JPS62193261A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS62193261A JPS62193261A JP3573686A JP3573686A JPS62193261A JP S62193261 A JPS62193261 A JP S62193261A JP 3573686 A JP3573686 A JP 3573686A JP 3573686 A JP3573686 A JP 3573686A JP S62193261 A JPS62193261 A JP S62193261A
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- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims abstract description 13
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 abstract description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 2
- 239000005380 borophosphosilicate glass Substances 0.000 abstract 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 abstract 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 abstract 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 1
- HYBBIBNJHNGZAN-UHFFFAOYSA-N furfural Chemical compound O=CC1=CC=CO1 HYBBIBNJHNGZAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 abstract 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 241000252229 Carassius auratus Species 0.000 description 1
- PQKBPHSEKWERTG-UHFFFAOYSA-N Fenoxaprop ethyl Chemical compound C1=CC(OC(C)C(=O)OCC)=CC=C1OC1=NC2=CC=C(Cl)C=C2O1 PQKBPHSEKWERTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 235000013601 eggs Nutrition 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業トの利用分野〕
木＠明け、半導／、ｋ ｖ；＃の製造方法ｆ訃いて、特
ＫＴＪＥｊＸの能動素子シ分離する素子分離領域の製造
方法に関する。
ＫＴＪＥｊＸの能動素子シ分離する素子分離領域の製造
方法に関する。
木発Ｉｌｌ￥け、単綺晶族板の素子分離領域に溝？掘り
、溝にけ絶縁物を即め込む素子外Ｒの領ＩＩ３いて＊
該＊’Ｆけ高鳴点金喝シ１１サイド髪埋め込み。
、溝にけ絶縁物を即め込む素子外Ｒの領ＩＩ３いて＊
該＊’Ｆけ高鳴点金喝シ１１サイド髪埋め込み。
イオン打込により溝中のシリ千イド中にＴ、ＩＩｒ！物
な注入後、熱処ｆＩｆｔ／行な覧＾該木純物シ膣溝周辺
の鳳結晶中に不純物シ拡散させた後、 溝中のシリ峰イ
ドシ除去し１代って絶縁物な該溝に埋め込むこと？特徴
とする半導体装置のマ遣方法である。
な注入後、熱処ｆＩｆｔ／行な覧＾該木純物シ膣溝周辺
の鳳結晶中に不純物シ拡散させた後、 溝中のシリ峰イ
ドシ除去し１代って絶縁物な該溝に埋め込むこと？特徴
とする半導体装置のマ遣方法である。
従来の夛子分離は肩８図に示すとと〈爪結晶艦板１１に
婢ｔ／握り、溝周辺？熱酸化し酸化嗅１２で覆っ比後、
絶縁物１３を埋め込み素子分離領域を形成している。
婢ｔ／握り、溝周辺？熱酸化し酸化嗅１２で覆っ比後、
絶縁物１３を埋め込み素子分離領域を形成している。
〔発明ｈ；解決しよ５とする問題点〕
この製造方法では、素子分離領域の微細化＾を可昨にな
っｆｃが、溝堀り時に生じる欠陥がγｉ１周辺の凰結晶
中ｆ存在し、卵動業子間に凰結晶と熱酸住曙との婢界面
な鳴して微少リーク電流６＝ ｔｐじＬＳ■の特性に悪
影響な及ぼし友。本発明け、かかる′＃、平の欠麿シ取
り除会、啼勧素子間の微少リークレ低減し、かつ微細な
！予分離領域の製造方法な提供する。
っｆｃが、溝堀り時に生じる欠陥がγｉ１周辺の凰結晶
中ｆ存在し、卵動業子間に凰結晶と熱酸住曙との婢界面
な鳴して微少リーク電流６＝ ｔｐじＬＳ■の特性に悪
影響な及ぼし友。本発明け、かかる′＃、平の欠麿シ取
り除会、啼勧素子間の微少リークレ低減し、かつ微細な
！予分離領域の製造方法な提供する。
＃串間■となっている微少リーク電ｆＭは、溝形成時の
１１１１ＷＲ辺の表面欠陥切破を浅い接合を持つ不純物
拡散層で覆へことにより溝のＪ！結晶と絶縁物界面のリ
ークシ抑支ることで低域する。電７を溝周辺のＰ面欠陥
領域への不紳物鉱敗？、シリサイドシ・内して不純物拡
散することにより、不純物の道結晶中への砿散＾；高濃
度かつ浅い接合に制御され素子分離領域の微細化ｈ；可
症になる。
１１１１ＷＲ辺の表面欠陥切破を浅い接合を持つ不純物
拡散層で覆へことにより溝のＪ！結晶と絶縁物界面のリ
ークシ抑支ることで低域する。電７を溝周辺のＰ面欠陥
領域への不紳物鉱敗？、シリサイドシ・内して不純物拡
散することにより、不純物の道結晶中への砿散＾；高濃
度かつ浅い接合に制御され素子分離領域の微細化ｈ；可
症になる。
本発明の作用？述べれば、不純物イオン注入された溝中
に埋め込まれ之高１４１１！：５金蝙シリサイドは拡散
源の役割をする。高融照合ｍＦｉｏｔ／Ｄで形成した場
合、ｍ結晶尊析の溝表面全面ｒ付着し、はぼ宇金に溝を
蝦め込むことｈｔできる。市たシリサイド巾の不純物拡
散はグレイン墳界を４して非常に速く拡散する。この友
め核金属シリサイドｔ＊散源にして熱処理を行なうと、
単結晶の溝全体の表面に均一な、しかも浅い不純物拡散
層ＴＩＩ；で踵るという長所８−持つ。
に埋め込まれ之高１４１１！：５金蝙シリサイドは拡散
源の役割をする。高融照合ｍＦｉｏｔ／Ｄで形成した場
合、ｍ結晶尊析の溝表面全面ｒ付着し、はぼ宇金に溝を
蝦め込むことｈｔできる。市たシリサイド巾の不純物拡
散はグレイン墳界を４して非常に速く拡散する。この友
め核金属シリサイドｔ＊散源にして熱処理を行なうと、
単結晶の溝全体の表面に均一な、しかも浅い不純物拡散
層ＴＩＩ；で踵るという長所８−持つ。
以下実施例？用いて説明する。
１ｉ１１閾において１紙結晶シリコン瑞櫂１に熱酸死重
２シ形成後１反応性イオンエクチングにより素子分離領
域に溝Ｓシ＠成する。次に寧２図に示すよ”ｉＫ化学気
相成長によりＴｉシリナイト゛噛４シ蓄積し該博を埋め
込む。さらＫ２Ｓ図に示すとと＜ Ａｓイオン５％−シ
リサイド層４に注入した後、約１１００℃１０秒の熱処
Ｗ９ｆ行な５こと忙より、筆４図に示すとと〈ｍ繕晶の
溝周辺に浅い′ｔ−紳物拭散層６を形ｇ−する。填６図
でけＲＱｋ洗浄にて、Ｔイシリサイドを選択的にエツチ
ング除去し、ている。
２シ形成後１反応性イオンエクチングにより素子分離領
域に溝Ｓシ＠成する。次に寧２図に示すよ”ｉＫ化学気
相成長によりＴｉシリナイト゛噛４シ蓄積し該博を埋め
込む。さらＫ２Ｓ図に示すとと＜ Ａｓイオン５％−シ
リサイド層４に注入した後、約１１００℃１０秒の熱処
Ｗ９ｆ行な５こと忙より、筆４図に示すとと〈ｍ繕晶の
溝周辺に浅い′ｔ−紳物拭散層６を形ｇ−する。填６図
でけＲＱｋ洗浄にて、Ｔイシリサイドを選択的にエツチ
ング除去し、ている。
第６図では、熱酸化により鍍溝表曜龜結晶シ酸化噂２で
Ｎ つｆｔ−後、４ ｍｏｌ ４以下のＰ８Ｇ７’）’
蓄積後１．Ｉｌｉ濃［！’ＩＰ８Ｇ８ケ蓄積し１０００
℃１０秒の熱処理にてフローレ平坦化している。このと
き凰績晶中の不純物６の拡散はほとんどない。次に高ａ
ｙＢＰＢＧと表面のｐｅａ？エツチング除去することに
より、炉７図に示すような、ＩＡ結晶シリコンの素子４
＋離領域には溝ｈｔ影形成れ、討溝周辺に浅いＡ８不純
物拡散層６ ／ｌ”−形成され、Ａ酸化膜２で覆われ該
溝は表＋ｖｎ ｈＺ平坦化され７ｔ Ｐｌ’１０９で埋
め込まれ次素子分離構ｉｉｉ ｆ＋Ｚ完成する。
Ｎ つｆｔ−後、４ ｍｏｌ ４以下のＰ８Ｇ７’）’
蓄積後１．Ｉｌｉ濃［！’ＩＰ８Ｇ８ケ蓄積し１０００
℃１０秒の熱処理にてフローレ平坦化している。このと
き凰績晶中の不純物６の拡散はほとんどない。次に高ａ
ｙＢＰＢＧと表面のｐｅａ？エツチング除去することに
より、炉７図に示すような、ＩＡ結晶シリコンの素子４
＋離領域には溝ｈｔ影形成れ、討溝周辺に浅いＡ８不純
物拡散層６ ／ｌ”−形成され、Ａ酸化膜２で覆われ該
溝は表＋ｖｎ ｈＺ平坦化され７ｔ Ｐｌ’１０９で埋
め込まれ次素子分離構ｉｉｉ ｆ＋Ｚ完成する。
以上や明したように＊発明によれば、能動素子間の微少
リーク電流が抑制され友、しかも微細化可卯な素子９Ｆ
＄１８領域の製５方法ｈ″−可能になる。
リーク電流が抑制され友、しかも微細化可卯な素子９Ｆ
＄１８領域の製５方法ｈ″−可能になる。
纂１図〜屓７図・・本発明忙よる素子分離領域の形成工
′８断面図 第８図・・・・・・従来技術による素子分離領域の形成
工程ｌ！１面図 １・・・・・・単結晶層板 ２・・・・・・熱酸化噂 ３・・・・・・ＲＴＦ、にて掘られ几溝４・・・・・・
シリサイド層 ５・・・・・・不純物イオン ６・・・・・・凰結晶基板中の不純物拡散層７・・・・
・・ＰＲＧ ８・・・・・ＩＢＰＲＧ ９・・・・・・溝な埋め込んだＰ８Ｇ 以 上
′８断面図 第８図・・・・・・従来技術による素子分離領域の形成
工程ｌ！１面図 １・・・・・・単結晶層板 ２・・・・・・熱酸化噂 ３・・・・・・ＲＴＦ、にて掘られ几溝４・・・・・・
シリサイド層 ５・・・・・・不純物イオン ６・・・・・・凰結晶基板中の不純物拡散層７・・・・
・・ＰＲＧ ８・・・・・ＩＢＰＲＧ ９・・・・・・溝な埋め込んだＰ８Ｇ 以 上
Claims (1)
- １）ＬＳＩの能動素子を分離する領域の製造方法におい
て、単結晶基板に酸化膜形成後、素子間分離領域に溝を
エッチングにより形成後、高融点金属シリサイドを蓄積
し該溝を埋め込み、イオン打込により表面及び該溝中の
該シリサイドに不純物を注入後、熱処理を行ない該不純
物を該溝周辺の単結晶中に拡散させた後、該溝中及び表
面の該シリサイドをエッチング除去した後、該溝には絶
縁物を埋め込むことを特徴とする半導体装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3573686A JPS62193261A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3573686A JPS62193261A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62193261A true JPS62193261A (ja) | 1987-08-25 |
Family
ID=12450109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3573686A Pending JPS62193261A (ja) | 1986-02-20 | 1986-02-20 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62193261A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999023704A1 (de) * | 1997-11-03 | 1999-05-14 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement |
| US6337499B1 (en) | 1997-11-03 | 2002-01-08 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor component |
| US6916712B2 (en) * | 1999-03-01 | 2005-07-12 | Fairchild Semiconductor Corporation | MOS-gated device having a buried gate and process for forming same |
-
1986
- 1986-02-20 JP JP3573686A patent/JPS62193261A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999023704A1 (de) * | 1997-11-03 | 1999-05-14 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauelement |
| US6337499B1 (en) | 1997-11-03 | 2002-01-08 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor component |
| US6916712B2 (en) * | 1999-03-01 | 2005-07-12 | Fairchild Semiconductor Corporation | MOS-gated device having a buried gate and process for forming same |
| KR100714198B1 (ko) * | 1999-03-01 | 2007-05-02 | 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션 | 매립게이트를 구비한 모스-게이트된 장치 및 그 형성방법 |
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