JPS62195978A - 光走査記録装置 - Google Patents
光走査記録装置Info
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- JPS62195978A JPS62195978A JP61038606A JP3860686A JPS62195978A JP S62195978 A JPS62195978 A JP S62195978A JP 61038606 A JP61038606 A JP 61038606A JP 3860686 A JP3860686 A JP 3860686A JP S62195978 A JPS62195978 A JP S62195978A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 31
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- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/40—Picture signal circuits
- H04N1/40025—Circuits exciting or modulating particular heads for reproducing continuous tone value scales
- H04N1/40043—Circuits exciting or modulating particular heads for reproducing continuous tone value scales using more than one type of modulation, e.g. pulse width modulation and amplitude modulation
-
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- H—ELECTRICITY
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- H04N1/40—Picture signal circuits
- H04N1/405—Halftoning, i.e. converting the picture signal of a continuous-tone original into a corresponding signal showing only two levels
- H04N1/4055—Halftoning, i.e. converting the picture signal of a continuous-tone original into a corresponding signal showing only two levels producing a clustered dots or a size modulated halftone pattern
- H04N1/4056—Halftoning, i.e. converting the picture signal of a continuous-tone original into a corresponding signal showing only two levels producing a clustered dots or a size modulated halftone pattern the pattern varying in one dimension only, e.g. dash length, pulse width modulation [PWM]
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の分野）
本発明は記録材料を光ビームにより走査して該配録材料
に記８を行なう光走査記録装置、特に詳細には光ビーム
発生手段として半導体レーザを用い、連続調画像を得る
ようにした光走査記録装置に関するものである。
に記８を行なう光走査記録装置、特に詳細には光ビーム
発生手段として半導体レーザを用い、連続調画像を得る
ようにした光走査記録装置に関するものである。
（発明の技術的背景および先行技術）
従来より、光ビームを光偏向器により偏向して感光性記
録材料上を走査させ、該記録材料に記録を行なう光走査
記録装置が広く実用に供されている。このような光走査
記録装置において光ビームを発生する手段の１つとして
、半導体レーザか従来から用いられている。この半導体
レーザは、ガスレーザ等に比べれば小型、安価で消費電
力も少なく、また駆動電流を変えることによって直接変
調が可能である等、数々の長所を有している。
録材料上を走査させ、該記録材料に記録を行なう光走査
記録装置が広く実用に供されている。このような光走査
記録装置において光ビームを発生する手段の１つとして
、半導体レーザか従来から用いられている。この半導体
レーザは、ガスレーザ等に比べれば小型、安価で消費電
力も少なく、また駆動電流を変えることによって直接変
調が可能である等、数々の長所を有している。
しかしながら、その反面この半導体レーザは、第４図に
示すように駆ｌｌｌ電流に対する光出力特性が、ある点
を境にして急激に変化するので、連続調画像の記録には
適用困難であるという問題が有る。すなわち上記の光出
力特性が急激に変化する忌にまたがって光出力を制御す
ることは難かしく、また該変イヒ点の上側の特性がリニ
アな範囲のみを利用して強度変調を行なうと、光出力の
ダイナミックレンジがたかだか２桁程度しかとれない。
示すように駆ｌｌｌ電流に対する光出力特性が、ある点
を境にして急激に変化するので、連続調画像の記録には
適用困難であるという問題が有る。すなわち上記の光出
力特性が急激に変化する忌にまたがって光出力を制御す
ることは難かしく、また該変イヒ点の上側の特性がリニ
アな範囲のみを利用して強度変調を行なうと、光出力の
ダイナミックレンジがたかだか２桁程度しかとれない。
周知のように、この程度のダイナミックレンジでは高品
位の連続調画像を得ることは不可能であるユそこで従来
より、半導体レーザの光出力は一定とするとともに、該
半導体レーザを連続的に０Ｎ−ＯＦＦさせて走査ビーム
をパルス光とし、このパルスの数を各画素毎に制御して
走査光量を変化させることにより連＠調画像を得る試み
もなされている。
位の連続調画像を得ることは不可能であるユそこで従来
より、半導体レーザの光出力は一定とするとともに、該
半導体レーザを連続的に０Ｎ−ＯＦＦさせて走査ビーム
をパルス光とし、このパルスの数を各画素毎に制御して
走査光量を変化させることにより連＠調画像を得る試み
もなされている。
ところか上記のようなパルス数変調を行なう場合には、
例えば画素周波数が１００ｋＨｚのとき走査光量の分解
能を４桁確保しようとすると、パルスの周波数は１ＧＨ
ｚと極めて高く設定しなければならない。半導体レーザ
自体はこの程度の周波数で０Ｎ−ＯＦＦすることも可能
であるが、パルス数制御のためのパルスカウント回路等
は一役にこのような高周波数に対応して作動し得ず、見
開は画素周波数を上記程度の値よりも大幅に下げなけれ
ばならない。したがってこのようにパルス数変調により
連続調画像を配録する場合、記録速度は非常に遅いもの
となってしまう。
例えば画素周波数が１００ｋＨｚのとき走査光量の分解
能を４桁確保しようとすると、パルスの周波数は１ＧＨ
ｚと極めて高く設定しなければならない。半導体レーザ
自体はこの程度の周波数で０Ｎ−ＯＦＦすることも可能
であるが、パルス数制御のためのパルスカウント回路等
は一役にこのような高周波数に対応して作動し得ず、見
開は画素周波数を上記程度の値よりも大幅に下げなけれ
ばならない。したがってこのようにパルス数変調により
連続調画像を配録する場合、記録速度は非常に遅いもの
となってしまう。
（発明の目的）
そこで本発明は半導体レーザを用い、高速で連続調画像
を記録しつる光走査記録装置を提供することを目的とす
るものである。
を記録しつる光走査記録装置を提供することを目的とす
るものである。
（発明の構成）
本発明の光走査記録装置は、前述のように半導体レーザ
から射出された光ビームにより記録材料を走査して該記
録材料に記録を行なう光走査配録装置において、上記光
ビームを、パルス数変調あるいはパルス幅変調と強度変
調とを組み合わせて変調するようにしたことを特徴とす
るものである。
から射出された光ビームにより記録材料を走査して該記
録材料に記録を行なう光走査配録装置において、上記光
ビームを、パルス数変調あるいはパルス幅変調と強度変
調とを組み合わせて変調するようにしたことを特徴とす
るものである。
（作 用）
上記のようにパルス数変調あるいはパルス幅変調と強度
変調とを組み合わせれば、パルス数変調幅あるいはパル
ス幅変調幅か小さくても強度変調で補って、走査光量の
変化範囲を大きく設定することかできる。したがって１
画素当たりのパルス′１１を小ざく設定でき、高速記録
が可能になる。
変調とを組み合わせれば、パルス数変調幅あるいはパル
ス幅変調幅か小さくても強度変調で補って、走査光量の
変化範囲を大きく設定することかできる。したがって１
画素当たりのパルス′１１を小ざく設定でき、高速記録
が可能になる。
（実施態様）
以下、図面に示す実施態様に基づいて本発明の詳細な説
明する。
明する。
第１図は本発明の第１実施態様による光走査記録装置を
示すものでめる。半導体レーザ１０には駆動回路１１か
ら駆動電流りが供給され、半導体レーザ］０はこの駆！
り電流りの値に対応した発光強度のレーザビーム１？を
射出する。このレーザビーム１２はコリメータレンズ１
３に通されて平行ビームとされ、例えばガルバノメータ
ミラー等の光偏向器１４によって偏向される。偏向され
たレーザビーム１２は走査レンズ（通常はｆθレンズ）
１５に通されて、例えば銀塩フィルム等からなる記録材
料１６上で集束し、この記録材料１６を矢印Ｘ方向に走
査する（王走査）３それとともに記録材料１６は、例え
ばエンドレスベルト装置からなる記録材料移送手段１７
により上記主走査方向Ｘと略直角な方向Ｙに移送され、
副走査がなされる。こうして記録材料１６はレーザビー
ム１２により全面的に走査され、該ビーム１？に感光し
て２次元像を形成する。
示すものでめる。半導体レーザ１０には駆動回路１１か
ら駆動電流りが供給され、半導体レーザ］０はこの駆！
り電流りの値に対応した発光強度のレーザビーム１？を
射出する。このレーザビーム１２はコリメータレンズ１
３に通されて平行ビームとされ、例えばガルバノメータ
ミラー等の光偏向器１４によって偏向される。偏向され
たレーザビーム１２は走査レンズ（通常はｆθレンズ）
１５に通されて、例えば銀塩フィルム等からなる記録材
料１６上で集束し、この記録材料１６を矢印Ｘ方向に走
査する（王走査）３それとともに記録材料１６は、例え
ばエンドレスベルト装置からなる記録材料移送手段１７
により上記主走査方向Ｘと略直角な方向Ｙに移送され、
副走査がなされる。こうして記録材料１６はレーザビー
ム１２により全面的に走査され、該ビーム１？に感光し
て２次元像を形成する。
上述のようにして記録材料１６に記録される像は、レー
ザビーム１２が以下説明のようにして変調されることに
より、連Ｈ調を有するものとなる。すなわち半導体レー
ザ１０は、駆動回路１１から駆動電流りが大きざを変え
、またパルス状に供給されることにより、２段階の発光
強度１１．Ｉ２いずれかのレーザビーム１２をそれぞれ
パルス状に射出する。
ザビーム１２が以下説明のようにして変調されることに
より、連Ｈ調を有するものとなる。すなわち半導体レー
ザ１０は、駆動回路１１から駆動電流りが大きざを変え
、またパルス状に供給されることにより、２段階の発光
強度１１．Ｉ２いずれかのレーザビーム１２をそれぞれ
パルス状に射出する。
そして本実施態様においては、２段階の発光強度１１、
Ｉ２の比は１１．／１２＝１２８と設定され、また１画
素におけるレーザビーム１２の最大パルス数＝２５４と
設定されている。つまり第２図に示されるように１画素
当たり２５４個のクロックパルスが駆動回路１１に入力
され、駆動回路１１は画像信号供給器１８から供給され
る画像信号Ｓに応じて駆動電流りの０Ｎ−ＯＦＦ、およ
び大きさを制御することにより、レーザビーム１２のパ
ルス数（各パルスは上記クロックパルスに同期している
）と発光強度（パルスの（膜幅）を変化させる。１画素
当たりの走査光量か最小となるのは勿論レーザビーム１
？のパルス数かＯのときでめり、次に走査光量か低いの
は第２図の（１）に示されるように発光強■Ｉ２のパル
スが１個だけ出力されたときでめるユ上記発光強度Ｉ２
のパルス数を１〜１２７個まで変えれば、走査光量は■
２〜１２７１ｚと変化する。そして第２図の（２）に示
されるように発光強度■１のパルスを１個出力させ、こ
のとき発光強度■２のパルスを出力させなければ走査光
量は１２８ Ｉ２どなる。発光強度■１のパルス１個に
加えて発光強ＷＩ２のパルスを１〜１２７個加えれば、
走査光量は１２９ Ｉ２−２５５Ｉ２と変化する。以下
同様にして発光強度■１のパルスと、発光強度Ｉｚのパ
ルスの組み合わせにより、走査光量を最大１６３８３１
ｚ ）１２８Ｉｚ Ｘ１２７＋１２７Ｉｚ、第３図の
（３）〕まで、光量１２刻みで変化させることかできる
。すなわち本実施態様においては、１画素当たり２５４
のパルス数変調幅で、走査光量の分解能１４ｂｉ ｔ
（１６３８４レヘル）を得る。記録材１１６が銀塩フィ
ルムである場合、高品位の連続調画像を得るためには、
一般的に露光量の変；ヒ範囲は３桁弱稈度、そしてこの
とき走査光量の分解能は４桁以上必要とされるが、本実
施態様においては上記の通り、この４桁以上の走査光量
分解能が確保されている。
Ｉ２の比は１１．／１２＝１２８と設定され、また１画
素におけるレーザビーム１２の最大パルス数＝２５４と
設定されている。つまり第２図に示されるように１画素
当たり２５４個のクロックパルスが駆動回路１１に入力
され、駆動回路１１は画像信号供給器１８から供給され
る画像信号Ｓに応じて駆動電流りの０Ｎ−ＯＦＦ、およ
び大きさを制御することにより、レーザビーム１２のパ
ルス数（各パルスは上記クロックパルスに同期している
）と発光強度（パルスの（膜幅）を変化させる。１画素
当たりの走査光量か最小となるのは勿論レーザビーム１
？のパルス数かＯのときでめり、次に走査光量か低いの
は第２図の（１）に示されるように発光強■Ｉ２のパル
スが１個だけ出力されたときでめるユ上記発光強度Ｉ２
のパルス数を１〜１２７個まで変えれば、走査光量は■
２〜１２７１ｚと変化する。そして第２図の（２）に示
されるように発光強度■１のパルスを１個出力させ、こ
のとき発光強度■２のパルスを出力させなければ走査光
量は１２８ Ｉ２どなる。発光強度■１のパルス１個に
加えて発光強ＷＩ２のパルスを１〜１２７個加えれば、
走査光量は１２９ Ｉ２−２５５Ｉ２と変化する。以下
同様にして発光強度■１のパルスと、発光強度Ｉｚのパ
ルスの組み合わせにより、走査光量を最大１６３８３１
ｚ ）１２８Ｉｚ Ｘ１２７＋１２７Ｉｚ、第３図の
（３）〕まで、光量１２刻みで変化させることかできる
。すなわち本実施態様においては、１画素当たり２５４
のパルス数変調幅で、走査光量の分解能１４ｂｉ ｔ
（１６３８４レヘル）を得る。記録材１１６が銀塩フィ
ルムである場合、高品位の連続調画像を得るためには、
一般的に露光量の変；ヒ範囲は３桁弱稈度、そしてこの
とき走査光量の分解能は４桁以上必要とされるが、本実
施態様においては上記の通り、この４桁以上の走査光量
分解能が確保されている。
上記の場合画素周波数を１００ｋＨ２とずれば、クロッ
クパルスの（資）波数は２５．１４Ｈ２であり、パルス
数制御用パルスカウント回路等のロジック回路は、従来
より用いられているものか使用可能でおる８従来から行
なわれているようにパルス数変調のみで上記走査光量の
分解能１４ｂｉｔを得るには、周波数１．６３８３ＧＨ
ｚのクロックパルスに蟇づいてパルス数変調を（テなわ
ねばならず、現在のロジック回路では対応困難でめる。
クパルスの（資）波数は２５．１４Ｈ２であり、パルス
数制御用パルスカウント回路等のロジック回路は、従来
より用いられているものか使用可能でおる８従来から行
なわれているようにパルス数変調のみで上記走査光量の
分解能１４ｂｉｔを得るには、周波数１．６３８３ＧＨ
ｚのクロックパルスに蟇づいてパルス数変調を（テなわ
ねばならず、現在のロジック回路では対応困難でめる。
したがってこの場合は画素周波数を１００ｋＨ２よりも
大幅に低下させなければならない工 なお周知のように半導体レーザ１０の光出力は変動しや
すいので、本実施態様においてはレーザビーム１２によ
る記録材料１６の有効走査域から外れた位置に光量検出
器１９を設け、該光量検出器１９の検出光歯に蟇づいて
制御回路？０により前記駆動回路１１を制御し、所定の
光出力が得られるようにしている。
大幅に低下させなければならない工 なお周知のように半導体レーザ１０の光出力は変動しや
すいので、本実施態様においてはレーザビーム１２によ
る記録材料１６の有効走査域から外れた位置に光量検出
器１９を設け、該光量検出器１９の検出光歯に蟇づいて
制御回路？０により前記駆動回路１１を制御し、所定の
光出力が得られるようにしている。
ここで上述のように走査光量の分解能１４ｂｉｔを得る
他の例を挙げる。レーザビーム１２の２段階の発光強度
の比を１１．’ｌ２＝６４とする場合には、発光強度Ｉ
２のレーザビーム１？のパルス数変調により６４レベル
（−６ｂｉｔ）、発光強度■１のレーザビーム１２のパ
ルス数変調により２５６レベル（＝８ｂｉｔ）を設定す
ればよいから、前記１画素当たりの最大変調パルス数（
クロックパルスの数）は６３−１−２５５＝３１８とな
る。また発光強度の比をＩ！、／１２＝２５６とする場
合には、発光強度■２のビームのパルス数変調により２
５６レベル（−８ｂｉｔ）、発光強度■１のビームのパ
ルス数変調により６４レベル（＝６ｂｉｔ）を設定すれ
ばよいから、１画素当たりの最大変調パルス数は同じ＜
２５５−４−６３＝３１８となる。
他の例を挙げる。レーザビーム１２の２段階の発光強度
の比を１１．’ｌ２＝６４とする場合には、発光強度Ｉ
２のレーザビーム１？のパルス数変調により６４レベル
（−６ｂｉｔ）、発光強度■１のレーザビーム１２のパ
ルス数変調により２５６レベル（＝８ｂｉｔ）を設定す
ればよいから、前記１画素当たりの最大変調パルス数（
クロックパルスの数）は６３−１−２５５＝３１８とな
る。また発光強度の比をＩ！、／１２＝２５６とする場
合には、発光強度■２のビームのパルス数変調により２
５６レベル（−８ｂｉｔ）、発光強度■１のビームのパ
ルス数変調により６４レベル（＝６ｂｉｔ）を設定すれ
ばよいから、１画素当たりの最大変調パルス数は同じ＜
２５５−４−６３＝３１８となる。
また上記実施態様においては半導体レーザ１０の発光強
度をｈ 、Ｉ２の２段階に設定しているか、３段階以上
に設定することもできる。例えば発光強度を１１．１２
．１３の３段階に設定し、Ｉ１、／１２＝３２、Ｉ２
、／Ｉ３ ＝ １６ （シたかってｈ 、／ １３ ＝
５１２＞として走査光量の分解能１４ｂｉｔニー得る場
合には、発光強度■３のレーザビーム１２のパルス数変
調により１６レベル（−４ｂ ｉ ｔ） 、発光強度■
２のレーザビーム１２のパルス数変調により３２レベル
（＝５ｂｉｔ）、１光強度■１のレーザビーム１２のパ
ルス数変調により３２レベル（＝５ｂｉｔ）を設定すれ
ばよい。
度をｈ 、Ｉ２の２段階に設定しているか、３段階以上
に設定することもできる。例えば発光強度を１１．１２
．１３の３段階に設定し、Ｉ１、／１２＝３２、Ｉ２
、／Ｉ３ ＝ １６ （シたかってｈ 、／ １３ ＝
５１２＞として走査光量の分解能１４ｂｉｔニー得る場
合には、発光強度■３のレーザビーム１２のパルス数変
調により１６レベル（−４ｂ ｉ ｔ） 、発光強度■
２のレーザビーム１２のパルス数変調により３２レベル
（＝５ｂｉｔ）、１光強度■１のレーザビーム１２のパ
ルス数変調により３２レベル（＝５ｂｉｔ）を設定すれ
ばよい。
このときの１画素当たりの最大変調パルス数は］５’−
３’＞３１＝７７となる。同様に！、、／ｌ２＝１６、
Ｉｚ 、／Ｉ３ ＝８ ＜シたかって！＋ ／Ｉ３、
、、．１２Ｂ）とする場合には、発光強度１３、Ｉｚ、
Ｉ１のレーザビーム１２それぞれのパルス数変調により
８レベル（＝３ｂｉ ｔ）、１６レベル（＝４ｂｉｔ）
、１２８レベル（＝７ｂｉｔ）を設定すればよいから、
このときの１画素当たりの最大変調パルス数は７−１−
１５半１２７＝１４９となる。
３’＞３１＝７７となる。同様に！、、／ｌ２＝１６、
Ｉｚ 、／Ｉ３ ＝８ ＜シたかって！＋ ／Ｉ３、
、、．１２Ｂ）とする場合には、発光強度１３、Ｉｚ、
Ｉ１のレーザビーム１２それぞれのパルス数変調により
８レベル（＝３ｂｉ ｔ）、１６レベル（＝４ｂｉｔ）
、１２８レベル（＝７ｂｉｔ）を設定すればよいから、
このときの１画素当たりの最大変調パルス数は７−１−
１５半１２７＝１４９となる。
以上の説明からも明らかなように、発光強度をＩ１、Ｉ
２の２段階に設定する場合には、１１、’Ｉｚ＝２φｊ
ロリ「「顧「 のとぎ１画素当たりの最大変調パルス数（クロックパル
スの数）は最小になる。また一般に発光強度を１＼段階
に設定する場合、１画素当たりの最大変調パルス数は 発光強度比＝ＮＶ「ＩＥ口７Ｗｉ のとき最小になる。記録速度を高めるには当然１画素当
たりのパルス数を小さく設定すればよいが、前述したよ
うに半導体レーザの発光強度比はめまり大きくとれない
ので、画素周波数や使用する半導体レーザの特性等を考
慮して上記発光強度比を決定すればよい。
２の２段階に設定する場合には、１１、’Ｉｚ＝２φｊ
ロリ「「顧「 のとぎ１画素当たりの最大変調パルス数（クロックパル
スの数）は最小になる。また一般に発光強度を１＼段階
に設定する場合、１画素当たりの最大変調パルス数は 発光強度比＝ＮＶ「ＩＥ口７Ｗｉ のとき最小になる。記録速度を高めるには当然１画素当
たりのパルス数を小さく設定すればよいが、前述したよ
うに半導体レーザの発光強度比はめまり大きくとれない
ので、画素周波数や使用する半導体レーザの特性等を考
慮して上記発光強度比を決定すればよい。
次に第３図に示す本発明の第２実施態様について説明す
る。本実施態様においては２個の半導体レーザ１０△、
１０ＢｆｆｉｉＵけられ、それぞれから射出されたレー
ザビーム１２Ａ、、１２Ｂがハーフミラ−？１によって
１本のレーザビーム１？に合成され、この合成されたレ
ーザビーム１２により記録材料１６か走査されるように
なっている。各半導体レーザＩＯＡ、１０１３は、それ
ぞれ専用の駆動回路１１Ａ、１１ｉ３から駆動電流Ｄ１
．Ｄ２が供給されて、レーザビーム１２Ａ、１２Ｂをパ
ルス状に射出する。この場合には各半導体レーザ１０Ａ
、１０ＢをＣ）Ｎ−ＯＦＦ制御することによりレーザビ
ーム１２の強度が変えられる。
る。本実施態様においては２個の半導体レーザ１０△、
１０ＢｆｆｉｉＵけられ、それぞれから射出されたレー
ザビーム１２Ａ、、１２Ｂがハーフミラ−？１によって
１本のレーザビーム１？に合成され、この合成されたレ
ーザビーム１２により記録材料１６か走査されるように
なっている。各半導体レーザＩＯＡ、１０１３は、それ
ぞれ専用の駆動回路１１Ａ、１１ｉ３から駆動電流Ｄ１
．Ｄ２が供給されて、レーザビーム１２Ａ、１２Ｂをパ
ルス状に射出する。この場合には各半導体レーザ１０Ａ
、１０ＢをＣ）Ｎ−ＯＦＦ制御することによりレーザビ
ーム１２の強度が変えられる。
この場合、所望の走査光量分解能を得るためのレーザビ
ーム１２Ａと１２Ｂの強度比、およびパルス数変調の条
件は、前述の１個の半導体レーザ１０の光出力を２段階
に変える場合と全く同じである。しかし２本のレーザビ
ーム１２Ａ’、 １２Ｂは合成されて同時に記録材料１
６を走査するから、１画素当たりの最大変調パルス数は
、両ビーム１２Ａ、１２Ｂの最大変調パルス数を足し合
わせたものではなく、パルス数変調の幅が大きい方のビ
ーム１２ Ａあるいは１２３の最大変調パルス数となる
。すなわち例えばレーザビーム１２Ａと１２［３の強度
比を６４． 、／ １とし、各レーザビーム１２Ａと１
２Ｂをそれぞれ２５６レベル（＝８ｂｉ ｔ）、６４レ
ベル（＝６ｂｉｔ）にパルス数変調して走査光量の分解
能１４ｂｉｔを得る場合には、１画素当たりの最大変調
パルス数は２５５となる。
ーム１２Ａと１２Ｂの強度比、およびパルス数変調の条
件は、前述の１個の半導体レーザ１０の光出力を２段階
に変える場合と全く同じである。しかし２本のレーザビ
ーム１２Ａ’、 １２Ｂは合成されて同時に記録材料１
６を走査するから、１画素当たりの最大変調パルス数は
、両ビーム１２Ａ、１２Ｂの最大変調パルス数を足し合
わせたものではなく、パルス数変調の幅が大きい方のビ
ーム１２ Ａあるいは１２３の最大変調パルス数となる
。すなわち例えばレーザビーム１２Ａと１２［３の強度
比を６４． 、／ １とし、各レーザビーム１２Ａと１
２Ｂをそれぞれ２５６レベル（＝８ｂｉ ｔ）、６４レ
ベル（＝６ｂｉｔ）にパルス数変調して走査光量の分解
能１４ｂｉｔを得る場合には、１画素当たりの最大変調
パルス数は２５５となる。
なおハーフミラ−２１における光透過率と光反射率は異
なることがおるから、上記レーザビーム１２Ａと１２Ｂ
の強度比は、半導体レーザＩＯＡ、１０１３の発光強度
の比ではなく、実際に記録材料１６に入射するビームに
ついて規定されなければならないことは勿論でおる。そ
して本実施態様においては、制御回路？Ｏにより駆動回
路１１Ａ、１１Ｂが各々制御され、各レーザビーム１２
Ａと１２Ｂの強度が所定値に維持されるようになってい
る。
なることがおるから、上記レーザビーム１２Ａと１２Ｂ
の強度比は、半導体レーザＩＯＡ、１０１３の発光強度
の比ではなく、実際に記録材料１６に入射するビームに
ついて規定されなければならないことは勿論でおる。そ
して本実施態様においては、制御回路？Ｏにより駆動回
路１１Ａ、１１Ｂが各々制御され、各レーザビーム１２
Ａと１２Ｂの強度が所定値に維持されるようになってい
る。
また上記第２実施態様におけるように、複数の半導体レ
ーザからのレーザビームを合成して走査させる場合にお
いても、前記第１実施態様におけるように、各半導体レ
ーザの光出力レベルを複数に設定可能である工そうすれ
ば１画素当たりの最大変調パルス数はなお−―小ざくて
済むようになる。例えば第３図の装置においてレーザビ
ーム１２Ａの強度をｌ＋／Ｉｔ’＝４として２段階に設
定し、また同様にレーザビーム１２Ｂの強度を１２．／
Ｉｚ’＝４として２段階に設定し、１１．／１２＝１２
８とした場合、走査光量の分解能１４ｂｉｔを得るには
、レーザビーム１２Ａ側で強度Ｉｓ’のビームのパルス
数変調で４レベル（＝２ｂｉｔｊ、強度■１のビームの
パルス数変調で３２レベル（−５ｂｉｔ）を設定し、他
方レーザビーム１２Ｂ側で強度Ｉｚ’のビームのパルス
数変調で４レベル（＝２ｂｉｔ）、強度Ｉ２のビームの
パルス数変調で３２レベル（＝５ｂｉｔ）を設定すれば
よいから、結局１画素当たりの最大変調パルス数は３ｌ
−１−３＝３４となる。
ーザからのレーザビームを合成して走査させる場合にお
いても、前記第１実施態様におけるように、各半導体レ
ーザの光出力レベルを複数に設定可能である工そうすれ
ば１画素当たりの最大変調パルス数はなお−―小ざくて
済むようになる。例えば第３図の装置においてレーザビ
ーム１２Ａの強度をｌ＋／Ｉｔ’＝４として２段階に設
定し、また同様にレーザビーム１２Ｂの強度を１２．／
Ｉｚ’＝４として２段階に設定し、１１．／１２＝１２
８とした場合、走査光量の分解能１４ｂｉｔを得るには
、レーザビーム１２Ａ側で強度Ｉｓ’のビームのパルス
数変調で４レベル（＝２ｂｉｔｊ、強度■１のビームの
パルス数変調で３２レベル（−５ｂｉｔ）を設定し、他
方レーザビーム１２Ｂ側で強度Ｉｚ’のビームのパルス
数変調で４レベル（＝２ｂｉｔ）、強度Ｉ２のビームの
パルス数変調で３２レベル（＝５ｂｉｔ）を設定すれば
よいから、結局１画素当たりの最大変調パルス数は３ｌ
−１−３＝３４となる。
なお前記第３図の装置において、２本のレーザビーム１
２△、１２Ｂは、ハーフミラ−２１に限らず、偏光ビー
ムスプリッタ等のその他のビ゛−ム合或手段を用いて１
本に合成されてもよい２上記偏光ビームスプリツタを使
用する場合には、その偏光面を回転させることにより、
レーザビーム１？△、１２Ｂの合成後の強度比を所望値
に設定する口とができ、好都合である。またレーザビー
ムを偏向ざぜる光偏向器１４としては、前述したカルバ
ノメータミラーの他、回転多面鏡（ポリゴンミラー）や
ホログラムスキャナ、ざらにはＡＯＤ（音響光学偏向器
）等が使用可能で市る。
２△、１２Ｂは、ハーフミラ−２１に限らず、偏光ビー
ムスプリッタ等のその他のビ゛−ム合或手段を用いて１
本に合成されてもよい２上記偏光ビームスプリツタを使
用する場合には、その偏光面を回転させることにより、
レーザビーム１？△、１２Ｂの合成後の強度比を所望値
に設定する口とができ、好都合である。またレーザビー
ムを偏向ざぜる光偏向器１４としては、前述したカルバ
ノメータミラーの他、回転多面鏡（ポリゴンミラー）や
ホログラムスキャナ、ざらにはＡＯＤ（音響光学偏向器
）等が使用可能で市る。
以上、パルス数変調と強度変調とを組み合わせて記録ビ
ームを変調する例について説明したが、各画素の記録を
１つのパルス光によって行ない、そしてこのパルス光の
幅を画像信号に応じて変調すれば連続調画像記録か可能
となる。このパルス幅変調は、光ビームの光量制御の点
ではパルス数変調と同等に扱えるから（例えばパルス幅
をｎ倍にするということはパルス数変調においてパルス
Ｉ１．をｎ倍にすることと同等でおる）、以上説明した
パルス数変調の代わりにパルス幅変調を行なっても同様
の効果か得られる。
ームを変調する例について説明したが、各画素の記録を
１つのパルス光によって行ない、そしてこのパルス光の
幅を画像信号に応じて変調すれば連続調画像記録か可能
となる。このパルス幅変調は、光ビームの光量制御の点
ではパルス数変調と同等に扱えるから（例えばパルス幅
をｎ倍にするということはパルス数変調においてパルス
Ｉ１．をｎ倍にすることと同等でおる）、以上説明した
パルス数変調の代わりにパルス幅変調を行なっても同様
の効果か得られる。
（発明の効果）
以上詳細に説明した通り本発明の光走査記録装置によれ
ば、パルス数変調幅が小さくても強度変調で補って十分
に大きな走査光量分解能が得られるから、１画素当たり
の変調パルス数を少なくし、高速で高品位の連続調画像
を記録することが可能になる。
ば、パルス数変調幅が小さくても強度変調で補って十分
に大きな走査光量分解能が得られるから、１画素当たり
の変調パルス数を少なくし、高速で高品位の連続調画像
を記録することが可能になる。
第１図は本発明の光走査記録装置の第１実施態様を示す
概略図、 第２図は上記実施態様装置にあける光ビームの変調を説
明する説明図、 第３図は本弁明の光走査記録装置の第２実施態様を示す
概略図、 第４図は本発明に係わる半導体レーザの駆動電流と光出
力の関係を示すグラフで必る。 １０．１０Ａ、 １０Ｂ・・・半導体レーザ１１．１１
Ａ、１１Ｂ・・・駆動回路 １？、１２Ａ、１２Ｂ・・・レーザビーム１４・・・光
偏向器 １５・・・走査レンズ１６・・・記録
材料 １７・・・記録材料移送手段ＰＩ Ｐ
２ Ｐ３ Ｐ４ Ｐ５ Ｐ１２ｆ３ Ｐ２５
２叩５３Ｐ２５４第３図 第４図
概略図、 第２図は上記実施態様装置にあける光ビームの変調を説
明する説明図、 第３図は本弁明の光走査記録装置の第２実施態様を示す
概略図、 第４図は本発明に係わる半導体レーザの駆動電流と光出
力の関係を示すグラフで必る。 １０．１０Ａ、 １０Ｂ・・・半導体レーザ１１．１１
Ａ、１１Ｂ・・・駆動回路 １？、１２Ａ、１２Ｂ・・・レーザビーム１４・・・光
偏向器 １５・・・走査レンズ１６・・・記録
材料 １７・・・記録材料移送手段ＰＩ Ｐ
２ Ｐ３ Ｐ４ Ｐ５ Ｐ１２ｆ３ Ｐ２５
２叩５３Ｐ２５４第３図 第４図
Claims (3)
- （１）半導体レーザから射出された光ビームを変調し、
この変調された光ビームにより記録材料を走査して該記
録材料に記録を行なう光走査記録装置において、パルス
数変調あるいはパルス幅変調と強度変調とを組み合わせ
て前記光ビームを変調することを特徴とする光走査記録
装置。 - （２）前記光ビームを、前記半導体レーザの駆動電流を
制御することにより強度変調することを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の光走査記録装置。 - （３）前記半導体レーザを複数有し、各半導体レーザか
らの光ビームを合成した合成ビームにより前記走査を行
ない、合成するビーム数を変えることにより前記強度変
調を行なうことを特徴とする特許請求の範囲第１項また
は第２項記載の光走査記録装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61038606A JP2524108B2 (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 光走査記録装置 |
| US07/017,945 US4754291A (en) | 1986-02-24 | 1987-02-24 | Light beam scanning recording apparatus width modulation of both total pulse duration and intensity |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61038606A JP2524108B2 (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 光走査記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62195978A true JPS62195978A (ja) | 1987-08-29 |
| JP2524108B2 JP2524108B2 (ja) | 1996-08-14 |
Family
ID=12529925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61038606A Expired - Lifetime JP2524108B2 (ja) | 1986-02-24 | 1986-02-24 | 光走査記録装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4754291A (ja) |
| JP (1) | JP2524108B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6300579B1 (en) | 1998-04-30 | 2001-10-09 | Kitagawa Industries, Co., Ltd. | Grounding terminal and mounting structure of the same on a printed circuit board |
| JP2010139987A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Konica Minolta Business Technologies Inc | 画像形成装置 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5010353A (en) * | 1986-07-04 | 1991-04-23 | Konica Corporation | Laser recorder with integrally molded deflector |
| US4804978A (en) * | 1988-02-19 | 1989-02-14 | The Perkin-Elmer Corporation | Exposure control system for full field photolithography using pulsed sources |
| US4912487A (en) * | 1988-03-25 | 1990-03-27 | Texas Instruments Incorporated | Laser scanner using focusing acousto-optic device |
| US4905025A (en) * | 1988-06-20 | 1990-02-27 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Method of and apparatus for recording image on photosensitive material with a plurality of photobeams |
| JP2774521B2 (ja) * | 1988-09-14 | 1998-07-09 | キヤノン株式会社 | レーザ記録装置 |
| US4947039A (en) * | 1988-10-17 | 1990-08-07 | Eotron Corporation | Flat stationary field light beam scanning device |
| US4998257A (en) * | 1989-03-09 | 1991-03-05 | Konica Corporation | Semiconductor laser driving apparatus |
| DE69034055D1 (de) * | 1989-10-02 | 2003-05-08 | Canon Kk | Bilderzeugungsgerät und Modulationsverfahren |
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| JP2854366B2 (ja) * | 1990-02-23 | 1999-02-03 | 株式会社リコー | レーザ走査型画像形成装置 |
| US5671003A (en) * | 1991-11-04 | 1997-09-23 | Eastman Kodak Company | Hybrid digital image printer with halftone gray scale capability |
| US5371524A (en) * | 1991-11-25 | 1994-12-06 | Eastman Kodak Company | End pulse width modulation for digital image printer with halftone gray scale capability |
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| US5426452A (en) * | 1993-05-17 | 1995-06-20 | Eastman Kodak Company | Laser diode operated in amplitude modulation and pulse amplitude modes |
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| JP2002072119A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光ビーム走査装置 |
| JP6596814B2 (ja) * | 2014-11-25 | 2019-10-30 | 株式会社リコー | 画像形成装置 |
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| JPS61124921A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-12 | Minolta Camera Co Ltd | レ−ザ走査型画像形成装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US3708797A (en) * | 1971-09-24 | 1973-01-02 | Columbia Broadcasting Syst Inc | Multi-channel laser recording system |
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| US4679057A (en) * | 1984-11-22 | 1987-07-07 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Laser recording apparatus |
-
1986
- 1986-02-24 JP JP61038606A patent/JP2524108B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-02-24 US US07/017,945 patent/US4754291A/en not_active Expired - Lifetime
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| JP2010139987A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Konica Minolta Business Technologies Inc | 画像形成装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2524108B2 (ja) | 1996-08-14 |
| US4754291A (en) | 1988-06-28 |
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