DE3604075A1 - Verpackung von leistungsbauelementen - Google Patents

Verpackung von leistungsbauelementen

Info

Publication number
DE3604075A1
DE3604075A1 DE19863604075 DE3604075A DE3604075A1 DE 3604075 A1 DE3604075 A1 DE 3604075A1 DE 19863604075 DE19863604075 DE 19863604075 DE 3604075 A DE3604075 A DE 3604075A DE 3604075 A1 DE3604075 A1 DE 3604075A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
power component
base body
component according
cover
metal layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE19863604075
Other languages
English (en)
Inventor
Dieter Dipl Phys Seipler
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE19863604075 priority Critical patent/DE3604075A1/de
Priority to IT19214/87A priority patent/IT1202453B/it
Priority to JP62024919A priority patent/JPS62193157A/ja
Publication of DE3604075A1 publication Critical patent/DE3604075A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/15Ceramic or glass substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49861Lead-frames fixed on or encapsulated in insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/4847Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01014Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0102Calcium [Ca]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01028Nickel [Ni]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191Disposition
    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107Disposition of discrete passive components off-chip wires

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

Stand der Technik
Die Erfindung geht aus von einem Leistungsbauelement nach der Gattung des Hauptanspruchs. Bekanntlich entwickeln Leistungsbauelemente wie zum Beispiel Halbleiter oder IC′s verhältnismäßig viel Verlustwärme, die von dem Bau­ element abgeführt werden muß, um dieses nicht im Dauer­ betrieb zu schädigen. Aus diesem Grunde werden Leistungs­ bauelemente auf Metallplatten montiert und gegebenenfalls durch Keramik oder ähnliche Materialien isoliert, um auf diese Weise die Verlustwärme durch die hohe Wärmeleitfähig­ keit der verwendeten Materialien möglichst schnell abführen zu können. Eine solche Verpackung von Leistungsbauelementen oder die nachträgliche Isolierung ist naturgemäß sehr auf­ wendig.
Vorteile der Erfindung
Das erfindungsgemäße Leistungsbauelement mit den kennzeich­ nenden Merkmalen des Hauptanspruchs hat demgegenüber den Vorteil, daß der Grundkörper ein elektrischer Isolator ist, so daß die Möglichkeit gegeben ist, die Unterseite des Leistungsbauelementes elektrisch zu isolieren und trotzdem eine gute Wärmeankopplung zu erreichen.
Durch die in den Unteransprüchen aufgeführten Maßnahmen sind vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des im Hauptanspruch angegebenen Leistungsbauelements mög­ lich. Aluminiumnitrid, aus dem der Grundkörper besteht, zeichnet sich durch eine hohe Wärmeleitfähigkeit aus, so daß es vorteilhaft ist, die Dicke des Aluminiumnitrids im Bereich von 2 bis 6 mm zu wählen, wobei die gewählte Dicke in diesem Bereich abhängig ist von der abzuführenden Menge an Verlustwärme. Es ist vorteilhaft, zwischen den Grundkörper aus Aluminiumnitrid und das Leistungsbauele­ ment eine Metallschicht einzufügen, so daß das Leistungs­ bauelement auf diese Metallschicht aufgelötet werden kann. Außerdem kann eine derartige Metallschicht nach entspre­ chenden Druck- und Ätzverfahren direkt zur Bildung von Leiterbahnen und Landeplätzen für die Anschlüsse des Leistungsbauelementes dienen. Schließlich ist es vorteil­ haft, in dem Grundkörper Vertiefungen vorzusehen, in welche die Anschlußpins nach außen eingedrückt oder ein­ gelötet werden.
Zeichnung
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Die Figur zeigt eine teilweise geschnittene, perspektivische Darstellung eines verpackten Leistungsbau­ elementes.
Beschreibung des Ausführungsbeispiels
Das verpackte Leistungsbauelement gemäß der Figur besteht aus einem Grundkörper 1 in Form einer ca. 4 mm dicken Keramikplatte aus Aluminiumnitrid. Auf dem Grundkörper 1 befindet sich eine Metallschicht 2, zum Beispiel aus Kupfer, die entweder als Dickschicht oder stromlos mit nachfolgender galvanischer Verstärkung aufgebracht wurde. Das Leistungsbauelement 3 ist auf die Metallschicht 2 auf­ gelötet, wobei das Bauelement 3 so ausgelegt ist, daß die Metallschicht 2 gleichzeitig als ein Landeplatz dient. In dem Grundkörper 1 sind Vertiefungen vorgesehen, in welche die Anschlußpins 4, die zum Beispiel aus Kupferbronze be­ stehen, entweder eingedrückt oder nach vorheriger Metalli­ sierung der Vertiefungen eingelötet werden. Die Verbindun­ gen zwischen den Anschlußpins 4 und den Landeplätzen des Leistungsbauelementes 3 werden durch Drähte 5 hergestellt, die sowohl auf den Landeplätzen des Leistungsbauelements 3 als auch auf den Anschlußpins 4 durch Ultraschall aufge­ bondet werden. Schließlich wird das Ganze derart mit einer Abdeckung aus einem duroplastischen Gießharz 6 versehen, daß auf der einen Seite die Anschlußpins 4 herausragen, während auf der Gegenseite des Grundkörpers 1 ein Teil desselben nicht mit der Abdeckung 6 versehen ist und eine Bohrung 7 aufweist, mit deren Hilfe das verpackte Leistungs­ bauelement auf einen Sockel oder ähnliches aufgeschraubt werden kann.
Da sich, wie oben bereits angedeutet, das Aluminiumnitrid, aus dem der Grundkörper 1 besteht, durch eine hohe Wärme­ leitfähigkeit auszeichnet, darüber hinaus das Leistungsbau­ element 3 über die aufgebrachte Metallschicht 2 mit dem Grundkörper 1 in Verbindung steht, wird die Verlustwärme so schnell abgeführt, daß es ohne weiteres möglich ist, die Abdeckung 6 aus einem duroplastischen Gießharz herzustellen. Außerdem ist die Wärmeausdehnung des Aluminiumnitrids gut an die von Silicium angepaßt, so daß eine thermische Be­ lastung von Silicium-Chips nicht zu mechanischen Spannun­ gen und in der Folge zu Defekten führen können.

Claims (7)

1. Leistungsbauelement, wie Halbleiter oder IC mit einem wärmeableitenden Grundkörper und einer Abdeckung, dadurch gekennzeichnet, daß der Grundkörper (1) aus Aluminiumnitrid besteht.
2. Leistungsbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Grundkörper (1) aus Aluminiumnitrid eine Dicke von 2 bis 6 mm aufweist.
3. Leistungsbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß sich zwischen dem Grundkörper (1) aus Aluminiumnitrid und dem Leistungsbauelement (3) eine Metallschicht (2) befindet.
4. Leistungsbauelement nach Anspruch 3, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Metallschicht (2) aus Kupfer oder Nickel besteht.
5. Leistungsbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Abdeckung (6) aus einem duroplastischen Gießharz besteht.
6. Leistungsbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Grundkörper (1) Vertiefun­ gen aufweist, in welche Anschlußpins (4) eingedrückt oder eingelötet sind.
7. Leistungsbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Grundkörper (1) außer­ halb der Abdeckung (6) eine Bohrung (10) aufweist, die der Befestigung des verpackten Leistungshalbleiters dient.
DE19863604075 1986-02-08 1986-02-08 Verpackung von leistungsbauelementen Ceased DE3604075A1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19863604075 DE3604075A1 (de) 1986-02-08 1986-02-08 Verpackung von leistungsbauelementen
IT19214/87A IT1202453B (it) 1986-02-08 1987-01-30 Confezione per componenti di potenza
JP62024919A JPS62193157A (ja) 1986-02-08 1987-02-06 パワー素子パッケージ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19863604075 DE3604075A1 (de) 1986-02-08 1986-02-08 Verpackung von leistungsbauelementen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3604075A1 true DE3604075A1 (de) 1987-08-13

Family

ID=6293754

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19863604075 Ceased DE3604075A1 (de) 1986-02-08 1986-02-08 Verpackung von leistungsbauelementen

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JPS62193157A (de)
DE (1) DE3604075A1 (de)
IT (1) IT1202453B (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5434449A (en) * 1992-02-06 1995-07-18 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device in a single package with high wiring density and a heat sink
US20120127670A1 (en) * 2007-10-30 2012-05-24 Ronny Ludwig Module housing and method for manufacturing a module housing
RU2641601C2 (ru) * 2016-02-24 2018-01-18 Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Ао "Нзпп С Окб") Способ пайки силовых полупроводниковых приборов

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2819287A1 (de) * 1977-05-05 1978-11-09 Fierkens Richardus Verfahren zum einkapseln von mikroelektronischen elementen
EP0153618A2 (de) * 1984-02-24 1985-09-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Verfahren zur Herstellung eines hochwärmeleitenden Substrates und Kupferleiterblech verwendbar in diesem Verfahren
DE3127457C2 (de) * 1981-07-11 1985-09-12 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Stromrichtermodul
US4556899A (en) * 1981-06-05 1985-12-03 Hitachi, Ltd. Insulated type semiconductor devices

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60178647A (ja) * 1984-02-27 1985-09-12 Toshiba Corp 半導体装置
JPS6135539A (ja) * 1984-07-27 1986-02-20 Nec Corp 半導体装置
JPS61150351A (ja) * 1984-12-25 1986-07-09 Toshiba Corp Icパツケ−ジ

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2819287A1 (de) * 1977-05-05 1978-11-09 Fierkens Richardus Verfahren zum einkapseln von mikroelektronischen elementen
US4556899A (en) * 1981-06-05 1985-12-03 Hitachi, Ltd. Insulated type semiconductor devices
DE3127457C2 (de) * 1981-07-11 1985-09-12 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Stromrichtermodul
EP0153618A2 (de) * 1984-02-24 1985-09-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Verfahren zur Herstellung eines hochwärmeleitenden Substrates und Kupferleiterblech verwendbar in diesem Verfahren

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5434449A (en) * 1992-02-06 1995-07-18 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device in a single package with high wiring density and a heat sink
US20120127670A1 (en) * 2007-10-30 2012-05-24 Ronny Ludwig Module housing and method for manufacturing a module housing
RU2641601C2 (ru) * 2016-02-24 2018-01-18 Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Ао "Нзпп С Окб") Способ пайки силовых полупроводниковых приборов

Also Published As

Publication number Publication date
IT8719214A0 (it) 1987-01-30
IT1202453B (it) 1989-02-09
JPH0519984B2 (de) 1993-03-18
JPS62193157A (ja) 1987-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2554965C2 (de)
DE102007046021C5 (de) Verfahren zum Verbinden eines Halbleiterchips mit einem Keramiksubstrat
DE3787671T2 (de) Halbleiterpackung mit Eingang/Ausgang-Verbindungen hoher Dichte.
DE19921109B4 (de) Elektronikbauteil und Elektronikkomponente mit einem Keramikbauteilelement
DE112007001249B4 (de) Kühlbares Halbleitergehäuse
DE3932079C2 (de) Kühlvorrichtung für elektronische Einrichtungen
DE10033977B4 (de) Zwischenverbindungsstruktur zum Einsatz von Halbleiterchips auf Schichtträgern
DE102007017831B4 (de) Halbleitermodul und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls
DE69216016T2 (de) Halbleiteranordnung
DE2536316C2 (de) Schaltungskarte für integrierte Halbleiterschaltungen
DE2607403A1 (de) Luftgekuehlte packung fuer halbleiterschaltungen hoher packungsdichte
DE19500422A1 (de) Halbleiterbaustein mit hoher thermischer Emission
DE3538933A1 (de) Leistungshalbleitermodul
DE112018001784T5 (de) Stromerfassungswiderstand
DE112018008167T5 (de) Halbleiterbaugruppe und Herstellungsverfahren dafür und Halbleitervorrichtung
EP0258295A1 (de) Zündschaltgerät
DE4316639A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP1324386A1 (de) Halbleitermodul und Verfahren zum Herstellen eines Halbleitermoduls
DE69203253T2 (de) IC-Chipstruktur.
DE3884019T2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Modul-Halbleiter-Leistungsanordnung und hergestellte Anordnung.
DE3709200A1 (de) Elektronisches bauteil
DE3604075A1 (de) Verpackung von leistungsbauelementen
DE3930858C2 (de) Modulaufbau
DE19609929B4 (de) Leistungshalbleitermodul
DE102006044690A1 (de) Elektronisches Bauteil und Verfahren zum Herstellen

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8131 Rejection