DE3604075A1 - Verpackung von leistungsbauelementen - Google Patents
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Description
Die Erfindung geht aus von einem Leistungsbauelement nach
der Gattung des Hauptanspruchs. Bekanntlich entwickeln
Leistungsbauelemente wie zum Beispiel Halbleiter oder
IC′s verhältnismäßig viel Verlustwärme, die von dem Bau
element abgeführt werden muß, um dieses nicht im Dauer
betrieb zu schädigen. Aus diesem Grunde werden Leistungs
bauelemente auf Metallplatten montiert und gegebenenfalls
durch Keramik oder ähnliche Materialien isoliert, um auf
diese Weise die Verlustwärme durch die hohe Wärmeleitfähig
keit der verwendeten Materialien möglichst schnell abführen
zu können. Eine solche Verpackung von Leistungsbauelementen
oder die nachträgliche Isolierung ist naturgemäß sehr auf
wendig.
Das erfindungsgemäße Leistungsbauelement mit den kennzeich
nenden Merkmalen des Hauptanspruchs hat demgegenüber den
Vorteil, daß der Grundkörper ein elektrischer Isolator ist,
so daß die Möglichkeit gegeben ist, die Unterseite des
Leistungsbauelementes elektrisch zu isolieren und trotzdem
eine gute Wärmeankopplung zu erreichen.
Durch die in den Unteransprüchen aufgeführten Maßnahmen
sind vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des
im Hauptanspruch angegebenen Leistungsbauelements mög
lich. Aluminiumnitrid, aus dem der Grundkörper besteht,
zeichnet sich durch eine hohe Wärmeleitfähigkeit aus, so
daß es vorteilhaft ist, die Dicke des Aluminiumnitrids
im Bereich von 2 bis 6 mm zu wählen, wobei die gewählte
Dicke in diesem Bereich abhängig ist von der abzuführenden
Menge an Verlustwärme. Es ist vorteilhaft, zwischen den
Grundkörper aus Aluminiumnitrid und das Leistungsbauele
ment eine Metallschicht einzufügen, so daß das Leistungs
bauelement auf diese Metallschicht aufgelötet werden kann.
Außerdem kann eine derartige Metallschicht nach entspre
chenden Druck- und Ätzverfahren direkt zur Bildung von
Leiterbahnen und Landeplätzen für die Anschlüsse des
Leistungsbauelementes dienen. Schließlich ist es vorteil
haft, in dem Grundkörper Vertiefungen vorzusehen, in
welche die Anschlußpins nach außen eingedrückt oder ein
gelötet werden.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung
dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher
erläutert. Die Figur zeigt eine teilweise geschnittene,
perspektivische Darstellung eines verpackten Leistungsbau
elementes.
Das verpackte Leistungsbauelement gemäß der Figur besteht
aus einem Grundkörper 1 in Form einer ca. 4 mm dicken
Keramikplatte aus Aluminiumnitrid. Auf dem Grundkörper 1
befindet sich eine Metallschicht 2, zum Beispiel aus
Kupfer, die entweder als Dickschicht oder stromlos mit
nachfolgender galvanischer Verstärkung aufgebracht wurde.
Das Leistungsbauelement 3 ist auf die Metallschicht 2 auf
gelötet, wobei das Bauelement 3 so ausgelegt ist, daß die
Metallschicht 2 gleichzeitig als ein Landeplatz dient. In
dem Grundkörper 1 sind Vertiefungen vorgesehen, in welche
die Anschlußpins 4, die zum Beispiel aus Kupferbronze be
stehen, entweder eingedrückt oder nach vorheriger Metalli
sierung der Vertiefungen eingelötet werden. Die Verbindun
gen zwischen den Anschlußpins 4 und den Landeplätzen des
Leistungsbauelementes 3 werden durch Drähte 5 hergestellt,
die sowohl auf den Landeplätzen des Leistungsbauelements
3 als auch auf den Anschlußpins 4 durch Ultraschall aufge
bondet werden. Schließlich wird das Ganze derart mit einer
Abdeckung aus einem duroplastischen Gießharz 6 versehen,
daß auf der einen Seite die Anschlußpins 4 herausragen,
während auf der Gegenseite des Grundkörpers 1 ein Teil
desselben nicht mit der Abdeckung 6 versehen ist und eine
Bohrung 7 aufweist, mit deren Hilfe das verpackte Leistungs
bauelement auf einen Sockel oder ähnliches aufgeschraubt
werden kann.
Da sich, wie oben bereits angedeutet, das Aluminiumnitrid,
aus dem der Grundkörper 1 besteht, durch eine hohe Wärme
leitfähigkeit auszeichnet, darüber hinaus das Leistungsbau
element 3 über die aufgebrachte Metallschicht 2 mit dem
Grundkörper 1 in Verbindung steht, wird die Verlustwärme
so schnell abgeführt, daß es ohne weiteres möglich ist, die
Abdeckung 6 aus einem duroplastischen Gießharz herzustellen.
Außerdem ist die Wärmeausdehnung des Aluminiumnitrids gut
an die von Silicium angepaßt, so daß eine thermische Be
lastung von Silicium-Chips nicht zu mechanischen Spannun
gen und in der Folge zu Defekten führen können.
Claims (7)
1. Leistungsbauelement, wie Halbleiter oder IC mit einem
wärmeableitenden Grundkörper und einer Abdeckung, dadurch
gekennzeichnet, daß der Grundkörper (1) aus Aluminiumnitrid
besteht.
2. Leistungsbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Grundkörper (1) aus Aluminiumnitrid
eine Dicke von 2 bis 6 mm aufweist.
3. Leistungsbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß sich zwischen dem Grundkörper (1) aus
Aluminiumnitrid und dem Leistungsbauelement (3) eine
Metallschicht (2) befindet.
4. Leistungsbauelement nach Anspruch 3, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Metallschicht (2) aus Kupfer oder
Nickel besteht.
5. Leistungsbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Abdeckung (6) aus einem duroplastischen
Gießharz besteht.
6. Leistungsbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß der Grundkörper (1) Vertiefun
gen aufweist, in welche Anschlußpins (4) eingedrückt oder
eingelötet sind.
7. Leistungsbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet, daß der Grundkörper (1) außer
halb der Abdeckung (6) eine Bohrung (10) aufweist, die
der Befestigung des verpackten Leistungshalbleiters dient.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19863604075 DE3604075A1 (de) | 1986-02-08 | 1986-02-08 | Verpackung von leistungsbauelementen |
IT19214/87A IT1202453B (it) | 1986-02-08 | 1987-01-30 | Confezione per componenti di potenza |
JP62024919A JPS62193157A (ja) | 1986-02-08 | 1987-02-06 | パワー素子パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19863604075 DE3604075A1 (de) | 1986-02-08 | 1986-02-08 | Verpackung von leistungsbauelementen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3604075A1 true DE3604075A1 (de) | 1987-08-13 |
Family
ID=6293754
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19863604075 Ceased DE3604075A1 (de) | 1986-02-08 | 1986-02-08 | Verpackung von leistungsbauelementen |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62193157A (de) |
DE (1) | DE3604075A1 (de) |
IT (1) | IT1202453B (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5434449A (en) * | 1992-02-06 | 1995-07-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device in a single package with high wiring density and a heat sink |
US20120127670A1 (en) * | 2007-10-30 | 2012-05-24 | Ronny Ludwig | Module housing and method for manufacturing a module housing |
RU2641601C2 (ru) * | 2016-02-24 | 2018-01-18 | Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Ао "Нзпп С Окб") | Способ пайки силовых полупроводниковых приборов |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2819287A1 (de) * | 1977-05-05 | 1978-11-09 | Fierkens Richardus | Verfahren zum einkapseln von mikroelektronischen elementen |
EP0153618A2 (de) * | 1984-02-24 | 1985-09-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Verfahren zur Herstellung eines hochwärmeleitenden Substrates und Kupferleiterblech verwendbar in diesem Verfahren |
DE3127457C2 (de) * | 1981-07-11 | 1985-09-12 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Stromrichtermodul |
US4556899A (en) * | 1981-06-05 | 1985-12-03 | Hitachi, Ltd. | Insulated type semiconductor devices |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60178647A (ja) * | 1984-02-27 | 1985-09-12 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPS6135539A (ja) * | 1984-07-27 | 1986-02-20 | Nec Corp | 半導体装置 |
JPS61150351A (ja) * | 1984-12-25 | 1986-07-09 | Toshiba Corp | Icパツケ−ジ |
-
1986
- 1986-02-08 DE DE19863604075 patent/DE3604075A1/de not_active Ceased
-
1987
- 1987-01-30 IT IT19214/87A patent/IT1202453B/it active
- 1987-02-06 JP JP62024919A patent/JPS62193157A/ja active Granted
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2819287A1 (de) * | 1977-05-05 | 1978-11-09 | Fierkens Richardus | Verfahren zum einkapseln von mikroelektronischen elementen |
US4556899A (en) * | 1981-06-05 | 1985-12-03 | Hitachi, Ltd. | Insulated type semiconductor devices |
DE3127457C2 (de) * | 1981-07-11 | 1985-09-12 | Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim | Stromrichtermodul |
EP0153618A2 (de) * | 1984-02-24 | 1985-09-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Verfahren zur Herstellung eines hochwärmeleitenden Substrates und Kupferleiterblech verwendbar in diesem Verfahren |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5434449A (en) * | 1992-02-06 | 1995-07-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device in a single package with high wiring density and a heat sink |
US20120127670A1 (en) * | 2007-10-30 | 2012-05-24 | Ronny Ludwig | Module housing and method for manufacturing a module housing |
RU2641601C2 (ru) * | 2016-02-24 | 2018-01-18 | Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Ао "Нзпп С Окб") | Способ пайки силовых полупроводниковых приборов |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
IT8719214A0 (it) | 1987-01-30 |
IT1202453B (it) | 1989-02-09 |
JPH0519984B2 (de) | 1993-03-18 |
JPS62193157A (ja) | 1987-08-25 |
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Date | Code | Title | Description |
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8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8131 | Rejection |