JPH0122286B2 - - Google Patents
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- JPH0122286B2 JPH0122286B2 JP61031796A JP3179686A JPH0122286B2 JP H0122286 B2 JPH0122286 B2 JP H0122286B2 JP 61031796 A JP61031796 A JP 61031796A JP 3179686 A JP3179686 A JP 3179686A JP H0122286 B2 JPH0122286 B2 JP H0122286B2
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 claims description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 17
- 239000000047 product Substances 0.000 description 17
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- RCHDLEVSZBOHOS-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobut-2-yne Chemical compound ClCC#CCCl RCHDLEVSZBOHOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- VATICBIJCZYBHZ-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-chlorobut-2-yne Chemical compound ClCC#CCBr VATICBIJCZYBHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KDKYADYSIPSCCQ-UHFFFAOYSA-N but-1-yne Chemical compound CCC#C KDKYADYSIPSCCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- SAJMJXZROMTSEF-UHFFFAOYSA-N 1,4-dibromobut-2-yne Chemical compound BrCC#CCBr SAJMJXZROMTSEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNMQEEKYCVKGBD-UHFFFAOYSA-N 2-butyne Chemical class CC#CC XNMQEEKYCVKGBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は導電性生成物の製造方法に関する。更
に詳しくは、１，４―ジハロゲン化―２―ブチン
の熱分解反応により得られる導電性生成物の製造
方法を提供するものである。
に詳しくは、１，４―ジハロゲン化―２―ブチン
の熱分解反応により得られる導電性生成物の製造
方法を提供するものである。
（従来技術）
従来、熱分解炭素系の導電性生成物を得る方法
として、メタン、プロパン、ベンゼン、アセチレ
ン等の炭化水素化合物の気相熱分解法が考えら
れ、多くの製造方法が提案されてきた。しかし、
これらの製造方法は、1000℃付近以上の反応温度
条件で、10〜数百Ｓ・cm-1以上の電導度を有する
導電性薄膜についてのものである。上記の従来の
炭化水素化合物を用いた場合、500℃という低温
の熱分解反応では、導電性生成物が全く生成しな
いか、あるいは生成しても電導度が0.1S・cm-1以
下の低導電性の生成物しか与えなかつた。
として、メタン、プロパン、ベンゼン、アセチレ
ン等の炭化水素化合物の気相熱分解法が考えら
れ、多くの製造方法が提案されてきた。しかし、
これらの製造方法は、1000℃付近以上の反応温度
条件で、10〜数百Ｓ・cm-1以上の電導度を有する
導電性薄膜についてのものである。上記の従来の
炭化水素化合物を用いた場合、500℃という低温
の熱分解反応では、導電性生成物が全く生成しな
いか、あるいは生成しても電導度が0.1S・cm-1以
下の低導電性の生成物しか与えなかつた。
（解決しようとする問題点）
従来の炭化水素化合物の熱分解法では、10〜
20S・cm-1程度の電導度を有する導電性生成物を
製造するためには、700℃以上の反応温度を必要
とし、エネルギー消費が著しかつた。
20S・cm-1程度の電導度を有する導電性生成物を
製造するためには、700℃以上の反応温度を必要
とし、エネルギー消費が著しかつた。
（問題点を解決するための手段）
本発明者らは、この問題点を解決すべく検討を
重ねた結果、本発明をなすに到つた。すなわち本
発明は、１，４―ジハロゲン化―２―ブチンの気
相熱分解反応により得られる導電性生成物の製造
方法である。
重ねた結果、本発明をなすに到つた。すなわち本
発明は、１，４―ジハロゲン化―２―ブチンの気
相熱分解反応により得られる導電性生成物の製造
方法である。
本発明において用いられる、１，４―ジハロゲ
ン化―２―ブチンとしては、１，４―ジクロル―
２―ブチン、１，４―ジブロム―２―ブチン、１
―ブロム―４―クロル―２―ブチン等が挙げられ
る。これらの混合物でもよいが、１，４―ジクロ
ル―２―ブチン単独で用いるのが好ましい。
ン化―２―ブチンとしては、１，４―ジクロル―
２―ブチン、１，４―ジブロム―２―ブチン、１
―ブロム―４―クロル―２―ブチン等が挙げられ
る。これらの混合物でもよいが、１，４―ジクロ
ル―２―ブチン単独で用いるのが好ましい。
本発明の導電性生成物は、上記１，４―ジハロ
ゲン化―２―ブチンを減圧下、あるいはアルゴ
ン、窒素等の不活性ガスのキヤリアガス中におい
て気相熱分解させることにより製造される。
ゲン化―２―ブチンを減圧下、あるいはアルゴ
ン、窒素等の不活性ガスのキヤリアガス中におい
て気相熱分解させることにより製造される。
本発明において、１，４―ジハロゲン化―２―
ブチンをキヤリアガスとともに加熱雰囲気内に導
入しやすくするために、１，４−ジハロゲン化―
２―ブチンを加熱して使用することができる。通
常１，４―ジハロゲン化―２―ブチンをキヤリア
ガスで１〜50％、好ましくは５〜25％の濃度に希
釈して加熱雰囲気下に導入する。キヤリアガスを
用いる場合、その流量は、例えば反応ガスの流路
となる反応管の内径が40mmの場合、0.005〜5l／
min、好ましくは0.01〜2l／minである。
ブチンをキヤリアガスとともに加熱雰囲気内に導
入しやすくするために、１，４−ジハロゲン化―
２―ブチンを加熱して使用することができる。通
常１，４―ジハロゲン化―２―ブチンをキヤリア
ガスで１〜50％、好ましくは５〜25％の濃度に希
釈して加熱雰囲気下に導入する。キヤリアガスを
用いる場合、その流量は、例えば反応ガスの流路
となる反応管の内径が40mmの場合、0.005〜5l／
min、好ましくは0.01〜2l／minである。
上記の１，４―ジハロゲン化―２―ブチンを含
むガス状の原料を400〜700℃、好ましくは450〜
600℃に昇温させた電気炉等の加熱環境下の反応
容器内に導入することにより、本発明の導電性生
成物が得られ、その製造方法が実現される。
むガス状の原料を400〜700℃、好ましくは450〜
600℃に昇温させた電気炉等の加熱環境下の反応
容器内に導入することにより、本発明の導電性生
成物が得られ、その製造方法が実現される。
本発明の導電性生成物は、気相熱分解物の重合
により生成すると考えられる。本発明で用いられ
る１，４―ジハロゲン化―２―ブチンは、ジハロ
ゲン化物であるために、二つの炭素―ハロゲン原
子間結合が熱反応により切断されやすく、こうし
て生成した中間生成物は縮合芳香族系化合物を形
成しやすいと考えられる。
により生成すると考えられる。本発明で用いられ
る１，４―ジハロゲン化―２―ブチンは、ジハロ
ゲン化物であるために、二つの炭素―ハロゲン原
子間結合が熱反応により切断されやすく、こうし
て生成した中間生成物は縮合芳香族系化合物を形
成しやすいと考えられる。
本発明の導電性生成物を薄膜の形態で得るため
には、所定の加熱環境下における反応ガスの流路
に、石英ガラス板、アルミナ板、シリコンウエハ
ー、カプトン等の耐熱性高分子フイルムを設置
し、その上に熱分解生成物を枕積させる方法が考
えられる。
には、所定の加熱環境下における反応ガスの流路
に、石英ガラス板、アルミナ板、シリコンウエハ
ー、カプトン等の耐熱性高分子フイルムを設置
し、その上に熱分解生成物を枕積させる方法が考
えられる。
膜厚0.1μm程度の導電性薄膜を得るめには、１
時間以上の反応時間が好ましい。しかし、この膜
厚は反応系にキヤリアガスを用いる場合、その流
量との関係で決まるため、特に反応時間は上記に
限定されるものではない。
時間以上の反応時間が好ましい。しかし、この膜
厚は反応系にキヤリアガスを用いる場合、その流
量との関係で決まるため、特に反応時間は上記に
限定されるものではない。
本発明において用いられる基板としては、上記
のほかに、窒化ケイ素、ゲルマニウム、ガリウム
砒素等の無機材料、鉄、銅、アルミニウム等の金
属材料、グラフアイト、炭素繊維、グラフアイト
繊維、カーボン系粉末等の炭素材料、NaCl、
KBr等のエピタキシヤル重合に用いられる結晶
性基板、さらにはグレーテイング等のグラフオエ
ピタキシヤル成長に用いられる基板を用いること
ができる。
のほかに、窒化ケイ素、ゲルマニウム、ガリウム
砒素等の無機材料、鉄、銅、アルミニウム等の金
属材料、グラフアイト、炭素繊維、グラフアイト
繊維、カーボン系粉末等の炭素材料、NaCl、
KBr等のエピタキシヤル重合に用いられる結晶
性基板、さらにはグレーテイング等のグラフオエ
ピタキシヤル成長に用いられる基板を用いること
ができる。
本発明による導電性生成物は、そのままでは半
導体領域の電導度を有しているが、熱処理あるい
は高エネルギー源照射等の二次処理によりさらに
高導電化を図ることができる。
導体領域の電導度を有しているが、熱処理あるい
は高エネルギー源照射等の二次処理によりさらに
高導電化を図ることができる。
（発明の効果）
本発明は、反応原料にジハロゲン化ブチン類を
用いることにより、400〜700℃という比較的低い
温度範囲で１〜100S・cm-1という十分高い電導度
を有する導電性生成物を提供する。従来の炭化水
素系化合物では、上記の温度範囲で反応させて
も、導電性生成物は全く生成しないか、あるいは
生成しても電導度が0.1S・cm-1以下と非常に低
い。
用いることにより、400〜700℃という比較的低い
温度範囲で１〜100S・cm-1という十分高い電導度
を有する導電性生成物を提供する。従来の炭化水
素系化合物では、上記の温度範囲で反応させて
も、導電性生成物は全く生成しないか、あるいは
生成しても電導度が0.1S・cm-1以下と非常に低
い。
本発明の提供する導電性生成物の製造方法は、
導電性材料としてエレクトロニクス分野で応用さ
れうるものである。
導電性材料としてエレクトロニクス分野で応用さ
れうるものである。
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説
明する。
明する。
実施例 １
内径40mmの石英ガラス製の円筒型反応管内に、
18mm角の石英ガラス基板を入れ、その反応管を電
気炉内に設置した。電気炉を500℃に昇温したあ
と、１，４―ジクロル―２―ブチンをアルゴン気
流下で120℃に加熱し、その蒸気をアルゴンキヤ
リアガスで１容量％に希釈し、500℃の反応管内
に導入した。キヤリアガスの流速は1.0l／分であ
つた。10時間反応を行つたあと、石英板を取り出
したところ、金属光沢を有する導電性薄膜が形成
されていた。膜厚は0.055μm（550Å）であつた。
四端子法により薄膜の電導度を測定したところ、
27S・cm-1であつた。
18mm角の石英ガラス基板を入れ、その反応管を電
気炉内に設置した。電気炉を500℃に昇温したあ
と、１，４―ジクロル―２―ブチンをアルゴン気
流下で120℃に加熱し、その蒸気をアルゴンキヤ
リアガスで１容量％に希釈し、500℃の反応管内
に導入した。キヤリアガスの流速は1.0l／分であ
つた。10時間反応を行つたあと、石英板を取り出
したところ、金属光沢を有する導電性薄膜が形成
されていた。膜厚は0.055μm（550Å）であつた。
四端子法により薄膜の電導度を測定したところ、
27S・cm-1であつた。
実施例 ２
実施例１と同様の反応管内に、石英ガラス基板
を入れ、電気炉で500℃に加熱し、十分にアルゴ
ン置換を行つた。１，４―ジクロル―２―ブチン
をアルゴン気流下で120℃に加熱し、その蒸気を
アルゴンキヤリアガスで15容量％に希釈して100
ml／minの流速で反応管内に導入した。２時間反
応を行つて、膜厚0.5μmの導電性薄膜を得た。電
導度は、20S・cm-1であつた。
を入れ、電気炉で500℃に加熱し、十分にアルゴ
ン置換を行つた。１，４―ジクロル―２―ブチン
をアルゴン気流下で120℃に加熱し、その蒸気を
アルゴンキヤリアガスで15容量％に希釈して100
ml／minの流速で反応管内に導入した。２時間反
応を行つて、膜厚0.5μmの導電性薄膜を得た。電
導度は、20S・cm-1であつた。
実施例 ３
実施例１と同様の反応管内に、石英ガラス基板
を入れ、電気炉を600℃に加熱し、アルゴン置換
を行つた、１―ブロム―４―クロル―２―ブチン
を150℃に加熱し、その蒸気をアルゴンガスで10
容量％に希釈して50ml／minの流速で反応管内に
導入した。１時間反応を行い、膜厚0.1μmで電導
度が50S・cm-1の導電性薄膜を得た。
を入れ、電気炉を600℃に加熱し、アルゴン置換
を行つた、１―ブロム―４―クロル―２―ブチン
を150℃に加熱し、その蒸気をアルゴンガスで10
容量％に希釈して50ml／minの流速で反応管内に
導入した。１時間反応を行い、膜厚0.1μmで電導
度が50S・cm-1の導電性薄膜を得た。
Claims (1)
- １ １，４―ジハロゲン化―２―ブチンの気相熱
分解反応により得られる導電性生成物の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3179686A JPS62190217A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 導電性生成物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3179686A JPS62190217A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 導電性生成物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62190217A JPS62190217A (ja) | 1987-08-20 |
| JPH0122286B2 true JPH0122286B2 (ja) | 1989-04-26 |
Family
ID=12341029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3179686A Granted JPS62190217A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 導電性生成物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62190217A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0662742B2 (ja) * | 1987-12-10 | 1994-08-17 | 株式会社リコー | 導電性又は半導性重合体の製造方法 |
-
1986
- 1986-02-18 JP JP3179686A patent/JPS62190217A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62190217A (ja) | 1987-08-20 |
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