JPS62190217A - 導電性生成物の製造方法 - Google Patents
導電性生成物の製造方法Info
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Landscapes
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は導電性生成物およびその製造方法に関する。更
に詳しくは、１，４−ジハロゲン化−２−ブチンの熱分
解反応により得られる導電性生成物およびその製造方法
を提供するものである。
に詳しくは、１，４−ジハロゲン化−２−ブチンの熱分
解反応により得られる導電性生成物およびその製造方法
を提供するものである。
（従来技術）
従来、熱分解炭素系の導電性生成物を得る方法として、
メタン、プロパン、ベンゼン、アセチレン等の炭化水素
化合物の気相熱分解法が考えられ、多くの製造方法が提
案されてきた。しかし、これらの製造方法は、１０００
℃付近以上の反応温度条件で、１０〜数百５− ａｍ
−’以上の電導度を有する導電性薄膜についてのもので
ある。上記の従来の炭化水素化合物を用いた場合、５０
０℃という低温の熱分解反応では、導電性生成物が全く
生成しないか、あるいは生成しても電導度がＯ，ｌＳ−
ａｍ−’以下の低導電性の生成物しか与えなかった。
メタン、プロパン、ベンゼン、アセチレン等の炭化水素
化合物の気相熱分解法が考えられ、多くの製造方法が提
案されてきた。しかし、これらの製造方法は、１０００
℃付近以上の反応温度条件で、１０〜数百５− ａｍ
−’以上の電導度を有する導電性薄膜についてのもので
ある。上記の従来の炭化水素化合物を用いた場合、５０
０℃という低温の熱分解反応では、導電性生成物が全く
生成しないか、あるいは生成しても電導度がＯ，ｌＳ−
ａｍ−’以下の低導電性の生成物しか与えなかった。
（解決しようとする問題点）
従来の炭化水素化合物の熱分解法では、１０〜２０５−
ｃｍ−’程度の電導度を有する導電性生成物を製造する
ためには、７００℃以上の反応温度を必要とし、エネル
ギー消費が著しかった。
ｃｍ−’程度の電導度を有する導電性生成物を製造する
ためには、７００℃以上の反応温度を必要とし、エネル
ギー消費が著しかった。
（問題点を解決するための手段）
本発明者らは、この問題点を解決すべく検討を重ねた結
果、本発明をなすに到った。すなわち本発明は、１．４
−ジハロゲン化−２−ブチンの気相熱分解反応により得
られる導電性生成物およびその製造方法である。
果、本発明をなすに到った。すなわち本発明は、１．４
−ジハロゲン化−２−ブチンの気相熱分解反応により得
られる導電性生成物およびその製造方法である。
本発明において用いられる、１．４−ジハロゲン化−２
−ブチンとしては、１，４−ジクロル−２−ブチン、１
．４−ジブロム−２−ブチン、１−ブロニー４−クロル
−２−ブチン等が挙げられる。これらの混合物でもよい
が、１．４−ジクロル−２−ブチン単独で用いるのが好
ましい。
−ブチンとしては、１，４−ジクロル−２−ブチン、１
．４−ジブロム−２−ブチン、１−ブロニー４−クロル
−２−ブチン等が挙げられる。これらの混合物でもよい
が、１．４−ジクロル−２−ブチン単独で用いるのが好
ましい。
本発明のｌ性生成物は、上記１，４−ジハロゲン化−２
−ブチンを減圧下、あるいはアルゴン、窒素等の不活性
ガスのキャリアガス中において気４熱分解させることに
より製造される。
−ブチンを減圧下、あるいはアルゴン、窒素等の不活性
ガスのキャリアガス中において気４熱分解させることに
より製造される。
本発明において、１，４−ジハロゲン化−２−プｒンを
キャリアガスとともに加熱雰囲気内に導入１シやすくす
るために、１．４−ジハロゲン化−２−ブチンを加熱し
て使用することができる。通常１゜４−ジハロゲン化−
２−ブチンをキャリアガスで１〜５０％、好ましくは５
〜２５％の濃度に希釈して加熱雰囲気下に導入する。キ
ャリアガスを用いる場合、その流量は、例えば反応ガス
の流路となる反応管の内径が４００の場合、０．００５
〜５１ ／ｍｉｎ、好ましくは０．０１〜２１７ｍ１ｎ
である。
キャリアガスとともに加熱雰囲気内に導入１シやすくす
るために、１．４−ジハロゲン化−２−ブチンを加熱し
て使用することができる。通常１゜４−ジハロゲン化−
２−ブチンをキャリアガスで１〜５０％、好ましくは５
〜２５％の濃度に希釈して加熱雰囲気下に導入する。キ
ャリアガスを用いる場合、その流量は、例えば反応ガス
の流路となる反応管の内径が４００の場合、０．００５
〜５１ ／ｍｉｎ、好ましくは０．０１〜２１７ｍ１ｎ
である。
上記の１．４−ジハロゲン化−２−ブチンを含むガス状
の原料を４００〜７００℃、好ましくは４５０〜６００
℃に昇温させた電気炉等の加熱環境下の反応容器内に導
入することにより、本・発明の導電性生成物が得られ、
その製造方法が実現される。
の原料を４００〜７００℃、好ましくは４５０〜６００
℃に昇温させた電気炉等の加熱環境下の反応容器内に導
入することにより、本・発明の導電性生成物が得られ、
その製造方法が実現される。
本発明の導電性生成物は、気相熱分解物の重合により生
成すると考えられる。本発明で用いられる１、４−ジハ
ロゲン化−２−ブチンは、ジハロゲン化物であるために
、二つの炭素−ハロゲン原子間結合が熱反応により切断
されやすく、こうして生成した中間生成物は縮合芳香族
系化合物を形成しやすいと考えられる。
成すると考えられる。本発明で用いられる１、４−ジハ
ロゲン化−２−ブチンは、ジハロゲン化物であるために
、二つの炭素−ハロゲン原子間結合が熱反応により切断
されやすく、こうして生成した中間生成物は縮合芳香族
系化合物を形成しやすいと考えられる。
本発明の導電性生成物を薄膜の形態で得るため正は、所
定の加熱環境下における反応ガスの流路ｌこ、石英ガラ
ス板、アルミナ板、シリコンウェハー、カプトン等の耐
熱性高分子フィルムを設置し、その上に熱分解生成物を
沈積させる方法が考えられる。
定の加熱環境下における反応ガスの流路ｌこ、石英ガラ
ス板、アルミナ板、シリコンウェハー、カプトン等の耐
熱性高分子フィルムを設置し、その上に熱分解生成物を
沈積させる方法が考えられる。
膜厚０．１μｍ程度の導電性薄膜を得るためには、１時
間以上の反応時間が好ましい。しかし、この膜厚は反応
系にキャリアガスを用いる場合、その流量との関係で決
まるため、特に反応時間は上記に限定されるものではな
い。
間以上の反応時間が好ましい。しかし、この膜厚は反応
系にキャリアガスを用いる場合、その流量との関係で決
まるため、特に反応時間は上記に限定されるものではな
い。
本発明において用いられる基板としては、上記の゛ほか
に、窒化ケイ素、ゲルマニウム、ガリウム砒素等の無機
材料、鉄、銅、アルミニウム等の金属材料、グラファイ
ト、炭素繊維、グラファイト繊維、カーボン系粉末等の
炭素材料、ＮａＣ１、ＫＢｒ等のエピタキシャル重合に
用いられる結晶性基板、さらにはグレーティング等のグ
ラフオエピタキシャル成長に用いられる基板を用いるこ
とができる。
に、窒化ケイ素、ゲルマニウム、ガリウム砒素等の無機
材料、鉄、銅、アルミニウム等の金属材料、グラファイ
ト、炭素繊維、グラファイト繊維、カーボン系粉末等の
炭素材料、ＮａＣ１、ＫＢｒ等のエピタキシャル重合に
用いられる結晶性基板、さらにはグレーティング等のグ
ラフオエピタキシャル成長に用いられる基板を用いるこ
とができる。
本発明による導電性生成物は、そのままでは半導体領域
の電導度を有しているが、熱処理あるいは高エネルギー
源照射等の二次処理によりさらに高導電化を図ることが
できる。
の電導度を有しているが、熱処理あるいは高エネルギー
源照射等の二次処理によりさらに高導電化を図ることが
できる。
（発明の効果）
本発明は、反応原料にジハロゲン化ブチン類を劇いるこ
とにより、４００〜７００℃という比較的低い温度範囲
で１〜１００Ｓ−ａｍ−’という十分高４）電導度を有
する導電性生成物を提供する。従来の炭化水素系化合物
では、上記の温度範囲で反応卜せでも、導電性生成物は
全く生成しないか、あ帰いは生成しても電導度が０．１
Ｓ・ロー１以下と非常に低い。
とにより、４００〜７００℃という比較的低い温度範囲
で１〜１００Ｓ−ａｍ−’という十分高４）電導度を有
する導電性生成物を提供する。従来の炭化水素系化合物
では、上記の温度範囲で反応卜せでも、導電性生成物は
全く生成しないか、あ帰いは生成しても電導度が０．１
Ｓ・ロー１以下と非常に低い。
本発明の提供する導電性生成物およびその製造方法は、
導電性材料としてエレクトロニクス分野で応用されうる
ちのである。
導電性材料としてエレクトロニクス分野で応用されうる
ちのである。
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１
内径４０Ｍの石英ガラス製の円筒型反応管内に、１８龍
角の石英ガラス基板を入れ、その反応管を電気炉内に設
置した。電気炉を５００℃に昇温したあと、１．４−ジ
クロル−２−ブチンをアルゴン気流下で１２０℃に加熱
し、その蒸気をアルゴンキャリアガスで１容量％に希釈
し、５００℃の反応管内に導入した。キャリアガスの流
速は１．ＯＩ！／分であった。１０時間反応を行ったあ
と、石英板を取り出したところ、金属光沢を有する導電
性薄膜が形成されていた。膜厚は０．０５５μｍ（５５
０人）であった。四端子法により薄膜の電導度を測定し
たところ、２７Ｓ−ロー１であった。
角の石英ガラス基板を入れ、その反応管を電気炉内に設
置した。電気炉を５００℃に昇温したあと、１．４−ジ
クロル−２−ブチンをアルゴン気流下で１２０℃に加熱
し、その蒸気をアルゴンキャリアガスで１容量％に希釈
し、５００℃の反応管内に導入した。キャリアガスの流
速は１．ＯＩ！／分であった。１０時間反応を行ったあ
と、石英板を取り出したところ、金属光沢を有する導電
性薄膜が形成されていた。膜厚は０．０５５μｍ（５５
０人）であった。四端子法により薄膜の電導度を測定し
たところ、２７Ｓ−ロー１であった。
実施例２
実施例１と同様の反応管内に、石英ガラス基板を入れ、
電気炉で５００℃に加熱し、十分にアルドン置換を行っ
た。１．４−ジクロル−２−ブチンにアルゴン気流下で
１２０℃に加熱し、その蒸気Ｆアルゴンキャリアガスで
１５容量％に希釈して１００ ｍ １１０＋ｉｎの流速
で反応管内に導入した。２時間反応を行って、膜厚０．
５μｍの導電性薄膜を得た。電導度は、２０Ｓ−■柵で
あった。
電気炉で５００℃に加熱し、十分にアルドン置換を行っ
た。１．４−ジクロル−２−ブチンにアルゴン気流下で
１２０℃に加熱し、その蒸気Ｆアルゴンキャリアガスで
１５容量％に希釈して１００ ｍ １１０＋ｉｎの流速
で反応管内に導入した。２時間反応を行って、膜厚０．
５μｍの導電性薄膜を得た。電導度は、２０Ｓ−■柵で
あった。
実施例３
実施例１と同様の反応管内に、石英ガラス基板を入れ、
電気炉を６００℃に加熱し、アルゴン置換を行った、１
−ブロム−４−クロル−２−ブチンを１５０℃に加熱し
、その蒸気をアルゴンガスで１０容量％に希釈して５０
ｍ １７ｍ１ｎの流速で反応管内に導入した。１時間
反応を行い、膜厚０．１μｍで電導度が５０Ｓ−ｃｍ−
’の導電性薄膜を得た。
電気炉を６００℃に加熱し、アルゴン置換を行った、１
−ブロム−４−クロル−２−ブチンを１５０℃に加熱し
、その蒸気をアルゴンガスで１０容量％に希釈して５０
ｍ １７ｍ１ｎの流速で反応管内に導入した。１時間
反応を行い、膜厚０．１μｍで電導度が５０Ｓ−ｃｍ−
’の導電性薄膜を得た。
Claims (2)
- （１）１、４−ジハロゲン化−２−ブチンの気相熱分解
反応により得られる導電性生成物。 - （２）１、４−ジハロゲン化−２−ブチンの気相熱分解
反応により得られる導電性生成物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3179686A JPS62190217A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 導電性生成物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3179686A JPS62190217A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 導電性生成物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62190217A true JPS62190217A (ja) | 1987-08-20 |
| JPH0122286B2 JPH0122286B2 (ja) | 1989-04-26 |
Family
ID=12341029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3179686A Granted JPS62190217A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 導電性生成物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62190217A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01152121A (ja) * | 1987-12-10 | 1989-06-14 | Ricoh Co Ltd | 導電性又は半導性重合体の製造方法 |
-
1986
- 1986-02-18 JP JP3179686A patent/JPS62190217A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01152121A (ja) * | 1987-12-10 | 1989-06-14 | Ricoh Co Ltd | 導電性又は半導性重合体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0122286B2 (ja) | 1989-04-26 |
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