JPS62184710A - 架橋ポリオレフイン絶縁電力ケ−ブル - Google Patents

架橋ポリオレフイン絶縁電力ケ−ブル

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JPS62184710A
JPS62184710A JP2618286A JP2618286A JPS62184710A JP S62184710 A JPS62184710 A JP S62184710A JP 2618286 A JP2618286 A JP 2618286A JP 2618286 A JP2618286 A JP 2618286A JP S62184710 A JPS62184710 A JP S62184710A
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JP
Japan
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crosslinked
layer
power cable
insulating layer
insulated power
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Pending
Application number
JP2618286A
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English (en)
Inventor
喜之 井上
雅昭 近藤
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は導体上に内部半導電図を有する架橋ポリオレフ
ィン絶縁電力ケーブルの改良に係り、特に内部半導電層
と絶縁層が同一のクロスヘッド内で押出成形されている
架橋ポリオレフィン絶縁電力ケーブルに係る。
(従来技術) 通常高電圧用の架橋ポリオレフィン絶縁電力ケーブルは
、ケーブルの電気特性上の要求から導体と絶縁層の間に
導電性のカーボンブラック等を添加した組成物を導体上
に押出し成形した内部半導電層が設けられている。
第1図は架橋ポリオレフィン絶縁電力ケーブルの1例の
横断面図である。図面において、(1)は導体、■は内
部半導電層、(3)はポリエチレン、エチレン共重合体
等のポリオレフィン又はそれらの混合物に架橋剤として
例えばジクミルパーオキサイドを配合したポリオレフィ
ン組成物を押出し成形を在Hするか、多数本の軟銅線を
横巻して形成した金属しゃへい層、(6)はポリエチレ
ン、ポリ塩化ビニル等のプラスチック材料を押出し成形
したプラスチックシースである。
しかして、上記内部半導電層■は一般に耐熱性を高め、
併せて半導電層の絶縁層(3)に対する密着性を向上さ
せるため、半導電性組成物の中に有機過酸化物を架橋剤
として配合し、ポリオレフィン絶縁層(3)の架橋の際
、同時に架橋させることが行われている。
上記半導電層■の架橋剤として配合する有機過酸化物は
、架橋効率及びボリオレ、フィンの熱的性質(融点等)
等の関係で適当な分解温度を仔することから、一般に絶
縁層と同様にジクミルパーオキサイドが用いられている
(解決しようとする問題点) 上述したような架橋剤としてジクミルパーオキサイドを
配合した従来の半導電層は、導電性カーボンブラックの
配合により架橋が促進されることから、通常同じジクミ
ルパーオキサイドを用いて架橋される絶縁層(3)の押
出し温度よりもさらに低い温度で押出し被覆が行われて
いる。
7一方、従来は上記の内部半導電層■と絶縁層(3)は
ツレぞれ別個のクロスヘッドにより押出しが行われてき
たが、近年、内部半導電層■と絶縁層(3)の界面にゴ
ミ等の兄物が入り込んで長!!III課電時の電気性能
に悪影響をもたらすことが分ってきた。
ごのため最近ではコモンヘッドを用いて内部半導電層■
と絶縁層(3)を同一クロスヘッド内で押出し被覆する
技術が実用化されてきた。
しかし、コモンヘッドを用いる場合、半導電性)II成
物が絶縁組成物と同一クロスヘッドを通過することにな
るため、半導電性組成物の押出温度は絶縁組成物の押出
tQ度と略々同−tQ度で加工せざるを得ない。このた
め、半導電性組成物が押出機内で早期架橋してスコーチ
を起し易く、生産効率の低下をきたし、又スコーチした
材料の混入によりケーブルの電気性能の低下を招くこと
が生じてきた。
(問題点を解決するための手段) 本発明は上述の問題点を解消した改良された架橋ポリオ
レフィン絶縁電力ケーブルを提供するもので、その特徴
は、内部半導電層及び絶縁層がいずれも有機過酸化物を
用いて架橋されており、かつ、内部半導電層に用いられ
ている有機過酸化物の分解温度が絶縁層に用いられてい
る有機過酸化物の分解lu度よりも高いことにある。
(発明の開示) 本発明において、内部半導電層■の有機過酸化物の分解
温度が絶縁層(3)に用いる有機過酸化物の分解温度よ
り高いものを用いたのは次の理l口による。
即ち、同一のクロスヘッドで内部半導電層■と絶縁層(
3)を同時に押出し被覆した場合、内部半導電層■の架
橋剤の分解温度が絶縁層(3)のそれと同−又は低い場
合、半導電性組成物がクロスへノド内で早期架橋を起こ
し、スコーチを生ずるが、内部半導電層■の架橋剤の分
解温度が高い場合は、絶縁5(3)の押出し温度では架
橋反応が起らすスコーチのない良好な内部半導電層の押
出し被覆が得られるためである。なお、この際スコーチ
防止の充分な効果を得るためには、内部半導電層に用い
る架橋剤の分解を話度は絶縁層のそれより2度以上高い
ことが望ましい。
又分解温度は当該有機過酸化物の活性酸素量が10分間
にI/2となる!■度をいい、このように定義したのは
各組成物が押出機内を通過する時間が通常10分程度を
要するためである。
さらに、内部半導電層■を導体(1)を約I5θ℃以上
に予熱しておくことにより、架橋時の線速は従来のジク
ミルパーオキサイドを用いた場合と同線線速で行なうこ
とができる。
本発明に用いる半導電性組成物は、ポリエチレンの他エ
チレンー酢酸ビニル共重合体、エチレン−エチルアクリ
レート共重合体、エチレン−α−オレフィンノ(重合体
等のポリオレフィン又はそれらの混合物に導電性カーボ
ンブラック及び架橋剤として1.3−ビス(t−ブチル
パーオキ/イソプロピル)ベンゼン、2.5−ジメチル
−2,5ビス(t−プチルパーオキン)ヘキサン、2.
5−ツメチル−2,5−ビス(t−ブチルパーオキシ)
ヘキ7ン=3等のfr機通過酸化物配合したものが用い
られる。
又絶縁組成物は、ポリエチレン、又はエチレン−酢酸ビ
ニル共重合物、エチレン−α−オレフィン共重合体等の
ポリオレフィンやそれらの混合物に架橋剤としてジクミ
ルパーオキサイドを配合したものが用いられる。
なお、半導電性組成物及び絶縁組成物には上記/。
の添加物の他に、4−4’−チオビス(6−t−ブチル
−3−メチルフェノール)、2−メルヵプトベンゾイミ
タゾール、ジラウリル3.3′−チオジプロピオネート
、2.6−ジーt−ブチル−4−メチルフェノール、オ
クタデシル3−(3,5−ジーを一ブチルーヒドロキシ
フェニール ト、ペンタエリスリチル−テトラキス( 3 − (3
.5−ノーt−ブチル−4−ヒドロキノフェニール)プ
ロピオネート〕等の安定剤や炭酸力ルンウム、酸化アル
ミニウム、酸化ケイ素等の充填剤、又は可塑剤、滑剤等
を配合してもよい。
(実施例) ゛ト導電性組成物としてエチレン−酢酸ビニル共重合体
(エバチー) K − 2010,住友化学工業社製商
品名) 1 0 0重量部にアセチレンカーボンブラッ
クeo′rrX量部及び第1表に示した有機過酸化物を
配合したものを常法により混合して得た。
一方、絶縁組成物はポリエチレ7 ( NUC− 90
25、白木ユニカ社製商品名)100重量部にジクミル
、s+−オキサイド2重量部及び4.4′−チオビス(
6−t−ブチル3−メチルフェノール)0.2重量部を
混合して得た。
次に、断面積150−の撚線導体上に上記半導電性組成
物及び絶縁組成物を同一クロスヘッドで押出被覆して、
約0.8mm厚の内部半導電層及び3.2m厚の絶縁層
を設け、その後架橋反応を完結させ、esoovの架橋
ポリエチレン絶縁電力ケーブルを得た。
なお、その時の押出温度は絶縁層が+32℃,半導電層
は130℃であり、導体は180℃に予熱されていた。
上記試作ケーブルの製造時のヤケ特性及び得られたケー
ブルの特性を第1表に示す。
第  1  表 寧○=ヤケなし、Δ=ヤケ少しあり、×=ヤケあり上表
より明らかなように、比較例1のように内と 部半導電層の架橋剤の分解温度が絶縁層のそれ閂は 同一の場合ヤヤケが生じ易い。又実施例1のように内部
半導電層の架橋剤の分解jQ度が絶縁層のそれより高い
が2℃未満の場合はヤケ発生の抑止効果はあるが充分と
はいえない。これに対し実施例文得られたケーブルは内
部半導電層と絶縁層が完全に密着しており、かつ両者の
界面はゴミ等の異物がなく?青θなものであった。
(発明の効果) によれば内部半導電層と絶縁層を同一クロスヘッド内で
押出波mしても内部半導電層にヤケの発生はなく、かつ
、内部半導電層と絶縁層の密着良好で、長期課電時の電
気性能のすぐれたものである。
又内部半導電層の押出し前に導体を150℃以上に予熱
しておくことにより、従来の架橋剤としてジクミルパー
オキサイドを用いた場合と同等の線速で製造できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は架橋ポリオレフィン絶縁電力ケーブルの1例の
横断面図である。 1・・・導体、2・・・内部半導電層、3・・・絶縁層
、4・・・外部゛ト導電層、5・・・金属しゃへい層、
6・・・プラスチノクンース。 手  続  補  正  書 !、事件の表示 昭和61年特許願第26182号 2、発明の名称 架橋ポリオレフィン絶縁電力ケーブル 3、補正をする者 事件との関係   特許出願人 住 所      大阪市東区北浜5丁目15番地名 
称(213)   住友電気工業株式会社代表者  用
上哲部 4、代理人 住 所      大阪市淀用区西中島1丁目9番20
号5、補正命令の日付 自発補正 B、補正の対象 明細;IF中、発明の詳細な説明の欄 7、補正の内容 明細+’F中、第7頁16〜17行目「場合と同線線速
で行なう・・・」を「場合と同一線速で行なう・・・」
と訂正する。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)導体上に内部半導電層、架橋ポリオレフィン絶縁
    層を順次押出被覆により設けて成る架橋ポリオレフィン
    絶縁電力ケーブルにおいて、上記内部半導電層及び絶縁
    層がいずれも有機過酸化物を用いて架橋されており、か
    つ、内部半導電層に用いられている有機過酸化物の分解
    温度(有機過酸化物の活性酸素量が10分間で1/2と
    なる温度、以下同じ)が絶縁層に用いられている有機過
    酸化物の分解温度より高いことを特徴とする架橋ポリオ
    レフィン絶縁電力ケーブル。
  2. (2)内部半導電層に用いられている有機過酸化物の分
    解温度が絶縁層に用いられている有機過酸化物の分解温
    度より2℃以上高いことを特徴とする特許請求の範囲第
    1項記載の架橋ポリオレフィン絶縁電力ケーブル。
  3. (3)内部半導電層は1.3−ビス(t−ブチルパーオ
    キシイソプロピル)ベンゼン、絶縁層はジクミルパーオ
    キサイドのそれぞれを架橋剤として架橋されていること
    を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の架橋ポリオレ
    フィン絶縁電力ケーブル。
  4. (4)内部半導電層は2.5−ジメチル−2.5−ビス
    (t−ブチルパーオキシ)ヘキサン、絶縁層はジクミル
    パーオキサイドのそれぞれを架橋剤として架橋されてい
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の架橋ポ
    リオレフィン絶縁電力ケーブル。
  5. (5)内部半導電層は2.5−ジメチル−2.5−ビス
    (t−ブチルパーオキシ)ヘキシン−3、絶縁層はジク
    ミルパーオキサイドのそれぞれを架橋剤として架橋され
    ていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の架
    橋ポリオレフィン絶縁電力ケーブル。
  6. (6)内部半導電層と絶縁層が同一のクロスヘッド内で
    押出成形されていることを特徴とする特許請求の範囲第
    1項ないし第5項記載の架橋ポリオレフィン絶縁電力ケ
    ーブル。
  7. (7)内部半導電層の押出し前に導体が150℃以上に
    予熱されていることを特徴とする特許請求の範囲第1項
    記載の架橋ポリオレフィン絶縁電力ケーブル。
JP2618286A 1986-02-07 1986-02-07 架橋ポリオレフイン絶縁電力ケ−ブル Pending JPS62184710A (ja)

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