JPS62254450A - 絶縁基体とその製造方法 - Google Patents
絶縁基体とその製造方法Info
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 94
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 60
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 55
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 55
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 45
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 claims description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 12
- -1 nitrogen ions Chemical class 0.000 abstract description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract description 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 abstract 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 53
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- FFBGYFUYJVKRNV-UHFFFAOYSA-N boranylidynephosphane Chemical compound P#B FFBGYFUYJVKRNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000009193 crawling Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000167 toxic agent Toxicity 0.000 description 1
- 239000003440 toxic substance Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4803—Insulating or insulated parts, e.g. mountings, containers, diamond heatsinks
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/4823—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a pin of the item
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、例えばＩＣ１半導体素子等の電子デバイス
用のバ・ノケージや各種基板等に用いられる絶縁基体と
その製造方法に関する。
用のバ・ノケージや各種基板等に用いられる絶縁基体と
その製造方法に関する。
ＩＣ１半導体素子等の電子デバイスの小形化、高集積化
等の進展により、デバイスからの熱の放熱等が問題とな
ってきており、従来のアルミナ（Ａｌ２０３）製のパッ
ケージ、基板等に変わるものとして、■Ｂ ｅ Ｏ−Ａ
Ｉ Ｎ ｓ Ｓ ｔ Ｃ等の熱伝導性の良好なセラミ
ックス基板、■鉄板にほうろうがけをしたほうろう基板
、■金属基板に絶縁物を接着剤で接着した基板、■金属
基板にセラミックス粉末を溶射した基板、■金属基板に
ＰＶＤ法、ＣＶＤ法等でセラミックス薄膜を成膜した基
板、■金属基板の表面に有機高分子の絶縁層を形成した
基板、等が提案検討されている。
等の進展により、デバイスからの熱の放熱等が問題とな
ってきており、従来のアルミナ（Ａｌ２０３）製のパッ
ケージ、基板等に変わるものとして、■Ｂ ｅ Ｏ−Ａ
Ｉ Ｎ ｓ Ｓ ｔ Ｃ等の熱伝導性の良好なセラミ
ックス基板、■鉄板にほうろうがけをしたほうろう基板
、■金属基板に絶縁物を接着剤で接着した基板、■金属
基板にセラミックス粉末を溶射した基板、■金属基板に
ＰＶＤ法、ＣＶＤ法等でセラミックス薄膜を成膜した基
板、■金属基板の表面に有機高分子の絶縁層を形成した
基板、等が提案検討されている。
しかしながら、上記のような絶縁基板にはそれぞれ次の
ような問題があり、いずれも満足すべきものとは言い難
い。
ような問題があり、いずれも満足すべきものとは言い難
い。
■ Ｂｅｄ、ＡｌＮ５ＳｉＣ等のセラミックス基板は、
アルミナ基板に比較して熱伝導性は５〜２０倍高いが、
原料粉末の精製、粉末の粒度制御、成形、焼結等の工程
を経て製作されるため、工程が複雑である。更に高温下
（１５００〜２０００℃）での焼結を行わねばならず、
大面積の基板の製作が困難、熱歪みの発生、コスト高等
の欠点がある。特にＢｅＯは熱伝導性が高いが、有毒物
質であり、高価であるため、非常に限定された分野にし
か利用できない。
アルミナ基板に比較して熱伝導性は５〜２０倍高いが、
原料粉末の精製、粉末の粒度制御、成形、焼結等の工程
を経て製作されるため、工程が複雑である。更に高温下
（１５００〜２０００℃）での焼結を行わねばならず、
大面積の基板の製作が困難、熱歪みの発生、コスト高等
の欠点がある。特にＢｅＯは熱伝導性が高いが、有毒物
質であり、高価であるため、非常に限定された分野にし
か利用できない。
■ はうろう基板は、６５０〜８００℃の高温でほうろ
うフリットを溶融するため、絶縁層としてのほうろう層
が０．５１以上と厚く、熱伝導性が劣る。はうろう層を
薄くする（０．１ｍｓ＋以下）と、ピンホールの存在に
より絶縁耐圧が低下して実用化できない欠点がある。
うフリットを溶融するため、絶縁層としてのほうろう層
が０．５１以上と厚く、熱伝導性が劣る。はうろう層を
薄くする（０．１ｍｓ＋以下）と、ピンホールの存在に
より絶縁耐圧が低下して実用化できない欠点がある。
■ 金属基板にアルミナ等の絶縁物を接着した基板では
、接着層での熱抵抗が増大すること、接着強度のばらつ
き等の欠点があり実用化はされていない。
、接着層での熱抵抗が増大すること、接着強度のばらつ
き等の欠点があり実用化はされていない。
■ 金属基板にセラミックス粉末を溶射した基板は、溶
射絶縁層にピンホールが多く、絶縁耐圧および絶縁層表
面の平滑性に欠ける等の欠点がある。
射絶縁層にピンホールが多く、絶縁耐圧および絶縁層表
面の平滑性に欠ける等の欠点がある。
■ 金属基板にＰＶＤ法、ＣＶＤ法等でセラミックス薄
膜を成膜した基板は、セラミックス薄膜の形成に５００
℃以上の高温処理が必要であり、金属基板の選択余地、
基板のなまりによる強度低下環に問題がある。更に、薄
膜と金属基板との密着性が弱く、膜質のばらつきも大き
い等の欠点がある。
膜を成膜した基板は、セラミックス薄膜の形成に５００
℃以上の高温処理が必要であり、金属基板の選択余地、
基板のなまりによる強度低下環に問題がある。更に、薄
膜と金属基板との密着性が弱く、膜質のばらつきも大き
い等の欠点がある。
■ 有機高分子薄膜層を持つ基板は、高分子の耐熱性が
悪く、熱伝導性が小さく高熱放散性ではあり得ない等の
欠点がある。
悪く、熱伝導性が小さく高熱放散性ではあり得ない等の
欠点がある。
そこでこの発明は、電気絶縁性、熱伝導性、信頼性、経
済性等に優れた絶縁基体とその製造方法を提供すること
を目的とする。
済性等に優れた絶縁基体とその製造方法を提供すること
を目的とする。
第１図は、この発明に係る絶縁基体の一例を示す拡大部
分断面図である。この実施例の絶縁基体２においては、
金属基体４上に電気絶縁性を有するセラミック層８が形
成されており、かつ金属基体４とセラミック層８の界面
付近に両者の構成物質から成る混合層６が形成されてい
る。
分断面図である。この実施例の絶縁基体２においては、
金属基体４上に電気絶縁性を有するセラミック層８が形
成されており、かつ金属基体４とセラミック層８の界面
付近に両者の構成物質から成る混合層６が形成されてい
る。
金属基体４の材質としては、熱伝導率が高くかつ熱膨張
率がデバイス等のそれに近いものを選択するのが好まし
く、例えばＡ！、Ａ１合金、Ｃｕ５Ｃｕ合金、ステンレ
ス、Ｆ ｅ −４２Ｎ ｉ ％コバール等が採り得る。
率がデバイス等のそれに近いものを選択するのが好まし
く、例えばＡ！、Ａ１合金、Ｃｕ５Ｃｕ合金、ステンレ
ス、Ｆ ｅ −４２Ｎ ｉ ％コバール等が採り得る。
また当該金属基体４の形状としては、用途等に応じて種
々のもの、例えばパンケージ状、各種基板状、ヒートシ
ンク状等が採り得る。
々のもの、例えばパンケージ状、各種基板状、ヒートシ
ンク状等が採り得る。
セラミック層８の種類としては、熱伝導性、電気絶縁性
に優れ誘電率が小さくかつ熱膨張率が搭載するデバイス
等のそれに近いものを選択するのが好ましく、例えば立
方晶窒化ホウ素（Ｃ−ＢＮ）、立方晶ＢＮを含む窒化ホ
ウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡＩＮ） 、リン化
ホウ素（ＢＰ）、ダイヤモンド、ダイヤモンド類似の炭
素等が採り得る。また当該セラミック層８および混合層
６は、金属基体４上の全面に形成されている場合もある
し、一部分に形成されている場合もある。
に優れ誘電率が小さくかつ熱膨張率が搭載するデバイス
等のそれに近いものを選択するのが好ましく、例えば立
方晶窒化ホウ素（Ｃ−ＢＮ）、立方晶ＢＮを含む窒化ホ
ウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡＩＮ） 、リン化
ホウ素（ＢＰ）、ダイヤモンド、ダイヤモンド類似の炭
素等が採り得る。また当該セラミック層８および混合層
６は、金属基体４上の全面に形成されている場合もある
し、一部分に形成されている場合もある。
上記セラミック層８上には、用途等に応じて、デバイス
等を公知の手段で搭載したり、導体パターンを公知の手
段で形成したりすることができる。 ・上記のような
絶縁基体２の特徴を列挙すれば次の通りである。
等を公知の手段で搭載したり、導体パターンを公知の手
段で形成したりすることができる。 ・上記のような
絶縁基体２の特徴を列挙すれば次の通りである。
■ 熱伝導性の優れた金属基体４上に熱伝導性および電
気絶縁性の優れたセラミ・ツクＪｉ８を密着形成したも
のであるから、電気絶縁性および熱伝導性に優れている
。
気絶縁性の優れたセラミ・ツクＪｉ８を密着形成したも
のであるから、電気絶縁性および熱伝導性に優れている
。
■ しかも、金属基体４とセラミック層８間には接着剤
を用いておらず、また混合層６の存在によって金属基体
４とセラミック層８の界面の組成が連続的に変化したも
のとなるため、金属基体４とセラミック層８間の熱伝導
が非常に良い。
を用いておらず、また混合層６の存在によって金属基体
４とセラミック層８の界面の組成が連続的に変化したも
のとなるため、金属基体４とセラミック層８間の熱伝導
が非常に良い。
■ 更に、混合層６が言わば梗のような作用有するので
、セラミック層８の金属基体４に対する密着性が高く剥
離しにくい、また金属基体４とセラミック層８の熱膨張
率の違いを組成が連続的に変化している混合層６で吸収
できるためクランクの発生も起こらない、従って信頬性
が高い。
、セラミック層８の金属基体４に対する密着性が高く剥
離しにくい、また金属基体４とセラミック層８の熱膨張
率の違いを組成が連続的に変化している混合層６で吸収
できるためクランクの発生も起こらない、従って信頬性
が高い。
■ 金属基体４上のセラミック層８は十分に薄くするこ
とが可能であり、そのようにすればセラミック層８上に
載せられるデバイスと金属基体４との熱伝導を一層良く
することができる。
とが可能であり、そのようにすればセラミック層８上に
載せられるデバイスと金属基体４との熱伝導を一層良く
することができる。
■ セラミックス基板単独の場合に比べて、大面積のも
のを容易にかつ安価に得ることができる。
のを容易にかつ安価に得ることができる。
第２図は、この発明に係る絶縁基体の他の例を示す拡大
部分断面図である。以下に上記絶縁基体２との相違点を
主に説明する。
部分断面図である。以下に上記絶縁基体２との相違点を
主に説明する。
この実施例の絶縁基体１４においては、金属基体４上に
電気絶縁性を有する複数の（この例では二つの）互いに
異種のセラミック層８．１２が積層されており、かつ金
属基体４とその上のセラミック層８問および各セラミッ
ク層８．１２間の各界面付近に、その両側の構成物質か
ら成る混合層６．１０がそれぞれ形成されている。
電気絶縁性を有する複数の（この例では二つの）互いに
異種のセラミック層８．１２が積層されており、かつ金
属基体４とその上のセラミック層８問および各セラミッ
ク層８．１２間の各界面付近に、その両側の構成物質か
ら成る混合層６．１０がそれぞれ形成されている。
この場合、金属基体４やセラミック層８．１２には前述
と同様のものが採り得る。但し、セラミック層の積層数
は必ずしもこの例のように２層に限られるものではない
。
と同様のものが採り得る。但し、セラミック層の積層数
は必ずしもこの例のように２層に限られるものではない
。
上記絶縁基体１４においては、前述した絶８！基体２と
同様の特徴に加えて、そのセラミック層８．１２をそれ
ぞれ目的に応じた特性のものに選定でき、しかも混合層
１０の存在によって両セラミック層８．１２間の密着性
が高いという利点がある。
同様の特徴に加えて、そのセラミック層８．１２をそれ
ぞれ目的に応じた特性のものに選定でき、しかも混合層
１０の存在によって両セラミック層８．１２間の密着性
が高いという利点がある。
即ち、一般的に一つの材質では種々の特性全てを満足さ
せるのが難しいけれども、この絶縁基体１４のように異
種のセラミック７５８．１２を積層すれば、それぞれの
利点を生かしたものとすることができる。例えば金属基
体４とデバイス間の熱膨張率の差が大きいような場合を
想定すると、セラミック層８．１２の熱膨張率をそれぞ
れ金属基体４、デバイスに近いものにすれば、クラック
等の発生を効果的に防止することができる。
せるのが難しいけれども、この絶縁基体１４のように異
種のセラミック７５８．１２を積層すれば、それぞれの
利点を生かしたものとすることができる。例えば金属基
体４とデバイス間の熱膨張率の差が大きいような場合を
想定すると、セラミック層８．１２の熱膨張率をそれぞ
れ金属基体４、デバイスに近いものにすれば、クラック
等の発生を効果的に防止することができる。
第３図は、第１図のような絶縁基体をチ・ノブ用パッケ
ージに用いた一例を示す概略断面図である。
ージに用いた一例を示す概略断面図である。
絶縁基体２のセラミック層８上に接着剤１６で半導体、
ＩＣ等のチップ１８を接着しており、当該チップ１８の
電極部（図示省略）と金属基体４を絶縁物２２を介在し
て貫通した外部接続用ピン２４とをボンディングワイヤ
２０でそれぞれ接続している。もっとも、これはほんの
−例であり、上記絶縁基体２や１４がこのようなもの以
外に広く利用できるのは勿論である。
ＩＣ等のチップ１８を接着しており、当該チップ１８の
電極部（図示省略）と金属基体４を絶縁物２２を介在し
て貫通した外部接続用ピン２４とをボンディングワイヤ
２０でそれぞれ接続している。もっとも、これはほんの
−例であり、上記絶縁基体２や１４がこのようなもの以
外に広く利用できるのは勿論である。
次に上記のような絶縁基体２および１４の製造方法の一
例を第４図を参照して説明する。第４図は、この発明に
係る製造方法を実施する装置の一例を示す概略図である
。
例を第４図を参照して説明する。第４図は、この発明に
係る製造方法を実施する装置の一例を示す概略図である
。
前述したような金属基体４がホルダ３０に取り付けられ
て真空容器（図示省略）内に収納されており、当該金属
基体４に向けて蒸発源３２およびイオン源３８が配置さ
れている。金属基体４は、予め表面を研磨および洗浄し
ておくのが好ましい。
て真空容器（図示省略）内に収納されており、当該金属
基体４に向けて蒸発源３２およびイオン源３８が配置さ
れている。金属基体４は、予め表面を研磨および洗浄し
ておくのが好ましい。
蒸発源３２は例えば電子ビーム蒸発源であり、蒸発材料
３４を加熱蒸気化して蒸着物質３６を金属基体４上に蒸
着させることができる。イオン源３８は例えばパケット
型イオン源が好ましく、それによれば供給されたガスＧ
をイオン化して均一で大面積のイオン４０を加速して金
属基体４に向けて照射することができるので、一度に大
面積の処理が可能になる。尚、４２は金属基体４上に形
成される薄膜の膜厚モニタである。
３４を加熱蒸気化して蒸着物質３６を金属基体４上に蒸
着させることができる。イオン源３８は例えばパケット
型イオン源が好ましく、それによれば供給されたガスＧ
をイオン化して均一で大面積のイオン４０を加速して金
属基体４に向けて照射することができるので、一度に大
面積の処理が可能になる。尚、４２は金属基体４上に形
成される薄膜の膜厚モニタである。
上記蒸着物質３６およびイオン４０の種類は、金属基体
４上に形成しようとするセラミック層（８，１２）の種
類に応じて例えば次のような組み合わせとする。
４上に形成しようとするセラミック層（８，１２）の種
類に応じて例えば次のような組み合わせとする。
■ セラミック層が立方晶ＢＮまたは立方晶ＢＮを含む
ＢＮの場合 蒸着物質３６としてホウ素（Ｂ）、イオン４０として窒
素（Ｎ）イオン。
ＢＮの場合 蒸着物質３６としてホウ素（Ｂ）、イオン４０として窒
素（Ｎ）イオン。
■ セラミック層がＡＩＮの場合
蒸着物質３６としてアルミニウム（Ａｌ）。イオン４０
として窒素イオン。もっともこの場合、金属基体４がＡ
Ｉの場合は初期段階では当該金属基体４上にＮイオンを
照射・注入するだけでも良い。
として窒素イオン。もっともこの場合、金属基体４がＡ
Ｉの場合は初期段階では当該金属基体４上にＮイオンを
照射・注入するだけでも良い。
その際の注入量は、例えばｌＸｌ０”〜ｌ ｘ ｌ Ｑ
Ｉｌｌイオン／ｃｍ”程度にするのが好ましい、その
ようにすれば、スパッタを抑え、かつ抵抗率の高いＡＩ
Ｎを形成することができる。
Ｉｌｌイオン／ｃｍ”程度にするのが好ましい、その
ようにすれば、スパッタを抑え、かつ抵抗率の高いＡＩ
Ｎを形成することができる。
■ セラミック層がＢＰの場合
蒸着物質３６としてホウ素、イオン４０としてリン（Ｐ
）イオン、またはその逆。
）イオン、またはその逆。
■ セラミック層がダイヤモンドまたはダイヤモンド類
似の炭素の場合 蒸着物質３６として炭素（Ｃ）。イオン４０として炭素
イオン、水素イオン、アルゴン等の不活性ガスイオンの
１種以上、あるいはそれにダイヤモンド形成促進用にケ
イ素イオンを加えたもの。
似の炭素の場合 蒸着物質３６として炭素（Ｃ）。イオン４０として炭素
イオン、水素イオン、アルゴン等の不活性ガスイオンの
１種以上、あるいはそれにダイヤモンド形成促進用にケ
イ素イオンを加えたもの。
成膜に際しては、真空容器内を例えば１０−Ｓ〜１０−
’Ｔｏ ｒ ｒ程度にまで排気した後、蒸発源３２から
の上述のような蒸着物質３６を金属基体４上に蒸着させ
るのと同時に、またはそれと交互に、イオン源３８から
の上述のようなイオン４０を金属基体４に向けて照射す
る。
’Ｔｏ ｒ ｒ程度にまで排気した後、蒸発源３２から
の上述のような蒸着物質３６を金属基体４上に蒸着させ
るのと同時に、またはそれと交互に、イオン源３８から
の上述のようなイオン４０を金属基体４に向けて照射す
る。
これによって金属基体４上に、成膜の初期段階で前述し
たような混合層６が形成され、更に引き続いて前述した
ようなセラミック層８が形成され、その結果例えば第１
図に示したような絶縁基体２が得られる。また、上記の
ような蒸着およびイオン照射を、蒸着物質３６とイオン
４０の少なくとも一方の種類を変えて複数回行うことに
よって、例えば第２図に示したようなｍ縁基体１４を得
ることができる。尚、セラミック層の膜厚は、例えば膜
厚モニタ４２を用いて所望のものに制御することができ
る。
たような混合層６が形成され、更に引き続いて前述した
ようなセラミック層８が形成され、その結果例えば第１
図に示したような絶縁基体２が得られる。また、上記の
ような蒸着およびイオン照射を、蒸着物質３６とイオン
４０の少なくとも一方の種類を変えて複数回行うことに
よって、例えば第２図に示したようなｍ縁基体１４を得
ることができる。尚、セラミック層の膜厚は、例えば膜
厚モニタ４２を用いて所望のものに制御することができ
る。
上記の場合、蒸着物質／照射イオンの粒子比（ｍ酸比）
は、セラミック層の種類に応じて適切な値をそれぞれ選
ぶものとする。
は、セラミック層の種類に応じて適切な値をそれぞれ選
ぶものとする。
また、イオン４０の加速エネルギーは、４０ＫｅＶ程度
以下にするのが好ましい、これは、エネルギーがそれ以
上になると、イオン４０のスパッタ作用により平滑な膜
面が得られな（なる恐れがあると共に、セラミック層の
内部に欠陥等の損傷部が多くなって良質のセラミック層
が得られなくなる恐れがあるからである。
以下にするのが好ましい、これは、エネルギーがそれ以
上になると、イオン４０のスパッタ作用により平滑な膜
面が得られな（なる恐れがあると共に、セラミック層の
内部に欠陥等の損傷部が多くなって良質のセラミック層
が得られなくなる恐れがあるからである。
更に、金属基体４の表面を加熱手段（図示省略）によっ
て例えば数百〜５００℃程度にまで加熱しながら膜形成
をしても良く、そのようにすれば上記損傷部や注入イオ
ンによるボリュームを軽減させることができると共に、
膜形成の反応を促進することができる場合もある。
て例えば数百〜５００℃程度にまで加熱しながら膜形成
をしても良く、そのようにすれば上記損傷部や注入イオ
ンによるボリュームを軽減させることができると共に、
膜形成の反応を促進することができる場合もある。
上記のような製造方法の特徴を列挙すれば次の通りであ
る。
る。
■ 比較的低温（例えば数百℃以下）で処理できるため
、熱による歪み、クランクの発生が無く、良質の膜形成
を行うことができる。
、熱による歪み、クランクの発生が無く、良質の膜形成
を行うことができる。
■ 不純物が少なく、膜質、膜厚の均一なセラミック層
が得られるため、電気絶縁性および熱伝導性に優れた絶
縁基体が得られる。
が得られるため、電気絶縁性および熱伝導性に優れた絶
縁基体が得られる。
■ セラミック層として薄いものを形成可能であり、従
ってこの点からも熱伝導性の高い絶縁基体が得られる。
ってこの点からも熱伝導性の高い絶縁基体が得られる。
■ 混合層によって密着性の高いセラミック層が得られ
るので、信幀性の高い絶縁基体が得られる。
るので、信幀性の高い絶縁基体が得られる。
■ 表面の平滑性の良いセラミック層が得られるため、
チップ、回路パターン等との密着性の良い絶縁基体が得
られる。
チップ、回路パターン等との密着性の良い絶縁基体が得
られる。
■ 一度に大面積の処理が可能である等のため、絶縁基
体の低コスト化が可能である。
体の低コスト化が可能である。
以上のようにこの発明によれば、電気絶縁性、熱伝導性
、信頬性、経済性等に優れた絶縁基体が得られる。
、信頬性、経済性等に優れた絶縁基体が得られる。
第１図は、この発明に係る絶縁基体の一例を示す拡大部
分断面図である。第２図は、この発明に係る絶縁基体の
他の例を示す拡大部分断面図である。第３図は、第１図
のような絶縁基体をチップ用パッケージに用いた一例を
示す概略断面図である。第４図は、この発明に係る製造
方法を実施する装置の一例を示す概略図である。 ２．１４・・・実施例に係る絶縁基体、４・・・金属基
体′、６．１０・・・混合層、８，１２・・・セラミッ
ク層、３２・・・蒸発源、３６・・・蒸着物質、３８・
・・イオン源、４０・・・イオン。
分断面図である。第２図は、この発明に係る絶縁基体の
他の例を示す拡大部分断面図である。第３図は、第１図
のような絶縁基体をチップ用パッケージに用いた一例を
示す概略断面図である。第４図は、この発明に係る製造
方法を実施する装置の一例を示す概略図である。 ２．１４・・・実施例に係る絶縁基体、４・・・金属基
体′、６．１０・・・混合層、８，１２・・・セラミッ
ク層、３２・・・蒸発源、３６・・・蒸着物質、３８・
・・イオン源、４０・・・イオン。
Claims (8)
- （１）金属基体上に電気絶縁性を有するセラミック層が
形成されており、かつ両者の界面付近に両者の構成物質
から成る混合層が形成されていることを特徴とする絶縁
基体。 - （２）上記セラミック層が、立方晶ＢＮ、立方晶ＢＮを
含むＢＮ、ＡｌＮ、ＢＰ、ダイヤモンドおよびダイヤモ
ンド類似の炭素から選ばれた１種から成ることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の絶縁基体。 - （３）金属基体上に電気絶縁性を有する複数の互いに異
種のセラミック層が積層されており、かつ金属基体とそ
の上のセラミック層間および各セラミック層間の各界面
付近に、その両側の構成物質から成る混合層がそれぞれ
形成されていることを特徴とする絶縁基体。 - （４）上記セラミック層の少なくとも一つが、立方晶Ｂ
Ｎ、立方晶ＢＮを含むＢＮ、ＡｌＮ、ＢＰ、ダイヤモン
ドおよびダイヤモンド類似の炭素から選ばれた１種から
成ることを特徴とする特許請求の範囲第３項記載の絶縁
基体。 - （５）真空中で金属基体に対して、蒸気化された物質の
蒸着と加速されたイオンの照射とを行うことによって、
当該金属基体上に電気絶縁性を有するセラミック層を、
かつ両者の界面付近に両者の構成物質から成る混合層を
形成することを特徴とする絶縁基体の製造方法。 - （６）上記蒸気化された物質が、Ｂ、Ａｌ、ＰおよびＣ
から選ばれた１種から成り、上記加速されたイオンが、
Ｎイオン、Ｐイオン、Ｂイオン、Ｃイオンおよび不活性
ガスイオンから選ばれた１種から成り、かつ上記セラミ
ック層が、立方晶ＢＮ、立方晶ＢＮを含むＢＮ、ＡｌＮ
、ＢＰ、ダイヤモンドおよびダイヤモンド類似の炭素か
ら選ばれた１種から成ることを特徴とする特許請求の範
囲第５項記載の絶縁基体の製造方法。 - （７）真空中で金属基体に対して、蒸気化された物質の
蒸着と加速されたイオンの照射とを、蒸着物質と照射イ
オンの少なくとも一方の種類を変えて複数回行うことに
よって、当該金属基体上に電気絶縁性を有する複数の互
いに異種のセラミック層を積層し、かつ金属基体とその
上のセラミック層間および各セラミック層間の各界面付
近に、その両側の構成物質から成る混合層を形成するこ
とを特徴とする絶縁基体の製造方法。 - （８）上記蒸気化された物質が、Ｂ、Ａｌ、ＰおよびＣ
から選ばれた１種から成り、上記加速されたイオンが、
Ｎイオン、Ｐイオン、Ｂイオン、Ｃイオンおよび不活性
ガスイオンから選ばれた１種から成り、かつ上記セラミ
ック層が、立方晶ＢＮ、立方晶ＢＮを含むＢＮ、ＡｌＮ
、ＢＰ、ダイヤモンドおよびダイヤモンド類似の炭素か
ら選ばれた１種から成ることを特徴とする特許請求の範
囲第７項記載の絶縁基体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61098887A JP2512898B2 (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 絶縁基体とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61098887A JP2512898B2 (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 絶縁基体とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62254450A true JPS62254450A (ja) | 1987-11-06 |
| JP2512898B2 JP2512898B2 (ja) | 1996-07-03 |
Family
ID=14231649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61098887A Expired - Fee Related JP2512898B2 (ja) | 1986-04-28 | 1986-04-28 | 絶縁基体とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2512898B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002353390A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-06 | Tokuyama Corp | ヒートシンク及びその製造方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS582022A (ja) * | 1981-06-27 | 1983-01-07 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜形成方法 |
| JPS60195094A (ja) * | 1984-03-15 | 1985-10-03 | Agency Of Ind Science & Technol | ダイヤモンド薄膜の製造方法 |
| JPS60245153A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体装置用高電気絶縁性基板 |
| JPS6287496A (ja) * | 1985-10-11 | 1987-04-21 | Nissin Electric Co Ltd | 単結晶窒化アルミニウム膜の作製方法 |
| JPS62170474A (ja) * | 1986-01-23 | 1987-07-27 | Agency Of Ind Science & Technol | レ−ザ蒸着装置 |
| JPS62211369A (ja) * | 1986-03-11 | 1987-09-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 化合物薄膜およびその製造方法 |
-
1986
- 1986-04-28 JP JP61098887A patent/JP2512898B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS582022A (ja) * | 1981-06-27 | 1983-01-07 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜形成方法 |
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| JPS62211369A (ja) * | 1986-03-11 | 1987-09-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 化合物薄膜およびその製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002353390A (ja) * | 2001-05-30 | 2002-12-06 | Tokuyama Corp | ヒートシンク及びその製造方法 |
| WO2002099879A1 (en) * | 2001-05-30 | 2002-12-12 | Tokuyama Corporation | Heat sink and its manufacturing method |
| US6758264B2 (en) | 2001-05-30 | 2004-07-06 | Tokuyama Corporation | Heat sink and its manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2512898B2 (ja) | 1996-07-03 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |