JPS62181508A - 超電導キャビティの製造方法 - Google Patents
超電導キャビティの製造方法Info
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- JPS62181508A JPS62181508A JP61198436A JP19843686A JPS62181508A JP S62181508 A JPS62181508 A JP S62181508A JP 61198436 A JP61198436 A JP 61198436A JP 19843686 A JP19843686 A JP 19843686A JP S62181508 A JPS62181508 A JP S62181508A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01P1/208—Cascaded cavities; Cascaded resonators inside a hollow waveguide structure
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は超電導キャビティの製造方法の改良に係り、特
にＰＶＤ法（物理蒸着）により得られる共振特性に優れ
た超電導薄膜を反転溶解して超電導キャビティを安価に
製造せんとするものである。
にＰＶＤ法（物理蒸着）により得られる共振特性に優れ
た超電導薄膜を反転溶解して超電導キャビティを安価に
製造せんとするものである。
従来超電導キャビティ（空洞共振器）は次の工程により
製造しているものである。
製造しているものである。
（１）Ｎｂ（ニオブ）の板をスピニング加工、絞り加工
又は削り加工によって第１図に示す如き３種のキャビテ
ィ用部品２．２′及び３をつくり、この部品を互いに電
子ビーム溶接法によって接合した後、その内面をフッ酸
と硫酸の混酸にて電解研磨を行い、内面を平滑にすると
共に不純物を除去して超電導キャビティ１をえているも
のである。
又は削り加工によって第１図に示す如き３種のキャビテ
ィ用部品２．２′及び３をつくり、この部品を互いに電
子ビーム溶接法によって接合した後、その内面をフッ酸
と硫酸の混酸にて電解研磨を行い、内面を平滑にすると
共に不純物を除去して超電導キャビティ１をえているも
のである。
なお上記の溶接は内面の平滑性を出来うる限り向上せし
めるため内面より電子ビームをあて溶接するものである
。又Ｎｂはその融点が２４１５℃を高く且つ耐食性に優
れているため高品位のメッキ膜かえられる電気メッキに
よる薄膜を形成することが困難である。
めるため内面より電子ビームをあて溶接するものである
。又Ｎｂはその融点が２４１５℃を高く且つ耐食性に優
れているため高品位のメッキ膜かえられる電気メッキに
よる薄膜を形成することが困難である。
（２）Ｎｂのパイプを液圧バルジ加工法（バルジ成形法
）により拡管して製品化する。然し一度に必要の形状に
拡管することが出来ないため、その途中において真空焼
鈍を行いながら少しづつ拡げなければならないものであ
った。
）により拡管して製品化する。然し一度に必要の形状に
拡管することが出来ないため、その途中において真空焼
鈍を行いながら少しづつ拡げなければならないものであ
った。
このようにＮｂ膜を溶接により形成するためその溶接部
に段差を生じ易くこれによって高周波特性及び超電導特
性の劣化を生じる。又熱伝導性に劣るＮｂを使用すると
共に、膜厚が数ｌｌ１１と厚いために該膜に欠陥、異物
等があると高周波欠損発生熱が逃げにくくなり、これに
よって超電導特性が低下する。又Ｎｂに焼鈍、溶接等を
行うと高温に加熱されるために酸化し易くなり、これを
防止するために真空焼鈍、電子ビーム溶接を必要とする
。従って高価なものとなる。更にＮｂの加工中に表面か
らＦｅ、塵埃等の不純物が入り超電導状態を破壊する危
険性があるため、フッ酸と硫酸との混酸で電解研磨を行
う必要があり、この電解研磨は危険性を伴うと共に工程
の複雑な点から生産性の低下を生ずる。
に段差を生じ易くこれによって高周波特性及び超電導特
性の劣化を生じる。又熱伝導性に劣るＮｂを使用すると
共に、膜厚が数ｌｌ１１と厚いために該膜に欠陥、異物
等があると高周波欠損発生熱が逃げにくくなり、これに
よって超電導特性が低下する。又Ｎｂに焼鈍、溶接等を
行うと高温に加熱されるために酸化し易くなり、これを
防止するために真空焼鈍、電子ビーム溶接を必要とする
。従って高価なものとなる。更にＮｂの加工中に表面か
らＦｅ、塵埃等の不純物が入り超電導状態を破壊する危
険性があるため、フッ酸と硫酸との混酸で電解研磨を行
う必要があり、この電解研磨は危険性を伴うと共に工程
の複雑な点から生産性の低下を生ずる。
又木発明者等は先にこれの改良として、断面十字型状を
有するＡｎ又はＡＪＩ合金からなる、中空体を芯金とし
、その外側寸法を所望の超電導キャビティの内側寸法と
同一に成型し、その外周面にＮｂの薄膜を密着せしめた
後、その外側にＣｕの薄膜を介してＣｕの被覆層を設け
てキャビティの形状とした後上記Ａｌ又はＡ１合金の芯
金を溶解せしめて超電導キャビティを製造する方法（特
願昭５９−１１６６９１号）及び所望形状を有するＡＭ
又はＡＭ合金パイプを芯金としその外周面にＮｂの薄膜
を形成せしめた後、その外側にＣｕの薄膜を介してＣｕ
被覆層を設け、該芯金を拡管加工した後、前記芯金を溶
解除去して超電導キャビティを製造する方法（特願昭５
９−１１６６９２号）を提案した。
有するＡｎ又はＡＪＩ合金からなる、中空体を芯金とし
、その外側寸法を所望の超電導キャビティの内側寸法と
同一に成型し、その外周面にＮｂの薄膜を密着せしめた
後、その外側にＣｕの薄膜を介してＣｕの被覆層を設け
てキャビティの形状とした後上記Ａｌ又はＡ１合金の芯
金を溶解せしめて超電導キャビティを製造する方法（特
願昭５９−１１６６９１号）及び所望形状を有するＡＭ
又はＡＭ合金パイプを芯金としその外周面にＮｂの薄膜
を形成せしめた後、その外側にＣｕの薄膜を介してＣｕ
被覆層を設け、該芯金を拡管加工した後、前記芯金を溶
解除去して超電導キャビティを製造する方法（特願昭５
９−１１６６９２号）を提案した。
面してこの製造方法において芯金としてＡｎ又はＡ１１
合金（以下Ａ！；Ｌという）を使用する理由はＡＭは芯
金の加工に際し、適度に強度を有し加工性が良好である
ため形状の安定性と良好な平滑性が得られることと、後
工程のＡＭ芯金の溶解除去において溶出速度を大きくと
れ経済的であることによる。しかしその反面ＡＩの芯金
の外周面に直接Ｎｂ薄膜を設けているため、前記の如＜
Ａｎを塩酸等で溶解する工程においてＡＫＬとの反応時
に発生する水素によってその外周面のＮｂが脆化され、
Ａｌｌを溶解除去したとしても、Ｎｂの超電導特性を著
しく阻害するものであった。
合金（以下Ａ！；Ｌという）を使用する理由はＡＭは芯
金の加工に際し、適度に強度を有し加工性が良好である
ため形状の安定性と良好な平滑性が得られることと、後
工程のＡＭ芯金の溶解除去において溶出速度を大きくと
れ経済的であることによる。しかしその反面ＡＩの芯金
の外周面に直接Ｎｂ薄膜を設けているため、前記の如＜
Ａｎを塩酸等で溶解する工程においてＡＫＬとの反応時
に発生する水素によってその外周面のＮｂが脆化され、
Ａｌｌを溶解除去したとしても、Ｎｂの超電導特性を著
しく阻害するものであった。
本発明はかかる現状に鑑み鋭意研究を行った結果、清浄
且つ平滑にして共振特性の優れた超電導薄膜を有する超
電導キャビティを安価に製造せんとするものである。
且つ平滑にして共振特性の優れた超電導薄膜を有する超
電導キャビティを安価に製造せんとするものである。
〔問題点を解決するための手段と作用〕本発明方法は、
電気化学列において水素よりイオン化傾向大なる金属か
らなる芯金の外周に水素透過防止金属からなる第１薄膜
層を設けた後、その外周にＮｂ又は超電導性金属間化合
物の第２薄膜層を密着形成せしめた後、更にその外側に
熱伝導性が良く密着性の高い金属からなる第３薄膜層を
設け、その上に安定化金属による強化被覆層を設けて超
電導層キャビティの形状とした後、」二重芯金と第１薄
膜を溶解除去せしめることを特徴とする超電導キャビテ
ィの製造方法である。
電気化学列において水素よりイオン化傾向大なる金属か
らなる芯金の外周に水素透過防止金属からなる第１薄膜
層を設けた後、その外周にＮｂ又は超電導性金属間化合
物の第２薄膜層を密着形成せしめた後、更にその外側に
熱伝導性が良く密着性の高い金属からなる第３薄膜層を
設け、その上に安定化金属による強化被覆層を設けて超
電導層キャビティの形状とした後、」二重芯金と第１薄
膜を溶解除去せしめることを特徴とする超電導キャビテ
ィの製造方法である。
又本発明方法は、超電導キャビティ形状に成型した後そ
の外側にＣｕ等の安定化金属による固定層を介して冷却
用金属パイプを設けるものである。
の外側にＣｕ等の安定化金属による固定層を介して冷却
用金属パイプを設けるものである。
又本発明方法は、安定化金属による強化被覆層として、
電鋳によりＣｕ等の安定化金属による被覆層を設けても
よ〈又Ｃｕ又はＣｕ合金のメッキを施したＷ、Ｃ，Ｓｉ
Ｃの内側れか１種の複合繊維或いは織布による纏巻層を
介して電鋳によるＣｕの被覆層を設けてもよい。
電鋳によりＣｕ等の安定化金属による被覆層を設けても
よ〈又Ｃｕ又はＣｕ合金のメッキを施したＷ、Ｃ，Ｓｉ
Ｃの内側れか１種の複合繊維或いは織布による纏巻層を
介して電鋳によるＣｕの被覆層を設けてもよい。
又本発明方法は、安定化金属による被覆層の外側にＣｕ
等の安定化金属を介して冷却用パイプを設けたものであ
る。
等の安定化金属を介して冷却用パイプを設けたものであ
る。
本発明方法において、芯金の材料としてＡｎを使用する
場合にはその純度が９９．９％を超えるものが好ましい
。又Ａ１合金としてはＭｇを０．５〜９．５ ｗｔ％、
特に３．５〜ｆ１．Ｏｗｔ％を含有するものが好ましく
、このＡＪＪ−Ｍｇ合金は強度並びに加工性に優れてい
るものである。その他Ａ１１−Ｃｕ系合金、Ａ立−Ｍｎ
系合金、Ａ立−Ｓｉ系合金、Ａ ！；Ｌ−Ｚ ｎ −Ｍ
ｇ系合金も使用することができる。又Ａ１１合金間の
不純物としてはＦｅ、Ｓｔ、Ｍｎ、Ｃｕを合計で０．１
ｗｔ％以下にすることが望ましくＡｌｌの地金を純度９
９．９ｗｔ％以上のものを使用することにより析出物（
ＡＩＬ−Ｆｅ系の晶出物）の大きさを抑えることが出来
ると共に反転溶解を容易に行いうるものである。なお析
出物の最大径を０．３ ＃Ｌ以下及び加工面の表面を電
解研磨又は化学研磨によりＲ＋＊ａｘｌｐ以下とするこ
とは、後工程のＰＶＤ薄Ｈり（ニオブ薄膜）の厚さ分布
を均一にするために必要である。
場合にはその純度が９９．９％を超えるものが好ましい
。又Ａ１合金としてはＭｇを０．５〜９．５ ｗｔ％、
特に３．５〜ｆ１．Ｏｗｔ％を含有するものが好ましく
、このＡＪＪ−Ｍｇ合金は強度並びに加工性に優れてい
るものである。その他Ａ１１−Ｃｕ系合金、Ａ立−Ｍｎ
系合金、Ａ立−Ｓｉ系合金、Ａ ！；Ｌ−Ｚ ｎ −Ｍ
ｇ系合金も使用することができる。又Ａ１１合金間の
不純物としてはＦｅ、Ｓｔ、Ｍｎ、Ｃｕを合計で０．１
ｗｔ％以下にすることが望ましくＡｌｌの地金を純度９
９．９ｗｔ％以上のものを使用することにより析出物（
ＡＩＬ−Ｆｅ系の晶出物）の大きさを抑えることが出来
ると共に反転溶解を容易に行いうるものである。なお析
出物の最大径を０．３ ＃Ｌ以下及び加工面の表面を電
解研磨又は化学研磨によりＲ＋＊ａｘｌｐ以下とするこ
とは、後工程のＰＶＤ薄Ｈり（ニオブ薄膜）の厚さ分布
を均一にするために必要である。
更に芯金としてＡＭの鋳塊を３００〜５５０℃の熱間加
工により加工組織とした後所定の寸法に加工を施して管
状体とするものであるが、この加工組織にする理由は結
晶粒を揃え加工性を向上せしめるためである。又加工後
１５０〜４００℃にて３０分以上加熱することが好まし
く、加熱することにより歪を除去し反転溶解時に第２薄
膜層と第３薄膜層の剥離又は第３薄膜層と安定化金属に
よる強化被覆層の剥離を防止し且つ該薄膜の損傷するの
を防止するものである。
工により加工組織とした後所定の寸法に加工を施して管
状体とするものであるが、この加工組織にする理由は結
晶粒を揃え加工性を向上せしめるためである。又加工後
１５０〜４００℃にて３０分以上加熱することが好まし
く、加熱することにより歪を除去し反転溶解時に第２薄
膜層と第３薄膜層の剥離又は第３薄膜層と安定化金属に
よる強化被覆層の剥離を防止し且つ該薄膜の損傷するの
を防止するものである。
面して芯金として第２図に示す如き予め断面十字型状（
Ａ）又は（Ｂ）、断面十字型状連結体（Ｃ）を有するキ
ャビティ型中空体１１．１１′を使用する場合には、該
芯金の外側寸法を所望の超電導キャビティの内側寸法と
同一に成型するものである。即ちＡ立管を使用しバルジ
成型加工法又は電気衝撃加工法により鎖管を所定形状に
拡管するものであり、その加工途中において１回以上焼
鈍を行った後所定の外形寸法に成形するものである。
Ａ）又は（Ｂ）、断面十字型状連結体（Ｃ）を有するキ
ャビティ型中空体１１．１１′を使用する場合には、該
芯金の外側寸法を所望の超電導キャビティの内側寸法と
同一に成型するものである。即ちＡ立管を使用しバルジ
成型加工法又は電気衝撃加工法により鎖管を所定形状に
拡管するものであり、その加工途中において１回以上焼
鈍を行った後所定の外形寸法に成形するものである。
又その他の方法としてはＡｎ鍛造品を半割に分割した上
記形状の芯金を溶接した後切削加工及び研磨加工を行っ
て所定の外形寸法に仕上げるものである。更には Ａｌ
鍛造品を切削加工若しくは放電加工により、所定の形状
に中ぐりと外削加工を行った後研磨加工を行って所定の
外形寸法に仕」二げるものである。又直管を使用した場
合には強化被覆層を設けた後該管内に液体等を圧入する
ことにより加圧せしめて超電導キャビティ形状の中空体
に成型するものである。
記形状の芯金を溶接した後切削加工及び研磨加工を行っ
て所定の外形寸法に仕上げるものである。更には Ａｌ
鍛造品を切削加工若しくは放電加工により、所定の形状
に中ぐりと外削加工を行った後研磨加工を行って所定の
外形寸法に仕」二げるものである。又直管を使用した場
合には強化被覆層を設けた後該管内に液体等を圧入する
ことにより加圧せしめて超電導キャビティ形状の中空体
に成型するものである。
又本発明方法において上記芯金の外周面に特に第１薄膜
層を設ける理由は該薄膜層に外側にＮｂ又は超電導性金
属間化合物の第２薄膜層を設は更に第３薄膜層を設けて
キャビティを形成した後、該Ａ文の芯金を塩耐等の溶液
にて溶解除去する際にＡｕとの反応により水素が発生し
Ｎｂ、Ｎｂ３Ｓｎ又は超電導性金属間化合物を脆化せし
め、その超電導特性を阻害するため、ＡＩ２芯金とＮｂ
又はＮｂ３Ｓｎの薄膜との間に第１薄膜層を特に厚さ０
．５ ＰＬ以上に設けるものであり、上記の如＜Ａｌと
の反応により水素が発生したとしても該薄膜により阻止
しＮ ｂ 、 Ｎ ｂ３’ｓ ｎ又はその他の超電導性
金属間化合物に何等の被害を及ぼすことがない。
層を設ける理由は該薄膜層に外側にＮｂ又は超電導性金
属間化合物の第２薄膜層を設は更に第３薄膜層を設けて
キャビティを形成した後、該Ａ文の芯金を塩耐等の溶液
にて溶解除去する際にＡｕとの反応により水素が発生し
Ｎｂ、Ｎｂ３Ｓｎ又は超電導性金属間化合物を脆化せし
め、その超電導特性を阻害するため、ＡＩ２芯金とＮｂ
又はＮｂ３Ｓｎの薄膜との間に第１薄膜層を特に厚さ０
．５ ＰＬ以上に設けるものであり、上記の如＜Ａｌと
の反応により水素が発生したとしても該薄膜により阻止
しＮ ｂ 、 Ｎ ｂ３’ｓ ｎ又はその他の超電導性
金属間化合物に何等の被害を及ぼすことがない。
なお第１薄膜層の膜厚が０．５１を未満の場合には該薄
膜にピンホール或いは膜内欠陥を生じることがあり、溶
解中にＡ−１との反応により発生した水素がＮｂに侵入
して脆化を生ぜしめる恐れがある。
膜にピンホール或いは膜内欠陥を生じることがあり、溶
解中にＡ−１との反応により発生した水素がＮｂに侵入
して脆化を生ぜしめる恐れがある。
又本発明方法においてＮｂ、Ｎｂ３Ｓｎ等の超電導性金
属間化合物の薄膜は望ましくなるべく薄くすることがよ
く且つ不純物の混入を忌避するためＰＶＤ加工によりＮ
ｂ又はＮｂ３Ｓｎの薄膜の外側に第３薄膜層を設けるも
のである。
属間化合物の薄膜は望ましくなるべく薄くすることがよ
く且つ不純物の混入を忌避するためＰＶＤ加工によりＮ
ｂ又はＮｂ３Ｓｎの薄膜の外側に第３薄膜層を設けるも
のである。
なお超電導薄膜として特にＮｂ３Ｓｎを使用する理由は
第３図に示す如く超電導特性としての臨昇温度Ｔｃと臨
界磁界Ｈｃ２を高くすることが出来るためである。
第３図に示す如く超電導特性としての臨昇温度Ｔｃと臨
界磁界Ｈｃ２を高くすることが出来るためである。
その他超電導性金属間化合物としてはＮｂＮ、ＮｂＣ，
ＮｂＣＮ、ＭｏＮ、ＴａＣ，ＺｒＣ１Ｎｂ５Ａｉ、Ｎｂ
５（ＡＪＩＧｅ）、Ｎｂ３Ｇａ、Ｎｂ３Ｇｅ、Ｎｂ３Ｓ
ｉ、ＶａＧａ、Ｖ３Ｓｉ、Ｖ２（Ｈｆ Ｚ ｒ ） 、
Ｍｘ ２、ＴａＳｅ３、Ｔａ５２（Ｃ２Ｈ５Ｎ）（、
−２、ＣｓＫ。
ＮｂＣＮ、ＭｏＮ、ＴａＣ，ＺｒＣ１Ｎｂ５Ａｉ、Ｎｂ
５（ＡＪＩＧｅ）、Ｎｂ３Ｇａ、Ｎｂ３Ｇｅ、Ｎｂ３Ｓ
ｉ、ＶａＧａ、Ｖ３Ｓｉ、Ｖ２（Ｈｆ Ｚ ｒ ） 、
Ｍｘ ２、ＴａＳｅ３、Ｔａ５２（Ｃ２Ｈ５Ｎ）（、
−２、ＣｓＫ。
Ｍ、Ｍｏ ６Ｘ、（Ｍ＝Ｐｂ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｌａ）、（
ＲＥ ） Ｍ ｏ ｔ、 Ｓ ｅ、（ＲＥ）Ｒｈ ４Ｂ
４、Ｌ １ ＋、Ｘ 、 Ｔ ｔ ２−Ｘ Ｏ４、
Ｍ Ｘ Ｗ ０３、Ｂ ａ Ｐ ｂ １−＞（Ｂ ＬＸ
０３等を挙げることができる。
ＲＥ ） Ｍ ｏ ｔ、 Ｓ ｅ、（ＲＥ）Ｒｈ ４Ｂ
４、Ｌ １ ＋、Ｘ 、 Ｔ ｔ ２−Ｘ Ｏ４、
Ｍ Ｘ Ｗ ０３、Ｂ ａ Ｐ ｂ １−＞（Ｂ ＬＸ
０３等を挙げることができる。
又本発明方法は、Ｎｂ又はＮｂ３Ｓｎ等の超電導性金属
間化合物の薄膜の外側に電鋳による厚層のＣｕ強化被覆
層を設けるものであるが超電導性金属間化合物の薄膜に
直接厚いＣｕ強化被覆層を密着せしめることが出来ない
ためＮｉ又はＮｉ合金の薄膜層とＣｕ又はＣｕ合金の薄
膜層の２層の薄膜層からなる第３薄膜層を設けた後、Ｃ
ｕの強化被覆層を設けるものである。
間化合物の薄膜の外側に電鋳による厚層のＣｕ強化被覆
層を設けるものであるが超電導性金属間化合物の薄膜に
直接厚いＣｕ強化被覆層を密着せしめることが出来ない
ためＮｉ又はＮｉ合金の薄膜層とＣｕ又はＣｕ合金の薄
膜層の２層の薄膜層からなる第３薄膜層を設けた後、Ｃ
ｕの強化被覆層を設けるものである。
特に第３薄膜層を２重に設ける理由は、超電導性金属間
化合物の薄膜との密着性をよくするためにＮｉ又はＮｉ
合金の薄膜層を設は且っ厚層のＣｕ強化被覆層との密着
性をよくするためにＣｕの薄膜層を介在せしめるもので
ある。
化合物の薄膜との密着性をよくするためにＮｉ又はＮｉ
合金の薄膜層を設は且っ厚層のＣｕ強化被覆層との密着
性をよくするためにＣｕの薄膜層を介在せしめるもので
ある。
本発明は第３薄膜層の外側にＦＲＭ（ＦｉｂｅｒＲｅｉ
ｎｆｏｒｃｅｄ Ｍｅｔａｌ）層を設けることが望ま
しく、その理由はＣｕの熱膨張率を低下せしめるためで
あり、これによってＣｕの熱膨張係数とＮｂ３Ｓｎ等の
超電導性金属間化合物との熱膨張係数をほぼ同一にする
ことができるため疲労破壊を防止することが出来る。
ｎｆｏｒｃｅｄ Ｍｅｔａｌ）層を設けることが望ま
しく、その理由はＣｕの熱膨張率を低下せしめるためで
あり、これによってＣｕの熱膨張係数とＮｂ３Ｓｎ等の
超電導性金属間化合物との熱膨張係数をほぼ同一にする
ことができるため疲労破壊を防止することが出来る。
なおＦＲＭ層を設ける方法としては特に限定するもので
はなく前記の薄膜層におけるＣｕ又はＣｕ合金の薄膜層
の外周にＣｕメッキを施したＷ、Ｃ，ＳｉＣの内何れか
１種の複合繊維又は該繊維による織布を所望ピッチで巻
付けて、更に電鋳によりＣｕの強化被覆層を設けるもの
である。
はなく前記の薄膜層におけるＣｕ又はＣｕ合金の薄膜層
の外周にＣｕメッキを施したＷ、Ｃ，ＳｉＣの内何れか
１種の複合繊維又は該繊維による織布を所望ピッチで巻
付けて、更に電鋳によりＣｕの強化被覆層を設けるもの
である。
更に本発明方法は最外層として冷却用金属パイブを設け
ることが望ましく、該パイプを設ける理由について説明
すると、通常キャビティを冷却するにおいて従来槽中に
ヘリウム等の冷奴を入れ、この中にキャビティを浸漬し
て冷却せしめているものであるが、これに要する設備費
、管理費及び冷媒費が膨大なものとなる。
ることが望ましく、該パイプを設ける理由について説明
すると、通常キャビティを冷却するにおいて従来槽中に
ヘリウム等の冷奴を入れ、この中にキャビティを浸漬し
て冷却せしめているものであるが、これに要する設備費
、管理費及び冷媒費が膨大なものとなる。
従って本発明方法は」−記の如く冷却用パイプを使用し
、該パイプ中に冷媒を通すことによって極めて安価にし
かも効率よく超電導キャビティを冷却せしめることが出
来るものである。
、該パイプ中に冷媒を通すことによって極めて安価にし
かも効率よく超電導キャビティを冷却せしめることが出
来るものである。
又冷却用パイプを設ける方法としては電鋳によるＣｕの
被覆層の外側に該パイプ例えばＣｕ又はＣｕ合金、ＡＭ
又はＡ文合金、Ｃｕ又はＡｎをＦＲＭにしたものを、所
望ピッチにて巻付け、ハンダ等により煮付を行った後、
その外側を電鋳によりＣｕメッキを施して取付けるもの
である。
被覆層の外側に該パイプ例えばＣｕ又はＣｕ合金、ＡＭ
又はＡ文合金、Ｃｕ又はＡｎをＦＲＭにしたものを、所
望ピッチにて巻付け、ハンダ等により煮付を行った後、
その外側を電鋳によりＣｕメッキを施して取付けるもの
である。
又パイプの断面については特に限定するものではないが
外形が四角形、六角形にすることにより巻イ１け工程を
安定化することができる。
外形が四角形、六角形にすることにより巻イ１け工程を
安定化することができる。
本発明方法において最終工程としてＡ文芯金を溶解し次
いで第１薄膜層を溶解除去するものであるが、このＡｎ
の溶解液としてはＣｕ及びＮｂ又はＮｂ３Ｓｎ等の超電
導性金属間化合物に対して腐食性が小さく且つ脆化せし
めないものが必要であり、燐酸、塩酸、硫酸、特に塩酸
を使用するものである。
いで第１薄膜層を溶解除去するものであるが、このＡｎ
の溶解液としてはＣｕ及びＮｂ又はＮｂ３Ｓｎ等の超電
導性金属間化合物に対して腐食性が小さく且つ脆化せし
めないものが必要であり、燐酸、塩酸、硫酸、特に塩酸
を使用するものである。
更にこの溶解時においてＡＪＩから発生する水素による
Ｎｂ又はＮｂ３Ｓｎ等の超電導性金属間化合物の脆化防
止層としての第１薄膜層を溶解するための溶解液として
は、Ｎｂ又はＮｂ３Ｓｎ等の超電導性金属間化合物に対
して腐食性が小さく且つ脆化せしめることなく、迅速に
溶解せしめてＮｂ又はＮｂ３Ｓｎ膜の表面にムラを生ぜ
しめない鏡面を形成せしめることが必要であり、そのた
めの液として硝酸、硫酸、塩酸、酒石酸、乳酸、酢酸、
石炭酸、過酸化水素等が使用され、特に硝酸が望ましい
。
Ｎｂ又はＮｂ３Ｓｎ等の超電導性金属間化合物の脆化防
止層としての第１薄膜層を溶解するための溶解液として
は、Ｎｂ又はＮｂ３Ｓｎ等の超電導性金属間化合物に対
して腐食性が小さく且つ脆化せしめることなく、迅速に
溶解せしめてＮｂ又はＮｂ３Ｓｎ膜の表面にムラを生ぜ
しめない鏡面を形成せしめることが必要であり、そのた
めの液として硝酸、硫酸、塩酸、酒石酸、乳酸、酢酸、
石炭酸、過酸化水素等が使用され、特に硝酸が望ましい
。
なお超電導薄膜の表面に形成される酸化膜及び汚れを除
去するために電解研磨もしくは化学研磨処理を行う必要
がある。
去するために電解研磨もしくは化学研磨処理を行う必要
がある。
なお本発明方法においてＣｕ合金としては導電率８０％
以上のものであり、例えばＣｕ−Ｃｄ、Ｃｕ−Ｃｒ、Ｃ
ｕ−Ｚｒ、Ｃｕ−Ｎｉをいうものであり、又Ｎｉ合金と
しては例えばコンスタンタン（Ｃｕ−４５％Ｎｉ）、−
＋＝ネル（Ｃｕ−６０〜７０％Ｎｉ）、ニクロム（６０
％Ｎｉ−１６％Ｃｒ−２４％Ｆｅ）及びインコネル（７
６％Ｎｉ−１６％Ｃｒ−８％Ｆｅ）をいう。
以上のものであり、例えばＣｕ−Ｃｄ、Ｃｕ−Ｃｒ、Ｃ
ｕ−Ｚｒ、Ｃｕ−Ｎｉをいうものであり、又Ｎｉ合金と
しては例えばコンスタンタン（Ｃｕ−４５％Ｎｉ）、−
＋＝ネル（Ｃｕ−６０〜７０％Ｎｉ）、ニクロム（６０
％Ｎｉ−１６％Ｃｒ−２４％Ｆｅ）及びインコネル（７
６％Ｎｉ−１６％Ｃｒ−８％Ｆｅ）をいう。
次に本発明の実施例について説明する。
実施例１
第４図（Ａ）〜（Ｅ）により説明する。
即ち（Ａ）に示す如く製造せんとする超電導キャビティ
の内側寸法と同一の外側寸法からなるＭｇ４．５ｗｔ％
のＡ ４１− Ｍ ｇ合金の芯金１１の外周面に３ル厚
のＮｉをコーティングして第１薄膜層１２を設けその外
側に１０１Ｌ厚のＮｂの第２薄膜層１３をイオンブレー
ティング加工により密着せしめその外側に５ｊ１．厚の
Ｎｉをイオンブレーティングにより第３薄膜層１４を被
着せしめた後、電気メッキ法により２ｍｍ厚のＣｕ被覆
層１５を密着せしめた。
の内側寸法と同一の外側寸法からなるＭｇ４．５ｗｔ％
のＡ ４１− Ｍ ｇ合金の芯金１１の外周面に３ル厚
のＮｉをコーティングして第１薄膜層１２を設けその外
側に１０１Ｌ厚のＮｂの第２薄膜層１３をイオンブレー
ティング加工により密着せしめその外側に５ｊ１．厚の
Ｎｉをイオンブレーティングにより第３薄膜層１４を被
着せしめた後、電気メッキ法により２ｍｍ厚のＣｕ被覆
層１５を密着せしめた。
然る後Ｃｕ被覆層１５の表面を研磨して平滑面とした後
上記Ａｎ合金の芯金を塩酸にて溶解除去し、次いで硝酸
にてＮｉの第１薄膜層を溶解除去して本発明超電導キャ
ビティ１６をえた。
上記Ａｎ合金の芯金を塩酸にて溶解除去し、次いで硝酸
にてＮｉの第１薄膜層を溶解除去して本発明超電導キャ
ビティ１６をえた。
実施例２
第５図の（Ａ）乃至（Ｈ）により説明する。
即ち第５図（Ａ）に示す如く表面粗度０．３ＪＬを有し
、外径１００ｍｍ、長さ６００■、肉厚３ｍｍの４．５
ｗｔ％Ｍｇ−Ａ１合金管１７を回転せしめながらイオン
ブレーティングにより、その外周面に３牌厚のＣｕをコ
ーティングして第１薄膜層１８を設けた後、その外側に
１０ル厚のＮｂ薄膜の第２薄膜層１９をイオンブレーテ
ィングにより密着せしめ、その外側にイオンブレーティ
ングによる５に厚のＣｕコーティングした第３薄膜層２
０を被着せしめて、（Ｂ）〜（Ｄ）の工程を行う。次い
で電気メツキ法によって（Ｅ）に示す如く２ｍｍ厚以上
のＣｕ強化被覆層２１を被着する。
、外径１００ｍｍ、長さ６００■、肉厚３ｍｍの４．５
ｗｔ％Ｍｇ−Ａ１合金管１７を回転せしめながらイオン
ブレーティングにより、その外周面に３牌厚のＣｕをコ
ーティングして第１薄膜層１８を設けた後、その外側に
１０ル厚のＮｂ薄膜の第２薄膜層１９をイオンブレーテ
ィングにより密着せしめ、その外側にイオンブレーティ
ングによる５に厚のＣｕコーティングした第３薄膜層２
０を被着せしめて、（Ｂ）〜（Ｄ）の工程を行う。次い
で電気メツキ法によって（Ｅ）に示す如く２ｍｍ厚以上
のＣｕ強化被覆層２１を被着する。
然る後、Ｃｕ被覆層２１の表面を研磨して（Ｆ）に示す
如く平滑面になした後、上記Ａ１合金のノ々イブの内側
から水を圧入してバルジ加工により拡管を行って（Ｇ）
に示す如き断面十字型状を有する中空体２２をうるちの
である。
如く平滑面になした後、上記Ａ１合金のノ々イブの内側
から水を圧入してバルジ加工により拡管を行って（Ｇ）
に示す如き断面十字型状を有する中空体２２をうるちの
である。
なお、上記バルジ加工を行う場合に、焼鈍工程を加えて
徐々に拡管率を上昇せしめ所定の形状にするものである
。この拡管工程はＮｂがＡｎ芯金とＣｕ被覆層との間に
サンドウィッチ状にはさみ込んで密着されているため拡
管率２．７倍以上の如き大きな変形加工を行ったとして
もその熱処理によってＮｂが脆化するようなことは全く
ない。次いで最終工程として内面のＡｎ芯金１７を塩酸
にて溶解せしめ、次いで硝酸にて第１薄膜層１８を溶解
して本発明超電導キャビティ２３を得た。
徐々に拡管率を上昇せしめ所定の形状にするものである
。この拡管工程はＮｂがＡｎ芯金とＣｕ被覆層との間に
サンドウィッチ状にはさみ込んで密着されているため拡
管率２．７倍以上の如き大きな変形加工を行ったとして
もその熱処理によってＮｂが脆化するようなことは全く
ない。次いで最終工程として内面のＡｎ芯金１７を塩酸
にて溶解せしめ、次いで硝酸にて第１薄膜層１８を溶解
して本発明超電導キャビティ２３を得た。
比較例１．２
本発明方法を比較するために第１図に示す如くキャビテ
ィ部品を電子ビーム溶接法にて接合して超電導キャビテ
ィ（比較例１）を得た。又前記特願昭５９−１１６６９
１号の方法にて超電導キャビティを（比較例２）を得た
。
ィ部品を電子ビーム溶接法にて接合して超電導キャビテ
ィ（比較例１）を得た。又前記特願昭５９−１１６６９
１号の方法にて超電導キャビティを（比較例２）を得た
。
斯くして得た本発明方法（実施例１）による超電導キャ
ビティ及び比較例方法による超電導キャビティについて
性能を試みるためにＱ値及び加速電界を測定した。その
結果は第１表に示す通りである。
ビティ及び比較例方法による超電導キャビティについて
性能を試みるためにＱ値及び加速電界を測定した。その
結果は第１表に示す通りである。
なおＱ値とは、Ｇ（形状係数）／Ｒ（抵抗）により表わ
されるものである。
されるものである。
第１表から明らかな如く本発明方法により得た超電導キ
ャビティは優れた超電導性能を有することが認められた
。
ャビティは優れた超電導性能を有することが認められた
。
第１表
実施例３
第６図により説明する。（Ａ）に示す如く製造せんとす
る超電導キャビティの内側寸法と同一の外側寸法からな
るＭｇ ４．５ｗｔ％を含有するＡｌ−Ｍｇ合金の芯
金１７の外周面に（Ｂ）に示す如く３に厚のＮｉをコー
ティングして第１薄膜層１８を設け、その外側に１０１
Ｌ厚のＮｂ３Ｓｎ薄膜の第２薄膜層１９をスパッタリン
グ加工により密着せしめ、その外側に５１Ｌ厚のＮｉを
スパッタコーティング２０′し且つＣｕをスパッタコー
ティング２０ ” Ｌ、て第３薄膜層２０を被着せしめ
た後、その外側にＣｕメッキを施した直径７ＩＬのカー
ボン繊維からなるクロス２４を全体に巻付け、ノ＼ンダ
にて点付けを行った後、その外側に電気メツキ法により
２履腸厚のＣｕ強化被覆層を密着せしめてＦＲＭ層２５
をえた。
る超電導キャビティの内側寸法と同一の外側寸法からな
るＭｇ ４．５ｗｔ％を含有するＡｌ−Ｍｇ合金の芯
金１７の外周面に（Ｂ）に示す如く３に厚のＮｉをコー
ティングして第１薄膜層１８を設け、その外側に１０１
Ｌ厚のＮｂ３Ｓｎ薄膜の第２薄膜層１９をスパッタリン
グ加工により密着せしめ、その外側に５１Ｌ厚のＮｉを
スパッタコーティング２０′し且つＣｕをスパッタコー
ティング２０ ” Ｌ、て第３薄膜層２０を被着せしめ
た後、その外側にＣｕメッキを施した直径７ＩＬのカー
ボン繊維からなるクロス２４を全体に巻付け、ノ＼ンダ
にて点付けを行った後、その外側に電気メツキ法により
２履腸厚のＣｕ強化被覆層を密着せしめてＦＲＭ層２５
をえた。
然るｖｋｃｕ強化被覆層２１の表面を研磨して平滑面と
した後、上記Ａ１合金の芯金１７を塩酸にて溶解除去し
、次いで硝酸にて第１薄膜層１８を溶解除去して第６図
（Ｃ）に示す如き本発明超電導キャビティ２３をえた。
した後、上記Ａ１合金の芯金１７を塩酸にて溶解除去し
、次いで硝酸にて第１薄膜層１８を溶解除去して第６図
（Ｃ）に示す如き本発明超電導キャビティ２３をえた。
斯くして得た本発明超電導キャビティの性能を試みるた
めに、次の如き実験を行った。
めに、次の如き実験を行った。
即ち本発明において使用する上記のＦＲＭ層と従来のＣ
ｕ及びＮｂ３Ｓｎとについてその熱膨張係数、熱伝導率
及び引張強度を決々測定した。その結果は第２表に示す
通りである。
ｕ及びＮｂ３Ｓｎとについてその熱膨張係数、熱伝導率
及び引張強度を決々測定した。その結果は第２表に示す
通りである。
なお表中において繊維体積率とはカーボンの芯材と銅メ
ッキの銅との比率をいうものである。
ッキの銅との比率をいうものである。
第 ２ 表
隊
目
実施例４
実施例３においてＦＲＭ層として直径１３ＩＬのＷ細線
を全周に巻きつけ、その外側にＣｕの電鋳を行って １
．２ｍｍ厚のＷ ＦＲＭ層を得た。又Ｎｂ３Ｓｎの薄
膜層の代りにＮｂ３Ｇｅの薄膜層を設けた。その他はす
べて実施例３と同様にして本発明超電導キャビティを得
た。
を全周に巻きつけ、その外側にＣｕの電鋳を行って １
．２ｍｍ厚のＷ ＦＲＭ層を得た。又Ｎｂ３Ｓｎの薄
膜層の代りにＮｂ３Ｇｅの薄膜層を設けた。その他はす
べて実施例３と同様にして本発明超電導キャビティを得
た。
斯くして得た本発明超電導キャビティの性能を試みるた
めに次の如き実験を行った。
めに次の如き実験を行った。
即ち本発明において使用した上記のＦＲＭ層と従来のＣ
ｕ及びＮｂ３Ｇｅとについてその熱膨張係数、熱伝導率
及び引張強度を夫々測定した。その結果は第３表に示す
通りである。
ｕ及びＮｂ３Ｇｅとについてその熱膨張係数、熱伝導率
及び引張強度を夫々測定した。その結果は第３表に示す
通りである。
第 ３ 表
実施例５
実施例３においてＮｂ３Ｓｎの薄膜層の代りにＶ３Ｇａ
の薄膜層を設は且つＦＲＭ層として直径６ｐのＳｉＣ繊
維からなるクロスを使用した以外はすべて実施例３と同
様にして本発明超電導キャビティを得た。
の薄膜層を設は且つＦＲＭ層として直径６ｐのＳｉＣ繊
維からなるクロスを使用した以外はすべて実施例３と同
様にして本発明超電導キャビティを得た。
斯くして得た本発明超電導キャビティの性能を試みるた
めに次の如き実験を行った。
めに次の如き実験を行った。
即ち本発明において使用した上記のＦＲＭ層と従来のＣ
ｕ及びＶ３Ｇａとについてその熱膨張係数、熱伝導率及
び引張強度を夫々測定した。その結果は第４表に示す通
りである。
ｕ及びＶ３Ｇａとについてその熱膨張係数、熱伝導率及
び引張強度を夫々測定した。その結果は第４表に示す通
りである。
第４表
第２表乃至第４表から明らかな如く本発明の如＜ＦＲＭ
層を設けた場合には熱膨張係数が極めて低下するため室
温と絶対Ｏ℃との間にてヒートサイクルを繰り返して行
うも界面での欠損は認められなかった。しかしＣｕは熱
膨張係数が極めて大きいためＮｂ３Ｓｎ等の超電導金属
間化合物の上に直接電鋳によるＣｕの被覆層を設けた場
合には」二重の如きヒートサイクルを行うと界面に欠損
を生ずるものであった。
層を設けた場合には熱膨張係数が極めて低下するため室
温と絶対Ｏ℃との間にてヒートサイクルを繰り返して行
うも界面での欠損は認められなかった。しかしＣｕは熱
膨張係数が極めて大きいためＮｂ３Ｓｎ等の超電導金属
間化合物の上に直接電鋳によるＣｕの被覆層を設けた場
合には」二重の如きヒートサイクルを行うと界面に欠損
を生ずるものであった。
又ＦＲＭ層を設けることにより強度が増大しＣｕの厚さ
を低減することが出来るため周辺設備の簡略化が可能に
なるものであった。
を低減することが出来るため周辺設備の簡略化が可能に
なるものであった。
実施例６
第７図に示す如〈実施例３におけるＦＲＭ層２５の外側
に径１５＋ａｍの冷却用銅パイプ２６を所望のピッチに
て巻付けつつハンダにて点接を行って該パイプを固定せ
しめ、その外周に電鋳によるＣｕメッキを施した後、実
施例３と同様にＡｊｌ芯金及び第１薄膜層を溶解除去し
更に該パイプ中にヘリウムを通して本発明超電導キャビ
ティを得た。
に径１５＋ａｍの冷却用銅パイプ２６を所望のピッチに
て巻付けつつハンダにて点接を行って該パイプを固定せ
しめ、その外周に電鋳によるＣｕメッキを施した後、実
施例３と同様にＡｊｌ芯金及び第１薄膜層を溶解除去し
更に該パイプ中にヘリウムを通して本発明超電導キャビ
ティを得た。
本発明によれば次の如き効果を有する。
（１）高価な超電導材料を薄膜として使用することが出
来るため、キャビティを安価に製造することができる。
来るため、キャビティを安価に製造することができる。
（２）外面より超電導材料をＰＶＤ法により加工しうる
ため超電導部品の良否を容易に判定しうると共に平滑で
清浄な欠陥微小な鏡面膜が得られるために高周波欠損の
軽微な超電導特性に優れた超電導薄膜を設けることがで
きる。
ため超電導部品の良否を容易に判定しうると共に平滑で
清浄な欠陥微小な鏡面膜が得られるために高周波欠損の
軽微な超電導特性に優れた超電導薄膜を設けることがで
きる。
（３）反転溶解法により超電導薄膜を形成するため、超
電導材料の薄膜化並びに脆弱な超電導材料でも容易に超
電導膜を形成することが出来る。
電導材料の薄膜化並びに脆弱な超電導材料でも容易に超
電導膜を形成することが出来る。
（４）又超電導材料としてＮｂ３Ｓｎ等の超電導性金属
間化合物を使用したとしても、安定化層のＣｕとＮｂ３
Ｓｎ層との間に熱膨張率の差を生ぜしめることがないた
めヒートサイクルを繰返すも何等超電導特性に支障を生
ぜしめることなく長期に亘り安定して作動せしめると共
に冷却に際し特殊な設備並びに管理を必要とすることな
く安価にキャビティを製造することができる。
間化合物を使用したとしても、安定化層のＣｕとＮｂ３
Ｓｎ層との間に熱膨張率の差を生ぜしめることがないた
めヒートサイクルを繰返すも何等超電導特性に支障を生
ぜしめることなく長期に亘り安定して作動せしめると共
に冷却に際し特殊な設備並びに管理を必要とすることな
く安価にキャビティを製造することができる。
（５）超電導薄膜の外周に電気メツキ法により高純度の
Ｃｕ被覆層を設けているため良好な熱伝導性を有するた
めに空洞の発熱に対して急速に冷却することが出来る。
Ｃｕ被覆層を設けているため良好な熱伝導性を有するた
めに空洞の発熱に対して急速に冷却することが出来る。
（Ｅｔ）Ｃｕ被覆層の外周にＣｕパイプを巻付けてパイ
プクーリングをすることにより、従来先行技術では冷却
におけるクライオスタット等の特殊な設備並びに運転管
理の費用が膨大であったものをかなり低減することが出
来る。
プクーリングをすることにより、従来先行技術では冷却
におけるクライオスタット等の特殊な設備並びに運転管
理の費用が膨大であったものをかなり低減することが出
来る。
第１図は従来の超電導キャビティの斜視図、第２図は芯
金の断面図であり、（Ａ）及び（Ｂ）は断面十字型状断
面図、（Ｃ）は断面十字型状連結体断面図、第３図は臨
界温度Ｔｃと臨界磁界Ｈｃｌとの関係図、第４図乃至第
６図は本発明方法による超電導キャビティの製造方法の
１例を示す工程図、第７図は本発明方法において強化被
覆層の外周に冷却用パイプを設けた状態の説明図である
。 １・・・超電導キャビティ、２．２′・・・キャビティ
用部品、１１．１１’・・・芯金、１２・・・第１薄膜
層、１３・・・第２薄膜層、１４・・・第３薄膜層、１
５・・・Ｃｕ被覆層、１６・・・超電導キャビティ、１
７・・・芯金、１８・・・第１薄膜層、１９・・・第２
薄膜層、２０・・・第３被覆層、２１・・・強化被覆層
、２２・・・十字型中空体、２３・・・超電導キャビテ
ィ、２４・・・複合クロス、２５・・・ＦＲＭ層、２６
・・・冷却用銅パイプ。 出願人代理人 弁理士 鈴江 武彦 ＦＩＧ、３ 臨 岑壜膚（に） ＦＩＧ、４Ａ ＦＩＧ、４８Ｆ Ｉ Ｇ、
４Ｅ Φ Φ Φ Φ Ｌ Ｌ Ｌ Ｌｔｏ
ｔ、。 Φ
金の断面図であり、（Ａ）及び（Ｂ）は断面十字型状断
面図、（Ｃ）は断面十字型状連結体断面図、第３図は臨
界温度Ｔｃと臨界磁界Ｈｃｌとの関係図、第４図乃至第
６図は本発明方法による超電導キャビティの製造方法の
１例を示す工程図、第７図は本発明方法において強化被
覆層の外周に冷却用パイプを設けた状態の説明図である
。 １・・・超電導キャビティ、２．２′・・・キャビティ
用部品、１１．１１’・・・芯金、１２・・・第１薄膜
層、１３・・・第２薄膜層、１４・・・第３薄膜層、１
５・・・Ｃｕ被覆層、１６・・・超電導キャビティ、１
７・・・芯金、１８・・・第１薄膜層、１９・・・第２
薄膜層、２０・・・第３被覆層、２１・・・強化被覆層
、２２・・・十字型中空体、２３・・・超電導キャビテ
ィ、２４・・・複合クロス、２５・・・ＦＲＭ層、２６
・・・冷却用銅パイプ。 出願人代理人 弁理士 鈴江 武彦 ＦＩＧ、３ 臨 岑壜膚（に） ＦＩＧ、４Ａ ＦＩＧ、４８Ｆ Ｉ Ｇ、
４Ｅ Φ Φ Φ Φ Ｌ Ｌ Ｌ Ｌｔｏ
ｔ、。 Φ
Claims (13)
- （１）電気化学列において水素よりイオン化傾向大なる
金属からなる芯金の外周に水素透過防止金属からなる第
１薄膜層を設けた後、その外周にＮｂ又は超電導性金属
間化合物の第２薄膜層を密着形成せしめた後、更にその
外側に熱伝導性が良く密着性の高い金属からなる第３薄
膜層を設け、その上に安定化金属による強化被覆層を設
けて超電導キャビティの形状とした後、上記芯金と第１
薄膜層を溶解除去せしめることを特徴とする超電導キャ
ビティの製造方法。 - （２）上記芯金において、Ｍｇ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｆｅ＾I
I、Ｃｄ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｆｅ＾III、の内少
なくとも１種を使用することを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の超電導キャビティの製造方法。 - （３）上記第１薄膜層において、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｐ
ｂ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｚｎ、Ｃｄの内少なくとも
１種を使用することを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の超電導キャビティの製造方法。 - （４）第１薄膜層の厚さとして０．５μｍを超えること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の超電導キャビ
ティの製造方法。 - （５）上記芯金において、外側寸法を所望の超電導キャ
ビティの内側寸法と同一に成型したことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の超電導キャビティの製造方法
。 - （６）上記芯金において、直管において第３薄膜層の上
に安定化金属による強化被覆層を設けた後、該芯金内を
加圧して拡管せしめて超電導キャビティ形状の中空体に
成型することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
超電導キャビティの製造方法。 - （７）上記第３薄膜層として、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇ
、Ｗ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｍｇの内少なくとも１種を使用する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の超電導キ
ャビティの製造方法。 - （８）第２薄膜層並びに第３薄膜層をＰＶＤ（物理蒸着
）の方法により形成することを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の超電導キャビティの製造方法。 - （９）強化被覆層として、Ｃｕ又はＡｌを用いることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の超電導キャビテ
ィの製造方法。 - （１０）強化被覆層として、Ｃｕ又はＣｕ合金のメッキ
を施したＷ、Ｃ、ＳｉＣの内何れか１種の複合繊維或い
は織布による纒巻層を介して電鋳によるＣｕの強化被覆
層（ＦＲＭ層）を設けたことを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の超電導キャビティの製造方法。 - （１１）超電導キャビティの中空体の外側にＣｕ等の安
定化金属固着層を介して冷却用金属パイプを設けたこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の超電導キャビ
ティの製造方法。 - （１２）上記ＦＲＭ被覆層の外側にＣｕ等の安定化金属
固着層を介して冷却用金属パイプを設けたことを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の超電導キャビティの製
造方法。 - （１３）芯金と第１薄膜層の溶解液として、燐酸、塩酸
、硫酸、硝酸、酒石酸、乳酸、酢酸、石炭酸、過酸化水
素の内少なくとも１種を使用することを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の超電導キャビティの製造方法。
Applications Claiming Priority (12)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18679885 | 1985-08-26 | ||
| JP60-186798 | 1985-08-26 | ||
| JP21672685 | 1985-09-30 | ||
| JP60-216726 | 1985-09-30 | ||
| JP22947485 | 1985-10-15 | ||
| JP60-229473 | 1985-10-15 | ||
| JP22947185 | 1985-10-15 | ||
| JP60-229472 | 1985-10-15 | ||
| JP60-229474 | 1985-10-15 | ||
| JP22947385 | 1985-10-15 | ||
| JP60-229471 | 1985-10-15 | ||
| JP22947285 | 1985-10-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62181508A true JPS62181508A (ja) | 1987-08-08 |
| JPH07112122B2 JPH07112122B2 (ja) | 1995-11-29 |
Family
ID=27553590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61198436A Expired - Lifetime JPH07112122B2 (ja) | 1985-08-26 | 1986-08-25 | 超電導キャビティの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4765055A (ja) |
| EP (1) | EP0217127B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07112122B2 (ja) |
| DE (1) | DE3679758D1 (ja) |
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| JP2021039907A (ja) * | 2019-09-04 | 2021-03-11 | 住友重機械工業株式会社 | キャビティ、及びアース板 |
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| JPH0427113A (ja) * | 1990-04-23 | 1992-01-30 | Tadahiro Omi | レジスト処理装置、レジスト処理方法及びレジストパターン |
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| JP4993605B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2012-08-08 | 大学共同利用機関法人 高エネルギー加速器研究機構 | 銅電鋳によって製作した銅／ニオブ複合管材とその製造方法及び複合管材から製造された超伝導加速空洞 |
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| CN113373404B (zh) * | 2021-06-10 | 2022-09-27 | 中国科学院近代物理研究所 | 一种铜基厚壁Nb3Sn薄膜超导腔及其制备方法 |
| CN113388872B (zh) * | 2021-06-10 | 2022-11-15 | 中国科学院近代物理研究所 | 复合结构超导谐振加速腔的制备方法及超导谐振加速腔 |
| CN113811065B (zh) * | 2021-09-16 | 2023-07-25 | 中国科学院近代物理研究所 | 一种在超导腔内部对锡源进行局部加热的双电极直流结构 |
| CN113597081B (zh) * | 2021-09-16 | 2023-07-25 | 中国科学院近代物理研究所 | 一种在超导腔内部对锡源进行局部加热的方法 |
| CN114952196B (zh) * | 2022-06-08 | 2024-10-11 | 中国科学院近代物理研究所 | 一种提高超导腔机械稳定性的方法 |
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- 1986-08-25 JP JP61198436A patent/JPH07112122B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1986-08-26 EP EP86111791A patent/EP0217127B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-08-26 DE DE8686111791T patent/DE3679758D1/de not_active Expired - Fee Related
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