JPS62193157A - パワー素子パッケージ - Google Patents
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- JPS62193157A JPS62193157A JP62024919A JP2491987A JPS62193157A JP S62193157 A JPS62193157 A JP S62193157A JP 62024919 A JP62024919 A JP 62024919A JP 2491987 A JP2491987 A JP 2491987A JP S62193157 A JPS62193157 A JP S62193157A
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は特許請求の範囲第1項の上位概念によるパワー
素子に関ずろ。
素子に関ずろ。
従来の技術
公知のようにたとえば半導体またはICのようなパワー
素子には多量の熱損失が発生し、連続動作の際素子を損
傷しないようにこの熱を素子から導出しなければならな
い。この理由からパワー素子を金属板に実装し、場合に
よりセラミックまたは同様の材料で絶縁し、それによっ
て損失熱を使用した材料の高い熱伝導度によってできる
だけ早く導出ずろことができる。このようなパワー素子
の実装または後からの絶縁はもちろん非常に高価である
。
素子には多量の熱損失が発生し、連続動作の際素子を損
傷しないようにこの熱を素子から導出しなければならな
い。この理由からパワー素子を金属板に実装し、場合に
よりセラミックまたは同様の材料で絶縁し、それによっ
て損失熱を使用した材料の高い熱伝導度によってできる
だけ早く導出ずろことができる。このようなパワー素子
の実装または後からの絶縁はもちろん非常に高価である
。
発明が解決しようとする問題点
本発明の目的は公知技術の上記欠点を除去することであ
る。
る。
問題点を解決するための手段
この目的は特許請求の範囲第1項の特徴部に記載の特徴
によって解決される。
によって解決される。
作用
本発明によるパワー素子は基体が電気的絶縁体なので、
パワー素子の下面を電気的に絶縁し、それにも拘わらず
良好な熱結合を達成する可能性が生ずる。
パワー素子の下面を電気的に絶縁し、それにも拘わらず
良好な熱結合を達成する可能性が生ずる。
従属請求項に記載の手段によって特許請求の範囲第1項
記載のパワー素子の有利な形成および改房が可能である
。基体を形成するチッ化アルミニウムは高い熱伝導度を
特徴とするので、ヂッ化アルミニウムの厚さを2〜6m
mの範囲に選択するのが有利であり、この範囲内で選択
する厚さは導出すべき損失熱量に依存する。チッ化アル
ミニウムの基体とパワー素子の間に金属層を挿入するの
が有利であり、パワー素子はこの、金属層にはんだ付す
ることができる。さらにこのような金属層は適当なプリ
ントおよびエツチング法で直接パワー素子接続のための
導体路および配置場所を形成するため使用することがで
きる。最後に基体に凹所を備え、ここへ外部への接続ピ
ンを圧入またははんだ付するのが有利である。
記載のパワー素子の有利な形成および改房が可能である
。基体を形成するチッ化アルミニウムは高い熱伝導度を
特徴とするので、ヂッ化アルミニウムの厚さを2〜6m
mの範囲に選択するのが有利であり、この範囲内で選択
する厚さは導出すべき損失熱量に依存する。チッ化アル
ミニウムの基体とパワー素子の間に金属層を挿入するの
が有利であり、パワー素子はこの、金属層にはんだ付す
ることができる。さらにこのような金属層は適当なプリ
ントおよびエツチング法で直接パワー素子接続のための
導体路および配置場所を形成するため使用することがで
きる。最後に基体に凹所を備え、ここへ外部への接続ピ
ンを圧入またははんだ付するのが有利である。
実施例
次に本発明の実施例を図面により説明する。
図示の実装したパワー素子はチッ化アルミニウムからな
る厚さ約4mmのセラミック板の形の基体lを有する。
る厚さ約4mmのセラミック板の形の基体lを有する。
基体1上にたとえば銅の金属層2があり、この層は厚膜
としてまたは後続の電気メッキにより強化する無電解メ
ッキて設けられる。パワー素子3は金属層2へははんだ
付され、その際素子3は金属層2が同時に配置場所とし
て役立つように設定される。基体lに凹所が備えられ、
ここへたとえば銅ブロンズからなる接続ピン4が圧入さ
れ、またはあらかじめ凹所を金属化した後はんだ付され
る。接続ピン4とパワー素子3の配置場所の間はワイヤ
5によって結合され、このワイヤはパワー素子の配置場
所にも接続ピン4にも超音波によって溶接される。最後
に全体に熱硬化性注型樹脂からなるカバー6を設け、そ
の際接続ピン4は1つの辺から突出し、基体lの反対側
では基体の一部がカバー6を備えず、孔7を有し、この
孔により実装したパワー素子をソケット等へねじで取付
けることができる。
としてまたは後続の電気メッキにより強化する無電解メ
ッキて設けられる。パワー素子3は金属層2へははんだ
付され、その際素子3は金属層2が同時に配置場所とし
て役立つように設定される。基体lに凹所が備えられ、
ここへたとえば銅ブロンズからなる接続ピン4が圧入さ
れ、またはあらかじめ凹所を金属化した後はんだ付され
る。接続ピン4とパワー素子3の配置場所の間はワイヤ
5によって結合され、このワイヤはパワー素子の配置場
所にも接続ピン4にも超音波によって溶接される。最後
に全体に熱硬化性注型樹脂からなるカバー6を設け、そ
の際接続ピン4は1つの辺から突出し、基体lの反対側
では基体の一部がカバー6を備えず、孔7を有し、この
孔により実装したパワー素子をソケット等へねじで取付
けることができる。
館記のように基体lを形成するヂツ化アルミニウムは高
い熱伝導度を特徴とし、さらにパワー素子3は被覆した
金属層2を介して基体lと結合しているので、損失熱は
迅速に導出され、カバー6を熱硬化性注型樹脂から製造
することは容易に可能である。さらにチッ化アルミニウ
ムの熱膨張はケイ素のそれと良く適合するので、ケイ素
チップの熱負荷は機械的応力したがって欠陥の原因にな
らない。
い熱伝導度を特徴とし、さらにパワー素子3は被覆した
金属層2を介して基体lと結合しているので、損失熱は
迅速に導出され、カバー6を熱硬化性注型樹脂から製造
することは容易に可能である。さらにチッ化アルミニウ
ムの熱膨張はケイ素のそれと良く適合するので、ケイ素
チップの熱負荷は機械的応力したがって欠陥の原因にな
らない。
図面は実装したパワー素子の一部切開いた斜視図である
。 l・・・基体、2・・・金属層、3・・・パワー素子、
4・・・接続ピン、5・・・ワイヤ、6・・・注型樹脂
、7・・・孔
。 l・・・基体、2・・・金属層、3・・・パワー素子、
4・・・接続ピン、5・・・ワイヤ、6・・・注型樹脂
、7・・・孔
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、熱伝導性基体およびカバーを有するパワー素子にお
いて、基体(1)がチッ化アルミニウムからなることを
特徴とするパワー素子。 2、チッ化アルミニウムの基体(1)の厚さが2〜6m
mである特許請求の範囲第1項記載のパワー素子。 3、チッ化アルミニウムの基体(1)とパワー素子(3
)の間に金属層(2)が存在する特許請求の範囲第1項
または第2項記載のパワー素子4、金属層(2)が銅ま
たはニッケルからなる特許請求の範囲第3項記載のパワ
ー素子。 5、カバー(6)が熱硬化性注型樹脂からなる特許請求
の範囲第1項記載のパワー素子。6、基体(1)が接続
ピン(4)を圧入またははんだ付する凹所を備えている
特許請求の範囲第1項から第4項までのいずれか1項に
記載のパワー素子。 7、基体(1)がカバー(6)の外側に実装したパワー
半導体の固定に役立つ孔(10)を有する特許請求の範
囲第1項から第6項までのいずれか1項に記載のパワー
素子。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE3604075.4 | 1986-02-08 | ||
DE19863604075 DE3604075A1 (de) | 1986-02-08 | 1986-02-08 | Verpackung von leistungsbauelementen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62193157A true JPS62193157A (ja) | 1987-08-25 |
JPH0519984B2 JPH0519984B2 (ja) | 1993-03-18 |
Family
ID=6293754
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62024919A Granted JPS62193157A (ja) | 1986-02-08 | 1987-02-06 | パワー素子パッケージ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62193157A (ja) |
DE (1) | DE3604075A1 (ja) |
IT (1) | IT1202453B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05218233A (ja) * | 1992-02-06 | 1993-08-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
DE102007051870A1 (de) * | 2007-10-30 | 2009-05-07 | Robert Bosch Gmbh | Modulgehäuse und Verfahren zur Herstellung eines Modulgehäuses |
RU2641601C2 (ru) * | 2016-02-24 | 2018-01-18 | Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Ао "Нзпп С Окб") | Способ пайки силовых полупроводниковых приборов |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS60178647A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-12 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
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DE3604075A1 (de) | 1987-08-13 |
JPH0519984B2 (ja) | 1993-03-18 |
IT8719214A0 (it) | 1987-01-30 |
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