JPS60127210A - 高導電性熱分解炭素薄膜成形物の製造方法 - Google Patents

高導電性熱分解炭素薄膜成形物の製造方法

Info

Publication number
JPS60127210A
JPS60127210A JP58232656A JP23265683A JPS60127210A JP S60127210 A JPS60127210 A JP S60127210A JP 58232656 A JP58232656 A JP 58232656A JP 23265683 A JP23265683 A JP 23265683A JP S60127210 A JPS60127210 A JP S60127210A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thin film
conductive thin
diethynylbenzene
electrically conductive
reaction tube
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP58232656A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH039945B2 (ja
Inventor
Yukihiro Ikeda
幸弘 池田
Masaru Ozaki
勝 尾崎
Tatsumi Arakawa
荒川　辰美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST
Original Assignee
Agency of Industrial Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Agency of Industrial Science and Technology filed Critical Agency of Industrial Science and Technology
Priority to JP58232656A priority Critical patent/JPS60127210A/ja
Publication of JPS60127210A publication Critical patent/JPS60127210A/ja
Priority to US06/904,823 priority patent/US4701317A/en
Publication of JPH039945B2 publication Critical patent/JPH039945B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • D—TEXTILES; PAPER
    • D01—NATURAL OR MAN-MADE THREADS OR FIBRES; SPINNING
    • D01F—CHEMICAL FEATURES IN THE MANUFACTURE OF ARTIFICIAL FILAMENTS, THREADS, FIBRES, BRISTLES OR RIBBONS; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OF CARBON FILAMENTS
    • D01F11/00—Chemical after-treatment of artificial filaments or the like during manufacture
    • D01F11/10—Chemical after-treatment of artificial filaments or the like during manufacture of carbon
    • D01F11/12—Chemical after-treatment of artificial filaments or the like during manufacture of carbon with inorganic substances ; Intercalation
    • D01F11/125—Carbon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/05—Preparation or purification of carbon not covered by groups C01B32/15, C01B32/20, C01B32/25, C01B32/30
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/22—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with other inorganic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
    • C04B41/5001—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with carbon or carbonisable materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81—Coating or impregnation
    • C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/04—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of carbon-silicon compounds, carbon or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/28—Other inorganic materials
    • C03C2217/282—Carbides, silicides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/10—Deposition methods
    • C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
    • C03C2218/152—Deposition methods from the vapour phase by cvd

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Textile Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、パラージエチニルベンゼンヲ熱分解させるこ
とにより得られる高導電性薄膜の製造方法に関するもの
である。
従来、導電性の熱分解炭素薄膜を得る方法として、メタ
ン、フロパン、ベンゼン、アセチレン等の炭化水素の気
相熱分解法が最も重要なものと考えられ、すでに多くの
製造条件が提案されてきた。
しかし、反応温度は通常１０００〜３０００℃と一般に
高く、エネルギー消費が著しい。しかもこの範囲中の低
温領域では、高導電性の薄膜は得られにくい。たとえば
２５０〜１１０００Ｓ−”の電導度を有する薄膜を製造
するには、１５００〜１７００℃の熱分解温度を必要と
する。
本発明者らはこれらの欠点を解除すべく検討を重ねた結
果、パラ−ジエチニルベンゼンをアルゴンのキヤリアガ
ス中において９５０〜１０５０℃の温度範囲で熱分解す
ると、電導度が１０００Ｓ・ｃｍ−１以上の高導電性薄
膜が得られることを見出し、またこの薄膜を２０００℃
以上の高温で処理することにより更に高導電性の薄膜が
得られることを見出し、範囲で熱分解すると、電導度が
１０１０００Ｓ−”以上本発明をなすに到った。
本発明は、ハラ−ジェチニルベンゼンをアルゴンのキャ
リアガス中において、９５０〜１０５０℃の温度範囲で
熱分解することにより、電導度が１０００Ｓ・ｃｍ−１
以上である高導電性薄膜の製造方法および当該製造方法
により製造した薄膜を２０００℃以上の高温で熱処理す
ることにより更に高導電性の薄膜を得る方法に関するも
のである。
本発明の高導電性薄膜は単独［使用する以外にモ、多く
のｉ−１熱材料、セラミックスまたは核燃料の被覆材と
して使用することが可能である。
本発明において、パラ−ジェチニルベンゼンをアルゴン
のキャリアガスとともに加熱雰囲気下に導入しやすくす
るために、パラ−ジェチニルベンゼン自体をもその融点
もしくは融点以上の温度に加熱する必要がある。キャリ
アガスの流量は、たとえば反応ガスの流路となる石英管
の内径が４０ｍｍの場合０．０１〜５ｌ／ｍｉｎ、好ま
しくは０．１〜１ｌ／ｍｉｎである。
蒸気のアルゴンガス中にパラ−ジエチニルベンゼン蒸気
を含んだ反応ガスを９５０〜１０５０℃の電気炉尋の加
熱雰囲気下に導入することにより、電導度が１０００Ｓ
・ｃｍ−１以上の高導電性薄膜を得ることができる。こ
れにより低い温度では薄膜の電導度は１０００Ｓ・ｃｍ
−１にまでは達しない。また、これより高い温度では、
通常の流量下で電導度が１０００Ｓ・ｃｍ−１以上の薄
膜を得ることは困難である。、本発明の高導電性薄膜は
基板上に設けることが可能で、基板としては石英ガラス
板、アルミナ板、シリコンウエハー等、１０５０℃まで
温度に耐え得るものが使用可能である。
さらに、本発明の特許請求の範囲第１項記載の方法によ
って製造された高導電性の熱分解炭素薄膜は、ソフトカ
ーボンすなわち易黒鉛化性炭素材料としての特色を有し
ている。この薄膜をアルゴン気流下、２０００℃以上の
高温、好ましくは３０００〜３３００℃　の温度で熱処
理すると、炭素質の黒鉛化が進行し、電導度が（１−２
，５）Ｘ１０’Ｓ−ｚ　”の高導電性薄膜を得ることが
できる。当該薄膜は本質的にグラファイトであり、グラ
ファイト材料自身としての有用性を有している。
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明する。
実施例１ 内径４０ｍｍの石英製円筒内に１８ｍｍ角の石英ガラス
基板を設置代し、その反応管を電気炉内に挿入ンの昇華
用前室を設け、０．５１のパラ−ジェチニルベンゼンを
入れておく。前室、および反応管内にｏ、３ｔ／Ｍｈの
流速のアルゴンキャリアガスを３０分間導入する。
その後、電気炉を１０００℃Ｋまで昇温させ、次に前室
を９０℃に加熱して、昇華したパラ−ジエチニルベンゼ
ンの蒸気をキヤリアガスとともに電気炉内に導入した。
その結果、２時間で厚さ６０００Åの鏡面光沢を有する
薄膜が石英ガラス基板上に得られた〇四端子法によりこ
の薄膜の電導度を測定したところ、１３００　Ｓ　−ｃ
ｍ−”　であった。
実施例２ 実施例１と同様にしてシリコンウェハー上に厚さ１．３
μの薄膜を作製した０この薄膜をシリコンウエバーから
はがし取り、その−片を超高温炉でアルゴン気流下、３
０００℃で高温処理を２時間行った。処理後の薄膜につ
いて、四端子法によシ電導度を測定したところ、２×１
０４Ｓ・ｃｍ−１であつた。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. １．パラ−ジエチニルベンゼンをアルゴンのキヤリアガ
    ス中において、９５０〜１０５０℃の温度範囲で熱分解
    することにより電導度が１０００Ｓ・ｃｍ−１以上であ
    る高導電性薄膜を製造する方法
  2. ２．パラ−ジエチニルベンゼンをアルゴンのキヤリアガ
    ス中において、９５０〜１０５０℃の温度範囲で熱分解
    することにより得られ、かつ導電度が１０００Ｓ・ｃｍ
    −１以上である高導電性薄膜を２０００℃以上の高温で
    熱処理することによる高導電性薄膜の製造方法
JP58232656A 1983-06-14 1983-12-12 高導電性熱分解炭素薄膜成形物の製造方法 Granted JPS60127210A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58232656A JPS60127210A (ja) 1983-12-12 1983-12-12 高導電性熱分解炭素薄膜成形物の製造方法
US06/904,823 US4701317A (en) 1983-06-14 1986-09-08 Highly electroconductive films and process for preparing same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58232656A JPS60127210A (ja) 1983-12-12 1983-12-12 高導電性熱分解炭素薄膜成形物の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60127210A true JPS60127210A (ja) 1985-07-06
JPH039945B2 JPH039945B2 (ja) 1991-02-12

Family

ID=16942719

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58232656A Granted JPS60127210A (ja) 1983-06-14 1983-12-12 高導電性熱分解炭素薄膜成形物の製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60127210A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4919501A (en) * 1986-12-23 1990-04-24 Linotype Ag Opto-mechanical deflector
JP2002327271A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Sumitomo Electric Ind Ltd 導電性硬質炭素皮膜

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57143321A (en) * 1981-03-03 1982-09-04 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Conjugated polymer and its preparation
JPS57207329A (en) * 1981-06-15 1982-12-20 Kanebo Ltd Organic type semiconductor and manufacture thereof

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57143321A (en) * 1981-03-03 1982-09-04 Japan Synthetic Rubber Co Ltd Conjugated polymer and its preparation
JPS57207329A (en) * 1981-06-15 1982-12-20 Kanebo Ltd Organic type semiconductor and manufacture thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4919501A (en) * 1986-12-23 1990-04-24 Linotype Ag Opto-mechanical deflector
JP2002327271A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Sumitomo Electric Ind Ltd 導電性硬質炭素皮膜

Also Published As

Publication number Publication date
JPH039945B2 (ja) 1991-02-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4701317A (en) Highly electroconductive films and process for preparing same
US7226643B2 (en) Thermal pyrolysising chemical vapor deposition method for synthesizing nano-carbon material
Powers et al. The surface oxidation of alpha-silicon carbide by O2 from 300 to 1373 K
JPS6221867B2 (ja)
EP0201696B1 (en) Production of carbon films
JP2002047066A (ja) ＳｉＣ成形体およびその製造方法
JPS61256993A (ja) シリコン単結晶引上げ装置用黒鉛子るつぼ及びヒ−タ−
JPS62502043A (ja) シリコン・カ−バイド半導体デバイスのためのウェ−ハ・ベ−ス
JPS60127210A (ja) 高導電性熱分解炭素薄膜成形物の製造方法
CN109574668A (zh) 碳化膜的制造方法
JP4736076B2 (ja) ＳｉＣ膜被覆ガラス状炭素材およびその製造方法
JP2005112659A (ja) カーボンナノチューブ製造装置及びカーボンナノチューブの製造方法
Kumar et al. Survival of diamond at 2200° C in hydrogen
JP2003183076A (ja) 熱分解炭素または黒鉛被覆炭素材料の製造方法
JPS63225591A (ja) 炭化珪素被覆黒鉛材料の製造方法
Stiegler et al. Plasma-assisted CVD of diamond films by hollow cathode arc discharge
JP3220730B2 (ja) 常圧ｃｖｄ装置のための黒鉛製ウエハ保持治具
JPH0426576A (ja) 炭化けい素被覆炭素製品及びその製造方法
Shimoo et al. Effect of Vacuum Heat Treatment on Electron‐Beam‐Irradiation‐Cured Polycarbosilane Fibers
JPH0122286B2 (ja)
JPH0362791B2 (ja)
JPH1135391A (ja) 炭化ケイ素被覆サセプタ−
JP3689363B2 (ja) 超高温水蒸気を用いた炭化ケイ素単結晶表面酸化膜の作製方法
JPH0717468B2 (ja) 熱分解炭素被覆黒鉛材の製造法
JPS6311509A (ja) 黒鉛モノクロメ−タ−の製造法