
ID=15450442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56148334A Granted JPS5848954A (ja) | 1981-09-18 | 1981-09-18 | テ−プキヤリア型ｉｃ用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5848954A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0260137A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-02-28 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 半導体素子の実装用基板 |
| JPH0260138A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-02-28 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 半導体素子の実装用の基板 |
| JP2007092985A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-04-12 | Nissan Motor Co Ltd | ピストンリング構造体 |
| JP2008306102A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用テープキャリア及びその製造方法 |
-
1981
- 1981-09-18 JP JP56148334A patent/JPS5848954A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0260137A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-02-28 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 半導体素子の実装用基板 |
| JPH0260138A (ja) * | 1988-08-26 | 1990-02-28 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 半導体素子の実装用の基板 |
| JP2007092985A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-04-12 | Nissan Motor Co Ltd | ピストンリング構造体 |
| JP2008306102A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用テープキャリア及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH029457B2 (ja) | 1990-03-02 |
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